JPH0211044B2 - - Google Patents

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JPH0211044B2
JPH0211044B2 JP56208578A JP20857881A JPH0211044B2 JP H0211044 B2 JPH0211044 B2 JP H0211044B2 JP 56208578 A JP56208578 A JP 56208578A JP 20857881 A JP20857881 A JP 20857881A JP H0211044 B2 JPH0211044 B2 JP H0211044B2
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JP
Japan
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transistor
emitter
collector
constant current
base
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP56208578A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS58108823A (en
Inventor
Hiroshi Mizuguchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP56208578A priority Critical patent/JPS58108823A/en
Publication of JPS58108823A publication Critical patent/JPS58108823A/en
Publication of JPH0211044B2 publication Critical patent/JPH0211044B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/003Changing the DC level

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は入力端子に印加される微小入力信号を
一定の直流レベルだけレベルシフトさせたのち次
段に伝達するレベルシフト回路に係り、きわめて
簡単な構成で、しかも、低い電源電圧のもとでも
安定に動作する回路を実現することを目的とする
ものである。
Detailed Description of the Invention The present invention relates to a level shift circuit that level-shifts a minute input signal applied to an input terminal by a certain DC level and then transmits it to the next stage. The purpose is to realize a circuit that operates stably even under power supply voltage.

第1図に、本発明の一実施例に係るレベルシフ
ト回路の回路結線図を示す。第1図において、入
力端子Xにはトランジスタ1のベースが接続さ
れ、前記トランジスタ1のコレクタには前記トラ
ンジスタ1と相補型(PNPに対してNPN)のト
ランジスタ2のベースが接続されている。前記ト
ランジスタ2のエミツタはマイナス側給電線路g
に接続され、前記トランジスタ1のエミツタと前
記トランジスタ2のコレクタの間には、ベース・
コレクタ間が短絡されてダイオード接続されたト
ランジスタ3のエミツタおよびベースが接続され
ている。前記トランジスタ2のコレクタと出力端
子Yの間には負荷としての抵抗4が接続され、プ
ラス側給電線路bと出力端子Yとの間には定電流
源5が接続され、また、前記給電線路bと前記ト
ランジスタ1のエミツタの間には別の定電流源6
が接続されている。
FIG. 1 shows a circuit connection diagram of a level shift circuit according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the input terminal X is connected to the base of a transistor 1, and the collector of the transistor 1 is connected to the base of a complementary transistor 2 (NPN to PNP). The emitter of the transistor 2 is connected to the negative power supply line g.
between the emitter of the transistor 1 and the collector of the transistor 2.
The emitter and base of a diode-connected transistor 3 whose collectors are short-circuited are connected. A resistor 4 as a load is connected between the collector of the transistor 2 and the output terminal Y, a constant current source 5 is connected between the positive feed line b and the output terminal Y, and the feed line b and another constant current source 6 between the emitter of the transistor 1 and the emitter of the transistor 1.
is connected.

なお、前記プラス側給電線路bはプラス側給電
端子Bに接続され、前記マイナス側給電線路gは
マイナス側給電端子Gに接続されている。
The positive power supply line b is connected to the positive power supply terminal B, and the negative power supply line g is connected to the negative power supply terminal G.

さて、第1図において、トランジスタ1のベー
ス・エミツタ間順方向電圧とトランジスタ3のベ
ース・エミツタ間順方向電圧がほぼ等しいものと
すると、トランジスタ2が完全飽和に至らない範
囲においては、入力端子Xのレベルと前記トラン
ジスタ2のコレクタのレベルは同じになる。
Now, in FIG. 1, assuming that the base-emitter forward voltage of transistor 1 and the base-emitter forward voltage of transistor 3 are approximately equal, the input terminal The level of the transistor 2 becomes the same as the level of the collector of the transistor 2.

すなわち、ある時点において入力端子Xのレベ
ルが以前よりも下降したとすると、トランジスタ
1とトランジスタ3のバランス状態がくずれ、前
記トランジスタ1のエミツタ電流が増加する反
面、前記トランジスタ3のエミツタ電流は減少す
る。
That is, if the level of the input terminal .

その結果、トランジスタ2のベース電流が増加
して、前記トランジスタ2のコレクタのレベルは
下降し、結局、入力端子Xのレベルと前記トラン
ジスタ2のコレクタのレベルが等しくなつた状態
で前記トランジスタ1と前記トランジスタ3のバ
ランス状態が保たれる。
As a result, the base current of the transistor 2 increases, and the level of the collector of the transistor 2 decreases. Eventually, the level of the input terminal X becomes equal to the level of the collector of the transistor 2, and the transistor 1 and the The balanced state of transistor 3 is maintained.

一方、定電流源5からは一定電流Ipが抵抗4に
供給され、前記抵抗4の両端には一定の電圧降下
が生じる。
On the other hand, a constant current I p is supplied from the constant current source 5 to the resistor 4, and a constant voltage drop occurs across the resistor 4.

ここで、前記抵抗4の抵抗値をRとし、入力端
子Xに印加される信号電圧をeiとすると、出力端
子Yに現われる信号電圧epは次式の様になる。
Here, when the resistance value of the resistor 4 is R and the signal voltage applied to the input terminal X is e i , the signal voltage e p appearing at the output terminal Y is expressed by the following equation.

ep=ei+IpR したがつて、第1図の回路は入力端子Xに印加
される入力信号を一定レベルだけ直流的にシフト
させて出力端子Yに供給する機能を有しているこ
とになる。
e p = e i + I p R Therefore, the circuit in Figure 1 has the function of DC-shifting the input signal applied to the input terminal X by a certain level and supplying it to the output terminal Y. become.

ところで、第1図に示したレベルシフト回路は
きわめて簡単な回路構成となつているだけでな
く、1.5V前後の低い電源電圧のもとでも充分安
定な動作を期待することが出来る。
By the way, the level shift circuit shown in FIG. 1 not only has an extremely simple circuit configuration, but also can be expected to operate sufficiently stable even under a low power supply voltage of around 1.5V.

例えば、定電流源5および6としてはよく知ら
れたカレントミラー回路を用いることが出来、そ
の場合、第1図の定電流源5および6の箇所にカ
レントミラー回路を構成するトランジスタ
(PNP形)のコレクタ、エミツタが接続されるだ
けであるから、そのコレクタ・エミツタ間電圧は
0.3V程度でも動作させることが出来、第1図の
トランジスタ3のベース・エミツタ間順方向電圧
が0.7V程度で、微小信号を扱う場合にはトラン
ジスタ2のコレクタ・エミツタ間電圧も0.4V前
後あれば充分であるから、これらの電圧を加算し
ても1.4V程度となる。
For example, a well-known current mirror circuit can be used as the constant current sources 5 and 6, and in that case, a transistor (PNP type) constituting the current mirror circuit is placed at the constant current sources 5 and 6 in FIG. Since only the collector and emitter of is connected, the voltage between the collector and emitter is
It can be operated even at around 0.3V, and the forward voltage between the base and emitter of transistor 3 in Figure 1 is around 0.7V, and when handling small signals, the voltage between the collector and emitter of transistor 2 should also be around 0.4V. is sufficient, so even if these voltages are added together, the result is about 1.4V.

なお、定電流源5および6のための基準電流
は、先に同一出願人が特許出願昭和56年142720号
において提案した回路などによつて得る様にすれ
ば、1.5V程度の低い電源電圧のもとでも安定な
定電流源を実現することが出来る。
Note that if the reference current for the constant current sources 5 and 6 is obtained by the circuit proposed in Patent Application No. 142720 of 1982 by the same applicant, it can be obtained with a power supply voltage as low as 1.5V. It is possible to realize a stable constant current source even at low temperatures.

さて、本発明の実施態様は必らずしも第1図の
回路に限定されるものではなく、必要に応じて
種々の変更が可能である。例えば、第2図に例示
した様に、トランジスタ3のコレクタをベースに
接続せずにマイナス側給電線路gに接続すれば、
回路をモノリシツクIC化する場合に、トランジ
スタ3としてサブストレートPNPトランジスタ
を用いることが出来るのでチツプサイズも小さく
なるし、動作ゲインが上昇して追従性が良くな
る。
Now, the embodiment of the present invention is not necessarily limited to the circuit shown in FIG. 1, and various changes can be made as necessary. For example, as illustrated in FIG. 2, if the collector of transistor 3 is connected to the negative feed line g instead of connecting to the base,
When converting the circuit into a monolithic IC, a substrate PNP transistor can be used as the transistor 3, which reduces the chip size, increases the operating gain, and improves followability.

また、必要に応じてトランジスタ2のベース・
エミツタ間に抵抗7などを接続すれば、トランジ
スタの漏洩電流をバイパスさせることが出来るの
で、温度安定性を向上させ得る。
Also, if necessary, the base of transistor 2
If a resistor 7 or the like is connected between the emitters, the leakage current of the transistor can be bypassed, so that temperature stability can be improved.

さらに第3図に示した様にトランジスタ3の代
りに単なるダイオード8を用いても良いし、抵抗
4の代りにダイオード9を用いることも出来る。
Further, as shown in FIG. 3, a simple diode 8 may be used instead of the transistor 3, and a diode 9 may be used instead of the resistor 4.

以上の様に本発明のレベルシフト回路は、入力
端子にベースが接続された第1のトランジスタ
(前記実施例のトランジスタ1に相当)と、前記
第1のトランジスタと相補型であつて、ベースが
前記第1のトランジスタのコレクタに接続され、
エミツタが一方の給電線路に接続された第2のト
ランジスタ(トランジスタ2に相当)と、前記第
1のトランジスタのエミツタと前記第2のトラン
ジスタのコレクタの間に接続されたダイオード手
段(トランジスタ3のベース・エミツタ間接合あ
るいはダイオード8に相当)と、前記第2のトラ
ンジスタのコレクタと出力端子の間に接続された
負荷手段(抵抗4あるいはダイオード9に相当)
し、他方の給電線路と前記出力端子の間に接続さ
れた第1の定電流手段(定電流源5に相当)と、
他方の給電線路と前記第1のトランジスタのエミ
ツタの間に接続された第2の定電流手段(定電流
源6に相当)を備えたことを特徴とするもので、
きわめて簡単な構成で低い電源電圧のもとでも動
作させることが出来るという大なる効果を奏する
ものである。
As described above, the level shift circuit of the present invention includes a first transistor (corresponding to transistor 1 in the above embodiment) whose base is connected to the input terminal, and a transistor complementary to the first transistor whose base is connected to the input terminal. connected to the collector of the first transistor;
a second transistor (corresponding to transistor 2) whose emitter is connected to one of the feed lines; and a diode means (base of transistor 3) connected between the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor. - emitter-to-emitter junction or diode 8) and a load means (corresponding to resistor 4 or diode 9) connected between the collector of the second transistor and the output terminal.
and a first constant current means (corresponding to the constant current source 5) connected between the other feed line and the output terminal;
It is characterized by comprising a second constant current means (corresponding to the constant current source 6) connected between the other feed line and the emitter of the first transistor,
It has a very simple configuration and has the great effect of being able to operate even under a low power supply voltage.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図、第2図、第3図はいずれも本発明の各
実施例に係るレベルシフト回路の回路結線図であ
る。 1,2,3……トランジスタ、4……抵抗、
5,6……定電流源、8,9……ダイオード。
1, 2, and 3 are circuit wiring diagrams of level shift circuits according to each embodiment of the present invention. 1, 2, 3...Transistor, 4...Resistor,
5, 6... constant current source, 8, 9... diode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 入力端子にベースが接続された第1のトラン
ジスタと、前記第1のトランジスタと相補型であ
つて、ベースが前記第1のトランジスタのコレク
タに接続され、エミツタが一方の給電線路に接続
された第2のトランジスタと、前記第1のトラン
ジスタのエミツタと前記第2のトランジスタのコ
レクタの間に接続されたダイオード手段と、前記
第2のトランジスタのコレクタと出力端子の間に
接続された負荷手段と、他方の給電線路と前記出
力端子の間に接続された第1の定電流手段と、他
方の給電線路と前記第1のトランジスタのエミツ
タの間に接続された第2の定電流手段を備えたこ
とを特徴とするレベルシフト回路。 2 特許請求の範囲第1項の記載において、第3
のトランジスタのベースを前記第2のトランジス
タのコレクタに接続し、同エミツタを前記第1の
トランジスタのエミツタに接続するとともに同コ
レクタを一方の給電線路に接続し、前記第3のト
ランジスタのベース・エミツタ間接合によつて前
記ダイオード手段を構成したことを特徴とするレ
ベルシフト回路。
[Scope of Claims] 1. A first transistor whose base is connected to an input terminal, and which is complementary to the first transistor, whose base is connected to the collector of the first transistor, and whose emitter is connected to one of the transistors. a second transistor connected to a power supply line; diode means connected between the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor; and between the collector of the second transistor and the output terminal. a first constant current means connected between the other feed line and the output terminal; and a second constant current means connected between the other feed line and the emitter of the first transistor. A level shift circuit characterized by comprising constant current means. 2 In the description of claim 1, the third
The base of the transistor is connected to the collector of the second transistor, the emitter of the transistor is connected to the emitter of the first transistor, and the collector is connected to one of the feed lines, and the base and emitter of the third transistor are connected to the collector of the second transistor. A level shift circuit characterized in that the diode means is constructed by a junction between the diode means.
JP56208578A 1981-12-22 1981-12-22 Level shifting circuit Granted JPS58108823A (en)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5654127A (en) * 1979-10-09 1981-05-14 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5654127A (en) * 1979-10-09 1981-05-14 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device

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JPS58108823A (en) 1983-06-29

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