JPH02114323A - Memory device with speed converting function - Google Patents

Memory device with speed converting function

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Publication number
JPH02114323A
JPH02114323A JP26861588A JP26861588A JPH02114323A JP H02114323 A JPH02114323 A JP H02114323A JP 26861588 A JP26861588 A JP 26861588A JP 26861588 A JP26861588 A JP 26861588A JP H02114323 A JPH02114323 A JP H02114323A
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JP
Japan
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parallel
data
serial
write signal
write
Prior art date
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Pending
Application number
JP26861588A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazutoshi Wakabayashi
一敏 若林
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

PURPOSE:To reduce the area of constitution by writing outputted data from a parallel/serial(P/S) converter in a position specified by a write address outputted from an address generator in response to a write signal from a write signal generator synchronously with a clock with frequency (b). CONSTITUTION:At the time of inputting an operation control signal indicating the set state of a flag 4, the write signal generator 5 generates a write signal synchronizing with a clock with frequency (b). A synchronizing type memory 3 writes n-bit serial data outputted from m P/S converters 2-1 to 2-m synchronously with the clock with the frequency (b) in the positions specified by write addresses generated from the address generator 6 so as to be arrayed by (m) bits in parallel. Thus, the title memory device can be constituted with a small area on an integrated circuit.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は速度変換機能付き記憶装置に関し、特に異なる
周波数で入力するデータを速度変換して記憶する同期式
のメモリである速度変換機能付き記憶装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a storage device with a speed conversion function, and particularly to a storage device with a speed conversion function, which is a synchronous memory that converts and stores data input at different frequencies. Regarding equipment.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の速度変換機能付き記憶装置は、書込みおよび読出
しがそれぞれ異なった速度で行えるとともに、書込み・
読出しが同時に行える非同期式のデュアルポートメモリ
あるいはレジスタファイルを用いて、先入れ先出し動作
を行う技術が知られている。
Conventional storage devices with speed conversion function can write and read at different speeds, and can also write and read at different speeds.
A technique is known that performs a first-in, first-out operation using an asynchronous dual-port memory or register file that can be read simultaneously.

即ち、従来の速度変換機能付き記憶装置は、ある周波数
aで入力したデータをその周波数に同期した書込み信号
でデュアルポートメモリまたはレジスタファイルに書込
み、書込まれたデータを周波数aと異なる周波数すに同
期した読出し信号で読出すことによって、データの転送
速度を変換して先入れ先出し動作を行うことができる。
In other words, a conventional storage device with a speed conversion function writes data input at a certain frequency a to a dual port memory or register file using a write signal synchronized with that frequency, and writes the written data at a frequency different from frequency a. By reading with a synchronized read signal, the data transfer rate can be converted to perform a first-in, first-out operation.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、上述した従来の速度変換機能付き記憶装
置は、非同期式のデュアルポートメモリあるいはレジス
タファイルを用いているので、集積回路上に実現する場
合に同期式のメモリに比べて非常に大きな面積を必要す
るという欠点がある。
However, since the above-mentioned conventional storage device with speed conversion function uses asynchronous dual-port memory or register files, it requires a much larger area than synchronous memory when implemented on an integrated circuit. There is a drawback that it does.

本発、」の目的は、同期式のメモリを用いて、非同期式
のデュアルポートメモリあるいはレジスタファイルで構
成するよりも、集積回路上に小さい面積で構成すること
ができる速度変換機能付き記憶装置を提供することにあ
る。
The purpose of this paper is to create a storage device with a speed conversion function that uses synchronous memory and can be constructed in a smaller area on an integrated circuit than an asynchronous dual-port memory or register file. It is about providing.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

第1の速度変換機能付き記憶装置は、 (A)一定の周波数aでmビット並列に入力するディジ
タル信号のデータを受けて、m個の並列線ごとに、それ
ぞれnビットのデータを直列に読込んだ後に、それぞれ
読込んだnビットのデータを並列に出力するm個のシリ
アル・パラレル変換装置、 (B)m個の前記シリアル・パラレル変換装置のそれぞ
れに対応して、それぞれから出力されたnピッ゛トのデ
ータを並列に読込んだ後に、それぞれ読込んだnビット
のデータを周波数すのクロックに同期して直列に出力す
るm個のパラレル・シリアル変換装置、 (C)m個の前記シリアル・パラレル変換装置がnビッ
トのデータをすべて読込んだときにセットされ、m個の
前記パラレル・シリアル変換装置がnビットのデータを
すべて出力したときにリセットされることにより、動作
制御信号を発生して前記パラレル・シリアル変換装置を
制御するフラグ、 (D)前記フラグの動作制御信号を入力することにより
、前記周波数すのクロックに同期した書込み信号を発生
ずる書込み信号発生装置、(E)前記書込み信号発生装
置の書込み信号を受けて、その書込み信号に同期した書
込みアドレスを発生するアドレス発生装置、 (F)前記書込み信号発生装置の書込み信号に合わせて
、前記アドレス発生装置からの書込みアドレスで指定さ
れる位置に、前記周波数すのクロックに同期して、m個
の前記パラレル・シリアル変換装置が出力したmビット
並列でnビット直列のデータを書込む同期式のメモリ、 を備えて構成されている。
The first storage device with a speed conversion function: (A) receives m bits of digital signal data input in parallel at a constant frequency a, and reads n bits of data serially into each of m parallel lines; m serial-to-parallel converters that output read n-bit data in parallel; (B) corresponding to each of the m serial-to-parallel converters; (C) m parallel-to-serial converters that read n-bit data in parallel and then output the read n-bit data in series in synchronization with a frequency clock; The operation control signal is set when the serial-to-parallel converter reads all n-bit data, and is reset when the m parallel-to-serial converters output all n-bit data. (D) a write signal generator that generates a write signal synchronized with the frequency clock by inputting an operation control signal of the flag; ) an address generator that receives a write signal from the write signal generator and generates a write address in synchronization with the write signal; (F) writes from the address generator in synchronization with the write signal of the write signal generator; a synchronous memory that writes m-bit parallel and n-bit serial data output from the m parallel-to-serial converters in synchronization with the frequency clock at a position specified by an address; It is configured.

また4、第2の発明の速度変換機能付き記憶装置は、 (A)一定の周波数a″’Cm’Cmビツト並列るディ
ジタル信号のデータを受けて、m個の並列線ごとに、そ
れぞれnビットのデータを直列に読込んだ後に、それぞ
れ読込んだnビットのデータを並列に出力するm個のシ
リアル・パラレル変換装置、 (B)m個の前記シリアル・パラレル変換装置のそれぞ
れに対応して、それぞれから出力されたnビットのデー
タを並列に読込んだ後に、それぞれ読込んだnビットの
データを並列に出力するm個のレジスタ、 (C)m個の前記シリアル・パラレル変換装置がnビッ
トのデータをすべて読込んだときにセットされ、後にリ
セット信号を受けてリセットされることにより、動作#
御信号を発生するフラグ、 (D)前記フラグの動作制御信号を入力することにより
、前記周波数すのクロックに同期した書込み信号を発生
するとともに、前記フラグの前記リセット信号を発生す
る書込み信号発生装置、 (E)前記書込み信号発生装置の書込み信号を受けて、
その書込み信号に同期した書込みアドレスを発生するア
ドレス発生装置、 (F)前記書込み信号発生装置の書込み信号に合わせて
、前記アドレス発生装置からの書込みアドレスに指定さ
れる位置に、m個の前記レジスタが出力したm×nビッ
ト並列のデータを書込む同期式のメモリ、 を備えて構成されている。
4. The storage device with a speed conversion function of the second invention has the following features: (A) Receiving data of digital signals of constant frequency a'''Cm'Cm bits parallel, n bits each for each m parallel lines. (B) m serial-to-parallel converters that read n-bit data in series and then output the read n-bit data in parallel; (B) corresponding to each of the m serial-to-parallel converters; , m registers that output the read n-bit data in parallel after reading the n-bit data output from each in parallel; (C) the m serial-to-parallel converters are It is set when all bit data is read, and is later reset upon receiving a reset signal, so that operation #
a flag that generates a control signal; (D) a write signal generator that generates a write signal synchronized with the frequency clock and also generates the reset signal of the flag by inputting an operation control signal of the flag; , (E) receiving a write signal from the write signal generator;
(F) an address generator that generates a write address in synchronization with the write signal; A synchronous memory into which m×n bit parallel data outputted by is written.

〔作用〕[Effect]

次に本発明の作用について図面を参照して説明する。 Next, the operation of the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は第1の発明の速度変換機能付き記憶装置を示す
ブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a storage device with a speed conversion function according to the first invention.

第1図に示すように、m個のシリアル・パラレル変換装
置1−1.1−2.1−3.−−−1−mは、一定の周
波数a′cmビット並列に入力するディジ、タル信号の
データを受けて、m個の並列線ごとに、それぞれnビッ
トのデータを直列に読込んだ後に、それぞれ読込んだn
ビットのデータを並列に出力している。
As shown in FIG. 1, m serial/parallel converters 1-1.1-2.1-3. ---1-m receives digital and digital signal data input in parallel with constant frequency a'cm bits, reads n bits of data serially for each m parallel lines, and then Each read n
Bit data is output in parallel.

また、m個のパラレル・シリアル変換装置2−1.2−
2.2−3.・旧・・2−mは、m個のシリアル・パラ
レル変換装置1 1.1 2゜1−3.・・・・・・1
−mのそれぞれに対応しており、それぞれから出力され
たnビットのデータを並列に読込んだ後に、それぞれ読
込んだnビットのデータを周波数すのクロックに同期し
て直列にメモリ3へ出力している。
In addition, m parallel/serial converters 2-1.2-
2.2-3.・Old...2-m means m serial/parallel converters 1 1.1 2゜1-3.・・・・・・1
-m, and after reading the n-bit data output from each in parallel, the n-bit data read from each is serially output to the memory 3 in synchronization with the clock of the frequency. are doing.

一方、フラグ4は、シリアル・パラレル変換装gl−m
がnビットのデータをすべて読込んだときにセットされ
、パラレル・シリアル変換装置2−mがnビットのデー
タをすべて出力したときにリセットされることにより、
動作制御信号を発生して、その動作制御信号をパラレル
・シリアル変換装E 2−1 、2−2 、2−3 、
−−2− mおよび書込み信号発生装置らに送って制御
してぃる。
On the other hand, flag 4 is the serial/parallel converter gl-m
is set when all n-bit data is read, and reset when the parallel-to-serial converter 2-m outputs all n-bit data, so that
Generates an operation control signal and converts the operation control signal to parallel-to-serial converters E 2-1 , 2-2 , 2-3 ,
--2- It is sent to the controller and the write signal generator for control.

そこで、書込み信号発生装置5は、フラグ4がセット状
態であることを示す動作制御信号を入力することにより
、周波数すのクロックに同期した書込み信号を発生して
いる。
Therefore, the write signal generating device 5 generates a write signal synchronized with the clock of frequency S by inputting an operation control signal indicating that the flag 4 is set.

また、アドレス発生装置6は、書込み信号発生装置5の
書込み信号を受けて、その書込み信号に同期した書込み
アドレスを発生している。
Further, the address generator 6 receives a write signal from the write signal generator 5 and generates a write address in synchronization with the write signal.

このため、同期式のメモリ3は、書込み信号発生装置5
の書込み信号に合わせて、アドレス発生装置6からの書
込みアドレスで指定される位置に、周波数すのクロック
に同期して、m個のパラレル・シリアル変換装置2−1
.2−2゜2−3.・・・・・・2−mが出力したmビ
ット並列でnビット直列のデータを書込んでいる。
For this reason, the synchronous memory 3 uses the write signal generator 5.
m parallel-to-serial converters 2-1 in synchronization with the clock of frequency 1 at the position specified by the write address from the address generator 6 according to the write signal of
.. 2-2゜2-3. ...2-m is writing m-bit parallel and n-bit serial data output.

この結果、一定の周波数aでmビット並列に入力するデ
ィジタル信号のデータを受けて、メモリ3に書込まれた
データは、周波数すのクロックに同期して、mビットず
つ読出すことができる。
As a result, data written in the memory 3 in response to m-bit parallel input digital signal data at a constant frequency a can be read out m bits at a time in synchronization with the clock at a frequency a.

なお、メモリ3に供給するクロックの周波数を2bに、
して、メモリ3で周波数すでの書込み動作と周波数すで
の読出し動作とを交互に行うこともできる。
Note that the frequency of the clock supplied to the memory 3 is set to 2b,
Thus, the memory 3 can alternately perform frequency write operations and frequency read operations.

次に、第1図の速度変換機能付き記憶装置の動作におけ
る時間的な関係を説明する。
Next, the temporal relationship in the operation of the storage device with speed conversion function shown in FIG. 1 will be explained.

一定の周波数aでmビット並列に入力するnビットの時
間は、n / aであり、一定の周波数すでmビット並
列に出力するnビットの時間は、n / bである。
The time for n bits to input m bits in parallel at a constant frequency a is n/a, and the time for n bits to output m bits in parallel at a constant frequency is n/b.

周波数すは、周波数aより高い値に設定されるので、a
<bであり、n / a > n / bである。
Frequency S is set to a higher value than frequency a, so a
<b, and n/a>n/b.

このため、nビットが入力される時E n / aより
、nビットが出力される時間n / bが短くなってい
る。
Therefore, the time n/b for outputting n bits is shorter than E n/a when n bits are input.

さらに、入力時および出力時のビットずれに対して、そ
れぞれ1ビツトの余裕を見て、n / a −n / 
b > 1 / a + 1 / bとすれば、n> 
(b+a)/ (b−a)となる。
Furthermore, considering a margin of 1 bit for bit deviations at input and output, n/a - n/
If b > 1 / a + 1 / b, then n >
(b+a)/(ba-a).

そこで、n> (b+a)/ (b−a)となるように
nを選べば、m個のシリアル・パラレル変換装置1−1
.1−2.1−3.・・・・・・1−mから、m個のパ
ラレル・シリアル変換装置2−1゜2−2.2−3.・
・・・・・2−mに、次のデータが読込まれる前に、m
個のパラレル・シリアル変換装置2−1.2−2.2−
3.・・・・・・2−mのデータは、すべて確実に出力
されることとなる。
Therefore, if n is selected so that n> (b+a)/(ba-a), m serial/parallel converters 1-1
.. 1-2.1-3. ......1-m to m parallel-to-serial converters 2-1゜2-2.2-3.・
・・・・・・ Before the next data is read into 2-m, m
parallel to serial converter 2-1.2-2.2-
3. . . . All data of 2-m will be reliably output.

なお、上述のメモリ3への書込みは、フラグ4がセット
状態にあるときのみ、周波数すのクロックに同期して行
われるので、nビットだけ行われることとなる。
Note that the writing to the memory 3 described above is performed only when the flag 4 is in the set state in synchronization with the clock with a frequency of 1, so that only n bits are written.

また、第2図は第2の発明の速度変換機能付き記憶装置
を示すブロック図である。
Further, FIG. 2 is a block diagram showing a storage device with a speed conversion function according to the second invention.

第2図に示すように、m個のシリアル・パラレル変換装
置21−1.21−2.21−3.・・・・・・21−
mは、一定の周波数aでmビット並列に入力するディジ
タル信号のデータを受けて、m個の並列線ごとに、それ
ぞれnビットのデータを直列に読込んだ後に、それぞれ
読込んだnビットのデータを並列に出力している。
As shown in FIG. 2, m serial-parallel converters 21-1.21-2.21-3.・・・・・・21-
m receives digital signal data input in parallel with m bits at a constant frequency a, serially reads n bits of data for each of m parallel lines, and then calculates the read n bits of data in series. Data is output in parallel.

また、m個のレジスタ22−1.22−2゜22−.3
.・・・・・・22−mは、m個のシリアル・パラレル
変換装置21−1.21−2.21−3゜・・・・・・
21−mのそれぞれに対応しており、それぞれから出力
されたnビットのデータを並列に読込んだ後に、それぞ
れ読込んだnくットのデータを並列に出力している。
Also, m registers 22-1, 22-2°22-. 3
.. ...22-m is m serial-parallel converters 21-1.21-2.21-3゜...
21-m, and after reading n bits of data output from each in parallel, the n bits of data read from each are output in parallel.

一方、フラグ24は、シリアル・パラレル変換装置21
−mがnビットのデータをすべて読込んだときにセット
され、後に書込み信号発生装置25からリセット信号を
受けてリセットされることにより、動作制御信号を発生
して書込み信号発生装置25に送って制御している。
On the other hand, the flag 24 indicates that the serial/parallel converter 21
-m is set when all n bits of data are read, and is later reset upon receiving a reset signal from the write signal generator 25, thereby generating an operation control signal and sending it to the write signal generator 25. It's in control.

そこで、書込み信号発生装置25は、フラグ2−4がセ
ット状態であることを示す動作#n信号を入力すること
により、周波数すのクロックに同期した書込み信号を発
生するとともに、フラグ24のリセット信号を発生して
いる。
Therefore, by inputting the operation #n signal indicating that the flag 2-4 is in the set state, the write signal generator 25 generates a write signal synchronized with the clock of the frequency S, and also generates a reset signal for the flag 24. is occurring.

また、アドレス発生装置26は、書込み信号発生装置2
5の書込み信号を受けて、その′書込み信号に同期した
書込みアドレスを発生している。
Further, the address generator 26 includes the write signal generator 2
Upon receiving the write signal No. 5, a write address synchronized with the write signal No. 5 is generated.

このため、同ル1式のメモリ23は、書込み信号発生装
置25の書込み信号に合わせて、アドレス発生装置26
からの書込みアドレスで指定される位置に、m個のレジ
スタ22−1.22−2゜22−3.・・・・・・22
−mが出力したm’X nビット並列のデータを書込ん
でいる。
Therefore, the memory 23 of the same type 1 is operated by the address generator 26 in accordance with the write signal of the write signal generator 25.
m registers 22-1, 22-2, 22-3.・・・・・・22
The m'X n-bit parallel data output by -m is being written.

そこで、メモリ23から、mxnビット並列のデータを
、周波数すのクロックに同期して、読出すことができる
Therefore, m×n bit parallel data can be read out from the memory 23 in synchronization with the clock of the same frequency.

さらに、メモリ23の読出し出力にm×n−nセレクタ
を挿入し、周波数すのクロックに同期する計数装置の出
力で制御することにより、周波数すのクロックに同期し
たnビット並列のデータを得ることもできる。
Furthermore, by inserting an m×n-n selector into the readout output of the memory 23 and controlling it with the output of a counting device synchronized with the frequency clock, n-bit parallel data synchronized with the frequency clock can be obtained. You can also do it.

また、第2図の速度変換機能付き記憶装置は、m×nビ
ット並列のデータをメモリ23に書込む周波数がb /
 nなので、n≧2ならばメモリ23に供給する周波数
がbでメモリ23への書込みと涜出しとを交互に行うこ
とができる。
Furthermore, in the storage device with a speed conversion function shown in FIG. 2, the frequency for writing m×n bit parallel data into the memory 23 is b/
Since n, if n≧2, the frequency supplied to the memory 23 is b, and writing and deleting to the memory 23 can be performed alternately.

このように、本発明においては、シリアル・パラレル変
換装置とパラレル・シリアル変換装置、またはシリアル
・パラレル変換装置とレジスタを設けて、データ転送速
度の差を吸収することにより、データ転送速度の変換を
行うことができる。
In this way, in the present invention, the data transfer speed can be converted by providing a serial/parallel converter and a parallel/serial converter, or a serial/parallel converter and a register to absorb the difference in data transfer speed. It can be carried out.

また、メモリの書込みおよび読出しアドレスをシーケン
シャルに増加させることにより、先入れ先出し処理を行
うことができる。
Further, by sequentially increasing the memory write and read addresses, first-in, first-out processing can be performed.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第3図は第1の発明の速度変換機能付き記憶装置の一実
施例を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of a storage device with a speed conversion function according to the first invention.

、また、第4図は第1の発明の速度変換機能付き記憶装
置の動作を示すタイムチャートである。
4 is a time chart showing the operation of the storage device with speed conversion function of the first invention.

第3図のシリアル・パラレル変換装置は、8段シフトレ
ジスタ31−1.31−2.31−3と、8進カウンタ
31Cと、ゲート31G−1゜31G−2,31G−3
とから構成されている。
The serial-to-parallel conversion device in FIG.
It is composed of.

8段シフトレジスタ31−1.31−2゜31−3は、
一定の周波数6MHzで3ビット並列に入力するディジ
タル信号のデータを受けて、3個の並列線ごとに、それ
ぞれ8ビツトのデータを直列に読込んだ後に、それぞれ
読込んだ8ビツトのデータを並列に出力している。
The 8-stage shift register 31-1.31-2゜31-3 is
Receives digital signal data that is input in parallel with 3 bits at a constant frequency of 6 MHz, reads 8 bits of data serially into each of the 3 parallel lines, and then reads each of the 8 bits of data read in parallel. It is output to.

一方、8進カウンタ31Cは、第4図に示すように、一
定の周波数6MHzのクロックを数えて、キャリー信号
を出力として、ゲート31G−1,31G−2,31G
−3にそれぞれ送っている。
On the other hand, as shown in FIG. 4, the octal counter 31C counts clocks with a constant frequency of 6 MHz and outputs a carry signal to the gates 31G-1, 31G-2, and 31G.
-3 respectively.

このため、ゲート31G−1,31G−2゜31G−3
は、それぞれ8段シフトレジスタ31−1.31−2.
31−3の出力を8進カウンタ31Cのキャリー信号で
ゲートして次段に送出している。
Therefore, gates 31G-1, 31G-2゜31G-3
are 8-stage shift registers 31-1, 31-2, respectively.
The output of the counter 31-3 is gated by the carry signal of the octal counter 31C and sent to the next stage.

また、第3図のパラレル・シリアル変換装置は、レジス
タ32−1.32−2.32−3と、8進カウンタ32
Cと、8−1セレクタ32S−1,323−2,32S
−3とから構成されている。
In addition, the parallel-to-serial converter shown in FIG.
C and 8-1 selector 32S-1, 323-2, 32S
-3.

3個2のレジスタ32−1.32−2.32−3は、ゲ
ート31G−1,31G−2,31G−3のそれぞれか
ら出力された8ビツトのデータを並列に読込んだ後に、
それぞれ読込んだ8ビツトのデータを周波数8MHzの
クロックに同期して直列に出力している。
After the three registers 32-1.32-2.32-3 read in parallel the 8-bit data output from each of the gates 31G-1, 31G-2, and 31G-3,
Each read 8-bit data is output in series in synchronization with a clock with a frequency of 8 MHz.

一方、8進カウンタ32Cは、第4図に示すように、一
定の周波数8 M Hzのクロックを数えて、それぞれ
8−1セレクタ32S−1゜32S−2,323−3に
、8進カウンタ32Cの内容である選択信号を送ってい
る。
On the other hand, as shown in FIG. 4, the octal counter 32C counts clocks with a constant frequency of 8 MHz, and sends the octal counter 32C to the 8-1 selectors 32S-1, 32S-2, and 323-3, respectively. It sends a selection signal that is the content of.

このため、8−1セレクタ32S−1゜323−2.3
28−3は、この選択信号で選択してメモリ3へ3ビッ
ト並列で8ビット直列のデータを送付することとなる。
Therefore, the 8-1 selector 32S-1゜323-2.3
28-3 is selected by this selection signal and sends 3-bit parallel and 8-bit serial data to the memory 3.

一方、フラグは、5R−FFのフリップフロップ34と
、D−FFのフリップフロップ34Dとから構成されて
いる。
On the other hand, the flag is composed of a 5R-FF flip-flop 34 and a D-FF flip-flop 34D.

フリップフロップ34は、8進カウンタ31Cのキャリ
ー信号でセットされ、8進カウンタ32Cのキャリー信
号でリセットされることにより、動作制御信号を発生し
、この動作制御信号は、フリップフロップ34Dで時間
調整されて、8進カウンタ32Cおよび書込み信号発生
装置であるゲート35に送られている。
The flip-flop 34 is set by the carry signal of the octal counter 31C and reset by the carry signal of the octal counter 32C to generate an operation control signal, and this operation control signal is time-adjusted by the flip-flop 34D. The signal is then sent to an octal counter 32C and a gate 35 which is a write signal generator.

そこで、ゲート35は、この動作制御信号を入力するこ
とにより、周波数8MHzのクロックに同期した書込み
信号を発生している。
Therefore, by inputting this operation control signal, the gate 35 generates a write signal synchronized with a clock having a frequency of 8 MHz.

また、アドレス発生装置であるアドレスカウンタ36は
、ゲート35からの書込み信号を受けて、その書込み信
号に同期した書込みアドレスを発生している。
Further, the address counter 36, which is an address generating device, receives a write signal from the gate 35 and generates a write address in synchronization with the write signal.

このため、同期式のメモリ33は、ゲート35からの書
込み信号に合わせて、アドレスカウンタ36からの書込
みアドレスで指定される位置に、周波数8MHzのクロ
ックに同期して、3個の8−1セレクタ32S−1,3
28−2゜32S−3が出力した3ビット並列で8ビッ
ト直列のデータを書込んでいる。
Therefore, in accordance with the write signal from the gate 35, the synchronous memory 33 sends three 8-1 selectors to the position specified by the write address from the address counter 36, in synchronization with a clock with a frequency of 8 MHz. 32S-1,3
The 3-bit parallel and 8-bit serial data output by the 28-2°32S-3 is written.

なお、メモリ33は、1ワードが3ビツトのRA M、
であり、16MHzのクロックに同期して動作するので
、周波数8MHzでの書込み動作と周波数8MHzでの
読出し動作とを交互に行うことができる。
Note that the memory 33 is a RAM with 3 bits per word;
Since it operates in synchronization with a 16 MHz clock, a write operation at a frequency of 8 MHz and a read operation at a frequency of 8 MHz can be performed alternately.

また、第5図は第2の発明の速度変換機能付き記憶装置
の一実施例を示すブロック図である。
Further, FIG. 5 is a block diagram showing an embodiment of a storage device with a speed conversion function according to the second invention.

第5図のシリアル・パラレル変換装置は、8段シフトレ
ジスタ51−1.51−2.51−3゜51−4と、8
進カウンタ51Cと、ゲート51G−1,51G−2,
51G−3゜51 G−4とから構成されている。
The serial-to-parallel converter shown in FIG. 5 consists of an 8-stage shift register 51-1.
Advance counter 51C, gates 51G-1, 51G-2,
It is composed of 51G-3, 51G-4.

8段シフトレジスタ51−1.51−2゜51 3.5
1 4は、一定の周波数6MHzで4ビット並列に入力
するディジタル信号のデータを受けて、4個の並列線ご
とに、それぞれ8ビツトのデータを直列に読込んだ後に
、それぞれ読込んだ8ビツトのデータを並列に出力して
いる。
8-stage shift register 51-1.51-2゜51 3.5
14 receives 4 bits of digital signal data input in parallel at a constant frequency of 6 MHz, reads 8 bits of data serially into each of the 4 parallel lines, and then reads the 8 bits of data that were read in each of the 4 parallel lines. data is output in parallel.

一方、8進カウンタ51Cは、一定の周波数6MHzの
クロックを数えて、キャリー信号を出力として、ゲー)
51G−1,51G−2゜51G−3,51G−4にそ
れぞれ送っている。
On the other hand, the octal counter 51C counts the clock with a constant frequency of 6 MHz and outputs the carry signal.
51G-1, 51G-2, 51G-3, and 51G-4, respectively.

このため、ゲート51G−1,51G−2゜51G−3
,51G−4は、それぞれ8段シフトレジスタ51−1
.51−2.51−3゜51−4の出力を8進カウンタ
31Cのキャリー信号でゲートして次段に送出している
Therefore, gates 51G-1, 51G-2゜51G-3
, 51G-4 are 8-stage shift registers 51-1, respectively.
.. The output of 51-2, 51-3 and 51-4 is gated by the carry signal of the octal counter 31C and sent to the next stage.

また、4個のレジスタ52−1.52−2゜52−3.
52−4は、ゲート51G−1゜51G−2,51G−
3,51G−4のそれぞれから出力された8ビツトのデ
ータを並列に読込んだ後に、それぞれ読込んだ8ビツト
のデータを並列に出力している。
In addition, four registers 52-1, 52-2, 52-3.
52-4 is the gate 51G-1゜51G-2, 51G-
After reading the 8-bit data output from each of the 3 and 51G-4 in parallel, the 8-bit data read from each is output in parallel.

一方、第5図のフラグは、5R−FFのフリップフロッ
プ54と、D−FFのフリップフロップ54Dとから構
成されている。
On the other hand, the flag in FIG. 5 is composed of a 5R-FF flip-flop 54 and a D-FF flip-flop 54D.

フリップフロップ54は、8進カウンタ51Cのキャリ
ー信号でセットされることにより、動作制御信号を発生
し、この動作制御信号は、フリップフロップ54Dで時
間調整されて、書込み信号発生装置のゲート55に送ら
れている。
The flip-flop 54 is set by the carry signal of the octal counter 51C to generate an operation control signal, and this operation control signal is time-adjusted by the flip-flop 54D and sent to the gate 55 of the write signal generator. It is being

また15、第5図の書込み信号発生装置は、ゲート55
と、D−FFのフリップフロップ55Dとから構成され
ている。
15, the write signal generator shown in FIG.
and a D-FF flip-flop 55D.

ゲート55は、この動作制御信号を入力することにより
、周波数8MHzのクロックに同期した書込み信号を発
生している。
By inputting this operation control signal, the gate 55 generates a write signal synchronized with a clock having a frequency of 8 MHz.

一方、フリップフロップ55Dは、フリップフロップ5
4およびフリップフロップ54Dのリセット信号を発°
生して、これらをリセットしている。
On the other hand, the flip-flop 55D is the flip-flop 5
4 and flip-flop 54D.
I'm resetting these.

また、アドレス発生装置であるアドレスカウンタ56は
、ゲート55からの書込み信号を受けて、その書込み信
号に同期した書込みアドレスを発生している。
Further, the address counter 56, which is an address generating device, receives a write signal from the gate 55 and generates a write address in synchronization with the write signal.

このため、同期式のメモリ53は、ゲート55からの書
込み信号に合わせて、アドレスカウンタ56からの書込
みアドレスに指定される位置に、4個のレジスタ52−
1.52−2.52−3゜52−4が出力した4X8=
32ビット並列のデータを書込んでいる。
Therefore, in accordance with the write signal from the gate 55, the synchronous memory 53 stores the four registers 52-- at the position specified by the write address from the address counter 56.
1.52-2.52-3゜52-4 outputs 4X8=
32-bit parallel data is written.

なお、メモリ53は、1ワードが32ビツトのRAMで
あり、8MHzのクロックに同期して動作するので、周
波数8MHzでの書込み動作と周波数8MHzでの読出
し動作とを十分交互に行うことができる。
Note that the memory 53 is a RAM of 32 bits per word and operates in synchronization with an 8 MHz clock, so that write operations at a frequency of 8 MHz and read operations at a frequency of 8 MHz can be sufficiently alternately performed.

以上述べたように、本実施例の速度変換機能付き記憶装
置は、同期式のメモリを用いており、非同期式のデュア
ルポートメモリあるいはレジスタファイルで構成するよ
りも、集積回路上に小さい面積で構成することができる
As described above, the storage device with the speed conversion function of this embodiment uses a synchronous memory and requires a smaller area on an integrated circuit than an asynchronous dual-port memory or a register file. can do.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明の速度変換機能付き記憶装
置は、同期式のメモリを用いており、非同期式のデュア
ルポートメモリあるいはレジスタファイルで構成するよ
りも、集積回路上に小さい面積で構成することができる
という効果を有している。
As explained above, the storage device with a speed conversion function of the present invention uses a synchronous memory, and can be configured in a smaller area on an integrated circuit than an asynchronous dual-port memory or a register file. It has the effect of being able to

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は第1の発明の速度変換機能付き記憶装置を示、
すブロック図、第2図は第2の発明の速度変換機能付き
記憶装置を示すブロック図、第3図は第1の発明の速度
変換機能付き記憶装置の一実施例を示すブロック図、第
4図は第1の発明の速度変換機能付き記憶装置の動作を
示すタイムチャート、第5図は第2の発明の速度変換機
能付き記憶装置の一実施例を示すブロック図である。 1−1.1−2.1−3.〜1−m・・・・・・シリア
ル・パラレル変換装置、2−1.2−2゜2−3.〜2
−m・・・・・・パラレル・シリアル変換装置、3・・
・・・・メモリ、4・・・・・・フラグ、5・・・・・
・書込み信号発生装置、6・・・・・・アドレス発生装
置、21−1.21−2.21−3.〜21−m・・・
・・・シリアル・パラレル変換装置、22−1゜22−
2.22−3.〜22−m・・・・・・レジスタ、23
・・・・・・メモリ、24・・・・・・フラグ、25・
・・・・・書込み信号発生装置、26・・・・・・アド
レス発生装置、31−1.31−2.31−3・・・・
・・8段シフトレジスタ、31C・・・・・・8進カウ
ンタ、31G−1゜31G−2,31G−3・・・・・
・ゲート、32−1゜32−2.32−3・・・・・・
レジスタ、32C・・・・・・8進カウンタ、32S−
1,323−2゜323−3・・・・・・セレクタ、3
3・・・・・・メモリ、34.34D・・・・・・フリ
ップフロップ、35・・・・・・ゲート、36・・・・
・・アドレスカウンタ、51−1゜51−2.51−3
.51−4・・・・・・8段シフトレジスタ、51C・
・・・・・8進カウンタ、51G−1゜51G−2,5
1G−3,51G−4・・・・・・ゲート、52−1.
52−2.52−3.52−4・・・・・・レジスタ、
53・・・・・・メモリ、54.54D。 55D・・・・・・フリップフロップ、55・・・・・
・ゲート、56・・・・・・アドレスカウンタ。 N執 Nゝ 柔1  :e。 (1ト 喝へ
FIG. 1 shows a storage device with a speed conversion function according to the first invention,
2 is a block diagram showing a storage device with a speed conversion function according to the second invention, FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of the storage device with a speed conversion function according to the first invention, and FIG. The figure is a time chart showing the operation of the storage device with speed conversion function of the first invention, and FIG. 5 is a block diagram showing an embodiment of the storage device with speed conversion function of the second invention. 1-1.1-2.1-3. ~1-m... Serial/parallel converter, 2-1.2-2゜2-3. ~2
-m...Parallel/serial converter, 3...
...Memory, 4...Flag, 5...
-Write signal generator, 6...Address generator, 21-1.21-2.21-3. ~21-m...
...Serial-to-parallel converter, 22-1゜22-
2.22-3. ~22-m...Register, 23
...Memory, 24...Flag, 25.
...Write signal generator, 26...Address generator, 31-1.31-2.31-3...
...8-stage shift register, 31C...octal counter, 31G-1゜31G-2, 31G-3...
・Gate, 32-1゜32-2.32-3...
Register, 32C... Octal counter, 32S-
1,323-2゜323-3...Selector, 3
3...Memory, 34.34D...Flip-flop, 35...Gate, 36...
・Address counter, 51-1゜51-2.51-3
.. 51-4...8-stage shift register, 51C.
...octal counter, 51G-1゜51G-2,5
1G-3, 51G-4...Gate, 52-1.
52-2.52-3.52-4...Register,
53...Memory, 54.54D. 55D...Flip-flop, 55...
・Gate, 56...Address counter. N Dependency NゝSoftness 1: e. (1 to drink)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、(A)一定の周波数aでmビット並列に入力するデ
ィジタル信号のデータを受けて、m個の並列線ごとに、
それぞれnビットのデータを直列に読込んだ後に、それ
ぞれ読込んだn ビットのデータを並列に出力するm個のシリアル・パラ
レル変換装置、 (B)m個の前記シリアル・パラレル変換装置のそれぞ
れに対応して、それぞれから出力されたnビットのデー
タを並列に読込んだ後 に、それぞれ読込んだnビットのデータを周波数bのク
ロックに同期して直列に出力するm個のパラレル・シリ
アル変換装置、 (C)m個の前記シリアル・パラレル変換装置がnビッ
トのデータをすべて読込んだときにセットされ、m個の
前記パラレル・シリアル変換装置がnビットのデータを
すべて出力したときにリセットされることにより、動作
制御信号を発生して前記パラレル・シリアル変換装置を
制御するフラグ、 (D)前記フラグの動作制御信号を入力することにより
、前記周波数bのクロックに同期した書込み信号を発生
する書込み信号発生装 置、 (E)前記書込み信号発生装置の書込み信号を受けて、
その書込み信号に同期した書込みアドレスを発生するア
ドレス発生装置、 (F)前記書込み信号発生装置の書込み信号に合わせて
、前記アドレス発生装置からの書込みアドレスで指定さ
れる位置に、前記周波数bのクロックに同期して、m個
の前記パラレル・シリアル変換装置が出力したmビット
並列でnビット直列のデータを書込む同期式のメモリ、 を備えることを特徴とする速度変換機能付き記憶装置。 2、(A)一定の周波数aでmビット並列に入力するデ
ィジタル信号のデータを受けて、m個の並列線ごとに、
それぞれnビットのデータを直列に読込んだ後に、それ
ぞれ読込んだn ビットのデータを並列に出力するm個のシリアル・パラ
レル変換装置、 (B)m個の前記シリアル・パラレル変換装置のそれぞ
れに対応して、それぞれから出力されたnビットのデー
タを並列に読込んだ後 に、それぞれ読込んだnビットのデータを並列に出力す
るm個のレジスタ、 (C)m個の前記シリアル・パラレル変換装置がnビッ
トのデータをすべて読込んだときにセットされ、後にリ
セット信号を受けてリ セットされることにより、動作制御信号を発生するフラ
グ、 (D)前記フラグの動作制御信号を入力することにより
、前記周波数bのクロックに同期した書込み信号を発生
するとともに、前記フラグの前記リセット信号を発生す
る書込み信号発生装置、 (E)前記書込み信号発生装置の書込み信号を受けて、
その書込み信号に同期した書込みアドレスを発生するア
ドレス発生装置、 (F)前記書込み信号発生装置の書込み信号に合わせて
、前記アドレス発生装置からの書込みアドレスで指定さ
れる位置に、m個の前記レジスタが出力したm×nビッ
ト並列のデータを書込む同期式のメモリ、 を備えることを特徴とする速度変換機能付き記憶装置。
[Claims] 1. (A) Receiving data of a digital signal input in parallel with m bits at a constant frequency a, for each m parallel lines,
m serial/parallel converters each reading n bits of data in series and then outputting the read n bits of data in parallel; (B) each of the m serial/parallel converters; Correspondingly, after reading the n-bit data outputted from each in parallel, m parallel-to-serial converters output the read n-bit data serially in synchronization with a clock of frequency b. , (C) is set when the m serial-parallel converters have read all n-bit data, and is reset when the m parallel-serial converters have output all n-bit data. a flag that generates an operation control signal to control the parallel-to-serial converter; (D) generates a write signal synchronized with the clock of frequency b by inputting the operation control signal of the flag; a write signal generator; (E) receiving a write signal from the write signal generator;
an address generator that generates a write address in synchronization with the write signal; A storage device with a speed conversion function, comprising: a synchronous memory for writing m-bit parallel and n-bit serial data output from the m parallel-to-serial converters in synchronization with the above. 2. (A) Receive m-bit digital signal data input in parallel at a constant frequency a, and for each m parallel line,
m serial/parallel converters each reading n bits of data in series and then outputting the read n bits of data in parallel; (B) each of the m serial/parallel converters; Correspondingly, after reading the n-bit data outputted from each in parallel, m registers output the read n-bit data in parallel; (C) the m serial-to-parallel converters; A flag that is set when the device reads all n-bit data and is reset later upon receiving a reset signal to generate an operation control signal; (D) By inputting the operation control signal of the flag; , a write signal generating device that generates a write signal synchronized with the clock of the frequency b and also generates the reset signal of the flag; (E) receiving a write signal from the write signal generating device;
an address generator that generates a write address in synchronization with the write signal; 1. A storage device with a speed conversion function, comprising: a synchronous memory for writing m×n bit parallel data output by a memory device.
JP26861588A 1988-10-24 1988-10-24 Memory device with speed converting function Pending JPH02114323A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6523080B1 (en) 1996-07-10 2003-02-18 International Business Machines Corporation Shared bus non-sequential data ordering method and apparatus

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