JPH0210438Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0210438Y2 JPH0210438Y2 JP1822683U JP1822683U JPH0210438Y2 JP H0210438 Y2 JPH0210438 Y2 JP H0210438Y2 JP 1822683 U JP1822683 U JP 1822683U JP 1822683 U JP1822683 U JP 1822683U JP H0210438 Y2 JPH0210438 Y2 JP H0210438Y2
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- Japan
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- suspension
- circuit
- signal
- thermistor element
- temperature
- Prior art date
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- Expired
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は粒子計数装置に関し、粒子を浮懸する
液体の温度変化による粒子検出パルス信号の変動
の補償を広い温度範囲にわたつて、かつ分極等の
影響なしに行うような装置を提供することを目的
とするものである。
液体の温度変化による粒子検出パルス信号の変動
の補償を広い温度範囲にわたつて、かつ分極等の
影響なしに行うような装置を提供することを目的
とするものである。
従来、懸濁液中に浮遊する微小粒子の検出には
懸濁粒子が同時に二個以上通過できない程度に狭
あいに形成された微細孔を通過させ粒子と懸濁液
との電気インピーダンスの相違に基づくインピー
ダンス変化をとらえ、これを電気的な出力信号と
して取り出して計測する方式の粒子検出装置にあ
つては、試料中の粒子が検出孔である微細孔を通
過する際に生ずる微小なインピーダンスの変化が
パルス信号に変換され、そのパルス信号の高さは
通過した粒子の容積に相関するため、例えば血球
測定の場合従来からの遠心分離法によつていたヘ
マトクリツト値の測定が前記パルス信号の高さを
積分することによつて求められる。
懸濁粒子が同時に二個以上通過できない程度に狭
あいに形成された微細孔を通過させ粒子と懸濁液
との電気インピーダンスの相違に基づくインピー
ダンス変化をとらえ、これを電気的な出力信号と
して取り出して計測する方式の粒子検出装置にあ
つては、試料中の粒子が検出孔である微細孔を通
過する際に生ずる微小なインピーダンスの変化が
パルス信号に変換され、そのパルス信号の高さは
通過した粒子の容積に相関するため、例えば血球
測定の場合従来からの遠心分離法によつていたヘ
マトクリツト値の測定が前記パルス信号の高さを
積分することによつて求められる。
しかるに、前記パルス信号の高さは希釈液の温
度変化に起因する浸透圧や電気インピーダンスの
変化によつて変動を生じ、また血球自体も温度に
よつて容積変化を生ずるために、これらの温度に
よる影響を除去する必要がある。
度変化に起因する浸透圧や電気インピーダンスの
変化によつて変動を生じ、また血球自体も温度に
よつて容積変化を生ずるために、これらの温度に
よる影響を除去する必要がある。
例えば特公昭47−1677号公報などに開示されて
いる装置においては粒子信号の高さを粒子信号と
は別のパルス信号の幅に変換し、サーミスタで測
定された温度に応じ、上記幅を調節することによ
つて温度補償を行つているが、弁別レベル以上の
パルスの計数の温度影響を補償するもので、ヘマ
トクリツト補償等には使えない欠点や、ほぼ連続
して2個以上の粒子が検出された場合、はじめの
粒子信号についての処理が行われないうちに、次
の粒子信号が送られて来るために、誤差が生ずる
という欠点があつた。
いる装置においては粒子信号の高さを粒子信号と
は別のパルス信号の幅に変換し、サーミスタで測
定された温度に応じ、上記幅を調節することによ
つて温度補償を行つているが、弁別レベル以上の
パルスの計数の温度影響を補償するもので、ヘマ
トクリツト補償等には使えない欠点や、ほぼ連続
して2個以上の粒子が検出された場合、はじめの
粒子信号についての処理が行われないうちに、次
の粒子信号が送られて来るために、誤差が生ずる
という欠点があつた。
又、上記方法あるいはサーミスタ等を用いずに
補償を行うものとして、例えば特開昭49−2583号
公報に開示されたものなどがあるが、直接に温度
を測定せずに間接的に温度に起因する希釈液のイ
ンピーダンスの変化などによつて増幅度の調整を
行うものは補償可能な温度範囲がせまく、いずれ
も粒子検出用電極表面の分極等の影響を完全に無
視することができず、又、検出用微細孔の汚れや
ツマリ等によつても、みかけ上の補償が行われる
ことになり、むしろ不正確な出力信号を生ずると
いう欠点があつた。
補償を行うものとして、例えば特開昭49−2583号
公報に開示されたものなどがあるが、直接に温度
を測定せずに間接的に温度に起因する希釈液のイ
ンピーダンスの変化などによつて増幅度の調整を
行うものは補償可能な温度範囲がせまく、いずれ
も粒子検出用電極表面の分極等の影響を完全に無
視することができず、又、検出用微細孔の汚れや
ツマリ等によつても、みかけ上の補償が行われる
ことになり、むしろ不正確な出力信号を生ずると
いう欠点があつた。
本考案装置は、上記欠点を解消するものであ
り、サーミスタ素子を用い、希釈液とは電気的に
隔絶された状態で温度検出のみを行い、かつサー
ミスタ自体を検出回路の出力に接続された分圧回
路の一部として用い、温度変化に応じ粒子信号の
高さを直接的に補償することにより、温度に起因
する変動を分極等の影響なしに、より簡単にかつ
正確にしかも広い温度範囲にわたつて補償するよ
うな装置を提供するものである。
り、サーミスタ素子を用い、希釈液とは電気的に
隔絶された状態で温度検出のみを行い、かつサー
ミスタ自体を検出回路の出力に接続された分圧回
路の一部として用い、温度変化に応じ粒子信号の
高さを直接的に補償することにより、温度に起因
する変動を分極等の影響なしに、より簡単にかつ
正確にしかも広い温度範囲にわたつて補償するよ
うな装置を提供するものである。
以下図面に基づいて説明する。
第1図は本考案の実施例を示す説明図であり、
サンプルビーカ1に収容した粒子懸濁液2に浸漬
された微細孔3を有する検出器4と、微細孔3か
ら前記懸濁液2をパイプ5を通じて定量吸引する
装置6と、粒子が前記微細孔3を通過する際に発
生する検出信号を線路7から伝達され、検出信号
を電気パルス信号に変換する検出回路8と、懸濁
液2の温度を検出するサーミスタ素子9と、前記
サーミスタ素子9の抵抗値と、抵抗10,11の
分圧比によつて出力電圧の温度補償を行う回路
と、高入力インピーダンス増幅器12と、信号処
理装置13等で構成されている。
サンプルビーカ1に収容した粒子懸濁液2に浸漬
された微細孔3を有する検出器4と、微細孔3か
ら前記懸濁液2をパイプ5を通じて定量吸引する
装置6と、粒子が前記微細孔3を通過する際に発
生する検出信号を線路7から伝達され、検出信号
を電気パルス信号に変換する検出回路8と、懸濁
液2の温度を検出するサーミスタ素子9と、前記
サーミスタ素子9の抵抗値と、抵抗10,11の
分圧比によつて出力電圧の温度補償を行う回路
と、高入力インピーダンス増幅器12と、信号処
理装置13等で構成されている。
第2図は本考案実施例の装置の温度変化に対す
る特性図である。
る特性図である。
懸濁液2の温度が上昇すると粒子と希釈液との
電気インピーダンス差が小さくなり、検出器のゲ
インがグラフAで示すように温度と共に低下す
る。そのため、検出回路8の粒子による信号パル
スの高さに影響を与える。この影響を解消するた
めに第3図に示されているような温度特性を有す
るサーミスタ素子9を抵抗10と並列に結線し、
素子自体をサンプルビーカ1の懸濁液2に浸漬さ
せて懸濁液2の温度を測定させる。抵抗10,1
1及びサーミスタの抵抗値をそれぞれR10、R11、
RTとすると、前記抵抗及びサーミスタで構成さ
れる分圧回路の伝達定数Gは、 G=R11/RT×R10/RT+R10+R11 式で求められる。
電気インピーダンス差が小さくなり、検出器のゲ
インがグラフAで示すように温度と共に低下す
る。そのため、検出回路8の粒子による信号パル
スの高さに影響を与える。この影響を解消するた
めに第3図に示されているような温度特性を有す
るサーミスタ素子9を抵抗10と並列に結線し、
素子自体をサンプルビーカ1の懸濁液2に浸漬さ
せて懸濁液2の温度を測定させる。抵抗10,1
1及びサーミスタの抵抗値をそれぞれR10、R11、
RTとすると、前記抵抗及びサーミスタで構成さ
れる分圧回路の伝達定数Gは、 G=R11/RT×R10/RT+R10+R11 式で求められる。
本実施例に於いて、R11=4.7KΩ、R10=20KΩ
に設定すると、その伝達定数G、すなわちゲイン
はグラフBで与えられ、結果として、その出力信
号はグラフCで示されるごとく10℃〜40℃の温度
範囲ではほぼ数パーセントの誤差の間に入つてい
る。
に設定すると、その伝達定数G、すなわちゲイン
はグラフBで与えられ、結果として、その出力信
号はグラフCで示されるごとく10℃〜40℃の温度
範囲ではほぼ数パーセントの誤差の間に入つてい
る。
抵抗10,11の値を適当に設定することによ
つて第2図グラフBの傾きや曲がり具合を変える
ことができるため、温度変化による血球以外の粒
子、例えばプラスチツク粒子のようなものの容積
の膨張変化に対する補償等も可能である。
つて第2図グラフBの傾きや曲がり具合を変える
ことができるため、温度変化による血球以外の粒
子、例えばプラスチツク粒子のようなものの容積
の膨張変化に対する補償等も可能である。
さらに、サーミスタ素子を第1図に示されてい
るように直接抵抗10と並列に結線せずに、
FET等を介して用いれば、サーミスタ素子自体
に検出回路の出力信号が乗らず、素子の片側を接
地させることができ、対ノイズ等の面からは効果
的である。又、サーボ機構等を組み込み、温度測
定と信号の伝達制御とを切りはなすことも可能で
ありノイズ対策の面からは効果的であるが、いず
れも広い温度範囲にわたつての調整がめんどうで
あり、特に後者は回路装置が複雑となり、高価な
ものとなる。サーミスタ素子を直結しても、実用
上は何らさしつかえない。
るように直接抵抗10と並列に結線せずに、
FET等を介して用いれば、サーミスタ素子自体
に検出回路の出力信号が乗らず、素子の片側を接
地させることができ、対ノイズ等の面からは効果
的である。又、サーボ機構等を組み込み、温度測
定と信号の伝達制御とを切りはなすことも可能で
ありノイズ対策の面からは効果的であるが、いず
れも広い温度範囲にわたつての調整がめんどうで
あり、特に後者は回路装置が複雑となり、高価な
ものとなる。サーミスタ素子を直結しても、実用
上は何らさしつかえない。
以上のごとく本考案は、サーミスタ素子9の特
性と、並列抵抗10と抵抗11の値を適切に設定
してやることにより、少ない回路素子でより大き
な効果が得られ、コスト的にも安価に回路を構成
することができ、実用上非常に有効な装置を提供
する。
性と、並列抵抗10と抵抗11の値を適切に設定
してやることにより、少ない回路素子でより大き
な効果が得られ、コスト的にも安価に回路を構成
することができ、実用上非常に有効な装置を提供
する。
また、本考案においては希釈液の温度によつて
生ずるゲインの変動を最小限におさえ、かつ温度
変化にのみ限定しているので、他の物理的条件の
変動や、細孔のツマリや汚れによる出力電圧の変
動は、それぞれ顕著に出力に生ずるために、的確
に判断し処置を取ることが可能であり、誤つたデ
ータを提供することを未然に防止することができ
る。
生ずるゲインの変動を最小限におさえ、かつ温度
変化にのみ限定しているので、他の物理的条件の
変動や、細孔のツマリや汚れによる出力電圧の変
動は、それぞれ顕著に出力に生ずるために、的確
に判断し処置を取ることが可能であり、誤つたデ
ータを提供することを未然に防止することができ
る。
なお、高入力インピーダンス増幅器12は、前
記サーミスタ素子9の抵抗値と、抵抗10,11
で決定される分圧比を変化させることなく信号を
伝達させる効果を有するものである。
記サーミスタ素子9の抵抗値と、抵抗10,11
で決定される分圧比を変化させることなく信号を
伝達させる効果を有するものである。
第1図は本考案の実施例の構成図であり、第2
図にはその特性図であり、第3図は当実施例に用
いたサーミスタ素子の特性図である。 1……サンプルビーカ、4……検出器、8……
検出回路、9……サーミスタ素子、12……高入
力インピーダンス増幅器、13……信号処理装
置。
図にはその特性図であり、第3図は当実施例に用
いたサーミスタ素子の特性図である。 1……サンプルビーカ、4……検出器、8……
検出回路、9……サーミスタ素子、12……高入
力インピーダンス増幅器、13……信号処理装
置。
Claims (1)
- サンプルビーカ1に収容した粒子懸濁液2に浸
漬された微細孔3を有する検出器4と、前記微細
孔3から前記懸濁液パイプ5を通じて定量吸引す
る装置6と、粒子が前記微細孔3を通過する際に
発生する検出信号を電気パルス信号に変換する検
出回路8と、前記懸濁液の温度を検出するサーミ
スタ素子9と、前記サーミスタ素子9の抵抗値を
検出し前記検出回路8の出力信号を抵抗分圧比に
より温度補償を行う回路と温度補償を行う回路の
分圧比を変化させずに出力信号を受ける高入力イ
ンピーダンス増幅器12とを具え、懸濁液の温度
変化による検出回路の出力信号の変動を補償する
ことを特徴とする粒子計測装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1822683U JPS58153350U (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 粒子計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1822683U JPS58153350U (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 粒子計測装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58153350U JPS58153350U (ja) | 1983-10-13 |
JPH0210438Y2 true JPH0210438Y2 (ja) | 1990-03-15 |
Family
ID=30030491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1822683U Granted JPS58153350U (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 粒子計測装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58153350U (ja) |
-
1983
- 1983-02-10 JP JP1822683U patent/JPS58153350U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58153350U (ja) | 1983-10-13 |
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