JPH02124539A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 アクティブマトリクス型液晶表示装置に関し、エバーオ
フ点欠陥に起因する表示欠陥の拡大を防止することを目
的とし、 絶縁性基板−ヒにマトリクス状に配列された複数個の画
素電極と、該画素電極に対応付けて配置された薄膜トラ
ンジスタと、該薄膜トランジスタに選択信号を印加する
ゲートバスと、前記薄膜トランジスタを介して前記画素
電極に表示データを供給するドレインバスと、これらの
上に形成された配向膜を有する能動素子基板の構成にお
いて、前記配向膜上の前記画素電極の略直上部を除く残
りの領域に、導電材料膜からなる電荷吸収電極を設けた
構成とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明はアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する
。

液晶等の画素駆動用に薄膜トランジスタを用いたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置は、薄膜トランジスタが
液晶セルに対する電圧駆動用のスイッチング素子として
働くため、各セルの電圧を正確に制御することができ、
大容量２階調表示に適した表示装置である。そこで昨今
では、ボケッ）ＴＶの表示装置として既に商品化されて
いるのを始め、ＯＡ端末機器の表示装置を目指して盛ん
な開発が進められている。

このような趨性下にあって、液晶表示装置は今以上の高
画質化および長寿命化が要求されており、従って、表示
欠陥をより少なくし、また、駆動時間の経過とともに表
示欠陥の増大や拡大が発生しないようにすることが必要
である。

〔従来の技術〕

第２図（ａ）、　（ｂ）に、従来の薄膜トランジスタ駆
動液晶表示装置の構造を模式的に示す。

同図（ａ）に示すように、薄膜トランジスタ（以後ＴＰ
Ｔと略記する）３の制御電極はスキャンバスとも呼ぶゲ
ートバスＣＢに、被制御電極の一方はデータバスとも呼
ぶドレインバスＤＢに、他方ば画素電極已に接続されて
いる。上記ＴＦＴ３はゲートバスＣＢから選択信号を受
けてオンとなり、この時のドレインハスＤＢ上の表示デ
ータが画素電極Ｅに送られ、表示が行われる。

」１記液晶表示装置の断面構造は、同図（ａ）のＡ−Ａ
矢視部の断面図である（ｂ）に見られるように、ＩＴＯ
膜のような透明導電膜からなる画素電極Ｅ。

ドレインバスＤＢ、配向膜４．および図示はされていな
いがゲートバスＧＢ、ＴＰＴ３等をガラス基板１上に形
成した能動素子基板Ｐと、ＩＴＯ膜等からなる対向電極
Ｅ“とその上に配向膜４“をガラス基板１′上に形成し
た対向基板Ｐ゛間に、液晶層５を挟持する構成を有する
。

なお上記配向膜４．４′は一般に画素部だけではなく、
非画素部にも全面的に形成されている。

かかる構成において、ＴＦＴ３の断線欠陥等により、常
にドレインハスＤＢから絶縁状態に保たれる画素（今後
エバーオフ点欠陥と呼ぶ）の画素電極Ｅの電位は、それ
を取り囲む周辺のゲートバスＣＢ、　　ドレインハスＤ
Ｂの電位で定まる。

〔発明が解決しようとする課題〕

このようなエバーオフ点欠陥が存在する場合、駆動時間
の経過につれて、このエバーオフ点欠陥の周辺部の光学
状態が変化し、表示欠陥が拡大する現象が生じ、表示品
質を著しく損なっていた。

本発明者らは、上記表示欠陥の原因を種々検討の結果、
表示欠陥部では外部からの印加電圧がない時であっても
画素電極Ｅと対向電極Ｅ“間に電位差が存在しており、
そのために外部から正負対称な電圧波形を印加しても液
晶５に加わる電圧は非対称なものになるため、正常な画
素に比べて異なる光学状態を示していることを見出した
。

即ち、エバーオフ点欠陥部の電荷が周辺の画素に回り込
む結果、周辺部の電位が変化するものと考えられる。

ここでエバーオフ点欠陥部が電荷を持つ理由は次のよう
に解される。エバーオフ点欠陥部の電位は周辺のゲート
バスＣＢとドレインバスＤＢとの容量結合により定まる
。このうち、ドレインバスＤＢには正負対称の電圧が印
加されているのに対し、ゲートバスＣＢの電位は時間平
均しても０にならない直流成分を持っている。従ってエ
バーオフ点欠陥部の電位もまたある直流成分を持つこと
になる結果、液晶５中の電荷がエバーオフ点欠陥部に集
まるものと解される。

本発明はエバーオフ点欠陥に起因する表示欠陥の拡大を
防止することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、能動素子基板側の配向膜表面の非画素部分に
電荷吸収電極を形成した構成としたものである。

〔作　用〕

−Ｌ述した如く、エバーオフ点欠陥部では、外部から正
９対称な波形の電圧を印加しても、液晶に加わる電圧は
非対称なものとなる結果、電荷が周囲の画素に回り込む
。その結果、周囲部の画素電極の電位の変化を引起すこ
とによって、表示欠陥が拡大するという現象を生じると
考えられる。

そこで本発明では、画素電極周辺に電荷吸収電極を設け
であるので、これを対抗電極と同電位とすることにより
、エバーオフ点欠陥部からの電荷の回り込みを防止或い
は吸収することができ、この結果、表示欠陥の拡大を防
止できる。

〔実　施　例〕

以下本発明の一実施例を第１図（ａ）、　（ｂ）により
説明する。

本実施例では同図（ａ）に示す如（、ゲートバスＧＢか
ら選択信号を受けてＴＰＴ３がオンとなり、ドレインバ
スＤＢ上の表示データを画素電極Ｅに送り込む点は従来
と何ら変わりはなく、能動素子基板Ｐ上の配向膜４の上
に、網状の電荷吸収電極７を設けた点が異なる。

この電荷吸収電極７は、画素電極Ｅの直上部を除く他の
領域、即ちＴ　ＦＴ　３　、ゲートバスＧ１３゜及びド
レインバスＤＢ等が配設された非画素部に形成する。従
ってこれを形成しても表示に悪影響を及ぼすおそれはな
い。

上記電荷吸収電極７を形成するための材質は特に限定す
る必要はないが、製造工程上および特性上問題を生じな
いようにするためには、通常アクティブマトリクスに用
いられる導電材料を用いることが望ましいであろう。本
実施例ではマスク蒸着法により、非画素部にＡｆｆｉ（
アルミニウム）のような金属の膜を被着させて、ブラッ
クマトリクスを兼ねる電荷吸収電極７を形成した。

このようにして作製した能動素子基板Ｐと、対向電極Ｅ
゛および配向膜４゛を形成した対向基板Ｐ゛とを所定間
隙を隔てて貼り合わせ、この基板間隙に液晶を注入、封
止することによって液晶表示装置を作製した。

この液晶表示装置を種々試験した結果、長時間経過後も
、エバーオフ点欠陥部の周囲に表示欠陥が拡大する現象
は認められなかった。

〔発明の効果〕

以上説明した如く本発明によれば、アクティブマトリク
ス型液晶表示装置において、エバーオフ点欠陥が存在し
た場合でも周辺画素に表示欠陥が広がる問題の発生を防
止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明一実施例の構成説明図
、第２図（ａ）、　（ｂ）は従来の液晶表示装置の問題
点説明図である。 図において、１，１°は絶縁性基板（ガラス基板）、３
は薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）、４．４゜は配向膜、５
は液晶層、７は電荷吸収電極、ＣＢはゲートバス、ＤＢ
はドレインバスを示す。 辞 ブン″

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 絶縁性基板（１）上にマトリクス状に配列された複数個
   の画素電極（Ｅ）と、該画素電極（Ｅ）に対応付けて配
   置された薄膜トランジスタ（３）と、該薄膜トランジス
   タ（３）に選択信号を印加するゲートバス（ＧＢ）と、
   前記薄膜トランジスタ（３）を介して前記画素電極（Ｅ
   ）に表示データを供給するドレインバス（ＤＢ）と、こ
   れらの上に形成された配向膜（４）を有する能動素子基
   板（Ｐ）を具備した構成において、 前記配向膜（４）上の、前記画素電極（Ｅ）の略直上部
   を除く残りの領域に、導電材料膜からなる電荷吸収電極
   （７）を設けたことを特徴とするアクティブマトリクス
   型液晶表示装置。