JPH02111056A - Sealing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導電性の合金からなるシール材によりベース
及びキャップを接着して得られる密封パッケージ内に、
半導体チ・ンプ部品を気密封止する封止装置に関する。Detailed Description of the Invention [Industrial Application Field] The present invention provides a sealed package obtained by bonding a base and a cap with a sealing material made of a conductive alloy.
The present invention relates to a sealing device for hermetically sealing semiconductor chip parts.
半導体チップ部品の封止技術を大別すると、樹脂封止技
術と気密封止技術がある。前者は工程が比較的簡単であ
ることやコストが低いことなどの理由で、ＤＩＰ（デュ
アルインラインパッケージ）などで広く用いられている
。しかしながら、高信頼性（特に耐湿度性）の要求され
るものでは、セラミックスやガラスなどのパッケージに
、窒素（Ｎ２）などの不活性ガスを封入した気密封止型
パッケージが広く用いられている。The encapsulation technology for semiconductor chip components can be roughly divided into resin encapsulation technology and hermetic encapsulation technology. The former is widely used in DIP (dual in-line packages) and the like because the process is relatively simple and the cost is low. However, for products that require high reliability (particularly humidity resistance), hermetically sealed packages, in which a ceramic or glass package is filled with an inert gas such as nitrogen (N2), are widely used.
第３図に半導体チップ部品が実装されたパッケージの一
例を示す。パッケージベース１のキャビティ２には半導
体チップ部品３がダイボンディングされており、半導体
チップ部品３のバ・ンドがボンディングワイヤ４によっ
てそれぞれインナーリード５と接続されている。パッケ
ージベース１の外側面にはインナーリード５と接続され
た外部電極６が複数形成されており、このようにして組
み立てが行われた後は、キャップ７がパッケージベース
１の矩形環状を呈した上面に接着されてパッケージの気
密封止がなされる。FIG. 3 shows an example of a package in which semiconductor chip components are mounted. A semiconductor chip component 3 is die-bonded to a cavity 2 of a package base 1, and the band ends of the semiconductor chip component 3 are connected to inner leads 5 by bonding wires 4, respectively. A plurality of external electrodes 6 connected to inner leads 5 are formed on the outer surface of the package base 1, and after the assembly is performed in this manner, the cap 7 is attached to the rectangular annular upper surface of the package base 1. The package is hermetically sealed.
かかる気密封止は、いわゆるハーメチックシール技術を
利用して行なわれる。すなわち、パッケージベース１を
加工性、汎用性、耐熱性などの点を考慮してセラミック
スから形成し、キャップ７をセラミックスあるいは金属
から形成し、これらをＡｕ−５ｎ等の低融点の共晶合金
からなるシール材８により接着する。シール材８として
、Ａｕ−３ｎ等の低融点の共晶合金が用いられるのは、
ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）を用いた半導体チップ部品な
どでは３００℃以上に加熱すると劣化が生し好ましくな
いからである。Such hermetic sealing is performed using so-called hermetic sealing technology. That is, the package base 1 is made of ceramics in consideration of processability, versatility, heat resistance, etc., the cap 7 is made of ceramics or metal, and these are made of a low melting point eutectic alloy such as Au-5n. The sealing material 8 is used for adhesion. The reason why a low melting point eutectic alloy such as Au-3n is used as the sealing material 8 is because
This is because semiconductor chip parts using gallium arsenide (GaAs) are undesirably deteriorated if heated to 300° C. or higher.
シール材８として使用される共晶合金は、図示のように
パッケージベース１の上面形状すなわち矩形を呈した環
状接合面の形状に合わせて矩形環状の薄板状に成形され
、このシール材８がパッケージベース１とキャップ７と
の間に挾まれ、加圧、加熱されることでパッケージベー
ス１とキャップ７との接着が行われる。ここで、シール
材８が載置されるパッケージベース１の上面およびシー
ル材８に接触するキャップ７の下面は、Ａｕなどの金属
であらかじめメタライズされており、シール月８が溶融
すると、これらのメタライズ層との間で共晶反応が生じ
、接着が行なわれてパッケージ内部の封止が完了する。The eutectic alloy used as the sealing material 8 is formed into a rectangular annular thin plate shape to match the upper surface shape of the package base 1, that is, the shape of the rectangular annular joint surface, as shown in the figure. The package base 1 and the cap 7 are bonded together by being sandwiched between the base 1 and the cap 7, and being pressurized and heated. Here, the upper surface of the package base 1 on which the sealing material 8 is placed and the lower surface of the cap 7 that contacts the sealing material 8 are metalized in advance with metal such as Au, and when the sealing material 8 is melted, these metalized A eutectic reaction occurs between the layers, and adhesion occurs to complete the sealing inside the package.
第４図は上記の封止を行なう従来装置の各側を示してい
る。第４図（ａ）に示す装置は、シール材８を介してキ
ャップ７が被せられたパッケージベース１が、ヒータ台
１０の上面凹部１０ａに嵌め込まれて固定され、この状
悪てキャップ７上にプレス体１１が下降してキャップ７
を加圧するようになっている。パッケージベース１はヒ
ータ台１０に埋め込まれた発熱体（ヒータ台そのものが
発熱体のこともある）１２によってシール材８の溶融温
度以上に加熱され、これによりシール材８がパッケージ
ベース１およびキャップ７のメタライズ層と共晶反応を
起こして、キャップ７の接着が行なわれる。FIG. 4 shows each side of a conventional device for effecting the sealing described above. In the device shown in FIG. 4(a), a package base 1 covered with a cap 7 via a sealing material 8 is fitted and fixed into a recess 10a on the top surface of a heater stand 10. The press body 11 descends and the cap 7
It is designed to pressurize. The package base 1 is heated to a temperature higher than the melting temperature of the sealing material 8 by a heating element 12 embedded in the heater stand 10 (the heater stand itself may be a heating element), thereby causing the sealing material 8 to heat the package base 1 and the cap 7. The cap 7 is bonded by causing a eutectic reaction with the metallized layer.
一方、第４図（ｂ）に示す装置は、パッケージベース１
を四部１３ａ内で位置決め固定するステージ１３と、ス
テージ１３の方向に上下動するヒータブロック１４とか
らなり、ヒータブロック１４がキャップ７を押圧すると
共に、内部に配置された発熱体（ヒータブロックそのも
のが発熱する抵抗体であることもある）１５によりキャ
ップ７を加熱するものである。発熱体１５の熱はヒータ
ブロック１４からキャップ７だけに局所的に伝達され、
これによりシール材８とメタライズ層が共晶反応をする
ようになっている。On the other hand, the device shown in FIG. 4(b) has a package base 1
It consists of a stage 13 that positions and fixes the inside of the four parts 13a, and a heater block 14 that moves up and down in the direction of the stage 13.The heater block 14 presses the cap 7, and the heater block itself The cap 7 is heated by the cap 7 (which may be a heat generating resistor) 15. The heat of the heating element 15 is locally transmitted from the heater block 14 only to the cap 7,
This allows the sealing material 8 and the metallized layer to undergo a eutectic reaction.
しかしながら、第４図（ａ）及び（ｂ）に示す従来装置
は、パッケージベース１若しくはキャップ７を介してシ
ール材８を加熱し溶融する構造であるので、パッケージ
ベース１若しくはキャップ７をシール材８の融点以上に
加熱する必要が有り、この加熱によりパッケージベース
１にダイボンドされた半導体チップ部品が熱影響を受は
劣化し易かった。However, the conventional apparatus shown in FIGS. 4(a) and 4(b) has a structure in which the sealing material 8 is heated and melted through the package base 1 or the cap 7. It is necessary to heat the semiconductor chip to a temperature higher than the melting point of the package base 1, and the semiconductor chip components die-bonded to the package base 1 are easily affected by the heat and deteriorate due to this heating.
そこで、本発明は、上述の事情に鑑み、半導体チップ部
品への熱影響が少ない封止装置を提供することを目的と
する。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned circumstances, it is an object of the present invention to provide a sealing device that has less thermal influence on semiconductor chip components.
上述の目的を達成するため、本発明による封止装置にお
いては、半導体チップ部品が内部に封止されるパッケー
ジを構成するベース及びキャップを、それぞれ保持して
これらを相互に押圧する押圧保持手段と、前記押圧保持
手段に保持されたベース及びキャップの環状接合面に鎖
交する磁束を発生する磁束発生手段とを備えていること
を特徴としている。In order to achieve the above-mentioned object, the sealing device according to the present invention includes a pressing holding means that holds and presses the base and the cap, which constitute the package in which the semiconductor chip component is sealed, respectively; and magnetic flux generating means for generating magnetic flux interlinking with the annular joint surfaces of the base and the cap held by the pressing holding means.
このように構成することにより、ベース及びキャップの
環状接合面に介装された導電性の合金からなるシール材
に誘導電流を生じさせることが可能となる。With this configuration, it is possible to generate an induced current in the sealing material made of a conductive alloy interposed between the annular joint surfaces of the base and the cap.
以下、本発明の実施例について第１図及び第２図を参照
しつつ、説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2.
第１図に示したように、本発明による封止装置において
は、パッケージベース１を保持するベース保持部材２０
と、キャップ７を保持するキャップ保持部材２１を有し
ている。ベース保持部材２０及びキャップ保持部材２１
はテフロン或いはガラスから形成されており、図示した
ように、それぞれパッケージベース１若しくはキャップ
７が係合する凹部２０ ａ及び２１ａを有している。更
に、ベース保持部材２０及びキャップ保持部材２１の四
部２０ａ及び２１ａの外側には、四部が形成されており
、この四部によって、第２図にも示した様に、ベース保
持部材２０及びキャップ保持部材２１の相互間に挟圧保
持されたパッケージの周囲に窒素ガス（Ｎ２）等の不活
性ガスを流通させることの出来る流通路２２が形成され
る。As shown in FIG. 1, in the sealing device according to the present invention, a base holding member 20 that holds the package base 1
and a cap holding member 21 that holds the cap 7. Base holding member 20 and cap holding member 21
are made of Teflon or glass, and have recesses 20a and 21a into which the package base 1 or the cap 7 engages, respectively, as shown. Further, four parts are formed on the outside of the four parts 20a and 21a of the base holding member 20 and the cap holding member 21, and as shown in FIG. A flow path 22 through which an inert gas such as nitrogen gas (N2) can flow is formed around the package held between the two.
このように形成されたベース保持部材２０及びキャップ
保持部材２１の略中央部には、円錐台形を呈した磁気収
束部材２３が埋め込まれている。A magnetic convergence member 23 having a truncated cone shape is embedded approximately in the center of the base holding member 20 and cap holding member 21 formed in this manner.
磁気収束部材２３はフェライト等の強磁性体から形成さ
れ、大端面に比べて面積が小さな小端面が凹部２０ａ及
び２１ａの底面の一部を形成するように、ベース保持部
材２０及びキャップ保持部材２１に埋設されている。The magnetic convergence member 23 is made of a ferromagnetic material such as ferrite, and is attached to the base holding member 20 and the cap holding member 21 so that the small end surface, which has a smaller area than the large end surface, forms part of the bottom surface of the recesses 20a and 21a. It is buried in
ベース保持部材２０及びキャップ保持部材２１に埋設さ
れた磁気収束部材２３は、その大端面にて、略Ｃ字形の
薄鋼板を積層して形成された磁性鉄ム２６の互いに対向
した両端部にそれぞれ結合している。従って、磁性鉄芯
２６及び磁気収束部材２３により、パッケージを挾んで
対向した磁気収束部材２３相互間の間隙を磁気ギャップ
とした磁気回路が形成される。磁性鉄芯２６にはコイル
２７か巻回されており、このコイル２７に電力が１共給
されると、磁性鉄芯２６内に磁界が生じるようになって
いる。The magnetic convergence member 23 embedded in the base holding member 20 and the cap holding member 21 has its large end surface attached to both opposing ends of a magnetic iron bar 26 formed by laminating approximately C-shaped thin steel plates. are combined. Therefore, the magnetic iron core 26 and the magnetic convergence member 23 form a magnetic circuit with the gap between the magnetic convergence members 23 facing each other with the package in between as a magnetic gap. A coil 27 is wound around the magnetic iron core 26, and when one electric power is supplied to the coil 27, a magnetic field is generated within the magnetic iron core 26.
次に、上述の如くに構成された本発明による封止装置を
用いて、半導体チップ部品をパッケージベース１及びキ
ャップ７からなるパッケージ内に気密封止する場合の手
順について説明する。Next, a description will be given of a procedure for hermetically sealing a semiconductor chip component within a package consisting of the package base 1 and the cap 7 using the sealing apparatus according to the present invention configured as described above.
ます、ベース保持部材２０及びキャップ保持部４４２１
１：パッケージベース１及びキャップ７を保持させる。First, base holding member 20 and cap holding part 4421
1: Hold the package base 1 and cap 7.
この時、パッケージベース１には予め半導体チップ部品
がダイボンドされており、また、パッケージベース１と
キャップ７とが互いに接合される矩形環状の接合面は、
各々、Ａｕなどの金属で予めメタライズされており、接
合面相互間には接合面の形状に合わせて形成された環状
のシール材８が予め介装されている。なお、シール材８
は’、 ｕ −Ｓ ｎ等の共晶合金から形成されている
。At this time, semiconductor chip components are die-bonded to the package base 1 in advance, and the rectangular annular bonding surface where the package base 1 and the cap 7 are bonded to each other is
Each of them is preliminarily metallized with a metal such as Au, and an annular sealing material 8 formed to match the shape of the bonding surfaces is interposed in advance between the bonding surfaces. In addition, the sealing material 8
is formed from a eutectic alloy such as ', u-Sn.
ベース保持部材２０及びキャップ保持部材２１に保持さ
れたパッケージベース１及びキャップ７は互いに押圧さ
れる。この押圧力は、パッケージベース１及びベース保
持部材２０の間、若しくは、キャップ７及びキャップ保
持部材２１の間にゴム片等の弾性部材（図示せず）を均
一に介装させ、−弾性部材を弾性変形させた状態でパッ
ケージベース１及びキャップ７をベース保持部材２０及
びキャップ保持部材２１に保持することにより得ること
ができる。また、パッケージが保持されるベース保持部
材２０及びキャップ保持部材２１の間に形成される空間
の上下方向の寸法をパッケージの厚さ寸法より若干小さ
く形成しておき、該空間を拡げて、すなわち、磁性鉄芯
２６を弾性変形させてパッケージをベース保持部材２０
及びキャップ保持部材２１相互間に保持させることによ
っても？５ることができるし、パッケージをベース保持
部＋４２０及びキャップ保持部材２１相互間に保持した
後、磁性鉄芯２６に外力を加えて磁性鉄芯２６の開口部
を狭める方向に弾性変形させることにより得ることがで
きる。The package base 1 and the cap 7 held by the base holding member 20 and the cap holding member 21 are pressed against each other. This pressing force can be applied by uniformly interposing an elastic member (not shown) such as a rubber piece between the package base 1 and the base holding member 20 or between the cap 7 and the cap holding member 21; This can be obtained by holding the package base 1 and the cap 7 in an elastically deformed state on the base holding member 20 and the cap holding member 21. Further, the vertical dimension of the space formed between the base holding member 20 and the cap holding member 21 in which the package is held is formed to be slightly smaller than the thickness dimension of the package, and the space is expanded, that is, The package is attached to the base holding member 20 by elastically deforming the magnetic iron core 26.
And also by holding the cap holding members 21 between each other? After the package is held between the base holding part +420 and the cap holding member 21, an external force is applied to the magnetic iron core 26 to cause it to elastically deform in the direction of narrowing the opening of the magnetic iron core 26. Obtainable.
この様にして、ベース保持部材２０及びキャップ保持部
材２１の相互間にパッケージを押圧保持した後、パッケ
ージを囲繞して形成された流通路２２に加熱した窒素ガ
ス等の不活性ガスを加熱ガス供給手段（図示せず）によ
り流通させ、パッケージベース１及びキャップ７を予備
加熱する。この予備加熱の温度は、パッケージベース１
に担持された半導体チップ部品が劣化をあまり起こさな
い温度であり、シール材８の融点未満の温度である。な
お、この予備加熱は、パッケージベース１及びキャップ
７の接合部近傍のみを局所的に加熱することが好ましく
、その為には、図示した如く、流通路２２が該接合部近
傍のみに形成されていることが望ましい。After the package is held under pressure between the base holding member 20 and the cap holding member 21 in this way, heated inert gas such as heated nitrogen gas is supplied to the flow passage 22 formed surrounding the package. The package base 1 and the cap 7 are preheated by passing through a means (not shown). The temperature of this preheating is
This is a temperature at which the semiconductor chip components supported by the semiconductor chip components do not deteriorate much, and is lower than the melting point of the sealing material 8. In this preheating, it is preferable to locally heat only the vicinity of the joint between the package base 1 and the cap 7, and for this purpose, as shown in the figure, the flow passage 22 is formed only in the vicinity of the joint. It is desirable to be present.
パッケージの接合面近傍の温度が予備加熱温度に達した
ところで、１〜１０秒程度の周期でコイル２７に単パル
ス状の電力を数回供給し単パルスの強磁場を発生させる
。この磁場の発生により磁性鉄芯２６内に磁束が生じる
。磁性鉄芯２６内に生じた磁束は磁気収束部材２３によ
り収束せしめられて磁束線密度が高められ、磁束線密度
が高められた状態で磁気収束部材２３相互間の磁気ギャ
ップを通り、パッケージベース１及びキャップ７の環状
接合面と鎖交する。環状接合面には共晶合金からなる環
状のシール材８が介装されているので、シール材８には
該磁束に鎖交した誘導電流が生じる。誘導電流が生じる
と、シール材８が有している電気抵抗によりジュール熱
が発生し、シール（４８の温度が上昇し、シール材８が
溶融する。When the temperature near the bonding surface of the package reaches the preheating temperature, single-pulse power is supplied to the coil 27 several times at a cycle of about 1 to 10 seconds to generate a single-pulse strong magnetic field. The generation of this magnetic field generates magnetic flux within the magnetic iron core 26. The magnetic flux generated in the magnetic iron core 26 is converged by the magnetic convergence member 23 to increase the magnetic flux line density, and in a state where the magnetic flux line density is increased, it passes through the magnetic gap between the magnetic convergence members 23, and then the package base 1 and interlinks with the annular joint surface of the cap 7. Since an annular sealing material 8 made of a eutectic alloy is interposed on the annular joint surface, an induced current interlinked with the magnetic flux is generated in the sealing material 8. When an induced current is generated, Joule heat is generated due to the electrical resistance of the sealing material 8, the temperature of the seal (48) rises, and the sealing material 8 melts.
このときのシール材８の溶融状態は、必ずしもシール材
８全体が完全に溶けていなくとも良く、−部が溶融して
粘土状に柔らかくなった状態でも良い。The melted state of the sealing material 8 at this time does not necessarily require that the entirety of the sealing material 8 is completely melted, but may be in a state where the negative part is melted and becomes soft like clay.
なお、誘導電流が流れると、シール材８内ではエレクト
ロマイグレーションが生じる。Note that when the induced current flows, electromigration occurs within the sealing material 8.
エレクトロマイグレーションとは、電流が流れている金
属内で金属原子が電子流との衝突による力によって移動
させられる現象のことであり、このエレクトロマイグレ
ーションが起こると、固体金属内において金属結晶粒の
成長と摩耗とが同時に惹き起こされる。Electromigration is a phenomenon in which metal atoms are moved within a metal through which an electric current is flowing due to the force caused by collision with the electron flow. When this electromigration occurs, it causes the growth of metal crystal grains within the solid metal. Wear is also caused at the same time.
従って、シール材８内に誘導電流が流れると、その時に
生ずるジュール熱とエレクトロマイグレーションの相乗
効果によって金属結晶粒の大きな共晶結合か１’＋られ
、パッケージベース１及びキャップ７の環状接合面同士
を気密接着することができる。よって、パッケージベー
ス１に担持された半導体チップ部品はパッケージベース
１及びキャップ７からなるパッケージ内に気密封止され
る。Therefore, when an induced current flows in the sealing material 8, the synergistic effect of the Joule heat and electromigration generated at that time causes the large eutectic bond of the metal crystal grains to be 1'+, and the annular bonding surfaces of the package base 1 and the cap 7 can be attached tightly. Therefore, the semiconductor chip component supported on the package base 1 is hermetically sealed within the package consisting of the package base 1 and the cap 7.
なお、上述の実施例においては、流通路２２に加熱され
た不活性ガスを流通させることによりパッケージを予備
加熱することとしているが、ベース保持部材２０及びキ
ャップ保持部材２１にニクロム線等の発熱体（図示せず
）を埋め込んでおき、この発熱体によって予備加熱する
こととしても良いし、コイル２７に高周波電力を供給す
ることにより、シールｔ４８を予備加熱棒ることとして
も良い。In the above embodiment, the package is preheated by circulating heated inert gas through the flow path 22, but the base holding member 20 and the cap holding member 21 are provided with a heating element such as a nichrome wire. (not shown) may be embedded and preheated by this heating element, or the seal t48 may be preheated by supplying high frequency power to the coil 27.
以上説明したように、本発明による封止装置においては
、半導体チップ部品が内部に封止されるパッケージを構
成するベース及びキャップを、それぞれ保持してこれら
を相互に押圧する押圧保持手段と、前記押圧保持手段に
保持されたベース及びキャップの環状接合面に鎖交する
磁束を発生する磁束発生手段とを備えているので、該環
状接合面に介装される共晶合金からなるシール材に誘導
電流を生じさせることができ、この誘導電流がシール材
中を流れるときに生ずるジュール熱によりシール材を溶
融させることができる。即ち、加熱溶融させたいシール
材のみを、自己発熱させることによって加熱溶融させる
ことができ、従来のように、ベースやキャップをシール
材の融点以上に加熱する必要がなくなり、半導体チップ
部品の熱劣化を抑えることが出来る。As explained above, the sealing device according to the present invention includes a pressing holding means for holding and pressing the base and the cap, which constitute the package in which the semiconductor chip component is sealed, against each other; The magnetic flux generating means generates a magnetic flux that interlinks with the annular joining surfaces of the base and cap held by the pressing holding means, so that the magnetic flux is guided to the sealing material made of eutectic alloy interposed in the annular joining surfaces. An electric current can be generated, and when this induced current flows through the sealing material, the Joule heat generated can melt the sealing material. In other words, only the sealing material that is desired to be heated and melted can be heated and melted by self-heating, eliminating the need to heat the base and cap above the melting point of the sealing material as in the past, and preventing thermal deterioration of semiconductor chip components. can be suppressed.
また、シール村山では誘導電流の発生によりエレクトロ
マイグレーションが生じる。このエレクトロマイグレー
ションと上述のジュール熱との相乗効果により惹き起こ
される共晶反応の下では、金属結晶粒が大きく成長する
ので、気密封止の信頼性が向上する。Furthermore, in Seal Murayama, electromigration occurs due to the generation of induced current. Under the eutectic reaction caused by the synergistic effect of this electromigration and the above-mentioned Joule heat, metal crystal grains grow large, thereby improving the reliability of hermetic sealing.
従って、本発明による封止装置によれば、半導体チップ
部品への熱影響が少なく、しかも高い信頼性をもって気
密封止をすることが可能となる。Therefore, according to the sealing device according to the present invention, it is possible to perform hermetic sealing with less thermal influence on semiconductor chip components and with high reliability.
第１図は、本発明による封止装置の実施例を示した断面
図、第２図は、第１図の■−■断面図、第３図は、パッ
ケージの一例を示した分解斜視図、第４図（ａ）及び（
ｂ）は、それぞれ従来の封止装置を示した側面図である
。
１・・・パッケージベース、３・・・半導体チップ部品
、７・・・キャップ、８・・・シール材、２０・・・ベ
ース保持部材、２１・・・キャップ、２２・・・流通路
、２３・・・磁気収束部材、２６・・・磁性鉄芯、２７
・・・コイル。
特許出願人 住友電気工業株式会社
代理人弁理士 長谷用 芳 樹ｎ−ｔｔ断面
第２図
パッケージの分解鵞視図
竺３図
第
図FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of the sealing device according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line ■--■ in FIG. 1, and FIG. 3 is an exploded perspective view showing an example of the package. Figure 4(a) and (
b) is a side view showing a conventional sealing device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Package base, 3... Semiconductor chip component, 7... Cap, 8... Seal material, 20... Base holding member, 21... Cap, 22... Distribution path, 23 ... Magnetic convergence member, 26 ... Magnetic iron core, 27
···coil. Patent Applicant: Sumitomo Electric Industries, Ltd. Representative Patent Attorney Yoshiki Hase
Claims (1)
て互いに接合されるベース及びキャップからなるパッケ
ージ内に半導体チップ部品を封止する封止装置であって
、前記ベース及びキャップをそれぞれ保持してこれらを
相互に押圧する押圧保持手段と、前記押圧保持手段に保
持されたベース及びキャップの環状接合面に鎖交する磁
束を発生する磁束発生手段とを備えたことを特徴とする
封止装置。 ２、前記押圧保持手段は前記シール材の融点以下の温度
で前記シール材を予め加熱する予備加熱手段を有してい
ることを特徴とする請求項１記載の封止装置。[Scope of Claims] 1. A sealing device for sealing a semiconductor chip component in a package consisting of a base and a cap that are joined to each other at an annular joint surface by a sealing material made of a conductive alloy, wherein the base and a pressing holding means for holding and pressing the caps against each other; and a magnetic flux generating means for generating magnetic flux interlinking with the annular joint surfaces of the base and the cap held by the pressing holding means. Characteristic sealing device. 2. The sealing device according to claim 1, wherein the pressing and holding means includes preheating means for preheating the sealing material at a temperature below the melting point of the sealing material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264857A JPH02111056A (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | Sealing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264857A JPH02111056A (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | Sealing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02111056A true JPH02111056A (en) | 1990-04-24 |
Family
ID=17409183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63264857A Pending JPH02111056A (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | Sealing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02111056A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485342B1 (en) * | 1997-12-12 | 2005-08-23 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for encapsulating lid of ceramic package |
| KR100520412B1 (en) * | 1999-01-14 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | Cover lid sealing apparatus for fabricating a semiconductor package |
| JP2015018831A (en) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | 株式会社大真空 | Method for hermetically sealing electronic component |
-
1988
- 1988-10-20 JP JP63264857A patent/JPH02111056A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485342B1 (en) * | 1997-12-12 | 2005-08-23 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for encapsulating lid of ceramic package |
| KR100520412B1 (en) * | 1999-01-14 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | Cover lid sealing apparatus for fabricating a semiconductor package |
| JP2015018831A (en) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | 株式会社大真空 | Method for hermetically sealing electronic component |
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