JPH02106032A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH02106032A JPH02106032A JP25974588A JP25974588A JPH02106032A JP H02106032 A JPH02106032 A JP H02106032A JP 25974588 A JP25974588 A JP 25974588A JP 25974588 A JP25974588 A JP 25974588A JP H02106032 A JPH02106032 A JP H02106032A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程に用いる処理装置に関
するものである。
するものである。
半導体装置の進歩は目ざましく、高集積化、微細化が進
んでいる。それに伴って、半導体装置の製造工工程にお
ける写真製版工程において、パターンを高精度に形成で
きる技術が望まれる。このパターンを高精度に形成させ
るための技術の一つに、半導体基板へのレジスト塗布前
に、基板表面を疎水処理するものがある。これは、ヘキ
サメチルジシラザン（以下、ＨＭＤＳと称す）を付着さ
せることにより、基板上の水酸基と反応させて、その面
を疎水性にし、レジストの基板への密着性を向上させる
ものである。ＨＭＤＳを付着させる方法には、一般に、
ペーパ一方式が採用されている。
んでいる。それに伴って、半導体装置の製造工工程にお
ける写真製版工程において、パターンを高精度に形成で
きる技術が望まれる。このパターンを高精度に形成させ
るための技術の一つに、半導体基板へのレジスト塗布前
に、基板表面を疎水処理するものがある。これは、ヘキ
サメチルジシラザン（以下、ＨＭＤＳと称す）を付着さ
せることにより、基板上の水酸基と反応させて、その面
を疎水性にし、レジストの基板への密着性を向上させる
ものである。ＨＭＤＳを付着させる方法には、一般に、
ペーパ一方式が採用されている。
以下、ペーパ一方式を用いたＨＭＤ Ｓの付着方法につ
いて説明する。第２図は、従来の処理装置の概略断面構
造を示す図である。図において、（１）は被処理基板で
あって、例えばシリコン単結晶基板等よりなるウニへ、
（２）はヒーター（図示省略）が内設され、ウェハ（１
）を真空吸着させる機構（図示省略）を有ｆる吸着プレ
ート、（３）はウェハ（１）に対する噴射口が複数形成
されるノズルプレート、（４）は疎水処理用のＨＭＤ
Ｓ液、（５）はＨＭＤＳ液（４）を溜めているタンク、
（６）はこのタンク（５）に挿入されているバブリング
用ガス配管、（７）はノズルプレート（３）とタンク（
５）を連結させているＨＭＤｓ蒸気用配管、（８）はタ
ンク（５）の前段にあって、ガス配管（６）に設けられ
ているバルブ、（９）は処理室である。
いて説明する。第２図は、従来の処理装置の概略断面構
造を示す図である。図において、（１）は被処理基板で
あって、例えばシリコン単結晶基板等よりなるウニへ、
（２）はヒーター（図示省略）が内設され、ウェハ（１
）を真空吸着させる機構（図示省略）を有ｆる吸着プレ
ート、（３）はウェハ（１）に対する噴射口が複数形成
されるノズルプレート、（４）は疎水処理用のＨＭＤ
Ｓ液、（５）はＨＭＤＳ液（４）を溜めているタンク、
（６）はこのタンク（５）に挿入されているバブリング
用ガス配管、（７）はノズルプレート（３）とタンク（
５）を連結させているＨＭＤｓ蒸気用配管、（８）はタ
ンク（５）の前段にあって、ガス配管（６）に設けられ
ているバルブ、（９）は処理室である。
次に、このように構成されている処理装置の動作につい
て説明する。まず、ウェハ（１）が処理室（９）内に搬
入され、真空吸着により吸着プレート（２）上にウェハ
（１）は所定状態にセットされる。このとき吸着プレー
ト（２）は通常、常温（２５℃）に設定されている。次
いで、バルブ（８）が開き、この場合、窒素ガスがバブ
リング用ガス配ｆｆ （６１を通ってタンク（５）内に
供給される。このとき、ガス配管（６）の先端部がＨＭ
Ｄ Ｓ液（４）に挿入されているため、バブリングによ
り、ＨＭＤＳ液（４）が蒸気化される。その蒸気となっ
た部分の圧力が高くなって、ＨＭＤＳ蒸気はＨＭＤ Ｓ
蒸気用配管（７）を通って圧送される。さらに、ＨＭＤ
Ｓ蒸気はノズルプレート（３）の噴射口から噴射され
、処理室（９）内に供給されてウェハ（１）に付着する
。このようなＨＭＤ Ｓ処理を終えると、ウェハ（１）
は処理室（９）より搬出され、次のレジスト塗布処理工
程に送られ、さらに、所定処理が施されてパターン形成
が行われる。
て説明する。まず、ウェハ（１）が処理室（９）内に搬
入され、真空吸着により吸着プレート（２）上にウェハ
（１）は所定状態にセットされる。このとき吸着プレー
ト（２）は通常、常温（２５℃）に設定されている。次
いで、バルブ（８）が開き、この場合、窒素ガスがバブ
リング用ガス配ｆｆ （６１を通ってタンク（５）内に
供給される。このとき、ガス配管（６）の先端部がＨＭ
Ｄ Ｓ液（４）に挿入されているため、バブリングによ
り、ＨＭＤＳ液（４）が蒸気化される。その蒸気となっ
た部分の圧力が高くなって、ＨＭＤＳ蒸気はＨＭＤ Ｓ
蒸気用配管（７）を通って圧送される。さらに、ＨＭＤ
Ｓ蒸気はノズルプレート（３）の噴射口から噴射され
、処理室（９）内に供給されてウェハ（１）に付着する
。このようなＨＭＤ Ｓ処理を終えると、ウェハ（１）
は処理室（９）より搬出され、次のレジスト塗布処理工
程に送られ、さらに、所定処理が施されてパターン形成
が行われる。
従来の処理装置は以とのように構成されており、ウェハ
（１）が吸着プレート（２）に固定されている状態でＨ
ＭＤＳ蒸気がノズルプレート（３）の噴射口より噴射さ
れ、そのＨＭＤＳ蒸気がウェハ（１）に付着されるよう
になされる。この際、ノズルプレート（３）から噴射さ
れるＨＭＤＳ蒸気の噴射状態は、ウェハ（１）全面にわ
たり均一となるように制御されるように噴出口を形成さ
せることは極めて困難である。そのため、）ｉＭＤＳ蒸
気がウェハ（１）全面にわたり均一に付着されないこと
になる。従って、付着状態に部分的にムラ等が生じこの
状態で次のレジスト塗布処理を行なうと、塗布ムラを生
じてしまい、高精度なパターン形成が行なえないという
問題点かあつ ｔこ 。
（１）が吸着プレート（２）に固定されている状態でＨ
ＭＤＳ蒸気がノズルプレート（３）の噴射口より噴射さ
れ、そのＨＭＤＳ蒸気がウェハ（１）に付着されるよう
になされる。この際、ノズルプレート（３）から噴射さ
れるＨＭＤＳ蒸気の噴射状態は、ウェハ（１）全面にわ
たり均一となるように制御されるように噴出口を形成さ
せることは極めて困難である。そのため、）ｉＭＤＳ蒸
気がウェハ（１）全面にわたり均一に付着されないこと
になる。従って、付着状態に部分的にムラ等が生じこの
状態で次のレジスト塗布処理を行なうと、塗布ムラを生
じてしまい、高精度なパターン形成が行なえないという
問題点かあつ ｔこ 。
本発明は１以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、ＨＭＤＳ蒸気をウェハ全面に均一に付着させ
ることができ、均一なレジスト塗布膜が形成されて高精
度なパターン形成が行なえる処理装置を得ることを目的
とする。
たもので、ＨＭＤＳ蒸気をウェハ全面に均一に付着させ
ることができ、均一なレジスト塗布膜が形成されて高精
度なパターン形成が行なえる処理装置を得ることを目的
とする。
本発明に係る処理装置は、基板に形成されるべきレジス
トの塗布前に、その一主面に疎水化処理用の蒸気を供給
し、その蒸気を付着させる際に、丘記基板を回転させる
回転手段を備えたものである。
トの塗布前に、その一主面に疎水化処理用の蒸気を供給
し、その蒸気を付着させる際に、丘記基板を回転させる
回転手段を備えたものである。
本発明における回転手段は疎水化処理の際、基板を回転
させるように構成しである。
させるように構成しである。
そのため、付着される疎水化処理用の蒸気が不均一な噴
出状態となっていても、基板の回転により付着ムラを生
じさせるのを抑制し、付着状態を均一となるようになさ
しめる作用がある。
出状態となっていても、基板の回転により付着ムラを生
じさせるのを抑制し、付着状態を均一となるようになさ
しめる作用がある。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。第１図は本
発明の一実施例の処理装置の概略断面構造を示す図であ
る。図において（１）は被処理基板であって、例えば、
シリコン単結晶基板等よりなるウェハ、（２）はヒータ
ー（図示省略）が内設され。
発明の一実施例の処理装置の概略断面構造を示す図であ
る。図において（１）は被処理基板であって、例えば、
シリコン単結晶基板等よりなるウェハ、（２）はヒータ
ー（図示省略）が内設され。
ウェハ（１）を真空吸着させる機構（図示省略）を有す
る吸着プレート、（３）はウェハ（１）に対する噴射口
が複数形成されるノズルプレート、（４）は疎水処理用
のＨＭＤＳ液％（５）はこのＨＭＤ Ｓ液（４）を溜め
ているタンク、＋６Ｈ！このタンク（５）に挿入されて
いるバブリング用ガス配管、（７）はノズルプレート（
３）とタンク（５）とを連結させているＨＭＤＳ蒸気用
配管、（８）はタンク（５）の前段にあってガス配管（
６）に設けられているバルブ、（９）は処理室、（１０
１は上部に吸着プレート（２）が取り付けられている回
転ステージ、０１）は回転ステージ０■に取り付けられ
ている回転軸、（１２ＪはこのＭ転軸θｌ）に連結され
るモーターである。
る吸着プレート、（３）はウェハ（１）に対する噴射口
が複数形成されるノズルプレート、（４）は疎水処理用
のＨＭＤＳ液％（５）はこのＨＭＤ Ｓ液（４）を溜め
ているタンク、＋６Ｈ！このタンク（５）に挿入されて
いるバブリング用ガス配管、（７）はノズルプレート（
３）とタンク（５）とを連結させているＨＭＤＳ蒸気用
配管、（８）はタンク（５）の前段にあってガス配管（
６）に設けられているバルブ、（９）は処理室、（１０
１は上部に吸着プレート（２）が取り付けられている回
転ステージ、０１）は回転ステージ０■に取り付けられ
ている回転軸、（１２ＪはこのＭ転軸θｌ）に連結され
るモーターである。
次に、このように構成される処理装置の動作について説
明する。まず、ウェハ（１）が処理室（９）内に搬入さ
れ、真空吸着により吸着プレート（２）上にウェハ（１
）は所定状態にセットされる。このとき吸着プレート（
２）は通常、常温（２５℃）に設定されている。なお、
この温度は代表例であって、必ずしもこれに限定されず
、他の温度であっても良い。次いで、モーター０乃が駆
動され１回転軸θ１）が回転して、回転ステージ（１０
１上の吸着プレート（２）が回転される。従って、吸着
プレート（２）に真空吸着されたウェハ（１）が所定速
度で回転する。
明する。まず、ウェハ（１）が処理室（９）内に搬入さ
れ、真空吸着により吸着プレート（２）上にウェハ（１
）は所定状態にセットされる。このとき吸着プレート（
２）は通常、常温（２５℃）に設定されている。なお、
この温度は代表例であって、必ずしもこれに限定されず
、他の温度であっても良い。次いで、モーター０乃が駆
動され１回転軸θ１）が回転して、回転ステージ（１０
１上の吸着プレート（２）が回転される。従って、吸着
プレート（２）に真空吸着されたウェハ（１）が所定速
度で回転する。
この回転速度は、それぞれの処理条件に応じて適当に設
定されれば良い。
定されれば良い。
これと同時に、バルブ（８）が開き、窒素ガスがバブリ
ング用ガス配管（６）を通って供給される。このとき、
ガス配管（６）の先端部がＨＭＤ Ｓ液（４）に挿入さ
れているｔこめバブリングにより、ＨＭＤＳ液（４）が
蒸気化される。その蒸気となった部分の圧力が高くなっ
てＨＭＤ Ｓ蒸気はＨＭＤＳ蒸気用配管（７）を通って
圧送される。さらに、）ＩＭＤＳ蒸気はノズルプレート
（３）の噴射口から処理室（９）内に噴射される。ウェ
ハ（１）は、この処理室（９）内で所定時間処理される
。
ング用ガス配管（６）を通って供給される。このとき、
ガス配管（６）の先端部がＨＭＤ Ｓ液（４）に挿入さ
れているｔこめバブリングにより、ＨＭＤＳ液（４）が
蒸気化される。その蒸気となった部分の圧力が高くなっ
てＨＭＤ Ｓ蒸気はＨＭＤＳ蒸気用配管（７）を通って
圧送される。さらに、）ＩＭＤＳ蒸気はノズルプレート
（３）の噴射口から処理室（９）内に噴射される。ウェ
ハ（１）は、この処理室（９）内で所定時間処理される
。
このとき、ウェハ（１）が回転された状態でＨＭＤ Ｓ
蒸気が噴射され、処理されることになる。そのため、Ｈ
ＭＤＳ蒸気の噴射状態の不均一に起因して生じる付着ム
ラの影響が低減されることになる。
蒸気が噴射され、処理されることになる。そのため、Ｈ
ＭＤＳ蒸気の噴射状態の不均一に起因して生じる付着ム
ラの影響が低減されることになる。
以上のようなＨＭＤ Ｓ処理を終えた後、ウェハ（１）
は処理室（９）より搬出され、次のレジスト塗布処理工
程に送られ、所定処理が施されてパターン形成が行われ
る。このようなＨＭＤＳ処理を行うこと番こよって、形
成されるレジスト塗布膜も均一な膜厚のものが得られ、
高精度なパターン形成が可能となる。
は処理室（９）より搬出され、次のレジスト塗布処理工
程に送られ、所定処理が施されてパターン形成が行われ
る。このようなＨＭＤＳ処理を行うこと番こよって、形
成されるレジスト塗布膜も均一な膜厚のものが得られ、
高精度なパターン形成が可能となる。
なお、上記実施例の説明において、基板はシリコン単結
晶等よりなるウェハについて説明したが。
晶等よりなるウェハについて説明したが。
これに限定されず、カリウム、ヒ素等からなる他の半導
体基板への処理にも適用され、上記と同様の効果を奏す
る。
体基板への処理にも適用され、上記と同様の効果を奏す
る。
本発明によれば、疎水化処理の際、基板が回転する構成
となしたので、その蒸気が基板上に均一に付着されるよ
うになされ、均一なレジスト塗布膜の形成可能ができ、
高精度なパターン形成が行える効果がある。
となしたので、その蒸気が基板上に均一に付着されるよ
うになされ、均一なレジスト塗布膜の形成可能ができ、
高精度なパターン形成が行える効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の処理装置の概略断面構造
を示す図、第２図は従来の処理装置の概略断面構造を示
す図である。 図において、（１１ハ’ｙ ｘ ／Ｎ、（４１ハ）ＬＭ
Ｄ Ｓ液、ｕｔｎハ回転ステージ、α０は回転軸である
。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
を示す図、第２図は従来の処理装置の概略断面構造を示
す図である。 図において、（１１ハ’ｙ ｘ ／Ｎ、（４１ハ）ＬＭ
Ｄ Ｓ液、ｕｔｎハ回転ステージ、α０は回転軸である
。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 被処理基板に形成されるべきレジストの塗布前に、その
一主面に疎水化処理用の蒸気を供給し、その蒸気を付着
させる処理装置において、上記基板を回転させる回転手
段を備えた処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25974588A JPH02106032A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25974588A JPH02106032A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106032A true JPH02106032A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17338361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25974588A Pending JPH02106032A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02106032A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016046515A (ja) * | 2014-08-22 | 2016-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 疎水化処理方法、疎水化処理装置及び疎水化処理用記録媒体 |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP25974588A patent/JPH02106032A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016046515A (ja) * | 2014-08-22 | 2016-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 疎水化処理方法、疎水化処理装置及び疎水化処理用記録媒体 |
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