JPH02118927A - Method and device for driving semiconductor laser - Google Patents

Method and device for driving semiconductor laser

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JPH02118927A
JPH02118927A JP63269599A JP26959988A JPH02118927A JP H02118927 A JPH02118927 A JP H02118927A JP 63269599 A JP63269599 A JP 63269599A JP 26959988 A JP26959988 A JP 26959988A JP H02118927 A JPH02118927 A JP H02118927A
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Japan
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current
semiconductor laser
circuit
laser
driving
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Application number
JP63269599A
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Inventor
Hiroaki Hoshi
星 宏明
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Abstract

PURPOSE:To reduce noise in any mode of erasure, recording and reproduction by injecting a current including an AC component whose phase is almost inverted in nearly the same frequency to each of at least two current areas. CONSTITUTION:Plural current injection areas 23-25 are formed to a stripe in an active layer applying laser oscillation in a built-in type semiconductor laser 2. A signal representing the information to be recorded or reproduction is recognized by a microprocessor 35 via an interface 34, modulated by a modulation circuit 33 and a signal current is injected to the area 23 via a drive circuit 31. On the other hand, an AC current to reduce induced noise is obtained by an oscillation circuit 38 and an AC current whose phase is deviated by 180 deg. by an inverse circuit 39 is obtained. The AC current is superimposed onto a DC current via a capacitor 41 obtained from a DC bias circuit 37 via a coil 40 and a current including the AC component whose phase is deviated by 180 deg. is injected to the areas 24, 25 respectively.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体レーザーの駆動方法に関し、とりわけ
、311?′V−の低減に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for driving a semiconductor laser, and in particular, to a method for driving a semiconductor laser. 'V- reduction.

[従来の技術] 従来より、光ビデオディスク等から光学的に情報を再生
する情報(1生装置に、半導体レーザーを光源として用
いると、光ディスクからの戻り光により、半導体レーザ
ーの出力光に戻り光誘起雑音がのり、↑h mの再生に
支障があることが知られている。
[Prior Art] Conventionally, when a semiconductor laser is used as a light source in an information playback device that optically reproduces information from an optical video disk, etc., the return light from the optical disk is converted into the output light of the semiconductor laser. It is known that induced noise interferes with the reproduction of ↑hm.

その対策として、特公昭59−9086号に示されるが
如く、半導体レーザーが、多重縦モード発振するように
、直流電流に高周波の電流を重畳し雑音を低減する力が
、が提案されている。
As a countermeasure, as shown in Japanese Patent Publication No. 59-9086, it has been proposed to reduce noise by superimposing a high frequency current on a direct current so that a semiconductor laser oscillates in multiple longitudinal modes.

また、光通信の分野でも、多モードファイバの受光端で
のモード間の伝搬定数の違いにより生じるスペンクルe
パターン雑音の低減のために、特公昭61−24837
号に示されるが如く、半導体レーザーの電極を複数個に
分割し、そのうちのいくつかに高周波の電圧を印加し、
半導体レーザーを多屯縦モード発振させる方法が提案さ
れている。
In addition, in the field of optical communications, speckle e occurs due to differences in propagation constants between modes at the receiving end of a multimode fiber.
To reduce pattern noise, Special Publication No. 61-24837
As shown in the issue, the electrode of a semiconductor laser is divided into multiple parts, and a high-frequency voltage is applied to some of them.
A method of causing a semiconductor laser to oscillate in multiple longitudinal modes has been proposed.

[発明が解決しようとうする課題] ところで、特公昭59−9086号に示されるが如く雑
音の低減効果は、高周波電流が半導体レーザーの発振し
きい値を深< !、IJるように、高周波’+W流振巾
を大きくしてパルス発光させた時に十分な効果がある。
[Problems to be Solved by the Invention] By the way, as shown in Japanese Patent Publication No. 59-9086, the noise reduction effect is achieved when a high frequency current lowers the oscillation threshold of a semiconductor laser to a depth <! , IJ, a sufficient effect is obtained when the high frequency '+W current amplitude is increased and pulsed light is emitted.

そのため、特公昭59−9086号のような、再生のみ
の装置の場合にはモ均光パワーが低くてよいので問題が
ないが、情報の消去、記録といった高い光パワーが必要
な装置においては、次のような問題がある。つまり、レ
ーザーの高出力時にも、しきい値を深< 9Jるような
高周波電流を加えるには、逆に高周波電流により尖頭光
出力が、レーザーの最大定格を越えないようにする制約
から、情報に応じて変調された消去・記録信号の電流成
分のレベルは、しきい値電流と最大定格電流の中点以下
にしなければならず、消去、記録に必要な光出力がfl
Jられないという問題点がある。
Therefore, in the case of a reproduction-only device like the one disclosed in Japanese Patent Publication No. 59-9086, there is no problem because the optical power is low, but in a device that requires high optical power for erasing and recording information, There are the following problems. In other words, even when the laser output is high, in order to apply a high-frequency current that increases the threshold value to a depth of <9J, conversely, due to the constraint that the peak optical output due to the high-frequency current does not exceed the maximum rating of the laser, The level of the current component of the erasing/recording signal modulated according to the information must be below the midpoint between the threshold current and the maximum rated current, and the optical output necessary for erasing and recording must be fl
There is a problem that it cannot be played.

そのため、特開昭62−119743号、実開昭62−
142721号に示されるように、消去又は記録の光出
力レベルでは、高周波電流の重畳をやめ、高い光出力レ
ベルを確保するという方法が提案されている。しかしな
がら、そのために。
Therefore, Japanese Unexamined Patent Publication No. 119743/1983, Utility Model Application No. 62-
As shown in Japanese Patent Application No. 142721, a method has been proposed in which superimposition of high-frequency current is stopped and a high optical output level is ensured at the optical output level for erasing or recording. However, for that.

消去、記録時の戻り光誘起雑音の低減が十分でなく、信
頼性に問題があった。特に記録媒体が、色憲系媒体のよ
うに、光のエネルギー又はパワーに対する変化がゆるや
かで、しきいイダ1がはつきりしない媒体の場合、消去
又は記録されたビットの品質が劣悪なものになる6また
。媒体が、光カードや光テープといった形7Eで、光ヘ
ッドと媒体の相対速度が小さい場合、オートフォーカス
やオートトラ/キングといったサーボ帯域と、情報信号
帯域が非常に近接あるいは重なっているため、消去、記
録時の光出力の変調による情報信号の、サーボ信壮への
クローストークが大きい、従って消去、記録時の高出力
レベルにおける雑音が情報信号ばかりでなくサーボ信号
の雑音となるという問題点を有している。
There was a problem with reliability because the return light induced noise during erasing and recording was not sufficiently reduced. In particular, if the recording medium is one in which the energy or power of light changes slowly, such as a color density medium, and the threshold value 1 is not constant, the quality of the erased or recorded bits may be poor. Naru 6 again. If the medium is 7E, such as an optical card or optical tape, and the relative speed between the optical head and the medium is small, the servo band for autofocus and autotracking/king and the information signal band are very close to each other or overlap, so erasing, There is a problem in that the crosstalk of the information signal to the servo signal due to the modulation of the optical output during recording is large, and therefore the noise at the high output level during erasing and recording becomes noise not only in the information signal but also in the servo signal. are doing.

また、光通信における前記特公昭61−24837号に
示される方法においても、半導体レーザーの電極を分、
情しただけでは高周波電流による情報信号帯域での乎均
光出力の低下がまぬかれず、光学的情報記録再生装置へ
の適用は難しい。
Also, in the method shown in the above-mentioned Japanese Patent Publication No. 61-24837 for optical communication, the electrodes of a semiconductor laser are separated.
However, even if only a certain amount of light is applied, a decrease in the optical output in the information signal band due to the high frequency current cannot be avoided, making it difficult to apply the method to optical information recording and reproducing devices.

さらに、従来は、以上の例に示されるような半4体レー
ザーをパルス発光させるための光出力の低下という問題
ばかりでなく、重畳する交?i電流の周波数の下限に制
約があり問題となっていた。
Furthermore, in the past, there was not only the problem of a reduction in the optical output for pulsed emission of a half-four-body laser as shown in the above example, but also the problem of a reduction in optical output due to the problem of overlapping intersections. There was a problem because there was a restriction on the lower limit of the frequency of the i-current.

それは、レーザーを発光中は常に多屯縦モード発振させ
るための周波数の下限と、いわゆるサンプリング定理に
基づき、情報の最大周波数の2倍以りの周波数、実用上
は10倍以上の高周波数が必要という制限があり、40
0〜800 MHzの高周波電流を重畳するのが一般的
である。この高周波域では、通常のレーザー駆動回路上
に高周波重畳回路を実装するのは困難で、セラミック基
板上にハイブリッドに回路を組んだもの、あるいは、G
aAsのICを用いて回路を組んだものを、シールドケ
ース内に入れ、レーザーのピンに直づけする方法がとら
れている。そのため、レーザーの放熱、光ヘッドの小型
、軽廣化の障害になっている上、組立調整の工程・困難
さを増し、コストアップになっているのが現状である。
This is based on the lower limit of the frequency for the laser to always oscillate in multiple longitudinal modes while emitting light, and the so-called sampling theorem, which requires a frequency that is at least twice the maximum frequency of information, and in practice a frequency that is at least 10 times higher. There is a limit of 40
It is common to superimpose a high frequency current of 0 to 800 MHz. In this high frequency range, it is difficult to implement a high frequency superimposition circuit on a normal laser drive circuit, so a hybrid circuit built on a ceramic substrate or a G
The method used is to put a circuit constructed using aAs IC into a shield case and connect it directly to the laser pin. For this reason, the present situation is that it is not only an obstacle to the heat dissipation of the laser and the miniaturization and weight reduction of the optical head, but also increases the process and difficulty of assembly and adjustment, leading to an increase in cost.

[発明の目的] 本発明は、上記の従来の問題点に鑑み、光出力の低下を
押え、良好な、情報の消去会記録、伝送を行なうことが
できる上に、十分な雑音低減効果が得られ、レーザーの
放熱の改善、光ヘッドの小型・軽量化、及び組立調整の
容易化を実現し、安定で4信頼性の高い、安価な半導体
レーザー駆動方法を提供することを目的とする。
[Object of the Invention] In view of the above-mentioned conventional problems, the present invention is capable of suppressing a decrease in optical output, achieving good erasure recording and transmission of information, and achieving a sufficient noise reduction effect. The purpose of this invention is to provide a stable, highly reliable, and inexpensive method for driving a semiconductor laser by improving the heat dissipation of the laser, making the optical head smaller and lighter, and making assembly and adjustment easier.

[発明のN要] 以上のような目的は、光源としての半導体レーザーが、
複数の電流注入領域を有し、少なくとも2つの注入領域
の各々に、雑音の低減のために、ほぼ同一の周波数で、
位相がほぼ反転した交流成分を含む電流を注入する半導
体レーザーの駆動方法により達成される。
[N Essentials of the Invention] The above purpose is to enable a semiconductor laser as a light source to
having a plurality of current injection regions, each of the at least two injection regions having approximately the same frequency for noise reduction;
This is achieved by a semiconductor laser driving method that injects a current containing an alternating current component whose phase is almost reversed.

また、そのような方法を実施する半導体レーザー駆動装
置としては、複数の電流注入領域を有する半導体レーザ
ーと、記録すべき情報等を変調する変調回路からの信号
に従って前記半導体レーザーを駆動する駆動回路と、直
流バイアス回路と、交流電流を発生する発振回路と、そ
の発振回路からの波形の位相を約180°ずらした交流
電流を得る反転回路とを有し、前記直流バイアス回路か
らの直流′IE流に、前記2つの交流電流をそれぞれ重
畳し、それら電流を前記駆動回路に対応するそれぞれ複
数の′1シ波注入領域に注入する半導体レーザーの駆動
装置が考えられる。
Further, a semiconductor laser driving device that implements such a method includes a semiconductor laser having a plurality of current injection regions, and a driving circuit that drives the semiconductor laser according to a signal from a modulation circuit that modulates information to be recorded. , has a DC bias circuit, an oscillation circuit that generates an AC current, and an inversion circuit that obtains an AC current with a waveform phase shifted by about 180 degrees from the oscillation circuit, and the DC 'IE current from the DC bias circuit is Further, a semiconductor laser driving device can be considered in which the two alternating currents are superimposed on each other and the currents are injected into a plurality of '1 wave injection regions corresponding to the driving circuit.

[丁[用 ] L記のような半導体レーザーの駆動方法によれば、少な
くとも2つの注入領域の各々に、ほぼ同一の周波数で1
位相がほぼ反転した交流成分を含む電流を注入すること
により、Hnが低減でさるとともに、レーザーの光出力
はほぼ一定に保たれ、消去、記録時の高出力レベルにも
対応が1箭になる。
According to the method of driving a semiconductor laser as described in L, one pulse is applied to each of at least two implantation regions at approximately the same frequency.
By injecting a current containing an alternating current component whose phase is almost reversed, Hn is reduced and the laser light output is kept almost constant, making it possible to cope with high output levels during erasing and recording. .

[実施例] 以下、本発明の半導体レーザーの駆動方法及び装置の実
施例について図面にツ(づき、計、柚に説明する。
[Examples] Examples of the semiconductor laser driving method and device of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

第8図は、光学的情報記録再生装置の光へ一/ )部の
構成に関する説明図であり、光カートの情報再生の実施
例である。以下第8図についてその構成の概略を説明す
るが、同業者にとって公知の部分は簡栄な説明にとどめ
る。
FIG. 8 is an explanatory diagram of the configuration of the optical part of the optical information recording/reproducing apparatus, and is an example of information reproduction of an optical cart. The outline of the configuration will be described below with reference to FIG. 8, but portions known to those skilled in the art will only be briefly described.

本発明による複数の電流注入領域を有する半導体レーザ
ー2からの楕円状発散光は、コリメーターレンズ3によ
り平行光に変換され、ビーム整形プリズム4により、光
軸に対してほぼ対称な光量分布を持つ、略頁円状の平行
光に整形される。
The elliptical diverging light from the semiconductor laser 2 having a plurality of current injection regions according to the present invention is converted into parallel light by the collimator lens 3, and has a light intensity distribution that is almost symmetrical with respect to the optical axis by the beam shaping prism 4. , the light is shaped into approximately circular parallel light.

回折格子5により3木の平行光に分けられ、無偏向ビー
ムスプリッタ6を透過した光は、折り曲げミラー7によ
り、略直交に曲げられ、対物レンズ8により、光カード
1七のトラッキングトラック9とそれにはさまれた記録
領域に、スポットSl、S2.S3を結像する。光カー
ド1は不図示の駆動手段により、R矢印方向に往復の等
速直′yj、運動し、トラッキングトラックに前記スポ
ットが走査される。各スポー、トSl、S2.S3の反
射光は、再び対物レンズ8を通過し、無偏光ビームスプ
リッタ6により反射された成分が、たとえばシリンドリ
カル面を含む、非点収差系の集光レンズ系10により、
光検出器11,12.13に各々集光される。オートフ
ォーカスは公知の非’、)<収差方式で対物レンズ8を
F方向に制御し、微小スポットを得る。オートトランキ
ングは公知の3ビ一ム方式で対物レンズ8をT方向に制
御することにより、確実なスポットの制御が可悌である
The light is divided into three parallel beams by the diffraction grating 5, and transmitted through the non-polarizing beam splitter 6. The light is bent approximately orthogonally by the bending mirror 7, and is then directed to the tracking track 9 of the optical card 17 by the objective lens 8. Spots Sl, S2 . Image S3. The optical card 1 is moved back and forth in the direction of the arrow R at a constant velocity 'yj' by a driving means (not shown), and the spot is scanned on the tracking track. Each sport, ToSl, S2. The reflected light S3 passes through the objective lens 8 again, and the component reflected by the non-polarizing beam splitter 6 is reflected by the astigmatic condensing lens system 10 including, for example, a cylindrical surface.
The light is focused on photodetectors 11, 12, and 13, respectively. Autofocus is performed using a well-known aberration method to control the objective lens 8 in the F direction to obtain a minute spot. Auto trunking uses a known 3-beam system to control the objective lens 8 in the T direction, thereby making it possible to reliably control the spot.

光カード1は、不図示の保護層により、記録面が保護さ
れており、レーザー2からの光はこの保護層を通17て
記録面からの情報を(1)る、光カードの低価格化のた
め、保護層としてポリ・カーボネート笠を用いるが、カ
ードの作製時、使用状態、記録内生時の応力、残留応力
等により複屈折が生じる。故に、光の有効利用とアイソ
レータを兼ね備えた。偏光ビーム・スプリンタ−と四分
の一波長板という組み合わせでは、複屈折の度合により
光検出器側へ反射される光のF−及びレーザー2側に透
過する光の穢が変動する上、光検出器側の光が小さく、
信号対3t Fx、比がさい場合に、レーザー2側に最
も光が戻り、戻り光誘起2I音が発生し、信号対24[
1”f比をさらに劣化させるといった問題・、顎がある
。そこで本実施例では、レーザー2の波長域で偏光に依
存しない無偏光ビームスプリッタ−6奢用い、光検出器
上の光φ及びレーザー2への戻り光端の安定化を天現し
ている。具体的には、透過率60〜7096、反′!#
+30〜40%が妥当な範囲であるが、レーザー2への
戻り光1が数%に達するので、戻り光誘起雑汗低誠のた
め、レーザー2に直流信号を重畳している。その際、無
偏光ビームスプリンタ6を使用するため、レーザー2か
らカードl−上への透過率が落ちた分、高出力レーザー
を使用しなければならない、ところが前記従来例の問題
−5で述へたように、高いレベルが必要な、記録時に、
通常の高周波毛長をかけることは現実的に不可能である
、本発明によれば、高出力時にも十分な317T、低減
が可能となる。
The recording surface of the optical card 1 is protected by a protective layer (not shown), and the light from the laser 2 passes through this protective layer 17 to obtain information from the recording surface (1).Reducing the price of the optical card Therefore, a polycarbonate cap is used as a protective layer, but birefringence occurs due to factors such as card manufacturing, usage conditions, stress during recording, and residual stress. Therefore, it combines effective use of light and an isolator. In the combination of a polarizing beam splinter and a quarter-wave plate, the F- of the light reflected to the photodetector side and the impurity of the light transmitted to the laser 2 side vary depending on the degree of birefringence. The light on the detector side is small,
When the signal pair 3t Fx ratio is small, the most light returns to the laser 2 side, the return light induced 2I sound is generated, and the signal pair 24 [
There is the problem of further deteriorating the 1" f ratio. Therefore, in this embodiment, a non-polarizing beam splitter that does not depend on polarization in the wavelength range of laser 2 is used, and the light φ on the photodetector and the laser 2.Specifically, the transmittance is 60~7096, anti'!#
+30 to 40% is a reasonable range, but since the return light 1 to the laser 2 reaches several percent, a DC signal is superimposed on the laser 2 to reduce the intensity of sweat induced by the return light. At that time, since the non-polarized beam splinter 6 is used, the transmittance from the laser 2 to the card L is reduced, so a high-power laser must be used.However, as mentioned in Problem 5 of the conventional example, As mentioned above, when recording, a high level is required,
According to the present invention, it is actually impossible to apply a normal high frequency hair length, but it is possible to sufficiently reduce 317T even at high output.

第1図はレーザー2のチップ構造の模式的拡大図である
FIG. 1 is a schematic enlarged view of the chip structure of the laser 2. FIG.

レーザー2は、いわゆる埋め込み型半導体レーザーで、
レーザー発振を行なう活性層内ストライプ21に対して
、複数のP型’It極により、n型電極22と対で複数
の′電流注入領域23 、24 。
Laser 2 is a so-called embedded semiconductor laser.
For the stripe 21 in the active layer that performs laser oscillation, a plurality of P-type 'It poles form a plurality of 'current injection regions 23 and 24 in pairs with the n-type electrode 22.

25を形成している。注入領域23に対し、24.25
の領域は小さいため、注入領域23のみでレーザー2は
発振可能ではあるが、領域24.25に注入される電流
(キャリア)の正負、大小により1発振が制御される。
25 is formed. For injection region 23, 24.25
Since the region is small, the laser 2 can oscillate only with the injection region 23, but one oscillation is controlled by the positive/negative and magnitude of the current (carrier) injected into the regions 24 and 25.

レーザー2の後方には、フォトダイオード26がモノリ
シックに取り付けられており、逆バイアスをかけ、レー
ザー2の出力に応じた電流を取り出すことが可スオであ
る。なお、この種の半導体レーザーの作製は、同業者に
よれば公知な技術で可能であり、たとえば、分を線結品
成長法とリアクティブイオンエツチング法により作製可
能であるがここでは作製の説明を省略する。また、レー
ザー2を高出力化するために、レーザー2の前端面の反
射率を5〜30%に下げ、後端面反射率を70〜90%
に上げることも容易である。
A photodiode 26 is monolithically attached behind the laser 2, and it is possible to apply a reverse bias and extract a current according to the output of the laser 2. According to those skilled in the art, this type of semiconductor laser can be manufactured using well-known techniques, for example, by a wire bond growth method and a reactive ion etching method. omitted. In addition, in order to increase the output of laser 2, the reflectance of the front end face of laser 2 was lowered to 5 to 30%, and the reflectance of the rear end face was reduced to 70 to 90%.
It is also easy to raise the

第2図は、本発明に係る半導体レーザー2を駆動する半
導体レーザー駆動装置の概略ブロック図である。
FIG. 2 is a schematic block diagram of a semiconductor laser driving device for driving the semiconductor laser 2 according to the present invention.

同図において、2は本発明に係る半導体レーザであり、
23.24.25はそれぞれ前記電流注入領域である。
In the figure, 2 is a semiconductor laser according to the present invention,
23, 24, and 25 are the current injection regions, respectively.

34は記録情報を変調回路33及びMPU35に結ぶイ
ンターフェイスである。該必要に応じ、変調回路33は
インターフェイス34からの111号を所定の変調方式
にf、、IIし、駆動回路31を経て、′電流注入領域
23に入力される。
34 is an interface that connects recording information to the modulation circuit 33 and MPU 35. If necessary, the modulation circuit 33 modulates the signal No. 111 from the interface 34 into a predetermined modulation method, and inputs it to the current injection region 23 via the drive circuit 31.

32はAPC回路で前記フォトダイオード26で得たレ
ーザー2の光出力を検出し、駆動回路31へAPCコン
トロールを行なっている。37はW流′市流を発生する
バイアス回路、38は交流電流を発生する発振回路、3
9はその交流゛電流を反転する反転回路、36はMPU
35の指令により発振回路38とバイアス回路37を切
り待える切換回路である。
32 is an APC circuit that detects the optical output of the laser 2 obtained by the photodiode 26 and performs APC control on the drive circuit 31. 37 is a bias circuit that generates a W current, 38 is an oscillation circuit that generates an alternating current, 3
9 is an inversion circuit that inverts the alternating current; 36 is an MPU
This is a switching circuit that can switch between the oscillation circuit 38 and the bias circuit 37 according to the command 35.

記録すべき情報あるいは、再生を示す信号は。What information should be recorded or what signal should be played?

インターフェース34を介し、マイクロプロセッサ−M
PU 35により認識され、それに応じ変調回路33に
より記録時には、あらかじめ決められた変調方式により
変調され、光カードtの記録フォーマットに変換されて
、駆動回路31を介して、注入領域23に信号電流を注
入する。再生時には、直流バイアス電流が選択され注入
される。
Through the interface 34, the microprocessor-M
The signal current is recognized by the PU 35 and modulated by the modulation circuit 33 according to a predetermined modulation method during recording, converted into the recording format of the optical card t, and sent to the injection region 23 via the drive circuit 31. inject. During playback, a DC bias current is selected and injected.

一方、戻り光誘起雑音を低減するための交流電流は、発
振回路38により得られ、ざらに反転回路39により位
相を180°ずらした交流、rL流が得られる。これら
の交流電流は、コ・イル40を介した直流バイアス回路
37からの直流電流に、コンデンサ41を介して重畳さ
れ、−1tt流注入領域24.25に、それぞれ位相が
180°ずれた交流成分を含む電流が注入される。
On the other hand, an alternating current for reducing return light induced noise is obtained by the oscillation circuit 38, and an alternating current, rL current, whose phase is roughly shifted by 180 degrees, is obtained by the inversion circuit 39. These alternating currents are superimposed on the direct current from the direct current bias circuit 37 via the coil coil 40 via the capacitor 41, and the alternating current components with a phase shift of 180° are superimposed on the -1tt current injection region 24.25. A current containing is injected.

第3図に、それぞれの注入*a波形42 、43の一例
を示す、第3図に示した1thは注入領域24.25に
より制御される実効的発振しきい値を示す、このように
、位相の反転した交流信号を注入することにより、前記
特公昭59−9086号に示されたと同様な効果により
雑音が低減され、かつ、実効成分が大きくなるので、レ
ーザー2の光出力はほぼ一定に保たれ、記録時の高出力
レベルにも対応Of能となる。また1本発明によれば、
交流成分の周波数によらずレーザーの光出力はほぼ一定
に保たれるため、従来、問題となっていたサンプリング
定理による周波数の制限がなくなるので、雑音低減効果
に対し最適な周波数設定が可能になる。従って周波数は
従来のように数100MHzという高周波にする必要は
なく、所望の雑音低減効果が確保されるのなら、信号帯
域に重なってもよく、それ以下の周波数の選択も可能で
ある。さらに、レーザーの強度雑音の低減ばかりでなく
、波長変化による、検出器上の回折パターン、干渉縞パ
ターンの変化のために生じる雑音の低減にも有効である
。すなわち、この種の31 音は、主にサーボ帯域で誤
作信号の不要なうねり、不連続点として表われ問題とな
るが、交流信号の重畳によるレーザーの多眠縦モード発
振化で干渉h:4!Sの明暗コントラストが低下し、3
を音が低減するという効果が知られている。本発明では
、この効果に加え、サーボ帯域より旧で比較的低周波の
変調を行なうことで、干渉i/4’9を光検出器上で移
動、変化させ、サーボ帯域では、低域ろ過器を通したこ
とになり、光パワーが乎均化されるという雑音低減効果
も実現できる。
FIG. 3 shows an example of each injection*a waveform 42, 43. 1th shown in FIG. 3 indicates the effective oscillation threshold controlled by the injection region 24.25. By injecting the inverted AC signal, the noise is reduced by the same effect as shown in the above-mentioned Japanese Patent Publication No. 59-9086, and the effective component is increased, so the optical output of the laser 2 is kept almost constant. It is also capable of handling high output levels during recording. Furthermore, according to the present invention,
Since the optical output of the laser is kept almost constant regardless of the frequency of the AC component, there is no longer a frequency restriction due to the sampling theorem, which was a problem in the past, so it is possible to set the optimal frequency for the noise reduction effect. . Therefore, the frequency does not need to be as high as several 100 MHz as in the prior art, and as long as the desired noise reduction effect is ensured, it is possible to select a frequency that overlaps with the signal band or is lower than that. Furthermore, it is effective not only for reducing laser intensity noise, but also for reducing noise caused by changes in the diffraction pattern and interference fringe pattern on the detector due to wavelength changes. In other words, this kind of 31 sound mainly appears as unnecessary undulations and discontinuities of the erroneous signal in the servo band and becomes a problem, but the interference h: 4! The brightness contrast of S decreased, and 3
It is known to have the effect of reducing sound. In addition to this effect, the present invention moves and changes the interference i/4'9 on the photodetector by modulating a relatively low frequency earlier than the servo band, and in the servo band, a low-pass filter is used. As a result, it is possible to achieve a noise reduction effect in which the optical power is equalized.

また、周波数が高周波に限定されないため、従来のよう
に、特別な回路をシールドケースに入れレーザーと組み
合わせるといったことをしなくてすむ、従って1通常の
レーザー駆動回路中に第2図の回路を組み込むことがで
きるため、レーザーの放熱性の改良、光ヘットの小型、
軽量化、及び組立調整の容易化が実現し、コストの低減
が可能となる。さらには、第21Aにおいて、記録時の
複数出力レベル、再生レベルといった複数の出力レベル
に対応して、注入領域24.25に注入する′1lt1
i波形の周波数、振幅、直流バイアスレベル淳をMPU
35より、切換回路36を介17て最適に切換えること
が容易になり、より安定な記録再生動作が可能となる。
In addition, since the frequency is not limited to high frequencies, there is no need to put a special circuit in a shield case and combine it with the laser as in the past. This makes it possible to improve the heat dissipation of lasers, reduce the size of optical heads,
Light weight and ease of assembly and adjustment are realized, making it possible to reduce costs. Furthermore, in No. 21A, '1lt1 is injected into the injection area 24.25 in response to a plurality of output levels such as a plurality of output levels during recording and a reproduction level.
The frequency, amplitude, and DC bias level of the i-waveform are determined by the MPU.
35, it becomes easy to optimally switch through the switching circuit 36 17, and more stable recording and reproducing operations are possible.

また不図示であるが、温度等による発振回路の周波数、
振幅の変化を補償するため、同業者にとっては公知の検
波回路を用いて、基準値からのずれを検出し、発振回路
38.バイアス回路37にフィードバックすることによ
り、電流波形42゜43を安定化するように木実施例を
変形することが可能である。また、不図示ではあるが、
レーザー2の出力をモニターしているフォトダイオード
26の出力、または光検出器11,12.13の出力か
ら、雑音のレベルを検出し、それに応じて、所望のレベ
ルまで雑音が低減するように、′上流波形42.43を
制御することも打部である。
Although not shown, the frequency of the oscillation circuit due to temperature, etc.
In order to compensate for changes in amplitude, a detection circuit known to those skilled in the art is used to detect deviations from a reference value, and the oscillation circuit 38. By feeding back to the bias circuit 37, it is possible to modify the tree embodiment to stabilize the current waveforms 42-43. Also, although not shown,
The noise level is detected from the output of the photodiode 26 monitoring the output of the laser 2 or the output of the photodetectors 11, 12, 13, and the noise is reduced to a desired level accordingly. 'It is also the driving part that controls the upstream waveforms 42 and 43.

たとえばある条件下で8I仔が十分許容できるにであれ
ば、発振回路38を止め、注入領域24,25に直流バ
イアス37のみを注入する場合もあり得ようし、何も注
入しない場合もあり得る。
For example, if 8I pups are sufficiently tolerated under certain conditions, the oscillation circuit 38 may be stopped and only the DC bias 37 may be injected into the injection regions 24 and 25, or nothing may be injected. .

また、注入領域24.25が小さいため、従来のように
、全ストライブ領域を変調するのに比べ、小さな電力で
駆動可能なため、消費電力が小ざくてすむ上、漏洩電磁
放射の量の低減になる。
In addition, since the injection regions 24 and 25 are small, they can be driven with less power than modulating the entire stripe region as in the conventional method, which reduces power consumption and reduces the amount of leakage electromagnetic radiation. It will be reduced.

さらに、注入領域の容量が小さくなだめ、より高周波ま
で駆動可能となり1周波数の選択蝙が広がる。
Furthermore, the capacitance of the implanted region is small and smooth, making it possible to drive up to higher frequencies, thereby expanding the selection of one frequency.

以下、本発明の別の実施例を複数説明する。Hereinafter, a plurality of other embodiments of the present invention will be described.

第4図は、半導体レーザーのストライブ方向に沿った断
面図で、複数の周波数を用いた場合の実施例を示す一例
である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the semiconductor laser taken along the stripe direction, and is an example showing an embodiment in which a plurality of frequencies are used.

同図において、注入領域は9個あるが、内5個は、通常
の、消去、記録r+f生を行なうための注入領域jL 
4であり、注入領域45と48には基本周波数f1で位
相が180’ずれた交流成分を含む電流を注入し、注入
領域46と47には基本周波数f2で位相が1800ず
れた交流成分を含む′電流を注入する。このような構成
にすることにより、信ゆ帯域とサーボ帯域という2つの
:i?域に対し、各々最適な′【l!電流波形まり周波
数fl、f2振幅、直流バイアスを設定し、両者を必要
に応じて、切換え−またlまMlみ合わせで用いること
により、装置として、より低11(で安定な動作が実現
される。
In the figure, there are nine injection areas, five of which are injection areas jL for normal erasing and recording r+f generation.
4, a current containing an AC component having a fundamental frequency f1 and a phase shift of 180' is injected into the injection regions 45 and 48, and an AC component having a fundamental frequency f2 and a phase shift of 1800' is injected into the injection regions 46 and 47. 'Inject current. With this configuration, two i? For each region, each optimal ′[l! By setting the current waveform frequency fl, f2 amplitude, and DC bias, and using them in combination with l and Ml as necessary, stable operation at a lower value of 11 is achieved as a device. .

第5図は、を導体レーザーの別の実施例を示す図で1通
常の消去、記録、再生を行なうための11:大領域49
a、49bと、ストライブ21の幅方向に分割した交流
成分注入領域50.51を設けた。この構成では、位相
のずれた交流成分が、スドライブ幅方向に注入されるの
で、レーザーノJaモートに対しても影響を及ぼすため
、より大きな多改縦モード発振効果が現われ、かつ、前
記ノ実施例に対し、活性層における注入領域が小さくな
るので、より小さな′重力で駆動可能で、また、容品が
小さい分より高周波まで駆動可能になる。
Figure 5 is a diagram showing another embodiment of a conductor laser.
a, 49b, and AC component injection regions 50 and 51 divided in the width direction of the stripe 21 were provided. In this configuration, since the phase-shifted AC component is injected in the width direction of the drive, it also affects the laser beam Ja moat, resulting in a larger multi-mode longitudinal mode oscillation effect. Compared to the embodiment, since the injection area in the active layer is smaller, it can be driven with a smaller gravity, and since the container is smaller, it can be driven up to a higher frequency.

第6図は、第5図の実施例の変形例で、ストライブ21
上の通常の電極による注入領域52の両側に、注入領域
53.54を追加したものである。本実施例では、さら
に多重縦モード発振し易くするために、埋め込みストラ
イブの幅を、注入領域53.54に対応する部分55だ
け広げ、横モードに対する′:#響をより大きくしてい
る。
FIG. 6 shows a modification of the embodiment shown in FIG.
Injection areas 53 and 54 are added on both sides of the injection area 52 by the normal electrode above. In this embodiment, in order to further facilitate multi-longitudinal mode oscillation, the width of the embedded stripe is widened by a portion 55 corresponding to the injection regions 53 and 54 to further increase the ':# resonance with respect to the transverse mode.

第7図は、別の実施例で1通常の電極の注入領域56に
対し、T J S (TranSvevSe Junc
t+onStripe)構造の交流成分注入領域57.
58を設けている。TJS構造は、同業者には公知な構
造で、たとえば第7図の破線斜線の領域59 、60に
選択的に亜鉛を拡散するなどして、活性層に対し、略横
方向から′電流(キャリア)を注入することが可能であ
る。こういった構成により、消去。
FIG. 7 shows that in another embodiment, TJS (TranSvevSe Junc
t+onStripe) structure AC component injection region 57.
58 are provided. The TJS structure is a structure well known to those skilled in the art. For example, by selectively diffusing zinc into the regions 59 and 60 shaded by broken lines in FIG. ) can be injected. With this configuration, it can be erased.

記録、再生用の注入領域56と、交流成分注入領域57
.58間のクコストークの低減が可能となるため、より
確実な3m¥f低減効果が実現できる。
Injection area 56 for recording and reproduction, and AC component injection area 57
.. Since it is possible to reduce the wolf talk between 58 and 58, a more reliable 3m¥f reduction effect can be achieved.

なお、光学的情報記録再生装置として、光カードのシス
テムを例に説明したが本発明ζ±、これに限定されるも
のではなく、消去、記録、再生の1/’ずれかを行なう
光ディスク、光テープ等にも適用可イ剋である。
Although the optical information recording and reproducing device was explained using an optical card system as an example, the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited to this. It can also be applied to tapes, etc.

また、レーザーの戻り光誘起31 音の低減効果につい
てのみ説明をしたが、励起レベルや温度の変化にともな
゛い発生するモード・ホッピング雑音の、強度雑音の低
減、波長とびにともなう干渉縞等による雑音の低減にも
効果があることtマl/)うまでもなく、また、光通信
、光計JIHとおるするスペックル・パターンに関係す
る雑音の低減にも本発明の技術思想は効果がある。
In addition, although we have only explained the effect of reducing laser return light-induced noise, there are also reductions in mode hopping noise that occurs due to changes in excitation level and temperature, intensity noise reduction, interference fringes due to wavelength skipping, etc. Needless to say, the technical idea of the present invention is also effective in reducing noise related to speckle patterns transmitted by optical communications and optical meters JIH. .

さらに、実施例では、矩形波状の交流信号の重畳につい
て説明したが、本発明Cよこれに限定されるものではな
く、正弦波や三角波であってもよく(但しこの場合、光
出力は多少変調される)、また、周波数や位相、振幅が
何らかの変調を受けていてかまわない。要するに、光出
力の変動が小さくほぼ一定になるように、複数の注入領
域に電流を注入すればよいから実施例で説明したような
必ずしも2個の注入領域で対にする必要もなく、3個以
上で構成してもよい。また、作製精度上それらの注入領
域の大きさあるいは利得・損失等が不ぞろいでも1位相
を反転した交流電流の振幅を独立に制御すれば本発明は
実施可能である。
Furthermore, in the embodiment, the superimposition of rectangular wave-like alternating current signals has been described, but the present invention C is not limited to this, and may be a sine wave or a triangular wave (however, in this case, the optical output may be modulated to some extent). ), and the frequency, phase, and amplitude may be modulated in some way. In short, it is sufficient to inject current into multiple injection regions so that fluctuations in optical output are small and almost constant, so it is not necessary to pair two injection regions as explained in the example, but instead to pair three injection regions. The above configuration may be used. Further, even if the sizes of the implanted regions or the gains and losses are not uniform due to manufacturing accuracy, the present invention can be implemented by independently controlling the amplitude of the alternating current with one phase inverted.

さらには、複数の周波数、複数の位相シフト等の組み合
わせにより、もしくはランダム信号の組み合わせにより
光出力をほぼ一定に保つことも可能である。また、実施
例では、注入領域の設定を片側のみで行ない、一方の電
極をいつも共通にしていたが、もちろん両側から注入領
域を設定する方が、注入領域間のクロストークが低減で
きることはいうまでもない。
Furthermore, it is also possible to keep the optical output substantially constant by a combination of multiple frequencies, multiple phase shifts, etc., or by a combination of random signals. In addition, in the example, the injection region was set only on one side, and one electrode was always used in common, but it goes without saying that crosstalk between the injection regions can be reduced by setting the injection region from both sides. Nor.

[発明の効果] 以上説明したように、未発+JJの半導体レーザーの駆
動方法及び半導体レーザーの駆動装置によれば、複数の
電流注入領域を有する半導体レーザーを光源として用い
、少なくとも2つの注入領域の各々に、ほぼ同イの周波
数で、位相がほぼ反転したg波成分を含む電流を注入し
て駆動することにより、消去、記録、再生いずれの場合
でも雑音を低減し、安定で信頼性の高い光学的情報記録
再生装置を提供することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the unfired+JJ semiconductor laser driving method and semiconductor laser driving device, a semiconductor laser having a plurality of current injection regions is used as a light source, and at least two injection regions are By injecting and driving a current containing a G-wave component with almost the same frequency and almost inverted phase, it reduces noise during erasing, recording, and playback, making it stable and reliable. An optical information recording/reproducing device can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明に用いる半導体レーザーの構成に関す
る説明図である。 第2図は:本発明に用いる半導体レーザーの駆動装置の
構成に関する説明図である。 第3図は、半導体レーザーに注入する電流波形を説明す
るための図である。 第4図〜第7図は、それぞれ本発明に係る半導体レーザ
ーの他の実施例の構成に関する説明図である。 第8図は本発明の光学的情報記録再生装置の光ヘラ ド部の構成に関する説明図である。 1・・・光カード、    2・・・半導体レーザー2
3.24.25・・・電流注入望域 42.43・・・注入電流波形。
FIG. 1 is an explanatory diagram regarding the configuration of a semiconductor laser used in the present invention. FIG. 2 is an explanatory diagram regarding the configuration of a semiconductor laser driving device used in the present invention. FIG. 3 is a diagram for explaining the current waveform injected into the semiconductor laser. FIGS. 4 to 7 are explanatory diagrams regarding the configurations of other embodiments of the semiconductor laser according to the present invention, respectively. FIG. 8 is an explanatory diagram of the configuration of the optical heald section of the optical information recording/reproducing apparatus of the present invention. 1... Optical card, 2... Semiconductor laser 2
3.24.25... Current injection desired area 42.43... Injection current waveform.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体レーザーの出力を情報に応じて変調を行な
う半導体レーザーの駆動方法において、該半導体レーザ
ーは、複数の電流注入領域を有し、少なくとも2つの注
入領域の各々に、ほぼ同一の周波数で、位相がほぼ反転
した交流成分を含む電流を注入することを特徴とする半
導体レーザーの駆動方法。
(1) In a semiconductor laser driving method in which the output of the semiconductor laser is modulated according to information, the semiconductor laser has a plurality of current injection regions, and a current is applied to each of at least two injection regions at approximately the same frequency. A method for driving a semiconductor laser, characterized by injecting a current containing an alternating current component whose phase is almost reversed.
(2)情報をすくなくとも記録する光学的情報記録再生
装置に使用する半導体レーザーの駆動装置であって、 複数の電流注入領域を有する半導体レーザーと、記録す
べき情報等を変調する変調回路からの信号に従って前記
半導体レーザーを駆動する駆動回路と、直流バイアス回
路と、交流電流を発生する発振回路と、その発振回路か
らの波形の位相を約180゜ずらした交流電流を得る反
転回路とを有し、 前記直流バイアス回路からの直流電流に、前記2つの交
流電流をそれぞれ重畳し、それら電流を前記駆動回路に
対応するそれぞれ複数の電流注入領域に注入することを
特徴とする半導体レーザーの駆動装置。
(2) A driving device for a semiconductor laser used in an optical information recording/reproducing device that records at least information, comprising a semiconductor laser having multiple current injection regions and a signal from a modulation circuit that modulates information, etc. to be recorded. a drive circuit for driving the semiconductor laser according to the invention, a direct current bias circuit, an oscillation circuit for generating an alternating current, and an inverting circuit for obtaining an alternating current with a waveform phase shifted by about 180 degrees from the oscillation circuit; A driving device for a semiconductor laser, characterized in that the two alternating currents are superimposed on the direct current from the direct current bias circuit, and the currents are injected into a plurality of current injection regions each corresponding to the driving circuit.
(3)記録時の複数出力レベル、再生レベルという複数
の出力レベルに対応して、注入領域に注入する前記電流
波形の周波数、振幅、及び前記直流バイアス回路の直流
バイアスレベル等を制御する制御手段を有していること
を特徴とする請求項第2項記載の半導体レーザーの駆動
装置。
(3) Control means for controlling the frequency and amplitude of the current waveform injected into the injection region, the DC bias level of the DC bias circuit, etc. in response to a plurality of output levels such as a plurality of output levels during recording and a reproduction level. 3. The semiconductor laser driving device according to claim 2, further comprising:
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