JPH02103988A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

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Publication number
JPH02103988A
JPH02103988A JP25770988A JP25770988A JPH02103988A JP H02103988 A JPH02103988 A JP H02103988A JP 25770988 A JP25770988 A JP 25770988A JP 25770988 A JP25770988 A JP 25770988A JP H02103988 A JPH02103988 A JP H02103988A
Authority
JP
Japan
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laser beam
wave
harmonic
end surface
semiconductor laser
Prior art date
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Pending
Application number
JP25770988A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Yamashita
山下　光二
Masataka Mori
森　方貴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH02103988A publication Critical patent/JPH02103988A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体レーザ装置、特にＳＨＧ素子に関する
ものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の円柱型のＳＨＧ素子を用いた半導体レー
ザ装置の斜視図で、図において、前端面（１）から入射
したレーザ光は、円柱型のＳＨＧ　（ＳｅｃｏｎｄＨｅ
ｒｍｏｎｉｃ　Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｒ＋）素子（３）を
通って、後端面（２）より透過基本波と第２高調波の２
つの波長の光となって出射される。
〔発明が解決しようとする課闘〕
ＳＨＧ素子にレーザ光（波長；λ１）を入射すると、透
過基本波（λｌ）と第２高調波（λ１／２）の２つ■違
う波長の光が出射されるという問題点があったＯ この発明に上記のような従来の間ｕ点を解決するために
なされたもので、２つの違う波長の光が出射されること
のない半導体レーザ装置全得ることを目的とする。
〔昧萌ヲ解決するための手段および作用〕この発明に係
る半導体レーザ装置に円柱型のＳＨＧ素子の後端面にコ
ーティング膜を施すことによって、第２高調波への変換
効率を高め、さらに第２高調波のみを出射させるように
したものである。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図に従って説明する。第１
図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置の概略
斜視図である。図において、前端面（！１から入射した
レーザ光（波長；λ１）に円柱型のＳＨＧ素子（３）を
通り後端面（２１に達するが、透過基本波（λ１）はコ
ーティング膜（４）により反射され、第２高調波（λ１
／２）のみが出射される。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、赤外レーザを可視光レ
ーザ、あるいに可視光レーザを紫外光レーザに高い効率
で変換することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図にこの発明の一実施例による半導体レーザ装置の
概略斜視図、第２図は従来の半導体レーザ装置の概略斜
視図である。 図において、ｉｌｌ［前端面、（２）は後端面、（３）
ハ円柱型のＳＨＧ素子、ｆ４１＃”！コーティング膜で
ある。 なお、図中、同一符号に同一　または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 円柱型のＳＨＧ素子の出射端面にコーティング膜を施こ
    したことを特徴とする半導体レーザ装置。
JP25770988A 1988-10-13 1988-10-13 半導体レーザ装置 Pending JPH02103988A (ja)

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JPH02103988A true JPH02103988A (ja) 1990-04-17

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JP (1) JPH02103988A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0486192A2 (en) * 1990-11-13 1992-05-20 International Business Machines Corporation A semiconductor laser system with a non linear crystal resonator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0486192A2 (en) * 1990-11-13 1992-05-20 International Business Machines Corporation A semiconductor laser system with a non linear crystal resonator

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