JPH02110384A - 短い輻射パルス又は電気パルスを測定する方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明の目的は、単一のパルスからその自己相関関数又
はその時間形を知ることを可能とする、短い輻射パルス
又は電気パルスを測定する装置及び方法を提供すること
である。

（従来技術とその問題点） 短いパルスは、その持続時間が１ないし１０００ピコ秒
の範囲にあるパルスであると理解される。分析されるべ
きパルスが短くはあるが繰り返し性のパルスである場合
には、普通はそのパルスのサンプリングは、各パルスか
ら情報の一部をサンプリングして、この部分を介して該
パルスの形を構成するサンプリングオシロスコープによ
り為される。

このサンプリング技術は、繰り返しパルスに対してのみ
適用することが出来る。

短いが繰り返し性でないパルスの場合には、スリット走
査型カメラが伝統的に使用されており、電子偏向装置に
接続された蓄積管上への現象の表示には、光子パルス（
Ｘ線、赤外線、又は可視紫外線）については１ピコ秒に
近い時間経過がある。しかし、その櫟なスリット走査型
カメラを使用することは、該カメラの幾何学的寸法が大
きいので、成る用途には容易に実行することが出来ない
、しかも、このカメラは高価であり且つ第２に供給され
たイメージを利用するには、この他のカメラで取り直さ
なければならないので、困難がある。

非反復性の短いパルス又は反復性ではあるが干渉性のパ
ルスを測定するために電気光学的自己相関装置を使用す
る方法も知られている。かかる自己相関装置は１ピコ秒
以内の領域に達することを可能にする非線形結晶を使用
する。

更に、光伝導体から成る多チヤンネル自己相関装置があ
り、該光伝導体は、該光伝導体により生成された電気（
，１号を伝播させるｋめのラインに接続されている。こ
の自己相関装置は１９８７年８月サンデすエゴにおいて
展示された。しかし、パルスが電気パルスである場合に
単一のパルスの形を与えることを可能にするものではな
い。その上、電磁パルスの場合には、この装置は所定範
囲のパルス持続時間についてのみ使用することが出来、
自己相関関数の限られた数の点は、その平均持続時間が
知られているパルスに関連させられる。更に、この前述
の装置は、自己相関関数の測定点と同数の遅延線を備え
ている。各遅延線に付属している色々な光伝導体は、互
いに非常に近い時間的測定を考慮したものであり、入射
ビームの、その伝播軸に対する傾きを知ることのみを可
能にするものであり、それは検出器光伝導体の平面に垂
直であると仮定される。パルスの自己相関関数の色々な
点を得るために、遅延線は異なる長さを持っている。

米国特許第４４８２８６３号から、回路の伝達関数を測
定する装置が公知となっており、この装置は単一の遅延
線を備えており、これに沿って数個の光伝導体エレメン
トが配置されている。この線に沿って該光伝導体間を電
波が伝播する時間を等しくするために、これらのエレメ
ントは該遅延線に沿って一定間隔を置いて位置している
。斯くして電気パル、スの時間形（瞬時形）の色々な点
が帰られる。

この特許文献に記載されている装置においては、光伝導
エレメント及び電気１３号を伝播させる線は表面技術で
製作される（基板ストリップ）。このために、使用可能
な分極電圧が著しく制限され、これを守らなければ、光
伝導エレメントに近い電極間の空気のイオン化により、
悪い時に故障を引き起こしかねない寄生電流が生じる。

この制限により感度が著しく損なわれ、そのために繰り
返しパルスで動作させなければならないこととなる。

従って、サンプリング機能に必要とされる遅延を光学的
に導入することにより電気パルスの分析をサンプリング
により実行することを可能にするものである。

更に、各光伝導体を分析するために必要な光学パルスの
入射を遅延させるために該装置に光学素子を付属させな
ければならない。

その結果、従来技術の装置はいずれも、短い電磁放射又
は単発のイオン化パルスの瞬時分析開放又は自己相関関
数又は電気パルスの時間形を得ることを可能にするもの
ではない。

（発明の概要） 本発明の目的は、これらの欠点を克服することである。

本発明は、単一の短いパルスを測定する装置を提供する
ものであり、この装置は、持続時間θのパルスのｐ測定
点を実行する様になっていて、伝導線を備えた少なくと
も一つの測定ユニットを含んでおり、この伝導線には、
その電極のうちの一つを介して一組の光伝導体が持続さ
れており、この線と光伝導体とは二つの非伝導体の間に
配置されており、伝導体を二つ毎に分離する線長はこの
線上での伝播速度と比θ／ｐとの積に等しく、光伝導体
は、その大多数の伝導体の野分が、分析されるべきパル
スの持続時間の１０％以下となる様に選択される。斯く
して該装置は、輻射パルス又は電気パルスの瞬時解析関
数又は自己相関関数を１）ることを可能にする。

本発明の池の目的は、複数の測定ユニットから成るパル
ス測定装置であって、異なるパルス持続時間に対して同
一の感度が得られる様に光伝導体のうちの大多数の伝導
体の寿命τが各ユニット毎に異なる様に成っているパル
ス測定装置を提供することである。

本発明は、短いパルスを測定する装置であって、各測定
ユニットがｐ＋１個の光伝導体から成り、持続時間θの
パルスについてｐ個の測定点を得るために大多数の伝導
体の寿命τが１０％以下である様な装置にも関する。

一実施例では、該測定装ては第１の基板を備えており、
該基板は第１の金属化された面及びその反対側の第２の
面を有し、その上にトラックと、該トラックに対してほ
ぼ垂直で該トラックから離間した伝導線が配列されてい
る。該装置は、該トラック及び該伝導線の上に位置する
第２の基板も備えており、この第２の基板はその長さが
該伝導線及びトラックの間隔より大きい開口部を有する
と共に、金属化されたコーティングで覆われている。光
伝導体は、基板を含むブロックで構成されており、該基
板上には、半伝導性被膜と、その次の、該ブロックの各
端部において該半伝導性被膜上に配置された第１接点及
び第２接点とが配列されており、各ブロックは、該第２
基板の間口部の中に収容され得る様な寸法を有し、一つ
の接点は該伝導線上に位置し、他方の接点は−トラック
上に位πする。

該測定装置の一つの好適な実施例においては、該光伝導
体はテルル化カドミウム又は砒化ガリウム又は燐化イン
ジウムから成る半伝導性被膜から成っている。

本発明は、本発明の測定装置を使用してパルスを測定す
る方法にも関し、これについては該伝導線はその特性イ
ンピーダンスによりその両端部の各々が閉じていて、装
置全体に関して短い輻射パルスＥ　（ｔ）が該伝導線の
中に送り込まれ、第１光伝導体は所定の直流電圧で分極
され、５＝（ｔ）＝ｋＥ　（ｔ）と成る様に輻射パルス
Ｅ（ｔ）のイメージ電気信号５（ｔ）が鎖線を通して送
られ、該信号Ｓ　（ｔ）は第２の光伝導体を分極させ、
該第２光伝導体は該パルスＥ（ｔ）及びその遅延イメー
ジＥ　　（ｔ）のたたみ込み積分に比例する電流を発生
させ、Ｅ　　（ｔ）＝Ｅ　（ｔ＋ｘ／ｖ）であって、こ
こでＸはこれら二つの第１光伝導体を隔てる線の長さで
あり、■は該線上での伝播速度であり、Ｘは遅れ）Ｃ／
　Ｖがθ／ｐに等しく成る様に選択されており、光伝導
体の大多数はθの１０％未満の寿命を持っており；１８
号５（ｔ）は各回毎にθ／ｐだけ増大する遅れを持って
池の堤ての光伝導体を同じ方法で順次分極させ、負荷Ｑ
ｉがこれらたたみ込み積分の結果であって、各光伝導体
の出力に集められており、各負荷は斯くして測定される
べきパルスの自己相関関数の点の測定値を提供する。

本発明は、本発明の装置を使用してパルスを測定する別
の方法にも関し、この場合伝導線はその二つの端部にお
いてその特性インピーダンスにより閉じられており；短
い輻射パルスが光伝導体の全てを照明分析するために送
られ、このパルスと同期して、第１光伝導体上の光伝導
体の大多数の伝導体の寿命とほぼ等しいか又はそれより
短い持続時間を持ったより短い輻射パルスが送られ、こ
の光伝導体は所定の直流電圧により分極される。分析さ
れるべき輻射パルスのサンプリングに対応する負荷の組
が１得られ、各負荷は各光伝導体の出力電極上に、その
最初の一つを除いて、再生される。

一つの別形においては、非常に短い輻射パルスを全ての
光伝導体上に送り、かつ分析されるべき短い輻射パルス
を第１の光伝導体上に送ることにより、該方法を逆に使
用することができる。

斯くして、該光伝導体に存する伝導体の寿命に等しい瞬
時分解能で、分析されるべきパルスの瞬時形が得られる
。

本発明は、本発明の装置を使用して短いパルスを測定す
る別の方法にも関し、この方法では、９個の光伝導体に
接続された伝導線は一端部においてその特性インピーダ
ンスにより閉じられており、短いＮ、気パルスが分析さ
れるべく他方の端部に送られ、該電気パルスと同期して
もつと短い輻射パルスがこれら光伝導体上に送られ、該
輻射パルスの持続時間は該光伝導体の大多数の伝導体の
寿命とほぼ等しいか又はこれより短く、分析されるべき
電気パルスのサンプリングに対応する負荷の組が得られ
、各負荷は各光伝導体の一出力電臣上に再生される。

本発明の池のｆｉ１点及び特徴は、添付図面を参照して
以下の詳細な説明を読めば容易に理解できる。

（実施例） 短いパルスを測定する装置の電気回路図を第１図に示し
である。この測定装置は、その二つの端部１０１及び１
０２においてその特性インピーダンス２０により閉じら
れている伝導線りを備えている。

第１の光伝導体Ａが第１にこの線りに、第２に分Ｆｆ５
電圧■に接続されている。９個の光伝導体Ｂ１−Ｂｐが
第１にこの線りに、第２（：蹟分増幅器工１、■２１．
．．．Ｉｐに接続されており、光伝導１本Ｂ１は積分増
幅器工１に、Ｂ２は工２に、ＢｐはＩｐに接続されてい
る。該装置はｐｆｌ！の出力Ｑ１−Ｑｐも備えており、
各出力は積分増幅器の一出力に対応する。各光伝導体間
の距ａｆｘは１７１　ｖ　、　Ｉθ／ｐ）に等しく選択
されており、ここで■は線り上での波の伝播速度を表わ
し、θは分析されるべきパルスＥ（ｔ）の持続時間を表
わす。各光伝導体を構成する大多数の伝導体の寿命は、
期間θの１０％以内となるように選択されている。従っ
て、短い輻射パルスＥが光伝導体上に送られると、所定
電圧Ｖで分極されている光電導体Ａは、鎖線を通して輻
射パルスＥ　（ｔ）のイメージ電気信号を送るので５（
ｔ）はＳ　（ｔ）＝ｋＥ　（ｔ）に等しくなり、信号Ｓ
　（ｔ）は第２の光伝導体を分極させ、この第２の先導
転体は、該パルスとその遅延イメージＥ　とのたたみ込
み積分に比例する？Ｉｔ流ｉを発生させ、ここでＥ　　
（ｔ）はＥ（ｔ＋Ｘ／Ｖ）に等しく、Ｘは光伝導体を互
いに隔てる線の長さであり、■は鎖線の伝播速度であり
、Ｘは、持続時間θのパルスからｐ個の等距離の測定点
を（するために遅れＸ　／　Ｖが持続時間θ／ｐに等し
く成るように選択されている。従って、二つの光伝導体
間の距離は、瞬時分析の二つの連続する点の間の所望の
時間間隔に等しい遅れを導入するように選択されている
。

本発明の装置は、第１図に示したユニットＤｉを備える
ことができる；　一つの形においては、それはまた複数
のユニットＤ１を備えることもでき、１は１からｎまで
の範囲の数であり、これは第２図に示しである。これら
ユニットは与えられた支持体ＳＰ上に形成される。各測
定ユニットＤ１の光伝導体の大多数の伝導体の寿命は、
ユニット毎に異なり、倒えば、寿命τ１がユニットＤ１
に対して選択され、τ２〉τ１がユニットＤ２に対して
選択され、τｎがユニットＤｎに対して選択される。例
えば、　τ１＝ＩＯピコ秒が第１ユニツトＤ１に対して
選択され、τ２＝２０ピコ秒が第１ユニツトＤ２に対し
て選択され、τｎ＝５０ピコ秒が最後のユニットＤｎに
対して選択される。従って、畏なるパルス持続時間につ
いて同一の感度がｒｌられる。

各ユニットはｐ＋１に等しい数の光伝導体を有する。１
Ｇに等しい数ｐが選択されたならば、第１ユニツトは１
００ピコ秒のパルスに対して１０個の測定点を提供し、
一方第２ユニットはこの同じパルスに対して５ＷＡの測
定点を提供するが、この第２ユニツトは２００ピコ秒の
パルスに対しては１０個の測定点を提供する。

しかし、各測定ユニットは必ずしも蔽密に同じ数の光伝
導体を持っていなくともよい。

第３Ａ図は、第２図のユニットＤ１に対応する本発明の
装置の電気回路図を示す。

第３Ｂ図は、第２図のユニットＤ２に対応する本発明の
装置の電気回路図を示す。

第３Ａ図は、τ１に等しい寿命を有する全ての光伝導体
Ａ、Ｂｌ、Ｂ２及びＢｐを示し、一方第３Ｂ図は、これ
ら光伝導体Ａ、Ｂｌ及びＢｐはその寿命がτ２に等しい
大多数の伝導体を有することを示す。二つの光伝導体Ｂ
１、Ｂ２又はＢ２、Ｂ３．、、の間の、ユニットＤ１の
線上の電流伝導電気経路はＸｌに等しく、この経路は、
隣り合う二つの光伝導体間の線の長さに等しくて、線上
の伝播速度と、持続１ＩｆＩ間θＡのパルスの瞬時解析
の二つの点の間の所望の時間間隔θＡ／ｐとの蹟に等し
く選択されている。寿命τ２／τ１については、第３Ｂ
図かられかるように二つの光伝導体間の距離はｘ２＞ｘ
ｉであり、持続時間θβのパルスの瞬時解析を実行する
ためにｘ２＝ｖ　（θβ／ｐ）である。光伝導体は、輻
射が存在しない時には高い抵抗率（〉ｌＯ０ｃｍ）を有
するように選択されるので、該装置は確実に動作する。

実際のところ、照射がないときに出力ＱｉによりＭ　ｆ
ｆｆされる負荷は、逐次分極されるものと看做されるＡ
型及びＢ型の光示導体素子の抵抗に直接接続される。

更に、感度は分極電圧に比例するので、確実な電界の作
用を保証するためには、この分ｉ電圧を高くするのが好
都合である。

第４図は本発明の装置の構造及び本発明の実施例を示し
、この場合線及び光伝導体は二つの非伝導体の間の支持
体上に存在し、その非伝導体の一つはガス又は真空とす
ることができる。この構造は第１の基板１０を備えてお
り、該基板は、レイアウト平面を構成する完全に金属化
された第１面１１と、部分的に金属化された第２面１２
とを有する。

その金属化された部分は第１に一組のトラック１３を構
成しており、該トラック上には、第３Ａ図及び第３Ｂ図
に示しであるように各ユニットの出力Ｑ１、Ｑ２及びＱ
ｐを形成するために積分増幅器ＩＩ−Ｉｐが接続されて
おり、これらの金属化された領域は、該トラック１３に
垂直なトララクト１も構成している。このトラック１４
は、第３Ａ図及び第３Ｂ図から分かるように伝導線りを
構成している。

伝導線１４はトラック１３の端部から所定距離離れてい
て、これとは接触していない。この第１基板１０の上に
、第２の基板２０が配置されており、該第２基板は、伝
導性トラック１４及びトラック１３の間に存在する空間
より大きな長さを有する間口部の組を備えているので、
　トラック１４の領域１４０は基板２０に覆われておら
ず、　トラック１４の反対側のトラック１３の領域１３
０もこの基板２０に覆われていない。基板１０の金属化
された面１２の反対側の基板２０の面にも金属化された
被膜２２０が設けられている。各光伝導体は、基板２０
の開口部２１の中に納まるような寸法を持ったブロック
３０として形成されている。ブロック３０は基板３１に
より構成されており、その上に半導体材料３２の被膜が
設けられている。この半導体材料の上の、該ブロックの
各端部に、接点３３及び接点３４が配置されている。該
ブロックが該開口部内に配置されたとき、接点３３は伝
導性トラック１４の領域１４０上に位置し、接点３４は
トラック１３の領域１３０上に位置する。

本発明の一実施例においては、各検出ユニット、即ち各
光伝導体は厚み１２５μｍ、幅２００μ転　長さ８００
μｍの石英ブロックから成り、その上にはテルル化カド
ミウムの被膜が約１０μｌの厚みに設けられており、領
域１４０及び１３０は該ブロックとの接触を図るために
１００μｌの幅を持っている。各ブロックはトラック１
４及び１３上の銀にラッカーにより取り付けられ又は接
着されている。これらトラックは１２５μｍの厚みを有
する石英基板１０上に設けられたアルミニウム被膜から
成っており、第２基板２０も同じ厚みを有する石英基板
から成っていて非伝導性樹脂により該トラックの上に接
着されている。各光伝導体３０は１２５μ曽に等しい厚
みの２０ｍｍＸ　２０ａ＋＋ａの石英基板から？３られ
、その上にＯＭＣＶＤ（有機金属化学蒸！Ｆ　法）とい
う普通の技術により１２μｍのテルル化カドミウムが設
けられている。伝導線１４はアルミニウムから成り、５
μｍの厚みと数十ミリメートルの長さを有する。テルル
化カドミウムの被膜を蒸着した佳、接点を形成するため
に金／クロム陰極蒸着膜が形成され、各操作が２回行な
われる：　最初に、金の付着を助長するために、数百オ
ングストロームのクロム層を蒸着させ、次に金を蒸着さ
せる。

所望の寸法のブロックを得るために、板を、該技術に適
した通常の鋸により切断する。第２に、その石英ブロッ
クを、例えば吸い込みポンプにより接触の場所に配置す
る。光伝導体を全て支持体上に取り付けた壕、開口部を
含む基板２０全体を被覆する。形成された装置の感度を
知るために、ユニットに設けようとしている光伝導体の
大多数の伝導体の寿命を測定し、他の光伝導体も同じ方
法で形成され、斯くして、与えられたユニットの各光伝
導体は同一の寿命を持つことになる。

第５図は該測定装置に備えようとする光伝導体の大多数
の伝導体の寿命を測定する特徴的な取り１寸は例を示す
。測定原理は次のとおりである二　二の図に示しである
とおり、該測定装置の基本的構成を使用し、この構成は
光伝導体Ａと、線１．　）：接続された光伝導体Ｂ１と
から成り、鎖線はその特性インピーダンスＺＯにより閉
じられている。該構成からなるものは非常に短いレーザ
ーパルスＬａにより照射される。出力Ｑ１での応答は直
接に伝導体の寿命に依存する。

本発明は短いパルスを測定する方法にも関し、そのため
に上記の装置を１史用する。

本発明により、該装置は、単一の輻射（電磁輻射又はイ
オン化輻１１１）又は短い電気パルスの自己相関関数の
点を測定することを可能にする。この装置はまた、解析
されるべき単一のパルスから、それがイオン化輻射又は
電磁輻射又は電気パルスから導出されたとき、このパル
スの瞬時形をｆＧることを可能にする。この装置により
、瞬時直線性の問題を引き起こさずに測定値を得ること
ができる。短い輻射パルスＥ、（ｔ）の自己相関関数を
ｆするために、このパルスは放射されて支持体ＳＰを照
射するが、支持体ＳＰは例えば第４図に記載したような
構造を持っている。素子Ｄｉは光伝導体を有し、その大
多数の伝導体のＸＰ命は、解析されるべきパルスの持続
時間の１０％以下であり、このパルスの自己相関関数の
９個の点を供給する。

基準光伝導体Ａは各々直流電圧により分極される。線り
はその１１性インピーダンスＺＯによりその端部が閉じ
られている。各々の分極された光伝導体Ａは、線りに、
Ｓ　（ｔ）＝ｋ．Ｅ　（ｔ）（Ｓ（ｔ）はＥ（ｔ）に比
例する）となるようにパルスＥ（ｔ〉のイメージ電気信
号Ｓ　（ｔ）を送る。信号５（ｔ）は第２光伝導体を分
極させ、この第２光伝導体は該パルスとその遅延イメー
ジＥ　　（ｔ）とのたたみ込み偵（コンボリューション
）に比例する電流ｉを発生させるが、ここでＥ　　（ｔ
　）　＝　Ｅ　＜　ｔ＋ｘ　／　ｖ　）である。各光伝
導体間の距１１１ｔｘは、１８号ｓ　（Ｂを通す電気経
路、即ち各光伝導体間の１云導線りの長さであり、この
長さはパルスの持続時間及び測定点の数から、即ち解析
のための所望の時間間隔から決定されている。従って、
遅れＸ／Ｖはθ／ｐに等しい。線上での（ｒＡ播速度Ｖ
はよく知られている。光伝導体Ｂ１についての負荷Ｑ１
（ＢｉについてのＱｉ）、即ちたたみ込み積分の増幅及
び積分の膿の結果は各伝導体の出力端子に集められる。

東められた各負荷は自己相関関数の点の測定値に対応す
る。

本発明は、本発明の装置により単一の短いパルスの瞬時
解析を行なうことを可能にする方法にも関する。これを
実現するために、光伝導体Ａは直流電圧により分極させ
られる。！ＩＪＬは二つの端部においてその特性インピ
ーダンスＺＯにより閉じられる。短い輻射パルスＥ（ｔ
）が送られ、これが全ての光伝導体を照射し、該輻射パ
ルスの立ち上がりと同期して、池の輻射パルスｒ（ｔ）
が送られるが、その持続時間は第１のパルスの可能な持
続時間範囲に比して極めて短い。

第６図はパルスＥ　（ｔ）及び時間制御パルスｒ（１）
の線り上での電気イメージの伝播を示す。

：５２のパルスの持続８１間は、問題のサブアセンブリ
ーの光伝導体の伝導体の寿命より短いか又はこれと等し
い。このパルスｒ　（ｔ）は、分極した光伝導体Ａを照
射する。光伝導体Ｂｌ−Ｂｐは、線上に延在してこの極
めて短いパルスにより作られた信号により順次分極させ
られる。該装置の素子Ｄｉの出力端子に、−組の負荷が
集められ、前記負荷は分析されるべき輻射パルスＥ　（
ｔ）の瞬時サンプリングに対応する。線上へ延在させる
ことにより、ストロボスコープ等の最も短いパルスは、
解析されるべきパルスのプロフィールのｐＨｉの点での
正確なイメージを提供する。

一つの別形においては、非常に短い輻射パルスを全ての
光伝導体上に送り、解析されるべき輻射パルスＥ　（ｔ
）を第１の光伝導体上に送ることにより、該方法を逆に
実施することも可能である。

本発明は、本発明の装置により短い電気パルスの瞬時解
析を行なうことを可能にする方法にも関する。これを実
現するために、光伝導体Ａは直流電圧によって分極させ
られず（該光伝導体を抑圧することができる）、第７図
から分かるように、線は一端部においてのみその特性イ
ンピーダンスにより再び閉じられる。その自由端部から
、短い電気パルスＥＬ（ｔ）が全ての線上に送られる。

また、この電気パルスの立ち下がり部と同期して、非常
に短い輻射パルスｒ（ｔ）が送られて特に光伝導体Ｂを
照射する。この非常に短い輻射パルスの持続時間は、例
えば、問題のサブアセンブリーの光伝導体の寿命に対応
することができる。この輻射パルスは、素子Ｂｌ−Ｂｐ
を導体とすることによ２フ、解析されるべきパルスの瞬
時窓を含む。

色々な素子Ｂｌ−Ｂｐの分極状態は、その端子における
電圧に依存し、それは、！ＩＪＬ内に延在するパルスＥ
Ｌ（ｔ）の形と直接に結びついている。

例えば第７図に示した素子等の、素子Ｄｉの出力に、−
季■の負荷が集められ、前記負荷は該電気パルスの瞬時
サンプリングに対応する。ストロボスコープ等の、最も
短いパルス（輻射）ｒ（ｔ）は、解析されるべき電気パ
ルスＥＬ（ｔ）のプロフィールの９個の点における正確
なイメージを作り出す。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の装置の電気回路口を示す。 第２図は、異なる持続時間のパルスを測定するための本
発明の装置の略図である。第３図は、第２図の二つの素
子の電気回路口である。第４図は、本発明の装置におけ
る光伝導体の実施例及びその位置を示す図である。第５
図は、伝導体の寿命に関する普通の測定図である。第６
図は、第２及び第３１１１［１作モードによるパルスの
測定時間による図である。第７図は、本発明の方法の第
３動作モードに対応する本発明の装置の電気回路図であ
る。 出願人コミッサリア　タ　レナジーアトミック同　　オ
ーガジオン　ヨーロビエンヌブフラＧＩ Ｆ旧、２

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）持続時間θのパルスｐ個の測定点を実行するのに
   通した少なくとも一組の測定から成る単一の短いパルス
   を測定する装置であって、その電極のうちの一つを介し
   て一組の光伝導体に接続された伝導線を備えており、該
   線及び該光伝導体は二つの非伝導体の間に配置されてお
   り、該光伝導体を二つ毎に分離する線の長さは、この線
   上での伝播速度と比θ／ｐとの積に等しく、該光伝導体
   は、これらの光伝導体を構成する大多数の伝導体の寿命
   τが、解析されるべきパルスの持続時間の１０％以内と
   なる様に選択されており、斯くして該装置は、輻射パル
   ス又は電気パルスの時間解析関数又は自己相関関数を得
   るために解析されるべきパルスの二つの連続する測定点
   の間の所望の時間間隔に等しい遅れを各光伝導体間に導
   入することが可能である様に成っていることを特徴とす
   る装置。
2. （２）所定持続時間のパルスのｐ個の測定点を実行する
   のに各々通している複数の測定ユニットから成り、該ユ
   ニットの光伝導体の大多数の伝導体の寿命はユニット毎
   に異なることを特徴とする請求項１に記載のパルス測定
   装置。
3. （３）各測定ユニットはｐ＋１個の光伝導体から成り、
   θに等しい持続時間を有するパルスについてｐ個の測定
   点を得るために、大多数の伝導体の寿命τはθの１０％
   以内であることを特徴とする請求項１の記載の短いパル
   スを測定する装置。
4. （４）第１の金属化された面と、該第１面の反対側の第
   ２の面と、一組の伝導性トラック及び該トラックに対し
   てほぼ垂直でこれから離間した伝導線とを備えた第１基
   板を含み、第２の基板が該トラック及び伝導線上に配置
   されており、この第２の基板は開口部を含み、その長さ
   は、該伝導線及び該トラック間の距離より大きく、且つ
   該第２の基板は金属被膜で被膜されており、該光伝導体
   は、基板から成るブロックにより構成され、そのブロッ
   クの各端部には半導体被膜が設けられており、各ブロッ
   クは、該第２基板の開口部の中に納まる寸法を持ってお
   り、一つの接点は該線上に位置し、他の接点は該トラッ
   ク上に位置する様に成つている、請求項１に記載の短い
   パルスを測定する装置。
5. （５）各光伝導体を構成する半伝導性被膜は、テルル化
   カドミウム又は砒化ガリウム又は燐化インジウムから成
   ることを特徴とする請求項１に記載の短いパルスを測定
   する装置。
6. （６）請求項１に記載の測定装置を使うパルス測定方法
   であって、該伝導線をその各端部でその特性インピーダ
   ンスにより閉じ、短い輻射パルスを送り、該第１の光伝
   導体は所定の直流電圧により分極され、Ｓ（ｔ）＝ｋ．
   Ｅ（ｔ）と成る様に該線を通して入射パルスのイメージ
   電気信号を送ることから成っており、該信号は該第２の
   光伝導体を分極させて該第２の光伝導体は該パルスとそ
   の遅延イメージとの繰り込み積に比例する電流を発生さ
   せ、ｘはこれら二つの光伝導体を分離する線の長さであ
   り、ｖは該線上での伝播速度であり、ｘは、該遅れがθ
   ／ｐに等しく成る様に選択されており、光伝導体は、寿
   命がθの１０％以内である大多数の伝導体を持っており
   、該信号は各回毎にθ／ｐだけ増大する遅れをもって他
   の全ての光伝導体を同様にして順次に分極させ、これら
   のたたみ込み積分の結果として負荷は、第１の光伝導体
   を例外として各光伝導体の出力に集められ、従って各負
   荷が、測定されるべきパルスの自己相関関数の点の測定
   値を提供することを特徴とする方法。
7. （７）請求項１に記載の測定装置を使うパルス測定方法
   であって、該伝導線をその二つの端部においてその特性
   インピーダンスにより閉じ、解析されるべき短い輻射パ
   ルスを送って全ての光伝導体を照射し、このパルスと同
   期して、該第１の光伝導体に関する寿命に等しいか又は
   これより短い持続時間を持つたより短い輻射パルスを送
   り、この光伝導体は所定直流電圧で分極させられており
   、斯くして、解析されるべき輻射パルスの瞬時サンプリ
   ングに対応する負荷の組を得ることから成つており、各
   負荷は、第１の光伝導体を除いて、各光伝導体の出力電
   極で再生されることを特徴とするパルス測定方法。
8. （８）前記の解析されるべき短い輻射パルスは該第１の
   光伝導体に送られ、τに等しいか又はこれより短い持続
   時間を持った前記のより短いパルスは全ての光伝導体に
   送られることを特徴とする請求項７に記載の測定方法。
9. （９）請求項１に記載の測定装置を使うパルス測定方法
   であって、ｐ個の光伝導体に接続された該伝導線を閉じ
   、一つの端部でその特性インピーダンスを介して、解析
   されるべき短い電気パルスを他方の端部に送り、該電気
   パルスの立ち下がり先端部と同期してより短い輻射パル
   スをこれらの光伝導体に送ることから成り、解析される
   べき電気パルスのサンプリングに対応する負荷の組が得
   られ、各負荷が各光伝導体の一つの出力電極で再生され
   ることを特徴とする方法。