JPH02105411A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02105411A JPH02105411A JP25871688A JP25871688A JPH02105411A JP H02105411 A JPH02105411 A JP H02105411A JP 25871688 A JP25871688 A JP 25871688A JP 25871688 A JP25871688 A JP 25871688A JP H02105411 A JPH02105411 A JP H02105411A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 20
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に浅い接合を有する超高
速半導体装置に関する。
速半導体装置に関する。
従来、浅い接合を有する半導体装置は、接合を設けた半
導体基板と、この表面を被覆しかつ接合部上に電極開孔
を有するシリコン酸化絶縁膜と、この電極開孔部を被覆
する高融点金属と、この高融点金属を被覆し、かつこの
シリコン酸化絶縁膜上に延在するアルミニウム等の単一
素材からなる金属配線から通常構成される。
導体基板と、この表面を被覆しかつ接合部上に電極開孔
を有するシリコン酸化絶縁膜と、この電極開孔部を被覆
する高融点金属と、この高融点金属を被覆し、かつこの
シリコン酸化絶縁膜上に延在するアルミニウム等の単一
素材からなる金属配線から通常構成される。
しかし、上述した従来の半導体装置の配線構造では、電
極部の高融点金属と配線金属との接触部に電位差が生じ
るので、配線金属をパターニングする際のエツチング加
工工程において、配線金属が異常にエツチングされ配線
金属の電極への接続が不十分となり、歩留り低下や品質
低下の原因を生じている。
極部の高融点金属と配線金属との接触部に電位差が生じ
るので、配線金属をパターニングする際のエツチング加
工工程において、配線金属が異常にエツチングされ配線
金属の電極への接続が不十分となり、歩留り低下や品質
低下の原因を生じている。
本発明の目的は、接合の電極開孔部を被覆する高融点金
属膜と配線金属との間の接続を確実ならしめる配線構造
を備えた半導体装置を提供することである。
属膜と配線金属との間の接続を確実ならしめる配線構造
を備えた半導体装置を提供することである。
本発明によれば、半導体装置は、−主面上にＰＮ接合を
有する半導体基板と、前記半導体基板を被覆しかつ前記
ＰＮ接合上に電極開化部を有する電気絶縁膜と、該電極
開孔部をオーリックに被覆する第１の高融点金属層と、
前記第１の高融点金属層を被覆する第２の高融点金属バ
リア層と、該第２の高融点金属バリア層と接触し前記電
気絶縁股上に延在する金属配線とを含み、前記金属配線
は主配線材と該主配線材を被覆する高融点金属膜の少な
くとも２層構造から成ることを含んで構成される。
有する半導体基板と、前記半導体基板を被覆しかつ前記
ＰＮ接合上に電極開化部を有する電気絶縁膜と、該電極
開孔部をオーリックに被覆する第１の高融点金属層と、
前記第１の高融点金属層を被覆する第２の高融点金属バ
リア層と、該第２の高融点金属バリア層と接触し前記電
気絶縁股上に延在する金属配線とを含み、前記金属配線
は主配線材と該主配線材を被覆する高融点金属膜の少な
くとも２層構造から成ることを含んで構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す配線構造の断面図であ
る。本実施例によれば、シリコン基板上にアルミニウム
を主材料とする金属配線が形成された場合が示される。
る。本実施例によれば、シリコン基板上にアルミニウム
を主材料とする金属配線が形成された場合が示される。
すなわち、シリコン基板１の一主面上に通常の方法でＰ
Ｎ接合が形成され、電極開孔部を除くシリコン基板１の
表面は、シリコン酸化膜２で被覆される。電極開孔部に
はオーミックコンタクト用の白金シリサイド層３が形成
され更にこの上部には電極開孔部を被覆する高融点金属
として、例えばチタン・タングステン層４がバリア膜と
して設けられる。このバリア膜の膜厚は０．１ミクロン
程度でこの上部にアルミ配線５が形成される。以上は公
知の配線構造である。
Ｎ接合が形成され、電極開孔部を除くシリコン基板１の
表面は、シリコン酸化膜２で被覆される。電極開孔部に
はオーミックコンタクト用の白金シリサイド層３が形成
され更にこの上部には電極開孔部を被覆する高融点金属
として、例えばチタン・タングステン層４がバリア膜と
して設けられる。このバリア膜の膜厚は０．１ミクロン
程度でこの上部にアルミ配線５が形成される。以上は公
知の配線構造である。
本実施例によれば、アルミ配線らの表面に更にチタン・
タングステン膜６及びアルミニウム膜７がそれぞれ配線
素材として被膜される。このチタン・タングステン膜６
の膜厚は数百オングストローム以上あれば良く、加工性
の上から考えて２００オングストロームが好適である。
タングステン膜６及びアルミニウム膜７がそれぞれ配線
素材として被膜される。このチタン・タングステン膜６
の膜厚は数百オングストローム以上あれば良く、加工性
の上から考えて２００オングストロームが好適である。
また、アルミ配線５及び７の膜厚は任意に取り得るが、
実用上洛々０，５ミクロンが好適である。本実施例では
、アルミ配線５を被覆する高融点金属膜６にバリア膜と
同じくチタン・タングステン材を用いたが、その他チタ
ン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等を用いてもよ
く、またはこれらの高融点金属化物でもよい。勿論バリ
ア膜と必ずしも同一材料を用いなくてもよい。
実用上洛々０，５ミクロンが好適である。本実施例では
、アルミ配線５を被覆する高融点金属膜６にバリア膜と
同じくチタン・タングステン材を用いたが、その他チタ
ン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等を用いてもよ
く、またはこれらの高融点金属化物でもよい。勿論バリ
ア膜と必ずしも同一材料を用いなくてもよい。
第２図は本発明の他の実施例を示す配線構造の断面図で
ある６本実施例によれば、配線構造はアルミ配線５と窒
化チタン膜８とからなる。本実施例によれば、前実施例
に比べ、配線材の被着か簡単となる利点がある。
ある６本実施例によれば、配線構造はアルミ配線５と窒
化チタン膜８とからなる。本実施例によれば、前実施例
に比べ、配線材の被着か簡単となる利点がある。
以上説明したように、本発明によれば、浅い接合を有す
る半導体装置に於て、金属配線を接合破壊を阻止する為
の高融点金属のバリア膜と共に他の高融点金属膜とで配
線主材料を挟む構造としているので、配線主材料の異常
エツチングを生じることなく形成することができる。従
って製造歩留り及び品質を向上できる効果がある。
る半導体装置に於て、金属配線を接合破壊を阻止する為
の高融点金属のバリア膜と共に他の高融点金属膜とで配
線主材料を挟む構造としているので、配線主材料の異常
エツチングを生じることなく形成することができる。従
って製造歩留り及び品質を向上できる効果がある。
１・・・シリコン基板、２・・・シリコン酸化膜、３・
・・白金シリサイド層、４・・・チタン・タングステン
層、５・・・アルミ配線、６・・・チタン・タングステ
ン膜、７・・・アルミニウム膜、８・・・窒化チタン膜
。
・・白金シリサイド層、４・・・チタン・タングステン
層、５・・・アルミ配線、６・・・チタン・タングステ
ン膜、７・・・アルミニウム膜、８・・・窒化チタン膜
。
Claims (1)
- 一主面上にＰＮ接合を有する半導体基板と、前記半導体
基板を被覆しかつ前記ＰＮ接合上に電極開孔部を有する
電気絶縁膜と、該電極開孔部をオーミックに被覆する第
１の高融点金属層と、前記第１の高融点金属層を被覆す
る第２の高融点金属バリア層と、該第２の高融点金属バ
リア層と接触し前記電気絶縁膜上に延在する金属配線と
を含み、前記金属配線は主配線材と該主配線材を被覆す
る高融点金属膜の少なくとも２層構造から成ることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25871688A JPH02105411A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25871688A JPH02105411A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105411A true JPH02105411A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17324102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25871688A Pending JPH02105411A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02105411A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5573978A (en) * | 1993-09-15 | 1996-11-12 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of forming a metal wire in a semiconductor device |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25871688A patent/JPH02105411A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5573978A (en) * | 1993-09-15 | 1996-11-12 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of forming a metal wire in a semiconductor device |
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