JPH0210907A - At振動子の周波数調整方法 - Google Patents

At振動子の周波数調整方法

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Publication number
JPH0210907A
JPH0210907A JP16232888A JP16232888A JPH0210907A JP H0210907 A JPH0210907 A JP H0210907A JP 16232888 A JP16232888 A JP 16232888A JP 16232888 A JP16232888 A JP 16232888A JP H0210907 A JPH0210907 A JP H0210907A
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JP
Japan
Prior art keywords
rectangular
oscillation piece
main electrode
electrode
laser processing
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Pending
Application number
JP16232888A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Ikeda
池田 龍夫
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Matsushima Kogyo KK
Original Assignee
Matsushima Kogyo KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はAT振動子の周波数調整方法に関する。
〔従来の技術〕
従来AT振動子の周波数調整方法はAT発振片6の主電
極5に同形状のパターンでAg等の金属を真空中で蒸着
させて周波数調整をしていた(図示せず)が近年他の圧
電振動子(タレタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等)
と同様にレーザー加工により周波数調整を行なう方法が
追求されてきた。
第6図でレーザー加工により周波数調整をしたAT振動
子の例を説明する。
矩形状AT振動子6の主電極5をレーザー加工によりス
ポット3のように電極膜の除却を行い周波数調整を主電
極5の全面にわたりレーザー加工により行っていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、AT振動子のエネルギー分布20は第7図に示
すように主電極5の中心にいくほど強くなっており、こ
の部分をレーザー加工すると周波数が大きく変動し、微
小な周波数調整が不適当であった。
更に、第8図に示すように正規の発振周波数以外のスプ
リアス(不良振動)21が励起され、AT振動子として
の特性が出せなかった。
そこで本発明の目的とするところは微小な周波数調整を
可能にし、スプリアス等ない特性上優れたAT振動子の
周波数調整方法を提供するところにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明はこのような課題を解決するものでその内容は 1)AT振動子の周波数調整においてAT発振片の主電
極の外形パターンに沿ってレーザー加工により電極膜を
除却したことをする。
2)AT発振片の主電極が円形の場合は円の外周からレ
ーザー加工により電極膜を除却をする。
3)矩形状AT発振片の主電極が矩形の場合は外周から
レーザー加工により電極膜を除却する。
4)矩形状AT発振片の主電極が矩形の場合は長手方向
の両端より交互にレーザー加工により電極膜を除却をす
る。
ことを特徴とする。
〔実施例〕
本発明の実施例を第1図により説明する。
図は円形の場合のAT発振片で主電極2も円形である。
AT発振片1に真空中で蒸着等の手段を用いてAg等の
金属を電極膜として300Å以上形成する。
又、AT発振片と電極膜との密着力を増すために下地と
してCr膜を形成する場合もある。
4は引き出し電極で外部との接続を行い主電極2に電荷
をかける。
このようにAT発振片の主電極2が円形の場合は円の中
心部がエネルギーが強く、発振しやすいため、この部分
にレーザーを照射すると周波数が大きく変動して微小な
周波数調整は難しい。
このためエネルギーの弱い円の外周部より円の外形に沿
って順次レーザー加工をスポット3のように行う。
レーザー加工によるスポット3はうずまき状に行っても
よいし、同心円状に行ってもよい。
矩形状AT発振片の実施例を第2図と第3図で説明する
第2図の矩形状AT発振片6に蒸着等でAg等を主電極
5のように矩形状に形成する。
そして、主電極5の外周に沿ってレーザー加工でスポッ
ト3を順次加工していき周波数調整を行う。
第3図は矩形状AT発振片の周波数調整の他の実施例を
示したものである。
矩形状AT発振片のエネルギー分布7は第4図に示すよ
うに中心が強く長手方向の両端に行くほど弱い。
しかし、矩形状AT発振片の幅方向のエネルギー分布は
第4図のように差があまりない。
このため、第2図のように中心部の幅方向にレーザー加
工した場合、周波数が変動しやすい。
ここで、第3図に示すように矩形状AT発振片6の主電
極5の長手方向の両端よりレーザー加工によりスポット
3を行った方がより微小な周波数調整が可能となる。
このようにAT発振片の主電極の外形パターンに沿って
レーザー加工を行ったAT振動子の波形を第5図に示す
主電極の中心までレーザー加工したAT振動子に比ベス
プリアスが消えて、正規の主振動8が得られている。
レーザーのスポット径は800μm以下でできるだけ小
さい方が周波数変化が少ないため微小な周波数調整が可
能となる。
レーザー光源にはYAG (イツトリウム・アルミニウ
ム・ガーネット)レーザーを使用した。
もちろんCO□レーザー等他のレーザー光源を用いても
良い。
〔発明の効果〕
本発明のAT振動子の周波数調整方法は以上説明したよ
うにAT振動片の主電極の外形パターンに沿ってレーザ
ー加工することにより、微小な周波数調整が可能となり
、かつ、スプリアスのない特性のよいAT振動子を製造
できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の主電極が円形のAT発振片の加工後の
正面図。 第2図は本発明の矩形状AT発振片の加工後の正面図。 第3図は本発明の矩形状AT発振片の他の加工後の正面
図。 第4図は矩形状AT発振片のエネルギー分布図。 第5図は本発明の加工後のAT振動子の波形図。 第6図は従来の矩形状AT発振片の加工後の正面図。 第7図はAT発振片のエネルギー分布の側面図。 第8図は従来の加工後のAT振動子の波形図。 1・・・・・・円形のAT発振片 2・・・・・・円形の主電極 3・・・・・・スポット 4・・・・・・引き出し電極 5・・・・・・矩形状の主電極 6・・・・・・矩形状AT発振片 7・・・・・・矩形状AT発振片のエネルギー分布8・
・・・・・主振動 20・・・・・・AT振動子のエネルギー分布21・・
・・・・スプリアス 以上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)AT振動子の周波数調整方法においてAT発振片の
    主電極の外形パターンに沿ってレーザー加工により電極
    膜を除却したことを特徴とするAT振動子の周波数調整
    方法。 2)AT発振片の主電極が円形の場合は円の外周からレ
    ーザー加工により電極膜を除却したことを特徴とする請
    求項1記載のAT振動子の周波数調整方法。 3)矩形状AT発振片の主電極が矩形の場合は外周から
    レーザー加工により電極膜を除却したことを特徴とする
    請求項1記載のAT振動子の周波数調整方法。 4)矩形状AT発振片の主電極が矩形の場合は長手方向
    の両端より交互にレーザー加工により電極膜を除却した
    ことを特徴とする請求項1記載のAT振動子の周波数調
    整方法。
JP16232888A 1988-06-28 1988-06-28 At振動子の周波数調整方法 Pending JPH0210907A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0482311A (ja) * 1990-07-24 1992-03-16 Murata Mfg Co Ltd 圧電振動子の周波数調整方法及び圧電振動子
US7845064B2 (en) * 2007-07-11 2010-12-07 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for manufacturing crystal device
JP4653868B2 (ja) * 1999-03-30 2011-03-16 アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 横モード抑制が改善されたバルク音波共振器フィルタ
US9859205B2 (en) 2011-01-31 2018-01-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

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JP4653868B2 (ja) * 1999-03-30 2011-03-16 アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 横モード抑制が改善されたバルク音波共振器フィルタ
US7845064B2 (en) * 2007-07-11 2010-12-07 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for manufacturing crystal device
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