JPH02132746A - 二次イオン質量分析装置 - Google Patents
二次イオン質量分析装置Info
- Publication number
- JPH02132746A JPH02132746A JP63283665A JP28366588A JPH02132746A JP H02132746 A JPH02132746 A JP H02132746A JP 63283665 A JP63283665 A JP 63283665A JP 28366588 A JP28366588 A JP 28366588A JP H02132746 A JPH02132746 A JP H02132746A
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- voltage
- ion beam
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- Pending
Links
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 24
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 13
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 3
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、二次イオン質量分析装置に係り、特に,強い
電界で二次イオンを引出す高感度な二次イオン質量分析
装置に関する。
電界で二次イオンを引出す高感度な二次イオン質量分析
装置に関する。
二次イオン質量分析装置は、固体試料に収束された一次
イオンビームを照射し、試料から放出する二次イオンを
質量分析する装置である。
イオンビームを照射し、試料から放出する二次イオンを
質量分析する装置である。
従来の装置は、特開昭61− 208737号公報に記
載の構造となっていた。
載の構造となっていた。
上記従来技術は,シールド電極と試料台とで囲まれる空
間に引出電極が生成する電界によって、一次イオンビー
ムの照射位置が乱されることについて考慮がされておら
ず,二次イオンを効率良く取込むために電界を強めると
、一次イオンビームの照射位置がずれて、二次イオンの
収率が低下するという問題があった。
間に引出電極が生成する電界によって、一次イオンビー
ムの照射位置が乱されることについて考慮がされておら
ず,二次イオンを効率良く取込むために電界を強めると
、一次イオンビームの照射位置がずれて、二次イオンの
収率が低下するという問題があった。
本発明の目的は、シールド電極内の電界、すなわち,引
出電極電圧によらずに,一次イオンビームの照射位置が
標準位置からずれないようにすることにある。
出電極電圧によらずに,一次イオンビームの照射位置が
標準位置からずれないようにすることにある。
上記目的は、シールド電極内の電界による一次イオンビ
ームの照射位置のずれを補正するように、シールド電極
に入射する前にずれとは逆方向に偏向してやることによ
り達成される。偏向手段は、一つあるいは複数の偏向電
極の作る静電界を利用する。
ームの照射位置のずれを補正するように、シールド電極
に入射する前にずれとは逆方向に偏向してやることによ
り達成される。偏向手段は、一つあるいは複数の偏向電
極の作る静電界を利用する。
シールド電極内に電界を発生させる引出電極の電圧と一
次イオンビームの照射位置のずれの大きさとは比例関係
にあることが、軌道解析により明らかにされている。一
方、平行平板型の偏向電極による照射位置ずれの補正量
Dは、 2aVo となる。ここで、 a:偏向電極間隔 b:偏向電極長 C:偏向電極中心から試料までの距離 vd:偏向電極電圧 vo:一次イオンビームの加速電圧 り、vdを引出電極電圧と等しくすることができる。
次イオンビームの照射位置のずれの大きさとは比例関係
にあることが、軌道解析により明らかにされている。一
方、平行平板型の偏向電極による照射位置ずれの補正量
Dは、 2aVo となる。ここで、 a:偏向電極間隔 b:偏向電極長 C:偏向電極中心から試料までの距離 vd:偏向電極電圧 vo:一次イオンビームの加速電圧 り、vdを引出電極電圧と等しくすることができる。
以下,本発明の一実施例を第1図により説明する。一次
イオンはイオンエミツタ1で生成され,ウエネルト電極
2、加速電極3、アース電極4の作る電界によって加速
・収束されて、一次イオンビーム11となる。一次イオ
ンビーム11は、その後、電磁レンズ6によって細く絞
られ、偏向電極13の作る電界によって、一旦、偏向電
極13のある左側へ偏向される。シールド電極8内では
、引出電極9の作る電界のため、今度は右側へ戻され、
結果的に標準の照射位置に一次イオンビーム11が照射
されることになる,偏向電極13を取囲むシールド15
は、この内の電界分布を整える働きをしている。偏向電
極13の電圧は引出電極9の電圧と等しい時、一次イオ
ンビーム11の照射位置ずれが零となるように設計して
あるが、微調整のため可変電源26を接続している。ま
た、一次イオンビーム11の照射の結果生成された二次
イオンは、引出電極9,10によって取込まれ,質量分
析系へ輸送される。
イオンはイオンエミツタ1で生成され,ウエネルト電極
2、加速電極3、アース電極4の作る電界によって加速
・収束されて、一次イオンビーム11となる。一次イオ
ンビーム11は、その後、電磁レンズ6によって細く絞
られ、偏向電極13の作る電界によって、一旦、偏向電
極13のある左側へ偏向される。シールド電極8内では
、引出電極9の作る電界のため、今度は右側へ戻され、
結果的に標準の照射位置に一次イオンビーム11が照射
されることになる,偏向電極13を取囲むシールド15
は、この内の電界分布を整える働きをしている。偏向電
極13の電圧は引出電極9の電圧と等しい時、一次イオ
ンビーム11の照射位置ずれが零となるように設計して
あるが、微調整のため可変電源26を接続している。ま
た、一次イオンビーム11の照射の結果生成された二次
イオンは、引出電極9,10によって取込まれ,質量分
析系へ輸送される。
本実施例の偏向電極は寸法が小さく、形状も単純で製作
、及び、組込みが簡単である。
、及び、組込みが簡単である。
次に,本発明の第二の実施例を第2図により説明する。
全体構成は前述の実施例とほぼ同様であるが、偏向電極
13.14を二枚設けた点が異なっている。偏向電極1
4は一次イオンビーム11を,一旦、右側へ偏向し、続
いて偏向電極13が左側へ偏向する。シールド電極8内
へ一次イオンビーム11を少し左向きに斜め入射させる
ことにより、シールド電極8内で右側に偏向された場合
、試料台7へは垂直に入射させることができる。
13.14を二枚設けた点が異なっている。偏向電極1
4は一次イオンビーム11を,一旦、右側へ偏向し、続
いて偏向電極13が左側へ偏向する。シールド電極8内
へ一次イオンビーム11を少し左向きに斜め入射させる
ことにより、シールド電極8内で右側に偏向された場合
、試料台7へは垂直に入射させることができる。
二次イオンの生成効率は、一次イオンビームの入射角度
に関係するので、本実施例では,引出電極電圧によらず
、一定のイオン生成効率を得ることができる。
に関係するので、本実施例では,引出電極電圧によらず
、一定のイオン生成効率を得ることができる。
本発明によれば、測定条件が変化しても感度が変化せず
,装置の調整時間を大幅に短縮することができる。
,装置の調整時間を大幅に短縮することができる。
第1図は本発明の一実施例の二次イオン質量分析装置の
系統図、第2図は本発明の他の実施例の二次イオン質量
分析装置の系統図である。 1・・・イオンエミッタ、2・・・ウエネルト電極、3
・・・加速電極、4・・・アース電極、5・・・磁気シ
ールド、6・・・電磁レンズ、7・・・試料台、8・・
・シールド電極、9,10・・・引出電極、11・・・
一次イオンビーム、12・・・二次イオンビーム、13
,14・・・偏向電極、15・・・シールド,20〜2
7・・・電源。
系統図、第2図は本発明の他の実施例の二次イオン質量
分析装置の系統図である。 1・・・イオンエミッタ、2・・・ウエネルト電極、3
・・・加速電極、4・・・アース電極、5・・・磁気シ
ールド、6・・・電磁レンズ、7・・・試料台、8・・
・シールド電極、9,10・・・引出電極、11・・・
一次イオンビーム、12・・・二次イオンビーム、13
,14・・・偏向電極、15・・・シールド,20〜2
7・・・電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一次イオンビームを生成するイオン源と、前記一次
イオンビームを加速及び収束させるレンズ系と、前記一
次イオンビームを照射する試料を保持する試料台と、前
記試料の囲りの電界分布を整えるシールド電極と、前記
試料から発生する二次イオンを引出す引出電極とから構
成する二次イオン質量分析装置において、 前記一次イオンビームに沿つて前記レンズ系と前記シー
ルド電極間に設けた偏向電極に、引出電極電圧の関数と
して定めた定常電圧を印加することを特徴とする二次イ
オン質量分析装置。 2、特許請求の範囲第1項において、 前記偏向電極及び前記引出電極に同じ電圧を印加するこ
とを特徴とする二次イオン質量分析装置。 3、特許請求の範囲第2項において、 前記偏向電極の電圧を前記引出電極の電圧の上・下に調
整する可変電源を設けたことを特徴とする二次イオン質
量分析装置。 4、特許請求の範囲第1項において、 複数の前記偏向電極を設けたことを特徴とする二次イオ
ン質量分析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63283665A JPH02132746A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 二次イオン質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63283665A JPH02132746A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 二次イオン質量分析装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02132746A true JPH02132746A (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=17668475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63283665A Pending JPH02132746A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 二次イオン質量分析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02132746A (ja) |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP63283665A patent/JPH02132746A/ja active Pending
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