JPH02123784A - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
- Publication number
- JPH02123784A JPH02123784A JP1246595A JP24659589A JPH02123784A JP H02123784 A JPH02123784 A JP H02123784A JP 1246595 A JP1246595 A JP 1246595A JP 24659589 A JP24659589 A JP 24659589A JP H02123784 A JPH02123784 A JP H02123784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- wavelength
- active layer
- layer
- cladding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150110330 CRAT gene Proteins 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001093 holography Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001741 metal-organic molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/041—Optical pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0604—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising a non-linear region, e.g. generating harmonics of the laser frequency
- H01S5/0605—Self doubling, e.g. lasing and frequency doubling by the same active medium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は外部刺戟に応じて所定波長の光を発生する活性
層と、所定波長の光を活性層に沿って誘導し、活性層の
端面において放射させる導波路として該活性層を限定す
るため該活性層と境を接して配置した第１および第２ク
ラッド層とを含み、該活性層もしくは少なくとも１つの
クラッド層を光学的に非線形の媒体により形成し、所定
波長の光とともに、所定波長の１７２の波長の光を発生
させるようにした発光装置に関するものである。
層と、所定波長の光を活性層に沿って誘導し、活性層の
端面において放射させる導波路として該活性層を限定す
るため該活性層と境を接して配置した第１および第２ク
ラッド層とを含み、該活性層もしくは少なくとも１つの
クラッド層を光学的に非線形の媒体により形成し、所定
波長の光とともに、所定波長の１７２の波長の光を発生
させるようにした発光装置に関するものである。
〔従来の技術］
この種装置に関しては、ジャパニーズ ジャーナル オ
ブ アプライド フィジックス（ＪａｐａｎｅｓｅＪｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ１ｓｉｃｓ）
、 Ｖｏｌ、２６． Ｎα８ 。
ブ アプライド フィジックス（ＪａｐａｎｅｓｅＪｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ１ｓｉｃｓ）
、 Ｖｏｌ、２６． Ｎα８ 。
１９８７年８月、１３８６−１３８７ページに公表され
ているナガアツ オガサワラ（Ｎａｇａａｔｓｕ Ｏｇ
ａｓａｗａｒａ）ほかによる論文“’ＡｌＧａＡｓ
タプル へテロ構造レーザくこおける第２高周波の発生
（ｓｅｃｏｎｄ ｈａｒｍｏｎｉｃｇｅｎｅｒａｔｉｏ
ｎ ｉｎ ａｎ ＡｌＧａＡｓ Ｄｏｕｂｌｅ−１１ａ
ｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＬａｓｅｒ ）”に８己載
されている。
ているナガアツ オガサワラ（Ｎａｇａａｔｓｕ Ｏｇ
ａｓａｗａｒａ）ほかによる論文“’ＡｌＧａＡｓ
タプル へテロ構造レーザくこおける第２高周波の発生
（ｓｅｃｏｎｄ ｈａｒｍｏｎｉｃｇｅｎｅｒａｔｉｏ
ｎ ｉｎ ａｎ ＡｌＧａＡｓ Ｄｏｕｂｌｅ−１１ａ
ｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＬａｓｅｒ ）”に８己載
されている。
（発明が解決しようとする課題〕
本発明の目的は２倍周波数光、すなわち所定波長の１／
２の波長の光を、活性層の垂直方向に発出する良好に指
向されたビームとして装置から放射させうるよう形成し
た発光装置を提供しようとするものである。
２の波長の光を、活性層の垂直方向に発出する良好に指
向されたビームとして装置から放射させうるよう形成し
た発光装置を提供しようとするものである。
（課題を解決するだめの手段）
本発明によるときは、外部刺戟に応じて所定波長の光を
発生する活性層と、所定波長の光を活性層に沿って５ｊ
Ｉ波し活性層の端面において放射させる導波路として該
活性層を限定するため該活性層と境を接して配置した第
１および第２クラット層とを含み、該活性層もしくは少
なくとも１つのクラッド層を光学的に非線形の媒体によ
り形成し、所定波長の光とともに所定波長の１７２の波
長の光を発生させるよう形成した発光装置において、核
少なくとも１つのクラッド層は所定波長の１７２の波長
の光と位相整合させるため、 ｎ （ただし、λ２は所定波長の１７２の波長、ｍは回折の
次数、またｎは該１つのクラッド層の屈折率である。）
を有する周期的格子構造を含むほか、所望波長の１／２
の波長の光をほぼ透過させうるよう形成して、所定波長
の１７２の波長の光が活性層から垂直方向に周期的回折
格子を通して発出しうるようにしたことを特徴とする。
発生する活性層と、所定波長の光を活性層に沿って５ｊ
Ｉ波し活性層の端面において放射させる導波路として該
活性層を限定するため該活性層と境を接して配置した第
１および第２クラット層とを含み、該活性層もしくは少
なくとも１つのクラッド層を光学的に非線形の媒体によ
り形成し、所定波長の光とともに所定波長の１７２の波
長の光を発生させるよう形成した発光装置において、核
少なくとも１つのクラッド層は所定波長の１７２の波長
の光と位相整合させるため、 ｎ （ただし、λ２は所定波長の１７２の波長、ｍは回折の
次数、またｎは該１つのクラッド層の屈折率である。）
を有する周期的格子構造を含むほか、所望波長の１／２
の波長の光をほぼ透過させうるよう形成して、所定波長
の１７２の波長の光が活性層から垂直方向に周期的回折
格子を通して発出しうるようにしたことを特徴とする。
ここで使用する光（ｌｉｇｈｔ ）なる語句は赤外線近
辺から紫外線近辺までにわたるスペクトラムの範囲内の
波長を有する電磁放射を意味するものと理解すべきであ
る。
辺から紫外線近辺までにわたるスペクトラムの範囲内の
波長を有する電磁放射を意味するものと理解すべきであ
る。
このように、本発明は所定波長の光を生成するための活
性層を含み、活性層の垂直方向に装置から所定波長の１
／２の波長の光を抽出するための手段を具えた発光装置
を与える。また、所定波長の１／２の波長の光の抽出は
、活性層またはクラッド層のいずれかあるいは双方に非
線形光媒体を利用し、所定波長の１／２の波長の光に位
相整合した造付けの周期的構造を与えることにより達成
することができる。
性層を含み、活性層の垂直方向に装置から所定波長の１
／２の波長の光を抽出するための手段を具えた発光装置
を与える。また、所定波長の１／２の波長の光の抽出は
、活性層またはクラッド層のいずれかあるいは双方に非
線形光媒体を利用し、所定波長の１／２の波長の光に位
相整合した造付けの周期的構造を与えることにより達成
することができる。
かくして、本発明装置によるときは、２倍周波数光すな
わら所定波長の１７２の波長の光を装置の外部で結合し
、活性層から垂直方向に発出する良好に指向されたビー
ムを与えることができる。また、一方、所定波長の光が
活性層の１つの端面から放射されるので、一方の周波数
が他の周波数の２倍であるような２つのほぼ直角なビー
ムを与えることができる。
わら所定波長の１７２の波長の光を装置の外部で結合し
、活性層から垂直方向に発出する良好に指向されたビー
ムを与えることができる。また、一方、所定波長の光が
活性層の１つの端面から放射されるので、一方の周波数
が他の周波数の２倍であるような２つのほぼ直角なビー
ムを与えることができる。
本発明の一実施例においては、該１つのクラッド層は交
番する波高部（ｃｒｅａｔ ）とトラフ部（ｔｒｏｕｇ
ｈ ）を限定する自由面を有し、かつ所定波長の１７２
の波長の光をほぼ透過させうるようトラフ部における厚
みを充分小さくしている。この場合、２つのクラッド層
は同一材料により形成するを可とする。
番する波高部（ｃｒｅａｔ ）とトラフ部（ｔｒｏｕｇ
ｈ ）を限定する自由面を有し、かつ所定波長の１７２
の波長の光をほぼ透過させうるようトラフ部における厚
みを充分小さくしている。この場合、２つのクラッド層
は同一材料により形成するを可とする。
活性層および他のクラッド層はＩＩＩ−Ｖ族生導体（オ
料により形成することが好ましい。活性層はクラット層
とともに筒中にダブル へテロ構造を形成することがで
き、もしくはさらに複雑な場合もある。したがって、例
えば、活性層は１またはそれ以上の１子弁戸あるいは超
格子活性領域を含み、かつ別個の閉じ込め領域を有する
を可とする。また、該１つのクラッド層は２倍周波数光
に透過性を有する例えば、硫化亜鉛のような材料により
形成するを可とする。該１つのクラッド層を２倍周波数
光に透過性を有する材料により形成する場合は、該１つ
のクラッド層の自由面上または活性層とのインターフェ
ース部に周期的回折格子を設けることができる。
料により形成することが好ましい。活性層はクラット層
とともに筒中にダブル へテロ構造を形成することがで
き、もしくはさらに複雑な場合もある。したがって、例
えば、活性層は１またはそれ以上の１子弁戸あるいは超
格子活性領域を含み、かつ別個の閉じ込め領域を有する
を可とする。また、該１つのクラッド層は２倍周波数光
に透過性を有する例えば、硫化亜鉛のような材料により
形成するを可とする。該１つのクラッド層を２倍周波数
光に透過性を有する材料により形成する場合は、該１つ
のクラッド層の自由面上または活性層とのインターフェ
ース部に周期的回折格子を設けることができる。
本発明装置の構造は、さもなければ■−Ｖ族半導体材料
により強力に吸収される可能性のある２倍周波数光を装
置から放射させることができるという利点を有する。
により強力に吸収される可能性のある２倍周波数光を装
置から放射させることができるという利点を有する。
以下図面により本発明を説明する。
添付図面は単にその概要を示すもので、正しい縮尺によ
り作図したものではない。特に、層または領域の膜厚の
ようなある種の寸法は拡大して図示し、他の寸法は縮小
して示しである。また、各図において、同一・または類
（以の構成素子については同一・符弓数字を用いて表示
しである。
り作図したものではない。特に、層または領域の膜厚の
ようなある種の寸法は拡大して図示し、他の寸法は縮小
して示しである。また、各図において、同一・または類
（以の構成素子については同一・符弓数字を用いて表示
しである。
添付図面におい°ζ、発光装置は外部刺戟に応じて所定
波長λ１の光を発生する活性層（ａｃｔｉｖｅｌａｙｅ
ｒ ） Ｉならびに所定波長λ、の光を活性層１の端
面１ａにおいて放射されるよう活性層１に沿っで誘導す
る導波路として活性層を限定するため、活性層と境を接
して配置した第１および第２のクラッド層（ｃｌａｄｄ
ｉｎｇ １ａｙｅｒ ；被覆層）２および３を含む。本
発明によるときは、活性層１もしくは少なくとも１つの
クラット層３は所定波長λ、の光とともに、所定波長の
１／２の波長の光（すなわλ ち、波長λ２＝ の光）を発生させるだめの光学的
に非線形の媒体を含み、少なくとも１つの該クラッド層
３は波長λ２の光と位相整合させるため （ここで、λ２は所定波長の１７２の波長、ｍは回折の
次数、またｎは該１つのクラッド層の屈折率である。）
を有する周期的格子構造を呈し、所定波長の１７２の波
長の光をほぼ透過させるよう形成し、波長λ２の光が周
期的回折格子４を通して活性層１から垂直方向に発出し
うるようにしている。
波長λ１の光を発生する活性層（ａｃｔｉｖｅｌａｙｅ
ｒ ） Ｉならびに所定波長λ、の光を活性層１の端
面１ａにおいて放射されるよう活性層１に沿っで誘導す
る導波路として活性層を限定するため、活性層と境を接
して配置した第１および第２のクラッド層（ｃｌａｄｄ
ｉｎｇ １ａｙｅｒ ；被覆層）２および３を含む。本
発明によるときは、活性層１もしくは少なくとも１つの
クラット層３は所定波長λ、の光とともに、所定波長の
１／２の波長の光（すなわλ ち、波長λ２＝ の光）を発生させるだめの光学的
に非線形の媒体を含み、少なくとも１つの該クラッド層
３は波長λ２の光と位相整合させるため （ここで、λ２は所定波長の１７２の波長、ｍは回折の
次数、またｎは該１つのクラッド層の屈折率である。）
を有する周期的格子構造を呈し、所定波長の１７２の波
長の光をほぼ透過させるよう形成し、波長λ２の光が周
期的回折格子４を通して活性層１から垂直方向に発出し
うるようにしている。
第１図は本発明発光装置、特にレーザ ダイオードの断
面図を示す。
面図を示す。
図示のように、本発明発光装置は、例えば、シリコンの
ようなｎ十導電形式の不純物で高度にドープした単結晶
ガリウム砒素基板１０を含み、その上に、例えば、分子
ビーム エピタキシィ（ＭＢＥ； ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ） 、金属有機気相エピタ
キシィ（ＭＯＶＰＥ； ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ
ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅｅｐｉｔａｘｙ ）または金属
有機ＭＢＥ （ＭＯＭＢＢ ）のような一般のエピタキ
シャル成長技法を用いてクラッド層（被覆層）２，３お
よび活性層１を形成させる。また、従来慣例的に行われ
ているように、基板１０の上には、第１図に点線で示す
ように、クラッド層２．３およびその間に挿入される活
性層１を成長させる前に、高ドープｎ導電形砒化ガリウ
ムのパンファ エピタキシャル層１０ａを成長させるこ
とが好ましい。
ようなｎ十導電形式の不純物で高度にドープした単結晶
ガリウム砒素基板１０を含み、その上に、例えば、分子
ビーム エピタキシィ（ＭＢＥ； ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ） 、金属有機気相エピタ
キシィ（ＭＯＶＰＥ； ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ
ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅｅｐｉｔａｘｙ ）または金属
有機ＭＢＥ （ＭＯＭＢＢ ）のような一般のエピタキ
シャル成長技法を用いてクラッド層（被覆層）２，３お
よび活性層１を形成させる。また、従来慣例的に行われ
ているように、基板１０の上には、第１図に点線で示す
ように、クラッド層２．３およびその間に挿入される活
性層１を成長させる前に、高ドープｎ導電形砒化ガリウ
ムのパンファ エピタキシャル層１０ａを成長させるこ
とが好ましい。
本実施例においては、第１クラッド層２は標準的にＸ＝
０．３であり、また標準的に５ＸＩＯ１８アトムｃＦ’
のドーピング濃度を有する砒化ガリウムアルミニウムＡ
ｌＸＧａ＋−ＸＡｓ合金のｎ導電形の層として形成して
おり、第１クラッド層２の形成の後、活性層１を形成す
る。本実施例の場合、活性層１は砒化ガリウム特に作意
的でないドープ層として形成する。次に、活性層１の形
成の後、本実施例の場合、第１クラッド層２と同じ組成
のＰ導電形砒化ガリウムアルミニウムの層として第２ク
ラッド層３を形成する。
０．３であり、また標準的に５ＸＩＯ１８アトムｃＦ’
のドーピング濃度を有する砒化ガリウムアルミニウムＡ
ｌＸＧａ＋−ＸＡｓ合金のｎ導電形の層として形成して
おり、第１クラッド層２の形成の後、活性層１を形成す
る。本実施例の場合、活性層１は砒化ガリウム特に作意
的でないドープ層として形成する。次に、活性層１の形
成の後、本実施例の場合、第１クラッド層２と同じ組成
のＰ導電形砒化ガリウムアルミニウムの層として第２ク
ラッド層３を形成する。
上記のような構造はダブル へテロ構造を形成する。活
性層ｌは約２００ないし４００ｎｍ （ナノメータ）
の範囲の膜厚を有し、クラット層２および３は１．５
μｍ （マイクロメータ）の膜厚とするを可とする。
性層ｌは約２００ないし４００ｎｍ （ナノメータ）
の範囲の膜厚を有し、クラット層２および３は１．５
μｍ （マイクロメータ）の膜厚とするを可とする。
活性層１を単一砒化ガリウムの層として形成する代わり
に、活性領域１は例えば、アルミニウム砒化ガリウム合
金障壁層またはＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超格子（ｓｕｐｅｒ
ｌａｔｔｉｃｅ）障壁層により隔離された１またはそれ
以上の砒化ガリウム量子井戸活性領域を有する量子井戸
領域（ｑｕａｎｔｕｍ圓ｅｌｌ ｒｅｇｉｏｎ ）とし
て形成し、単独の局限された量子井戸形レーザ構造を与
えることもできる。活性層ｌの構造は本発明にとって重
要な事項ではなく、任意の適当な一般の構造を採用する
ことができる。
に、活性領域１は例えば、アルミニウム砒化ガリウム合
金障壁層またはＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超格子（ｓｕｐｅｒ
ｌａｔｔｉｃｅ）障壁層により隔離された１またはそれ
以上の砒化ガリウム量子井戸活性領域を有する量子井戸
領域（ｑｕａｎｔｕｍ圓ｅｌｌ ｒｅｇｉｏｎ ）とし
て形成し、単独の局限された量子井戸形レーザ構造を与
えることもできる。活性層ｌの構造は本発明にとって重
要な事項ではなく、任意の適当な一般の構造を採用する
ことができる。
第２クラッド層３を形成した後、例えば、電子ビーム
リソグラフィまたは光学的ホログラフィおよびエツチン
グのような一般の適当な技法を用いて周期的回折格子４
を形成する。前述のように、周期的回折格子４は の周期を有するよう形成するほか、回折格子４のピーク
（波高値）４６間のトラフ４ａにおいてクラッド層材料
が完全に除去されるほか、格子トラフ４ａの下側の第２
クラツドＮ３の残りの厚さが、２倍周波数光、すなわち
波長 λ２− の光の任意の認知可能な吸収を生しさせない程充分小と
なる程深いエツチングを施すことにより、第２クラット
層３を所定波長の１／２の波長の光に対してほぼ透明と
し、波長λ２の光が活性層ｌから第２クラッド層３を通
して垂直方向に放射されるようにする。標準的には、ト
ラフ４ａの下側の第２クラット層３の膜Ｉ７は約１０ｎ
ｍから約２０ｎｍの範囲内とする。
リソグラフィまたは光学的ホログラフィおよびエツチン
グのような一般の適当な技法を用いて周期的回折格子４
を形成する。前述のように、周期的回折格子４は の周期を有するよう形成するほか、回折格子４のピーク
（波高値）４６間のトラフ４ａにおいてクラッド層材料
が完全に除去されるほか、格子トラフ４ａの下側の第２
クラツドＮ３の残りの厚さが、２倍周波数光、すなわち
波長 λ２− の光の任意の認知可能な吸収を生しさせない程充分小と
なる程深いエツチングを施すことにより、第２クラット
層３を所定波長の１／２の波長の光に対してほぼ透明と
し、波長λ２の光が活性層ｌから第２クラッド層３を通
して垂直方向に放射されるようにする。標準的には、ト
ラフ４ａの下側の第２クラット層３の膜Ｉ７は約１０ｎ
ｍから約２０ｎｍの範囲内とする。
クラッド層２．３および活性層１を成長させ、回折格子
を限定した後は、既知の方法で構造を切刻して第１図に
その１つのみを示すような複数のレーザ ダイオードを
限定する。前記の切開端面ｌａおよび１ｂは活性層１に
より決められるレーザ空洞の反射端面を形成する。必要
なことではないが、前記端面１ａおよび１ｂは、例えば
多重フィルム誘導体層で被覆するなどの他の処理を行い
、反射特性を改善することもできる。
を限定した後は、既知の方法で構造を切刻して第１図に
その１つのみを示すような複数のレーザ ダイオードを
限定する。前記の切開端面ｌａおよび１ｂは活性層１に
より決められるレーザ空洞の反射端面を形成する。必要
なことではないが、前記端面１ａおよび１ｂは、例えば
多重フィルム誘導体層で被覆するなどの他の処理を行い
、反射特性を改善することもできる。
以下に詳述するように、第１図示レーザ ダイオードは
電気的ボンピング レーザ ダイオードにより形成する
を可とする。この場合には、後述するように、レーザ生
成用として必要な外部刺戟を与えるため、クラッド層２
および３上に電気接触（第１図には図示せず）を設け、
装置の両端に電圧を供給しうるようにする必要がある。
電気的ボンピング レーザ ダイオードにより形成する
を可とする。この場合には、後述するように、レーザ生
成用として必要な外部刺戟を与えるため、クラッド層２
および３上に電気接触（第１図には図示せず）を設け、
装置の両端に電圧を供給しうるようにする必要がある。
また、レーザ ダイオードは光学的ボンピング レーザ
ダイオードにより形成することもできる。ただし、これ
は半導体レーザに対しては相当法しいケースである。光
学的ボンピングを使用しようとする場合は、第１および
第２クラッド層２および３は、必ずしも反対導電形式と
するを要しない。
ダイオードにより形成することもできる。ただし、これ
は半導体レーザに対しては相当法しいケースである。光
学的ボンピングを使用しようとする場合は、第１および
第２クラッド層２および３は、必ずしも反対導電形式と
するを要しない。
以下、回折格子４に対するエバルト（Ｅｗａｌｄ ）球
構造または反射球構造を示す第２図を参照して本発明の
詳細な説明する。
構造または反射球構造を示す第２図を参照して本発明の
詳細な説明する。
周期Δの周期的回折格子４において、波長λ２の２倍周
波数光は第２スに示すように、１つの組のビームは表面
に平行であり、他の組のビームは表面に対し直角となる
よう回折する。回折格子４の内側のビームのウェーブ
ベクトルはλ２ にこで、ｎは周期的回折格子４を形成する媒体、または
材料の実効屈折率である）で与えられ、格子４の外側（
すなわち、大気中）の波動ヘクトルは で与えられる。グレーティング周期Δはグレーティング
波動ベクトル ハ を与える。また、第２図のラインＡＡ’ 、１３Ｂ ’
は回折格子の交互の格子（ｒｅｃｉｐｒｏｃａｌ １
ａｔｔｉｃｅ）を表わし、これらは、格子構造の横の寸
法の逆数の“幅（ｗｉｄｔｈ ） ”すなわち、 し を存する。ただし、Ｌは周期的回折格子４の全長である
。
波数光は第２スに示すように、１つの組のビームは表面
に平行であり、他の組のビームは表面に対し直角となる
よう回折する。回折格子４の内側のビームのウェーブ
ベクトルはλ２ にこで、ｎは周期的回折格子４を形成する媒体、または
材料の実効屈折率である）で与えられ、格子４の外側（
すなわち、大気中）の波動ヘクトルは で与えられる。グレーティング周期Δはグレーティング
波動ベクトル ハ を与える。また、第２図のラインＡＡ’ 、１３Ｂ ’
は回折格子の交互の格子（ｒｅｃｉｐｒｏｃａｌ １
ａｔｔｉｃｅ）を表わし、これらは、格子構造の横の寸
法の逆数の“幅（ｗｉｄｔｈ ） ”すなわち、 し を存する。ただし、Ｌは周期的回折格子４の全長である
。
したがって、格子４から放射される２倍周波数光のビー
ムの角発散は ２π λ２ Ｌｋ、 Ｌ となる。
ムの角発散は ２π λ２ Ｌｋ、 Ｌ となる。
上述の回折条件を得るためには、（ｇ）＝ｌｋ＝が成立
しなければならないので、 となる。
しなければならないので、 となる。
図示実施例において、λ、 ＝０．８μｍとし、第２ク
ラッド層３の材料をその実効屈折率が４．６となるよう
な混合成分Ａｌｅ、 ａＧａ＠、４ＡＳを有する砒化ガ
リウムアルミニウムとした場合は、回折格子の周期Δは
０．０８７ μｍとなる。このような小さい寸法の回折
格子は、第３図に示すように、電流電子ビーム リソグ
ラフィ技術を用いて製造することができるが、 （ただし、ｍは回折次数である。）となるような高次回
折条件に対して回折格子４を設計することにより、製造
上の難点を軽減することができる。
ラッド層３の材料をその実効屈折率が４．６となるよう
な混合成分Ａｌｅ、 ａＧａ＠、４ＡＳを有する砒化ガ
リウムアルミニウムとした場合は、回折格子の周期Δは
０．０８７ μｍとなる。このような小さい寸法の回折
格子は、第３図に示すように、電流電子ビーム リソグ
ラフィ技術を用いて製造することができるが、 （ただし、ｍは回折次数である。）となるような高次回
折条件に対して回折格子４を設計することにより、製造
上の難点を軽減することができる。
この場合には、２次の回折条件に対して、同じ屈折率の
値ｎおよび上述の合金混合成分の場合、回折格子周期Ａ
は０．１７４μｍであり、３次の回折条件に対してΔ＝
０．２６１ μｍである。
値ｎおよび上述の合金混合成分の場合、回折格子周期Ａ
は０．１７４μｍであり、３次の回折条件に対してΔ＝
０．２６１ μｍである。
上述のようにレーザ ダイオードは電気的または光学的
にボンピング可能である。第４図はレーザ光生成の電気
的ボンピングまたは電気的刺戟用として適するレーザ
ダイオード構造の概要を示す透視図である。
にボンピング可能である。第４図はレーザ光生成の電気
的ボンピングまたは電気的刺戟用として適するレーザ
ダイオード構造の概要を示す透視図である。
第４図に示すレーザ ダイオード構造は、周期的回折格
子４を限定する前に、第２クラッド層３の面３ａ上に導
電接触層または電極層８を析出させるようにすること以
外は、第１図示構造と同じような方法で製作することが
できる。導電接触層８は任意の適当な導電材料により形
成できるが、２倍周波数光の周波数２ωにおいて、第２
クラツドｌ包３の材料と同じ大きさで、符号が反対の実
数成公試電率Ｅ、を有する金属または金属合金により形
成することが好ましい。このような規準とした場合は、
放射インターフェース プラズマ モードは金属と半導
体間に存在し、金属は放射のための有効な“アンテナ°
゛となる。第２クラッド層３を、上述のような４４３ｎ
ｍでＥｌ＝１８を有する混合成分ｉ’ｌ１０． ａＧａ
ｏ、 ６ＡＳの砒化ガリウム アルミニウムにより形成
した場合は、４４３ｎｍでＥｌ”−１１３を与えるよう
調整した混合成分を有するアルミニウムとマグネシウム
の合金が導電接触層８として適当な材料である。
子４を限定する前に、第２クラッド層３の面３ａ上に導
電接触層または電極層８を析出させるようにすること以
外は、第１図示構造と同じような方法で製作することが
できる。導電接触層８は任意の適当な導電材料により形
成できるが、２倍周波数光の周波数２ωにおいて、第２
クラツドｌ包３の材料と同じ大きさで、符号が反対の実
数成公試電率Ｅ、を有する金属または金属合金により形
成することが好ましい。このような規準とした場合は、
放射インターフェース プラズマ モードは金属と半導
体間に存在し、金属は放射のための有効な“アンテナ°
゛となる。第２クラッド層３を、上述のような４４３ｎ
ｍでＥｌ＝１８を有する混合成分ｉ’ｌ１０． ａＧａ
ｏ、 ６ＡＳの砒化ガリウム アルミニウムにより形成
した場合は、４４３ｎｍでＥｌ”−１１３を与えるよう
調整した混合成分を有するアルミニウムとマグネシウム
の合金が導電接触層８として適当な材料である。
また、電流注入半導体ダイオード レーザに関して既知
のように、装置の両端に電圧を供給して、レーデ光の生
成を電気的に刺戟するため、基板１０の背面上には他の
導電接触層９を析出させる。作動に当たっては、第１図
に関して前述したように、第４図示装置は、砒化ガリウ
ム活性層１のバンドギャップに関係する所定波長λ１の
光を活性層１内に発生し、この光はクランド層２および
３により限定される導波路を介して活性層１に沿って誘
導され、レーデ装置の１つの端面１ａで放射される。
のように、装置の両端に電圧を供給して、レーデ光の生
成を電気的に刺戟するため、基板１０の背面上には他の
導電接触層９を析出させる。作動に当たっては、第１図
に関して前述したように、第４図示装置は、砒化ガリウ
ム活性層１のバンドギャップに関係する所定波長λ１の
光を活性層１内に発生し、この光はクランド層２および
３により限定される導波路を介して活性層１に沿って誘
導され、レーデ装置の１つの端面１ａで放射される。
さらに、活性層１を形成する■−Ｖ族半導体材料の中心
非対称特性（ｎｏｎ−ｃｅｎｔｒｏ−ｓｙｍｍｅｔｒｉ
ｃ ｎａｔｕｒｅ）により波長λ２の倍周波数光が生成
され、周期的グレーティング４により位相整合された後
、活性層１から垂直方向に周期的回折格子４を通して波
長λ２の光が放射される。
非対称特性（ｎｏｎ−ｃｅｎｔｒｏ−ｓｙｍｍｅｔｒｉ
ｃ ｎａｔｕｒｅ）により波長λ２の倍周波数光が生成
され、周期的グレーティング４により位相整合された後
、活性層１から垂直方向に周期的回折格子４を通して波
長λ２の光が放射される。
第５図は、周期的回折格子４を通して活性層１に指向さ
れる波長λ２のポンプ レーザ光ビームにより電気的に
でなく、光学的にボンピングするような形式の本発明レ
ーザ ダイオードの断面図である。ポンプ ビームの波
長λ２は勿論、装置が波長λ１の光を生成するよう選択
し、ポンプビームはダイオード レーザまたは任意の他
の類（以の適当な一般の装置により与えるようにする。
れる波長λ２のポンプ レーザ光ビームにより電気的に
でなく、光学的にボンピングするような形式の本発明レ
ーザ ダイオードの断面図である。ポンプ ビームの波
長λ２は勿論、装置が波長λ１の光を生成するよう選択
し、ポンプビームはダイオード レーザまたは任意の他
の類（以の適当な一般の装置により与えるようにする。
第５図示装置は、当然のことながら、電気的接触を必要
としない点で第４図示装置と相違する。さらに、本実施
例の場合は周期的回折格子を２次元回折格子４、すなわ
ち、図示の格子のほか第５図の平面に垂直な方向におい
て周期Δををする回折格子により形成している。２次元
回折格子の使用は装置からのそれ以上の倍周波数光の結
合を支援する働きをする。
としない点で第４図示装置と相違する。さらに、本実施
例の場合は周期的回折格子を２次元回折格子４、すなわ
ち、図示の格子のほか第５図の平面に垂直な方向におい
て周期Δををする回折格子により形成している。２次元
回折格子の使用は装置からのそれ以上の倍周波数光の結
合を支援する働きをする。
また、選択した材料がレーザ装置の基本波長λ。
の光に対して適当な閉込め（局限）および導波を与える
限りでは、第１および第２クラッド層２および３に対し
て同じ材料を用いる代わりに、倍周波数光に対して透過
性を有する材料を第２クラッド層３用に使用することも
できる。第６図は、第２クラッド層３′をこのような材
料、例えば、Ｐ導電形式では（硫化亜鉛または任意の適
当な広いハンド ギャップＥ、 ＞２．８ｅＶ （エ
レクトロンボルト）のもの）の材料から形成し、ｎ導電
形では上述の材料と波長に形成した本発明による光学的
ポンピング レーザ ダイオードの断面図である。この
場合には、回折格子のトラフ４ａの下側の第２クラッド
層３′の膜厚を小さい値に保持することは必要でなくな
り、したがって、単に第２クラッド層３′の表面３ａに
回折格子４を形成するのみでよい。また、第７図に示す
ように、活性層１′と第２クラッド層３″間のインター
フェース１１に回折格子４を形成することもできる。
限りでは、第１および第２クラッド層２および３に対し
て同じ材料を用いる代わりに、倍周波数光に対して透過
性を有する材料を第２クラッド層３用に使用することも
できる。第６図は、第２クラッド層３′をこのような材
料、例えば、Ｐ導電形式では（硫化亜鉛または任意の適
当な広いハンド ギャップＥ、 ＞２．８ｅＶ （エ
レクトロンボルト）のもの）の材料から形成し、ｎ導電
形では上述の材料と波長に形成した本発明による光学的
ポンピング レーザ ダイオードの断面図である。この
場合には、回折格子のトラフ４ａの下側の第２クラッド
層３′の膜厚を小さい値に保持することは必要でなくな
り、したがって、単に第２クラッド層３′の表面３ａに
回折格子４を形成するのみでよい。また、第７図に示す
ように、活性層１′と第２クラッド層３″間のインター
フェース１１に回折格子４を形成することもできる。
発光装置は必ずしもレーザ ダイオードとするを要せず
、単なる発光ダイオードとすることができる。この場合
には切開した端面を要しない。
、単なる発光ダイオードとすることができる。この場合
には切開した端面を要しない。
このように本発明装置は、起こる可能性のある倍周波数
光の強力な吸収を回避することにより、■−■族半導体
材料のような中心非対称半導体材料内で生成される２倍
周波数光の使用を可能にするほか、倍周波数光が活性層
１から垂直方向に回折イδ子４を通して良好に指向され
たビームとして発出されるための位相整合条件を与える
ことができる。
光の強力な吸収を回避することにより、■−■族半導体
材料のような中心非対称半導体材料内で生成される２倍
周波数光の使用を可能にするほか、倍周波数光が活性層
１から垂直方向に回折イδ子４を通して良好に指向され
たビームとして発出されるための位相整合条件を与える
ことができる。
本発明は本明細書記載の実施例に限定されるものでなく
、多（の他の変形をも包含する。
、多（の他の変形をも包含する。
第１図は本発明発光装置の基本的構造を示す断面図、
第２図は本発明の詳細な説明するためのエバルト（Ｅｗ
ａｌｄ ）球構造を示す図、 第３図は高次回折条件の利用を示す他のＥｗａｌｄ球構
造を示す図、 第４図は本発明発光装置の第１実施例を示す透視図、 第５図は本発明発光装置の第２実施例を示す透視図、 第６図は本発明発光装置の第３実施例の断面図、第７図
は本発明発光装置の第４実施例の断面図である。 １．１′・・・活性層 １ａ・・・端面 ２．３．３’、３“・・・クラッド層 ３ａ・・・面 ４・・・周期的格子構造 ４ａ・・・ピーク部（波高部） ４ｂ・・・トラフ部 ８９・・・導電接触層 １０・・・単結晶砒化ガリウム基板 １０ａ・・・バッファ エビクキシャル層特 許 出 願 人 工ヌ ベー フィリップス フルーイランペンツアフリケン
ａｌｄ ）球構造を示す図、 第３図は高次回折条件の利用を示す他のＥｗａｌｄ球構
造を示す図、 第４図は本発明発光装置の第１実施例を示す透視図、 第５図は本発明発光装置の第２実施例を示す透視図、 第６図は本発明発光装置の第３実施例の断面図、第７図
は本発明発光装置の第４実施例の断面図である。 １．１′・・・活性層 １ａ・・・端面 ２．３．３’、３“・・・クラッド層 ３ａ・・・面 ４・・・周期的格子構造 ４ａ・・・ピーク部（波高部） ４ｂ・・・トラフ部 ８９・・・導電接触層 １０・・・単結晶砒化ガリウム基板 １０ａ・・・バッファ エビクキシャル層特 許 出 願 人 工ヌ ベー フィリップス フルーイランペンツアフリケン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、外部刺戟に応じて所定波長の光を発生する活性層と
、所定波長の光を活性層に沿って誘導し活性層の端面に
おいて放射される導波路として該活性層を限定するため
該活性層と境を接して配置した第１および第２クラッド
層とを含み、該活性層もしくは少なくとも１つのクラッ
ド層を光学的に非線形の媒体により形成し、所定波長の
光とともに所定波長の１／２の波長の光を発生させるよ
う形成した発光装置において、 少なくとも１つのクラッド層は所定波長の １／２の波長の光と位相整合させるため 周期Λ＝（ｍλ＿２）／ｎ （ただし、λ＿２は所定波長の１／２の波長、ｍは回折
の次数、またｎは該１つのクラッド層の屈折率である） を有する周期的格子構造を含むほか、所定波長の１／２
の波長の光をほぼ透過させうるよう形成して、所定波長
の１／２の波長の光が活性層から垂直方向に周期的回折
格子を通して発出しうるようにしたことを特徴とする発
光装置。 ２、該１つのクラッド層は交番する波高部とトラフ部を
限定する自由面を有し、かつ該１つのクラッド層は所定
波長の１／２の波長の光をほぼ透過させうるようトラフ
部における厚みを充分小としたことを特徴とする請求項
１記載の装置。 ３、２つのクラッド層を同一材料により形成したことを
特徴とする請求項２記載の装置。 ４、該１つのクラッド層を所定波長の１／２の波長の光
に透過性を有する材料により形成し、周期的回折格子を
該１つのクラッド層と活性層間のインターフェース部に
形成したことを特徴とする請求項１記載の装置。 ５、活性層および他のクラッド層をIII−Ｖ族半導体材
料により形成したことを特徴とする請求項１ないし４の
いずれか１項に記載の装置。 ６、活性層および他のクラッド層をIII−Ｖ族半導体材
料により形成し、該１つのクラッド層をII−VI族半導体
材料により形成したことを特徴とする請求項４記載の装
置。 ７、II−VI族半導体材料は硫化亜鉛を含むことを特徴と
する請求項６記載の装置。 ８、活性層を砒化ガリウムにより形成し、他のクラッド
層をアルミニウム砒化ガリウムにより形成したことを特
徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記載の装置
。 ９、第１および第２クラッド層を反対導電形式の不純物
でドープした半導体材料とし、装置の両端に電圧を供給
して外部刺戟を与えうるようにするため、該第１および
第２クラッド層上に導電接触を設けたことを特徴とする
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の装置。 １０、該１つのクラッド層上に設けた導電接触を所定波
長の１／２の波長において該１つのクラッド層の誘電率
の実数部分が該１つのクラッド層のそれと同じ大きさで
反対の符号となるよう選定したことを特徴とする請求項
９記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8822806.9 | 1988-09-28 | ||
| GB8822806A GB2223352A (en) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Frequency-doubled light emitting device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02123784A true JPH02123784A (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=10644417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1246595A Pending JPH02123784A (ja) | 1988-09-28 | 1989-09-25 | 発光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0361602A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02123784A (ja) |
| KR (1) | KR900005633A (ja) |
| GB (1) | GB2223352A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5289308A (en) * | 1991-12-20 | 1994-02-22 | Akzo N.V. | Method of making a frequency doubling structure in an optically non-linear medium |
| US5282078A (en) * | 1991-12-20 | 1994-01-25 | Akzo Nv | Method of making a frequency doubling structure in an optically non-linear medium, and a frequency doubling device |
| US5283685A (en) * | 1991-12-23 | 1994-02-01 | Akzo Nv | Method of manufacturing an NLO-active device |
| EP0550105A3 (en) * | 1991-12-30 | 1993-11-18 | Akzo Nv | Liquid-crystalline polyurethanes, compositions of said liquid-crystalline polyurethanes, and a device for optical data storage comprising a liquid-crystalline polyurethane |
| US5779924A (en) * | 1996-03-22 | 1998-07-14 | Hewlett-Packard Company | Ordered interface texturing for a light emitting device |
| US6903379B2 (en) | 2001-11-16 | 2005-06-07 | Gelcore Llc | GaN based LED lighting extraction efficiency using digital diffractive phase grating |
| EP2398074B1 (en) | 2003-07-16 | 2014-09-03 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4930132A (en) * | 1987-12-28 | 1990-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Second harmonic wave generating device having active layer and second harmonic wave generating layer on same substrate |
-
1988
- 1988-09-28 GB GB8822806A patent/GB2223352A/en not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-09-22 KR KR1019890013623A patent/KR900005633A/ko not_active Withdrawn
- 1989-09-22 EP EP19890202387 patent/EP0361602A3/en not_active Withdrawn
- 1989-09-25 JP JP1246595A patent/JPH02123784A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900005633A (ko) | 1990-04-14 |
| EP0361602A3 (en) | 1992-01-02 |
| EP0361602A2 (en) | 1990-04-04 |
| GB2223352A (en) | 1990-04-04 |
| GB8822806D0 (en) | 1988-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5362977A (en) | Single mirror light-emitting diodes with enhanced intensity | |
| CN101933168B (zh) | 等离子体激元增强的发光二极管 | |
| CN105720479B (zh) | 一种具有光束扩散结构的高速半导体激光器 | |
| US6862312B2 (en) | Quantum dot tunable external cavity laser (QD-TEC laser) | |
| JPH0644665B2 (ja) | 縦方向空洞半導体レーザ装置 | |
| JP6807643B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子 | |
| JP6559000B2 (ja) | 量子カスケードレーザ | |
| CN1701476A (zh) | 基于激光辐射较高模的光子带隙晶体调解过滤效应的半导体激光器及其制造方法 | |
| JP7689112B2 (ja) | ２次元フォトニック結晶レーザ | |
| US6813296B2 (en) | GaSb-clad mid-infrared semiconductor laser | |
| CN103078250B (zh) | 基于非对称相移光栅的窄线宽dfb半导体激光器 | |
| JP5892534B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US6577661B1 (en) | Semiconductor laser with lateral light confinement by polygonal surface optical grating resonator | |
| JP6919549B2 (ja) | ナノワイヤ光デバイス | |
| JPH02123784A (ja) | 発光装置 | |
| US5040032A (en) | Semiconductor superlattice heterostructures on non-planar substrates | |
| JP7093220B2 (ja) | 量子カスケードレーザ | |
| Wang et al. | High power single-sided Bragg reflection waveguide lasers with dual-lobed far field | |
| Scifres et al. | Output coupling and distributed feedback utilizing substrate corrugations in double‐heterostructure GaAs lasers | |
| JPH04167484A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS606119B2 (ja) | 複合半導体装置 | |
| Hong et al. | High‐efficiency, low‐threshold, Zn‐diffused narrow stripe GaAs/GaAlAs double heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition | |
| US5309472A (en) | Semiconductor device and a method for producing the same | |
| JP7640003B1 (ja) | 量子カスケードレーザ装置および量子カスケードレーザ装置の製造方法 | |
| JP2957198B2 (ja) | 半導体レーザ装置 |