JPH0210313A - 液晶表示装置およびその動作方法 - Google Patents

液晶表示装置およびその動作方法

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JPH0210313A
JPH0210313A JP7203989A JP7203989A JPH0210313A JP H0210313 A JPH0210313 A JP H0210313A JP 7203989 A JP7203989 A JP 7203989A JP 7203989 A JP7203989 A JP 7203989A JP H0210313 A JPH0210313 A JP H0210313A
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JP7203989A
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Elizabeth D Sally
サリー エリザベス デイ
Ian A Shanks
イアン アレキサンダー シャンクス
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Thorn EMI PLC
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はスーパーツィステッド(super−twis
ted)液晶物質を具備した表示装置に関する。
スーパツィステッド液晶物質は従来のネマチック・ツィ
ステッド物質に適当な量のキラル・ドーパント(chi
ral dopant)を添加することにより作成され
、このようにして、通常180°〜270°のツイスト
を有する液晶セルが容易に得られる。このようなセルの
マトリックスによって形成された表示パネルは、標準的
なツィステッド・ネマチック・デイスプレィに比較して
、優れた多重化性能と、改善されたコントラストおよび
ビューイング・アングル特性(contrast an
d viewing anglecharacteri
stics)を有する。さらに、スーパーツィステッド
液晶デイスプレィは温度感度を低くすることができ、こ
の点において、温度変動を補償するためにドライブ電圧
を頻繁に再調整する必要のあるツィステッド・ネマチッ
ク・デイスプレィとは異なる。
例えばスーパーツィステッド・ネマチックすなわちST
Nデイスプレ< (Proc、SID Vol 25/
4p261−4.1984参照)、スパーツィステッド
複屈折効果すなわちSBEデイスプレィ(Appl P
hys Lett45 p1021,1984参照)、
および干渉の光学モードすなわちOMIデイスプレィ(
Appl Phys Lett 50p236 、19
87)のような種々の形式のスーパーツイスト・デイス
プレィが知られている。
このようなスーパーツイスト・ネマチック・セルにおけ
る向上した多重化の可能性は光透退学対電圧特性を考慮
することによって理解できるものであり、これは標準的
なツィステッド・ネマチック・セルに比較してはるかに
急な勾配を有する。
しかし、この急な勾配は、このようなセルが双安定性を
有していること、すなわちそれが容易に駆動され得る2
つ状態(本質的に透過性と非透過性)だけを有している
にすぎず、それにより電圧駆動レベルの選択によりグレ
ースケール(grey 5cale)の実現の可能性を
防止するという事実に関連している。
本発明はスーパーツィステッド形式の液晶物質を有する
少なくとも1つの液晶セルと、光透過率の3つ以上の状
態間でその少なくとも1つのセルを選択的に切換えるた
めの手段を具備し、その切換手段は少なくとも2つの周
波数でのセルの駆動を与える手段を含んでいる表示装置
を提供する。
従って、本発明によれば、電気・光(すなわち透過対電
圧)特性に得られる双安定性の傾斜と程度を制御するた
めの駆動が生ずる電圧レベルの適切な選択に伴ってスー
パーツィステッド液晶セルのグレースケール動作を実現
することが、適当な2周波数駆動によって可能であるこ
とを本出願人は認めた。
このような駆動によるグレースケール発生が可能である
ことも、またそれが本発明で開示される技術すなわち2
周波数駆動によって実現されることも公知のスーパーツ
ィステッド物質の挙動からは明らかではない。
前記切換手段は前記セルの1つを指定された透過状態に
するような第1の周波数と電圧を有する信号を印加する
ための手段を具備することが好ましい。従って、本出願
人は、本発明で具現された技術の重要な特徴はセル(単
数または複数の)を最初に所定の透過率状態に設定する
ことであり、装置が多数のセルを具備している場合には
、その設定が1つまたはそれ以上のセル・グループで同
時に行なわれることが有利である。好ましい実施例では
、第1の周波数の信号は、1つのセルを指定された透過
状態に切換えるために典型的には1〜lOボルト、有利
には4.5〜7ボルトの範囲の電圧を有する。
上記切換手段は、第2の周波数を有し、かつセルの実質
的に非透過状態を生ずる値からそのセルの実質的に完全
な透過状態を生ずる値までの電圧範囲で選択された2つ
以上の電圧のうちの任意の電圧を有する信号を与えるた
めの手段を具備することが好ましい。このようにして、
第2の周波数における信号の選択された電圧に依存する
透過率状態がセルに確立されうる。従って、第2の周波
数の適当な電圧で表示装置のセルを選択的に駆動するこ
とによって多数のグレーレベルを有する画像が形成され
うる。
第1の周波数は第2の周波数より低いことが好ましい。
このようにして、セルに対する駆動電圧の切換はより高
い周波数で行なわれるので、有害な調波効果を実質的に
軽減ないしは排除することができ、従って、駆動波形の
データ依存高調波が高周波波形の基本波と同じ効果を有
する。
液晶物質はスーパーツィステッド形式の長ピッチ・キロ
ネマチック(chiro−nematic)液晶物質よ
りなるものであることが好ましい。
この表示装置はセルに入りかつそれがら出る光を偏光さ
せるための手段を具備することが好ましい。あるいは、
この表示装置は必要に応じてセル内に透過の適当な変化
を生じさせるための液晶物質どしてグイクロイック・ダ
イ(di−chroic dye)を具備する。
偏光子(polarizers)は表面におけるディレ
クタ(director)に対して約30”および60
”で配向され、かつ液晶層の厚さは次のように選択され
ることが好ましい。
Δn d cos2 <θ) = 0.8μmただし、
Δnは液晶の複屈折率であり、dは層厚(μm)であり
、〈θ〉はスーパーツィステッド状態における平均中間
層ディレクタ・チルトアングル(tilt angle
)である。
本発明は、スーパーツィステッド形式の液晶物質を有す
る少なくとも1つの液晶セルを具備した表示装置の作動
方法であって、光透過率の3つ以上の状態間で上記少な
くとも1つの一セルを切換えることを含み、その切換工
程は少なくとも2つの周波数でセルを駆動させることを
含む表示装置の作動方法をも提供する。
上記切換工程は1つのセルを指定された透過状態とする
ような第1の周波数および電圧の信号を与えることを含
む。
この方法は第1の周波数の信号を用いて1つのグループ
のセルを同時にセットすることを含むことが有利である
。第1の周波数の信号は1つのセルを透過状態に切換え
るために通常は1〜10ボルトの、有利には4.5〜7
ボルトの範囲の電圧を有することが好ましい。
上記切換えは、第2の周波数を有し、かつセルの実質的
に非透過状態を生ずる値からそのセルの実質的に完全な
透過状態を生ずる値までの電圧範囲で選択された2つ以
上の電圧のうちの任意の電圧を有する信号を与えること
を含むことが好ましい。
1つのピクセルは1つ以上の液晶セルの表示要素よりな
ることが好ましい。
本発明はカラーデイスプレィおよびモノクロームデイス
プレィに適用しつる。また本発明は単純な画像(例えば
文字/単語または数字の線)および複雑な画像(例えば
精巧なピクトグラムおよびテレビジョン標準画像)を含
む種々のデイスプレィに適用しうる。
本発明はまた、ここに開示される表示装置に適したおよ
び(または)そのようになされた信号の発生、および(
または)記憶、および(または)伝送、および(または
)受信のための装置を具現する。
以下図面を参照して本発明の実施例につき説明しよう。
第1図は液晶表示ユニット1を概略的に示しており、こ
のユニット1はこれにインプットされるデータ信号とク
ロック波形(図示せず)に従って多重化制御ユニット6
の制御のもとて行駆動回路4と列駆動回路5による適切
な駆動をもって選択的にアドレス指定可能な液晶セル3
のマトリクス2を具備している。
マトリクス2は2つのガラスまたはプラスチック・スラ
イド間のスーパーツィステッド液晶の層で作成されてお
り、それらのスライドのそれぞれ上には、セルの液晶層
間に電界を選択的に印加させうるための行電極9または
列電極10よりなる電極構造が形成されている。スライ
ドの電極上にはアラインメント層が添着される。通常は
、表面に近接した液晶のディレクタにハイ・チルト(h
ightilt)を誘起する1つの層が用いられる。典
型的な種類のハイ・チルト・アラインメント層がガラス
の表面に対して傾斜角度(5°)をもってSiOを蒸着
することにより形成される。セル厚は通常は6〜7μm
(限界は2から50μmまでの間)である。
液晶物質は、低い周波数では正、高い周波数では負であ
る符号を(100Hzのオーダから10kHzのオーダ
の周波数f0で)を変更する誘電体異方性(die−1
ectric anysotropy)△εを有してお
り、典型的にはビーディーエイチ・リミテッド社(BD
HLtd)から市販されているTX2Aである。
スーパーツイスト形式の液晶物質を提供するために、例
えばCB15 (ビーディーエイチ・リミテッド社から
市販されている)のようなコレステリック・ドーパント
(cholesteric dopant)が液晶に添
加され液晶のピッチを画定する。セルの厚さとピッチの
比(d/P)は0.5〜1.0の範囲でなければならな
い。セルの全体のツイストは270°であり、かつd/
P比は0.7であり、これはTX2Aに1.2%CB1
5を添加することによって得られる。スーパーツイスト
・セルは180′〜360°の範囲の全ツイストを有し
うる。
マトリックス2のすべてのセル3を設定する最初の工程
では、多重制御ユニット6は500Hzの低い周波数で
5.5vの信号をすべてのセルに同時に印加してセルを
オンにするために低周波信号源7を用いる。この状態に
おいて、中間層ディレクタがセルに対する垂線と略平行
に整列(align)される。変更例としては、低い周
波数の値は誘電体異方性が変化する周波数f0(TX2
Aの場合には20℃で5.1kHz)より低くかつセル
が印加電圧のr、m、s、値に応答しはじめる周波数よ
り高い適当な値であり得、また低周波電圧は液晶の絶縁
破壊(dielectric breakdown)に
よって制限される、セルをオンさせるのに必要な電圧よ
りも高い任意の妥当な値は有し得る。
次の同時設定工程では、多重化制御ユニット6はセルの
垂線に対して略垂直に液晶ディレクタを整列(alig
n)させるための20kHzの高周波(すなわちfoよ
り高い)信号をマトリックス2に印加して、それにより
ピクセルをオフにするために高周波給電ライン8を用い
、その後にセルは、各ピクセルで生ずる高周波電圧差を
減少させることによって多数の異なる透過状態のうちの
ひとつに順次にまたは同時に切換えられ、実際のピクセ
ル電圧の値が各ピクセルの透過度の程度を決定する。従
って、第2図に示されているように、電圧v4を印加す
るとピクセルは完全に透過性となり、v2では半分透過
性となり、Voでは完全に不透明となる。
第3図は、低い周波数(500Hz)の電圧の種々の異
なる値に対する透過対電圧特性を示しており、この場合
の測定値は第1図におけるように液晶セルに対するもの
である。ヒステレシス/双安定性が除去されそしてその
曲線がグレーレベル駆動を使用できるようにするのは約
6ボルト以上の電圧(低い周波数の)の場合だけである
ことが判るであろう。第2図のグレーレベル・スキーム
は第3図に示された6ボルトの低周波電圧を表す曲線の
閾値より高い上方部分を表している。
セルが切換わる高い周波数の値は液晶の物理的性質と低
い周波数で印加される電圧とにによって決定され、その
低周波電圧に対する依存性が第4図に示されており、こ
の図は予想外の特徴、すなわち曲線が高い電圧の方に移
動するにつれて、切換えの閾値が大きく、なり、そして
再入挙動が軽減され、6ボルトの低周波電圧では実質的
にゼロとなることを示している。
約6ボルトの低周波電圧より高いところでは、曲線の傾
斜はその低周波電圧の低下にともなって制御可能な態様
で減少する。このことは、特性曲線の傾斜は同様の条件
では増大しかつそれは予想外のことであるとともにグレ
ースケールを制御するのに有益であるというツィステッ
ド・ネマチック・セルについての公表された研究成果と
対照的である。十分に効果的なグレースケール・スキー
ムのためには、液晶の特性と動作パラメータ(低い周波
数および高い周波数と、低周波電圧の値を含む)は再入
挙動とそれに関連するヒステレシスを実質的に除去する
ように選定される。
第4図における情報は、dZP比が0.55、低い周波
数が500Hz、そして高い周波数が20kHzである
ことを除いて本質的に第1図のデータを有する液晶セル
にもとづいている。
第5図は他のグレースケール・スキームを示しており、
この場合には、特定のマトリックス多重化技術によりよ
く適合しうる透過状態間に2進関係が存在する。第5図
は第3図における7ボルトの低周波電圧に対応する曲線
の閾値以上の部分の表示にもとづいている。
マトリックスを高い周波数で駆動することによって、駆
動周波数での調波の悪影響が除去される。
調波の問題を回避するために他の技術が利用される場合
には、異なる駆動機構が用いられ得ることは明らかであ
ろう。
スーパーツイスト液晶物質に対するfoの値は温度依存
性であり(f、は実験的に絶対温度で変化するので)、
従って本発明によるデイスプレィ・ユニットの動作範囲
は、低い周波数および高い周波数を実際に選択する場合
には、0°と60°との間に限定されうる。コンシュー
マ用としてはこれで十分であろうが、それより広い動作
範囲を必要とする用途では、表示温度を安定化するため
にある種のヒータ/クーラが必要とされる。他の問題は
高い周波数の電圧源に関係している。液晶セルは本質的
に平行板コンデンサであり、高い周波数の電圧では通常
より大きい電流と電力が駆動回路によって供給されなけ
ればならないであろう。さらに、行および列電極(また
はそれらの等刷物)は単位長当りの抵抗が有限であり、
従って、それらに沿って流れる高周波電流がそれの長さ
に沿って電圧降下を生じ、それによりすべてのピクセル
を均一にかつ十分に制御することが不可能となる。
このことは、電極を金属化してそれらの単位長当りの抵
抗を低下させ、従って電圧勾配を低下させることを必要
としうる。あるいは、低周波電圧レベルがデイスプレィ
を横切る方向に変化して異なる領域における高周波電圧
のこれらの異なるレベルを補償するようになされうる。
デイスプレィは赤/緑/青のカラー・ピクセルを有する
ことが好ましい。このことは、液晶物質がある状態では
固有の彩色を有しているので、STNデイスプレィにお
いである問題を生ずる。例えば、STN物質は青/白モ
ードまたは黒/黄モードで動作されうる。しかし、スペ
クトルの正しい部分が各ビクセルについて用いられるフ
ィルタの特定の色に対して透過されるように、ビクセル
の各色に対して異なる厚みを与えるマルチギャップ構造
が用いられ得る。このようなデイスプレィは、発光スペ
クトルまカラーフィルタのスペクトルに整合した蛍光ラ
ンプまたは管を用いて後からされた透過状態で用いられ
得る。従って、本発明は、コストおよび歩留りの点で問
題のあるTFTまたはMTMダイオードの活性層、ある
いは強誘電体LCDに対して必要とされる非常に薄いセ
ル(1〜2μm)を用いることなしに、フルカラー・ビ
デオ・グレースケール液晶セルを実施することを可能に
する。本発明によるデイスプレィは、コンピュータを用
いて正確にモデル化されうる良く理解されかつ確立され
た理論と、慣用の(マルチギャップ・カラービクセル化
液晶デイスプレィの場合にはほぼ慣用の)セル製造方法
(約6μmの厚み)(それらの方法はそのようなデイス
プレィを安価に大量生産することができるようにする)
とにもとづいて、強誘電体デイスプレィと対照的である
本発明による2周波数スーパーツイスト・セルの主たる
利点は次の通りである。切換動作のレスポンス時間が短
縮され、セルがその短縮されたレスポンス時間でオフ状
態およびオン状態に駆動され、それによりセルが容易に
迅速に更新されうる。
また、ある種の液晶の透過/電圧特性における再入挙動
が2周波数アドレッシングを用いて除去または軽減され
、グレースケールの制御が可能な曲線が得られる。
他の利点は散乱組織の形成が抑制されることである。高
周波電界はディレクタをセルの垂線に対して垂直に整列
(align)させ、それが液晶ディレクタを安定化す
るとともに、ある領域における平行整列をもって、ディ
レクタの周期的変化により形成される散乱組織を防止す
る傾向がある。散乱組織が抑制されると、スーパーツイ
スト・セルの構造ではハイ・チルト・アラインメントが
必要でなくなり、液晶デイスプレィの大量生産ですでに
用いられているラップト・ポリイミド層のよう安価なロ
ー・チルト・アラインメント法を用いることができるよ
うにする。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例による液晶表示装置の一部分の
概略図、第2図は第1図の表示装置のグレーレベルを示
す図、第3図は第1図の装置における液晶セルの種々の
低周波について測定された透過対電圧特性を示すグラフ
、第4図は本発明による液晶セルの典型的な透過対電圧
特性を示すグラフ、第5図は第4図の特性曲線から得ら
れた他のグレーレベル配列を示す図である。 199.液晶表示ユニット 216.マトリックス 318.液晶セル 4060行駆動回路 5910列駆動回路 601.多重化制御ユニット 711.低周波源 811.高周波給電ライン 9003行電極 10、、、列電極

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、スーパーツイステッド形式の液晶物質を有する少な
    くとも1つの液晶セルと、光透過率の3つ以上の状態間
    で前記少なくとも1つのセルを選択的に切換えるための
    切換手段を具備し、前記切換手段は少なくとも2つの周
    波数でのセルの駆動を与える手段を含んでいる表示装置
    。 2、前記切換手段は第1の周波数と前記セルを特定の透
    過状態にするような電圧を有する信号を与えるための手
    段を具備している請求項1の表示装置。 3、多数のセルを具備しており、前記第1の周波数を有
    する信号を与える手段は1つ以上のグループのセルに同
    時に前記第1の周波数の信号を与える手段を具備してい
    る請求項2の表示装置。 4、前記電圧が1〜10ボルトの範囲である請求項2ま
    たは3の表示装置。 5、前記電圧が4.5〜7ボルトの範囲である請求項4
    の表示装置。 6、前記切換手段が、第2の周波数を有し、かつセルの
    実質的に非透過状態を生ずる値からそのセルの実質的に
    完全な透過状態を生ずる値までの電圧範囲で選択された
    2つ以上の電圧のうちの任意の電圧を有する信号を与え
    るための手段を具備している請求項2〜5のうちのひと
    つによる表示装置。 7、前記第1の周波数は前記第2の周波数より低い請求
    項6の表示装置。 8、前記液晶物質がスーパーツイステッド形式の長ピッ
    チ・キロネマチック液晶物質よりなる請求項1〜7のう
    ちのひとつによる表示装置。 9、セルに入りかつそれから出る光を偏光するための偏
    光子をさらに具備している請求項1〜8のうちのひとつ
    による表示装置。 10、前記偏光子が表面におけるディレクタに対して約
    30°および60°で配向されており、かつ液晶層の厚
    みが Δndcos^2<θ>≒0.8μm ただしΔnは液晶の複屈折率、dは層の厚みμm、<θ
    >はスーパーツィステッド状態における平均中間層ディ
    レクタ・チルトアングルである、ように選択された請求
    項9の表示装置。 11、必要に応じてセル内に透過状態の適当な変化を生
    じさせるために液晶物質にダイクロイック・ダイが含ま
    れている請求項9の表示装置。 12、スーパーツィステッド形式の液晶物質を有する少
    なくとも1つの液晶セルを具備した表示装置の作動方法
    であって、光透過率の3つ以上の状態間で上記少なくと
    も1つのセルを切換えることを含み、その切換工程は少
    なくとも2つの周波数でセルを駆動させることを含む表
    示装置作動方法。 13、前記切換工程が第1の周波数と、前記セルを指定
    された透過状態にするような電圧を有する信号を与える
    ことを含む請求項12の方法。 14、前記第1の周波数を有する信号がひとつのグルー
    プのセルに同時に与えられる請求項13の方法。 15、前記電圧が1〜10ボルトの範囲である請求項1
    2〜14のうちのひとつによる方法。 16、前記電圧が4.5〜7ボルトの範囲である請求項
    15の方法。 17、第2の周波数を有し、かつセルの実質的に非透過
    状態を生ずる値からそのセルの実質的に完全な透過状態
    を生ずる値までの電圧範囲で選択された2つ以上の電圧
    のうちの任意の電圧を有する信号を与える工程を含む請
    求項12〜16のうちのひとつによる方法。18、ぜん
    き第1の周波数は前記第2の周波数より低い請求項17
    の方法。
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