JPH021192A - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH021192A JPH021192A JP13514088A JP13514088A JPH021192A JP H021192 A JPH021192 A JP H021192A JP 13514088 A JP13514088 A JP 13514088A JP 13514088 A JP13514088 A JP 13514088A JP H021192 A JPH021192 A JP H021192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- laser beam
- center
- light source
- state element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000284 extract Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08081—Unstable resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/0915—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light
- H01S3/092—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light of flash lamp
- H01S3/093—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light of flash lamp focusing or directing the excitation energy into the active medium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/20—Lasers with a special output beam profile or cross-section, e.g. non-Gaussian
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0615—Shape of end-face
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/0915—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light
- H01S3/092—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light of flash lamp
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、固体レーザ装置に関し、特に大断面積、大
出力で高品質のレーデビームを得ることのできる固体レ
ーザ装置に関するものである。
出力で高品質のレーデビームを得ることのできる固体レ
ーザ装置に関するものである。
第19図は例えばレーザハンドブック(オーム社、昭和
57年)に示された従来の固体レーザ装置を示す断面図
であり、図において、1は固体素子でYAGレーザを例
にとればY z、 qq N d o、。3A1゜OI
□なる組成を持つロンド、2は全反射ミラー3は出口ミ
ラー 4.5はそれぞれ出口ミラーの外面、固体素子の
端面に設けられた例えばS10゜からなる無反射膜、6
はアパーチャ、7は出口ミラーの内面に設けられた例え
ばTie、よりなる部分反射膜、8.9はそれぞれ共振
器の内、外に発生されたレーザビーム、10は固体素子
励起用の光源で例えばフラッシュランプ、11は支え、
12は光源10の光を反射させて固体素子lに導く反射
板、13は外枠である。
57年)に示された従来の固体レーザ装置を示す断面図
であり、図において、1は固体素子でYAGレーザを例
にとればY z、 qq N d o、。3A1゜OI
□なる組成を持つロンド、2は全反射ミラー3は出口ミ
ラー 4.5はそれぞれ出口ミラーの外面、固体素子の
端面に設けられた例えばS10゜からなる無反射膜、6
はアパーチャ、7は出口ミラーの内面に設けられた例え
ばTie、よりなる部分反射膜、8.9はそれぞれ共振
器の内、外に発生されたレーザビーム、10は固体素子
励起用の光源で例えばフラッシュランプ、11は支え、
12は光源10の光を反射させて固体素子lに導く反射
板、13は外枠である。
次に動作について説明する。
固体素子1はランプ10からの直接光および反射板12
による反射光により励起され、レーザ媒質を形成する。
による反射光により励起され、レーザ媒質を形成する。
一方、部分反射膜7により部分反射性をもった出口ミラ
ー3と全反射ミラー2とはいわゆる安定型共振器を形成
し、前記レーザ媒質からレーザビーム8を取り出し、さ
らにその一部を外部にレーザビーム9として取り出す。
ー3と全反射ミラー2とはいわゆる安定型共振器を形成
し、前記レーザ媒質からレーザビーム8を取り出し、さ
らにその一部を外部にレーザビーム9として取り出す。
ここでこの共振器の作用について説明する。出口ミラー
3と全反射ミラー2とを往復するレーザビームは断面方
向に種々の位相分布を持つものが存在する。このうちレ
ーザ加工用に最も適するものは断面方向に位相のそろっ
たいわゆるTEM、。
3と全反射ミラー2とを往復するレーザビームは断面方
向に種々の位相分布を持つものが存在する。このうちレ
ーザ加工用に最も適するものは断面方向に位相のそろっ
たいわゆるTEM、。
モードと呼ばれるビームである。このビームは光軸中心
に高い強度を持ち、発散角が小さく、従ってレンズ等で
細く絞れて高パワー密度となり効率の良い加工ができる
。このTEM、。ビームは種々のビームのうち最も断面
積が小さいため、このビームのみを選択するには小さい
開口を持つアパーチャ6をレーザビーム8の通路上に挿
入することが必要である。YAGレーザの場合、波長は
1.06μmであるから、共振器ミラー2,3の曲率1
0m1両ミラー間の光学長1mとすると内部でのTEM
o。ビームの直径は約0.9 aaとなる。従来は上述
のようにして小径のレーザビームを得てレーザ加工に用
いていた。
に高い強度を持ち、発散角が小さく、従ってレンズ等で
細く絞れて高パワー密度となり効率の良い加工ができる
。このTEM、。ビームは種々のビームのうち最も断面
積が小さいため、このビームのみを選択するには小さい
開口を持つアパーチャ6をレーザビーム8の通路上に挿
入することが必要である。YAGレーザの場合、波長は
1.06μmであるから、共振器ミラー2,3の曲率1
0m1両ミラー間の光学長1mとすると内部でのTEM
o。ビームの直径は約0.9 aaとなる。従来は上述
のようにして小径のレーザビームを得てレーザ加工に用
いていた。
従来の固体レーザ装置は以上のように構成されており、
これにより1關程度の小径のT E M o oモード
を得ていたが、YAGロッドは5 am程度の径のもの
もあるため、効率よく大出力を得るためにビーム径の増
大が求められていた。ビーム径の増大は共振器ミラーの
曲率の増大もしくは両ミラー間の光学長の増大により行
なえ、例えば曲率30m1両ミラー間の光学長10mの
ミラーからなる共振器を使えば2.1龍と従来の倍程度
の径を持つTBMooモードが得られる。しかしながら
、このように径を増大しても、ロッドが側面から光を吸
収している従来の構成では、ゲインの分布は側面が高(
中央が低く、この傾向はロッドの径が増大するほど大き
くなるためビーム径増大により側面付近に高い強度分布
を持つマルチモードがきわめて容易に発生してしまう。
これにより1關程度の小径のT E M o oモード
を得ていたが、YAGロッドは5 am程度の径のもの
もあるため、効率よく大出力を得るためにビーム径の増
大が求められていた。ビーム径の増大は共振器ミラーの
曲率の増大もしくは両ミラー間の光学長の増大により行
なえ、例えば曲率30m1両ミラー間の光学長10mの
ミラーからなる共振器を使えば2.1龍と従来の倍程度
の径を持つTBMooモードが得られる。しかしながら
、このように径を増大しても、ロッドが側面から光を吸
収している従来の構成では、ゲインの分布は側面が高(
中央が低く、この傾向はロッドの径が増大するほど大き
くなるためビーム径増大により側面付近に高い強度分布
を持つマルチモードがきわめて容易に発生してしまう。
従って現在市販されている固体レーザのほとんどはl
@a面前後T E M o。
@a面前後T E M o。
ビームしか発生させることができなかった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高品質のレーザビームを大断面積、すなわち
大出力で得ることのできる固体レーザ装置を得ることを
目的とする。
たもので、高品質のレーザビームを大断面積、すなわち
大出力で得ることのできる固体レーザ装置を得ることを
目的とする。
この発明に係る固体レーザ装置は、固体素子の側面を励
起する光源に加えて、光軸方向より固体素子の中央部の
み選択励起する光源を備えたちのである。
起する光源に加えて、光軸方向より固体素子の中央部の
み選択励起する光源を備えたちのである。
この発明においては、固体素子の側面を励起する光源に
加えて、光軸方向より固体素子の中央部のみ選択励起す
る光源を備えたから、固体素子中央部のゲインが高くな
り、中央に高い強度分布を持つTEM、。モードを発振
し易くなる。
加えて、光軸方向より固体素子の中央部のみ選択励起す
る光源を備えたから、固体素子中央部のゲインが高くな
り、中央に高い強度分布を持つTEM、。モードを発振
し易くなる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第1図は本発明の第1の実施例による固体レーザ装置を
示す図であり、図において、1は固体素子でYAGレー
ザを例にとればYff−、tNd、A l。
示す図であり、図において、1は固体素子でYAGレー
ザを例にとればYff−、tNd、A l。
O1!なる組成を持つロッドである。3は出口ミラ、4
.5はそれぞれ出口ミラーの外面、固体素子の端面に設
けられた例えば5in2からなる無反射膜、6はアパー
チャ、7は出口ミラーの内面に設けられた例えばTiO
□よりなる部分反射膜、8.9はそれぞれ共振器の内、
外に発生されたレーザビーム、IQは固体素子励起用の
光源で例えばフラッシュランプ、11は支え、12は光
源10の光を反射させて固体素子1に導く反射板、13
は外枠、14は補助励起光源、15はレンズ、22は光
源14より発生させられたレーザビームである。2aは
コリメートミラーで、その外面に無反射膜4が、その内
面に例えばTtOz、SiO□の多1ffi膜よりなる
波長選択薄膜4aが施されている。波長選択薄膜4aは
レーザビーム22に対してはそのほとんどを通過させ、
レーザビーム8に対してはそのほとんどを反射させるよ
うに機能する。
.5はそれぞれ出口ミラーの外面、固体素子の端面に設
けられた例えば5in2からなる無反射膜、6はアパー
チャ、7は出口ミラーの内面に設けられた例えばTiO
□よりなる部分反射膜、8.9はそれぞれ共振器の内、
外に発生されたレーザビーム、IQは固体素子励起用の
光源で例えばフラッシュランプ、11は支え、12は光
源10の光を反射させて固体素子1に導く反射板、13
は外枠、14は補助励起光源、15はレンズ、22は光
源14より発生させられたレーザビームである。2aは
コリメートミラーで、その外面に無反射膜4が、その内
面に例えばTtOz、SiO□の多1ffi膜よりなる
波長選択薄膜4aが施されている。波長選択薄膜4aは
レーザビーム22に対してはそのほとんどを通過させ、
レーザビーム8に対してはそのほとんどを反射させるよ
うに機能する。
次に動作について説明する。
固体素子1はランプ10からの直接光および反射1反1
2による反射光により側面より励起されるとともに、光
軸方向からその軸中心部のみ光源14から出射されレン
ズ15により集光されたレーザビーム22により励起さ
れる。第2図は光源14が無い場合とある場合とでのロ
ンド内のゲイン分布の例を示す図である。この図より光
源14により中央のゲインが大きくなっていることがわ
かる。
2による反射光により側面より励起されるとともに、光
軸方向からその軸中心部のみ光源14から出射されレン
ズ15により集光されたレーザビーム22により励起さ
れる。第2図は光源14が無い場合とある場合とでのロ
ンド内のゲイン分布の例を示す図である。この図より光
源14により中央のゲインが大きくなっていることがわ
かる。
一方、部分反射膜7により部分反射性をもった出口ミラ
ー3と全反射ミラー2とはいわゆる安定型共振器を形成
し、前記レーザ媒質からレーザビーム8を取り出し、さ
らにその一部を外部にレーザ、ビーム9として取り出す
。
ー3と全反射ミラー2とはいわゆる安定型共振器を形成
し、前記レーザ媒質からレーザビーム8を取り出し、さ
らにその一部を外部にレーザ、ビーム9として取り出す
。
このような本実施例の構成をYAGレーザに用い、共振
器ミラー2,3の曲率30m1両ミラー間の光学長20
mとした場合には約2.7■という大口径のT E M
o oモードが得られた。これは第2図中)に示すよ
うに本実施例では光源14があるので素子の中央部に強
いゲインが得られるためである。上述と同じ曲率、光学
長を持つYAGレーザで光源14が無い場合には、第2
図(a)に示すように、端のゲインが高いため光軸から
遠方に高い強度分布を持つリング状の’I” E M
o +または’FfEMo2の高次モードが発振しやす
く、T E M o oが得られることはなかった。
器ミラー2,3の曲率30m1両ミラー間の光学長20
mとした場合には約2.7■という大口径のT E M
o oモードが得られた。これは第2図中)に示すよ
うに本実施例では光源14があるので素子の中央部に強
いゲインが得られるためである。上述と同じ曲率、光学
長を持つYAGレーザで光源14が無い場合には、第2
図(a)に示すように、端のゲインが高いため光軸から
遠方に高い強度分布を持つリング状の’I” E M
o +または’FfEMo2の高次モードが発振しやす
く、T E M o oが得られることはなかった。
このように、本実施例では、光源10により固体素子の
側面を励起するとともに、光軸方向より光源14により
固体素子の中央部のみ選択励起するようにしたから、固
体素子中央部のゲインが高くなり、中央に高い強度分布
を持つTEM、。モードを発振できる。
側面を励起するとともに、光軸方向より光源14により
固体素子の中央部のみ選択励起するようにしたから、固
体素子中央部のゲインが高くなり、中央に高い強度分布
を持つTEM、。モードを発振できる。
なお、上記実施例ではミラーは固体素子と別に設けるも
のを示したが、第3図、第4図、第5図に示す本発明の
第2.第3.第4の実施例のように、固体素子の片面も
しくは両面を加工して形成するようにしてもよい。
のを示したが、第3図、第4図、第5図に示す本発明の
第2.第3.第4の実施例のように、固体素子の片面も
しくは両面を加工して形成するようにしてもよい。
また、第6図に示す本発明の第5の実施例のように共振
器内にボッケル素子などのQスイッチ素子50を設けて
Qスイッチパルス発振を行なうように構成してもよい。
器内にボッケル素子などのQスイッチ素子50を設けて
Qスイッチパルス発振を行なうように構成してもよい。
この場合、従来例では特にマルチモードが発振しやすか
ったが、本実施例では光源20を加えることによりパル
ス発振においてもT E M o。モードが安定に得ら
れるようになった。
ったが、本実施例では光源20を加えることによりパル
ス発振においてもT E M o。モードが安定に得ら
れるようになった。
また、第7図に示す本発明の第6の実施例のように共振
器内にKDP素子51を設は第2高調波を発生させるよ
うにしてもよい。本実施例では、位相の揃ったT E
M o oモードにより波長変換が行なわれるため、従
来より高効率の変換が実現できるという効果がある。
器内にKDP素子51を設は第2高調波を発生させるよ
うにしてもよい。本実施例では、位相の揃ったT E
M o oモードにより波長変換が行なわれるため、従
来より高効率の変換が実現できるという効果がある。
第8図は本発明の第7の実施例を示す断面図である。図
において、2aは、無反射膜4及び例えばT i Ot
、 S i O2の多層膜よりなる波長選択コーチ
゛イング4aをそれぞれ外面及び内面に施したコリメー
トミラーで、共振器内で発生したレーザビーム8aの波
長に対しては全反射し、補助励起光′tA14の波長に
対してはほとんど全透過するように構成されている。な
お3aは凸状の出口ミラーである。30は出口ミラー3
aの内面中央部に設けられた例えばTie、の如き部・
分反射膜よりなる拡大ミラ一部で、コリノー1−ミラー
2aとともに不安定型共振器を構成している。
において、2aは、無反射膜4及び例えばT i Ot
、 S i O2の多層膜よりなる波長選択コーチ
゛イング4aをそれぞれ外面及び内面に施したコリメー
トミラーで、共振器内で発生したレーザビーム8aの波
長に対しては全反射し、補助励起光′tA14の波長に
対してはほとんど全透過するように構成されている。な
お3aは凸状の出口ミラーである。30は出口ミラー3
aの内面中央部に設けられた例えばTie、の如き部・
分反射膜よりなる拡大ミラ一部で、コリノー1−ミラー
2aとともに不安定型共振器を構成している。
次に本第7の実施例の動作について説明する。
まず、固体素子1は励起光tA10からの直接光及び反
射板12による反射光により側面から励起されるととも
に、固体素子lの光軸中心部は光源14から出射されレ
ンズ15により集光されたレーザビーム16により励起
され、レーザ媒質を形成する。一方、拡大ミラ一部30
により拡大反射されたレーザビーム8aは、このレーザ
ビーム媒質内で増幅されるとともに、コリメートミラー
2aにより出口ミラ−3a内面の無反射膜4と、部分反
射膜よりなる拡大ミラー30とを通って中づまり状の平
行レーザビーム9aとなり、固体レーザ装置の外部に取
り出される。この際、レーザビーム8aは拡大ミラー3
0とコリメートミラー2aよりなる共振器内で毎往復ご
とに拡大される。
射板12による反射光により側面から励起されるととも
に、固体素子lの光軸中心部は光源14から出射されレ
ンズ15により集光されたレーザビーム16により励起
され、レーザ媒質を形成する。一方、拡大ミラ一部30
により拡大反射されたレーザビーム8aは、このレーザ
ビーム媒質内で増幅されるとともに、コリメートミラー
2aにより出口ミラ−3a内面の無反射膜4と、部分反
射膜よりなる拡大ミラー30とを通って中づまり状の平
行レーザビーム9aとなり、固体レーザ装置の外部に取
り出される。この際、レーザビーム8aは拡大ミラー3
0とコリメートミラー2aよりなる共振器内で毎往復ご
とに拡大される。
このため共振器内部に発生する位相のそろったTEMo
oビームに相当するレーザビームが極めて大断面積で得
られることとなる。
oビームに相当するレーザビームが極めて大断面積で得
られることとなる。
第9図(a)、 (b)はそれぞれ本実7の実施例によ
って得られたレーザビームの一例の形状を示す図で、拡
大率が3、拡大ミラー30を構成する部分反射膜の透過
率が50%である時の、出口ミラ−3a内面でのビーム
形状((a)図)及び出口でのビーム形状((b)図)
を示す。
って得られたレーザビームの一例の形状を示す図で、拡
大率が3、拡大ミラー30を構成する部分反射膜の透過
率が50%である時の、出口ミラ−3a内面でのビーム
形状((a)図)及び出口でのビーム形状((b)図)
を示す。
また第10図は第9図で示した条件下におけるレーザビ
ームを、焦点距離f =2.5 mのレンズで集光した
場合の集光ビームパターンの一例を示す図である。図に
示すように、集光パターンはガウス状であることがわか
る。ところで第10図において中央の強度が1/e2に
なる点で定義した全発散角は約0.2mradと計算さ
れた。いまこの全発散値を市販゛されている本実施例と
同じ出射ビーム直径10amのYAGレーザと比較する
と、本実施例では従来の出射ビーム径の約1150であ
り極めて集光性のよい高品質ビームが得られることがわ
かる。また、本実施例のビーム直径は従来のビーム直径
の約5倍であり、したがって断面積は約25倍であるた
め、大出力にしても固体素子1の変形を招くことがなく
、従来の10倍の約too Wの出力が容易に得られた
。
ームを、焦点距離f =2.5 mのレンズで集光した
場合の集光ビームパターンの一例を示す図である。図に
示すように、集光パターンはガウス状であることがわか
る。ところで第10図において中央の強度が1/e2に
なる点で定義した全発散角は約0.2mradと計算さ
れた。いまこの全発散値を市販゛されている本実施例と
同じ出射ビーム直径10amのYAGレーザと比較する
と、本実施例では従来の出射ビーム径の約1150であ
り極めて集光性のよい高品質ビームが得られることがわ
かる。また、本実施例のビーム直径は従来のビーム直径
の約5倍であり、したがって断面積は約25倍であるた
め、大出力にしても固体素子1の変形を招くことがなく
、従来の10倍の約too Wの出力が容易に得られた
。
次に本実施例での補助励起レーザビーム16について述
べる。too w近いレーザ出力が得られた場合、この
補助励起レーザビーム16がないとマルチモードが発生
することが多く、とくに共振器のミラー2a、30の配
置のずれ、すなわちミスアラインメントが発生するとき
に、出射するレーザビーム9aの集光性が極めて悪化す
ることがある。第11図、第12図はこのような場合の
出射レーザビーム9aのパターン及び集光するレーザビ
ームのパターンの一例を示す図である。このように集光
特性が悪化した原因は、ゲインが増大することにより光
軸から離れた部分に強い強度をもつマルチモードが発生
し易い状況にあった上に、ミスアラインメントによりさ
らに高次モードの発生増長され、第11図に示すように
出射するレーザビーム9aの形状が光軸から離れた点で
強くなったためである。このようなマルチモードの発生
し易い状況は、第8図に示す補助励起光源14を使用し
て光軸中心近くのみ選択励起することにより改善できる
。これは最低次モードは光軸中心に高い強度分布をもち
、一方高次モードは光軸から離れた部分に高い強度分布
をもつため、光軸中心のみ励起してこの部分のゲインを
高めれば、最低次モードが極めて発生し易くなるためで
ある。
べる。too w近いレーザ出力が得られた場合、この
補助励起レーザビーム16がないとマルチモードが発生
することが多く、とくに共振器のミラー2a、30の配
置のずれ、すなわちミスアラインメントが発生するとき
に、出射するレーザビーム9aの集光性が極めて悪化す
ることがある。第11図、第12図はこのような場合の
出射レーザビーム9aのパターン及び集光するレーザビ
ームのパターンの一例を示す図である。このように集光
特性が悪化した原因は、ゲインが増大することにより光
軸から離れた部分に強い強度をもつマルチモードが発生
し易い状況にあった上に、ミスアラインメントによりさ
らに高次モードの発生増長され、第11図に示すように
出射するレーザビーム9aの形状が光軸から離れた点で
強くなったためである。このようなマルチモードの発生
し易い状況は、第8図に示す補助励起光源14を使用し
て光軸中心近くのみ選択励起することにより改善できる
。これは最低次モードは光軸中心に高い強度分布をもち
、一方高次モードは光軸から離れた部分に高い強度分布
をもつため、光軸中心のみ励起してこの部分のゲインを
高めれば、最低次モードが極めて発生し易くなるためで
ある。
なお、上記第7の実施例の説明では、出口ミラー3aの
内面に設けられた無反射膜4.および部分反射膜よりな
る拡大ミラー30を通過するそれぞれのレーザビーム間
の位相差は小さく問題とならなかったが、膜の構成によ
っては大きい位相差が発生し、集光特性が悪化する場合
がある。このような場合は、例えば第13図に示す本発
明の第8の実施例のように前記2つのレーザビーム間に
光路差を与えるために出口ミラー3aの外面に段差31
を設けて前記位相差を打ち消すようにしてもよい。
内面に設けられた無反射膜4.および部分反射膜よりな
る拡大ミラー30を通過するそれぞれのレーザビーム間
の位相差は小さく問題とならなかったが、膜の構成によ
っては大きい位相差が発生し、集光特性が悪化する場合
がある。このような場合は、例えば第13図に示す本発
明の第8の実施例のように前記2つのレーザビーム間に
光路差を与えるために出口ミラー3aの外面に段差31
を設けて前記位相差を打ち消すようにしてもよい。
また共振器内でレーザビームを拡大するには、例えば第
14図に示す本発明の第9の実施例のように凹状の出口
ミラー3bを設けてもよい。
14図に示す本発明の第9の実施例のように凹状の出口
ミラー3bを設けてもよい。
また共振器ミラーは例えば第15図、第16図。
第17図に示す本発明の第10.第11.第12の実施
例のように、固体素子lの一方の端面または両端面を加
工し、この部分に形成するようにしてもよい。
例のように、固体素子lの一方の端面または両端面を加
工し、この部分に形成するようにしてもよい。
さらに第18図に示す本発明の第13の実施例のように
、共振器内にボッケル素子などのQスイッチ素子あるい
はKTP素子のような素子18を設けてQスイッチパル
ス発振または波長変換を行なっでもよく、あるいは素子
18をこれらQスイッチ素子と波長変換素子との組み合
わせとしてもよい。
、共振器内にボッケル素子などのQスイッチ素子あるい
はKTP素子のような素子18を設けてQスイッチパル
ス発振または波長変換を行なっでもよく、あるいは素子
18をこれらQスイッチ素子と波長変換素子との組み合
わせとしてもよい。
さらに固体素子1の右端面の無反射膜5.出口ミラ−3
a内外面の無反射膜4のいずれかを補助励起ビーム16
に対して全反射、レーザビーム9aに対して全透過とな
るように、例えばTiO□。
a内外面の無反射膜4のいずれかを補助励起ビーム16
に対して全反射、レーザビーム9aに対して全透過とな
るように、例えばTiO□。
5iOzの多層膜より構成してもよく、このようにすれ
ば補助励起ビーム16が固体素子1の中心部内で往復し
、よりよ(吸収されることになる。
ば補助励起ビーム16が固体素子1の中心部内で往復し
、よりよ(吸収されることになる。
また拡大ミラ一部30を高反射膜、例えば全反射膜で構
成してもよく、この場合、出射されるレーザビームの形
状がリング状となり集光性が悪化するが、従来の固体レ
ーザ装置と比較すればはるかに集光性のよいレーザビー
ムが得られる。
成してもよく、この場合、出射されるレーザビームの形
状がリング状となり集光性が悪化するが、従来の固体レ
ーザ装置と比較すればはるかに集光性のよいレーザビー
ムが得られる。
以上のように、この発明によれば固体レーザ装置におい
て、固体素子を側面から励起するとともに、光軸方向か
らその軸中心部のみ選択励起して、固体素子中に中央部
の高いゲイン分布をつくる構成としたから、あるいはさ
らに、部分反射性あるいは高反射性を持つ拡大ミラーと
コリメートミラーとからなる不安定型共振器を用いて固
体素子からレーザビームを取り出すように構成したから
、軸中心に高い強度をもつT E M o oモードが
安定に、大断面積で得られる効果がある。
て、固体素子を側面から励起するとともに、光軸方向か
らその軸中心部のみ選択励起して、固体素子中に中央部
の高いゲイン分布をつくる構成としたから、あるいはさ
らに、部分反射性あるいは高反射性を持つ拡大ミラーと
コリメートミラーとからなる不安定型共振器を用いて固
体素子からレーザビームを取り出すように構成したから
、軸中心に高い強度をもつT E M o oモードが
安定に、大断面積で得られる効果がある。
第1図はこの発明の第1の実施例による固体レーザ装置
を示す断面側面図、第2図はその動作を説明するための
図、第3図、第4図、第5図、第6図、第7図、第8図
はそれぞれ本発明の第2゜第3.第4.第5.第6.第
7の実施例を示す断面側面図、第9図(a)、第9図(
b)、第10図、第11図、第12図はそれぞれ第7の
実施例の動作を説明するための図、第13図、第14図
、第15図、第16図、第17図、第18図はそれぞれ
本発明の第8.第9.第10.第11.第12.第13
の実施例を示す断面側面図、第19図は従来の固体レー
ザ装置を示す断面側面図である。 1は固体素子、2aはコリメートミラー 3は出口ミラ
ー 4.5は無反射膜、6はアパーチャ、7は部分反射
膜、8.9はレーザビーム、1oは励起光源、14は補
助励起光源、15はレンズ、4aは波長選択薄膜、3o
は拡大ミラ一部。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第1図
を示す断面側面図、第2図はその動作を説明するための
図、第3図、第4図、第5図、第6図、第7図、第8図
はそれぞれ本発明の第2゜第3.第4.第5.第6.第
7の実施例を示す断面側面図、第9図(a)、第9図(
b)、第10図、第11図、第12図はそれぞれ第7の
実施例の動作を説明するための図、第13図、第14図
、第15図、第16図、第17図、第18図はそれぞれ
本発明の第8.第9.第10.第11.第12.第13
の実施例を示す断面側面図、第19図は従来の固体レー
ザ装置を示す断面側面図である。 1は固体素子、2aはコリメートミラー 3は出口ミラ
ー 4.5は無反射膜、6はアパーチャ、7は部分反射
膜、8.9はレーザビーム、1oは励起光源、14は補
助励起光源、15はレンズ、4aは波長選択薄膜、3o
は拡大ミラ一部。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第1図
Claims (3)
- (1)側面から光励起されるとともに、光軸方向から光
軸中心部のみさらに光励起された固体素子からレーザ出
力を取り出すことを特徴とする固体レーザ装置。 - (2)固体素子、この固体素子の側面に光を照射する光
源及びレーザビームを共振させる共振器等からなり、前
記共振器に形成されたレーザ媒質内でレーザビームを共
振させ、その一部を外部に取出すようにした固体レーザ
装置において、 前記固体素子の軸方向から光軸中心部のみに光を照射す
る光源を設けると共に、前記共振器に、不安定型共振器
を用いたことを特徴とする固体レーザ装置。 - (3)固体素子、この固体素子の側面に光を照射する光
源及びレーザビームを共振させる共振器等からなり、前
記共振器に形成されたレーザ媒質内でレーザビームを共
振させ、その一部を外部に取出すようにした固体レーザ
装置において、 前記固体素子の軸方向から光軸中心部のみに光を照射す
る光源を設けると共に、前記共振器に、部分反射性のミ
ラーと、全反射性のミラーとによって構成した不安定型
共振器を用いたことを特徴とする固体レーザ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3189688 | 1988-02-16 | ||
JP63-31896 | 1988-02-16 | ||
JP63-41513 | 1988-02-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH021192A true JPH021192A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=12343780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13514088A Pending JPH021192A (ja) | 1988-02-16 | 1988-05-31 | 固体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH021192A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0410587A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Herutsu Kogyo Kk | 固体レーザ材料の励起方法 |
JP2007115811A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Megaopto Co Ltd | レーザー発振方法および固体レーザー装置 |
WO2021182619A1 (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | 光発振器、光発振器の設計方法およびレーザー装置 |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP13514088A patent/JPH021192A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0410587A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Herutsu Kogyo Kk | 固体レーザ材料の励起方法 |
JP2007115811A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Megaopto Co Ltd | レーザー発振方法および固体レーザー装置 |
JP4541272B2 (ja) * | 2005-10-19 | 2010-09-08 | 株式会社メガオプト | レーザー発振方法および固体レーザー装置 |
WO2021182619A1 (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | 光発振器、光発振器の設計方法およびレーザー装置 |
EP4120014A4 (en) * | 2020-03-13 | 2024-01-17 | Inter-University Research Institute Corporation National Institutes of Natural Sciences | OPTICAL OSCILLATOR, OPTICAL OSCILLATOR DESIGN METHOD AND LASER DEVICE |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3265173B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
JPH021192A (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP2580702B2 (ja) | レーザ装置 | |
JP2673303B2 (ja) | ネガテイブブランチ不安定型レーザ共振器 | |
JP2738053B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
JPH01274487A (ja) | 光波長変換装置 | |
JP2526946B2 (ja) | レ―ザ装置 | |
JP2580703B2 (ja) | レーザ装置 | |
JP2691773B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP2673301B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP2597499B2 (ja) | レーザ装置 | |
JP3067313B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP2663497B2 (ja) | レーザ装置 | |
JPH06112559A (ja) | 端面励起型固体レーザ | |
JPH11220194A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
JP2673304B2 (ja) | レーザ装置 | |
JP2743584B2 (ja) | レーザ装置 | |
JP2666350B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP2970121B2 (ja) | 狭帯域化レーザ発振装置 | |
JPH065962A (ja) | レーザ光発生装置 | |
JPH08274402A (ja) | スラブレーザ発振器 | |
JPH0529694A (ja) | レーザ装置 | |
JPH05235443A (ja) | レーザ装置 | |
JPH0637368A (ja) | レーザ装置およびビームエキスパンダ | |
JPH04123480A (ja) | レーザ励起レーザ装置 |