JPH02102581A - 力覚センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、例えば産業用ロボット、三次元ロードセル、
三次元ジョイスティック等に利用される力覚センサに関
する。

従来の技術 従来の力覚センサを第４図に基づいて説明する。

まず、第一の従来例の全体構成について述べる。

起歪体１は円板形状をなしており、その中心部は作用部
２とされその周辺部は支持部３とされており、これら作
用部２と支持部３との間には肉厚の薄い弾性変形部（ダ
イヤフラム）４が形成されている。前記作用部２の下方
にはｘ、ｙ、ｚ軸方向の力が作用する円柱状をなした力
伝達体５が設けられている。また、前記起歪体１の表面
には正方形状をなした単結晶基板６が接着固定されてお
り、この単結晶基板６の一面には検出面７が形成されて
いる。この検出面７の中心を通る複数の軸線上には５機
械的変形により電気抵抗を変化させる検出素子８が形成
されている。

前記単結晶基板６は、第５図に示すように、（１１０）
面のｎ−８ｉ基板を用い、＜１１０＞軸方向に２構成分
力検出用のＰ型拡散抵抗Ｒｚ、。

Ｒｚ、、Ｒｚ、、Ｒｚ４が配設されている。また、〈１
１０〉軸方向に対して±４５″方向をなす方向に、Ｘ軸
成分力検出用のＰ型拡散抵抗ＲＸ１ｇ　ＲＸｓ　＊　Ｒ
Ｘｓ　ｅＲｘ４及びＹ軸成分力検出用のＰ型拡散抵抗Ｒ
ｙ１゜Ｒ）’ｚ　＊　Ｒｙｘ　ｔ　Ｒｙ４がそれぞれ配
設されている。この場合、（１１０）面のｎ−５Ｌ基板
６のＰ型拡散抵抗のピエゾ抵抗係数は第６図に示すよう
な特性となる。

このような構成において、今、力の３成分力（Ｆ　Ｘ？
　Ｆ　ｙｙ　Ｆ　Ｚ）のうちＦｘが力伝達体５に加わり
ダイヤフラム４が変形しこれに連れて単結晶基板６が変
形すると、その検出面７に形成された検出素子８が機械
的な変形を受けて歪抵抗効果により電気抵抗が変化する
。これにより、第１３図（ａ）に示すようなブリッジ回
路の平行状態が崩れ、そのブリッジ回路の検出電圧Ｖｘ
に電位差が現われそのＸ軸方向に作用する力Ｆｘを検出
することができる。なお、Ｆｙ、Ｆｚの場合にもそれぞ
れ第１３図（ｂＯｃ）に示すようなブリッジ回路により
力の成分力を検出することができる。

発明が解決しようとする課題 このような従来の装置においては、次のような各種の問
題点がある。その第一の問題点は、Ｐ型拡散抵抗のピエ
ゾ抵抗係数の特性によって、成分力の相互干渉が生じ、
力の作用していない方向の成分力までも検出してしまう
ということである。

また、その第二の問題点は、最高の検出感度を得ること
ができず、応力の作用している方向と強さを正確に測定
することができないという問題がある。さらに、その第
三の問題点は、Ｚ軸方向の成分力の検出感度がＸ、Ｙ軸
方向の成分力の検出感度に比べ劣るということである。

以下、これらの問題点を順を追って説明する。

まず、その第一の問題点である成分力の相互干渉が生じ
ることについて説明する。一般に、応力が存在する時の
抵抗変化ΔＲは、 ΔＲ／Ｒ＝πｑσ悲＋πｔσｔ＋πＳσ５−（１）πＱ
：縦ピエゾ抵抗係数 πｔ：横ピエゾ抵抗係数 πＳ：剪断ピエゾ抵抗係数 σ１１＝縦方向応力 σｔ：横方向応力 σＳ：剪断方向応力 となる。

ここで、剪断応力σＳがσＱ、σｔに比べて小さいこと
から、以後この剪断応力σＳは無視すると、ΔＲ／Ｒ＝
πΩσｎ＋πｔσｔ　　・　（２）と変形される。

この（２）式において、第一項のπΩσ悲は検出感度や
検出精度に係わるものであり、第二項のπｔσｔは他成
分力の干渉や測定精度に関するものである。この式から
例えば、力伝達体５に力Ｆｘが加わった場合にはＸ軸縦
方向応力σｎが作用している他に、Ｙ軸横方向応力σｔ
も同時に作用していることを意味する。この場合、σ口
が第１３図（ａ）のブリッジ回路に検出電圧Ｖｘとして
検出されると共に、σｔも同時に第１３図（ｂ）のブリ
ッジ回路に検出電圧ｖｙとして検出されることになる。

このようにＸ軸方向の成分力Ｆｘのみが作用している時
に、実際には作用していないＹ軸方向の成分力Ｆｙまで
も検出されるという、いわゆる、成分力の干渉現象が生
じる。このような相互干渉をなくすためには（２）式に
おいてπ口）πｔの条件を満足させれば、 ΔＲ／Ｒ＝πＱσα　　・・・（３） となり、そのような干渉現象を取り除くことができるわ
けである。しかし、第６図に示すようなピエゾ抵抗係数
（πｇ、πｔ）特性をもつ（１１０）面のｎ−８Ｌ基板
６を用いる場合には、Ａ、Ｂ点、Ｃ，Ｄ点をそれぞれ通
過する方位にＰ型拡散抵抗８が配設されているため、π
口）πｔの条件をどうしても満足させることができず、
その結果、（３）式の関係を得ることができないという
問題がある。

そこで、このような問題を解決するために、第二の従来
例としての特願昭６２−１４８３４４号に本出願人によ
り出願されているものがある。すなわち、第７図に示す
ような（２１１）面のｎ−８ｉ基板を用い、第８図に示
すようなピエゾ抵抗係数特性をもつＸ、Ｙ軸成分力検出
用のＰ型拡散抵抗８を、Ｈ，Ｉ点及びＪ、に点をそれぞ
れ通過する＜１１１＞軸に対して±４５°をなす方向に
配設することによって、πＱ）πｔの条件を満足させる
ことができ、これにより（３）式の関係を得ることがで
きる。なお、Ｚ軸成分力検出用のＰ型拡散抵抗８は＜１
１１＞軸方向に配設する。この第二の従来例に示すよう
なピエゾ抵抗係数の特性（第８図参照）をもつ基板６を
用いることによって、第一の従来例で述べたような第一
の問題点である成分力の干渉現象を取り除くことはでき
る。

しかし、これまで述べた第一の従来例及び第二の従来例
には以下に述べるような、最高の検出感度を得ることが
できず、応力の作用している方向と強さを正確に測定す
ることができないという第二の問題点がある。

次に、その第二の問題点を第６図に基づいて説明する。

検出素子８は、第９図に示すように、電流主の流れる方
向に長いＱｌ＜Ｑ、の形状をしているが、この検出素子
８にその縦方向とθをなす角度の方向に応力σが加わっ
たとすると、第１０図かられかるように、 σＱ＝σｃｏｓθ　　・・・（４） σｔ＝σｓｉｎ　θ　　　・・・　（５）に分解される
。

この場合、θ＝０の時にσＱが最大となるため。

（３）式よりΔＲ／Ｒもこの時最大となるはずである。

しかしながら、検出素子８内を流れる電流ｉの方向は（
φ−φ）から（ψ＋φ）までの範囲で変化し、しかも、
第６図において、検出素子８の配設されたψ＝±４５°
方向のピエゾ抵抗係数πΩの値は、４５°よりも少し低
い角度のＡ０点。

Ｃ０点を通過する（ψ−φ）方向のピエゾ抵抗係数πＱ
　（極大値ｄ’ｒｃＱ／ｄｔ＝　Ｏ）　　（７）値より
も小さい。

従って。

σＱ　（ψ）＝σＱ（ψ−φ）　　・・・　（６）πＱ
（ψ）くπＱ（ψ−φ）　・・・（７）となり。

πＱ（ψ）σＱ（ψ）くπＱ（ψ−φ）σＱ（ψ−φ）
、・　ΔＲ（ψ）／Ｒ〈ΔＲ（ψ−φ）／Ｒ・・・（８
）の関係が得られる。

この（８）式の関係からψ＝±４５°方向に実際に配設
されている検出素子８のΔＲ（ψ）／Ｒの値は、（ψ−
φ）方向に配設される場合よりも小さな値となる。従っ
て１本来、検出素子８の配設されているψ＝±４５°方
向に応力σＱが作用している時に検出電圧Ｖｘが最大値
を示すべきであるが、しかし実際には、πＱの極大値と
なる（ψ−φ）方向に検出電圧の最大値を示す方向がズ
レることになる。

そこで、このような最高の検出感度を得ることができず
応力の作用している方向と強さを正確に測定することが
できないという第二の問題点を解決する方法としては、
第三の従来例としての特願昭６２−２３４０４２号に本
出願人により出願されているものがある。すなわち、第
１１図及び第１２図に示すように、（１１１）面のｎ−
８ｉ基板６を用い、Ｐ型拡散抵抗８のピエゾ抵抗係数π
ｌが第１２図に示すようにどの方位に対しても等しいも
のを用いるようにすれば、上述したような方位により生
じる検出感度の差を考慮して配設する必要がなくなり、
どの方位に対しても均一な検出感度を得ることができ応
力の作用している方向と強さを正確に測定することがで
きる。しかし、この第三の従来例の場合には、そのピエ
ゾ抵抗係数の特性により、πｔがπΩに比べ無視できる
ほどの大きさのものではないため、前述した第一の従来
例としての成分力の干渉現象を取り除くことができない
という問題が残存してしまう。

上述したように、第一の従来例及び第二の従来例では最
高の検出感度を得ることができず応力の作用している方
向と強さを正確に測定することができないという第二の
問題点が残る。また、第三の従来例では成分力の相互干
渉を除去することができないという第一の問題点が残る
。

次に、第三の問題点であるＺ軸方向の成分力の検出感度
がＸ、Ｙ軸方向の成分力の検出感度に比べ劣ることにつ
いて説明する。第４図において、力伝達体５にＦｘ（又
はＦｙ）が加わった場合、テコの原理により力伝達体５
の腕の長さに比例した力が得られ実際に加わる力よりも
増幅されたものとなり、起歪体１の中心部分にモーメン
トＭｘ（Ｍｙ）が発生する。これらモーメントＭＸ（Ｍ
ｙ）によりダイヤフラム４が変形し、Ｘ軸縦方向応力σ
ＱＸ（Ｙ軸縦方向応力σａｙ）が作用する。また、力伝
達体５に力Ｆｚが加わった場合には、Ｍｘ（Ｍｙ）のよ
うなモーメント力は作用せず、その方Ｆｚは増幅される
ことなく起歪体１の中心部に加わり、これにより、ダイ
ヤフラム４にはＺ軸縦方向応力σＱＺが作用する。

このような応力σＱｘ＋σＱＹｙσｉｔｚの比率関係を
実際に試作した力覚センサの実験結果により比較すると
、 σＢ＝σｍｙ’：、（２〜３）・σｏｚ　　−（９）と
なる。

また、（２）式との関係から、 ΔＲｘ　／　Ｒｘ　＝ΔＲｙ／Ｒｙ ＝π２ｘσ念Ｘ ＃πＱＺσＱＸ ＃（２〜３）−πＱＺσａＺ ＝（２〜３）−ΔＲｚ　／　ＲＺ ・・・　（１０） となる。

これにより、Ｚ軸方向の検出感度は、Ｘ、Ｙ軸方向の検
出感度に比べ１７２〜１７３倍程度に劣ってしまうとい
う問題がある６ そこで、このような問題を解決するための方法として、
第二の従来例のようなＰ型拡散抵抗８のピエゾ抵抗係数
πｇを用いる方法がある。すなわち、第８図において、
πｌｚ＆Ｌ点にとり、πＱｘ＋πＱｙをＨ，Ｊ点にとる
ことによって、πＩ＝π１ｙ＝（１／２）πｏｚ−（１
１）の関係が得られるので、（９）、（１０）式との関
係により。

ΔＲｘ　／　Ｒｘ　＝πＱＸσｇｘ ＃（１／２）πＱｚ・（２〜３）σＱＺ＝πＱＺσＩＩ
ｚ ＝ΔＲｚ／Ｒｚ　　　・＝　（１２） となる。

これにより、第二の従来例の場合にはＺ軸方向の検出感
度をＸ、Ｙ軸方向の検出感度と同等にすることができる
が、しかし、この場合には前述したように最高の検出感
度を得ることができないという第二の問題点が残存する
。また、第一の従来例（第６図参照）及び第三の従来例
（第１２図参照）の場合には、それらのピエゾ抵抗係数
の特性上、どうしてもＺ軸方向の検出感度をＸ、Ｙ軸方
向の検出感度と同等にすることができないという第三の
問題点が残存することになる。

課題を解決するための手段 そこで、このような問題点を解決するために、本発明は
、単結晶基板が（１００）面を有するＰ型単結晶基板に
よりなり、このＰ型単結晶基板の（１００）面上に形成
されるｘ、ｙ、ｚ軸成分力検出用のｎ型拡散抵抗を、歪
抵抗係数π鑓の値が極値（ｄ　７ＣＱ／ｄθ＝０）とな
る方位にそれぞれ配設した。

作用 従って、Ｘ、Ｙ軸成分力検出用のｎ型拡散抵抗をπＱの
値が最小値となる方位に配設し、Ｚ軸成分力検出用のｎ
型拡散抵抗をπΩの値が最大値となる方位に配設するこ
とによって、ｘ、Ｙ軸方向においてπ９〉πｔの関係を
満足させ、しかも、Ｚ軸方向のπＱＺの値がＸ、Ｙ軸方
向のπＱＸ、πＱＹの値に比べ数倍程度大きくなる関係
を満足させることができるため、Ｘ、Ｙ成分力の相互干
渉をなくすことができ、また、最高の検出感度を得た状
態で応力の作用している方向と強さを正確に測定するこ
とが可能となり、さらに、Ｚ軸方向の成分力の検出感度
をＸ、Ｙ軸方向の成分力の検出感度と同等にすることが
できる。

実施例 本発明の一実施例を第１図及び第３図に基づいて説明す
る。なお、力覚センサの全体構成については従来技術で
述べたのでここでの説明は省略し。

同一部分については同一符号を用いる。

単結晶基板は（１００）面を有するＰ型Ｓｊ、単結晶基
板（以下、Ｐ−８Ｌ基板）６からなっている。このＰ−
３ｉ基板６の（１００）面上には、ｘ、ｙ、ｚ軸成分力
検出用のｎ型拡散抵抗８が形成されている。この場合、
Ｘ軸成分力検出用のｎ型拡散抵抗ＲｘＬ、Ｒｘ、、Ｒｘ
、、Ｒｘ、は、歪抵抗係数としてのピエゾ抵抗係数πｇ
が極値としての最小値（ｄ７ＣＱ／ｄ　Ｆ）　＝　Ｏ、
Ｐ点）となる＜ＴＴＯ＞軸方位に配設されている。また
、Ｙ軸成分力検出用のｎ型拡散抵抗Ｒｙｔ＊Ｒｙ＊ｔＲ
ｙｉｅＲｙ＋は、ピエゾ抵抗係数πＱが極値としての最
小値（ｄπｌｄｄθ＝０゜Ｑ点）となる＜’ｒ　１０＞
軸方位に配設されている。

さらに、Ｚ軸成分力検出用のｎ型拡散抵抗Ｒｚ１゜Ｒｚ
、、Ｒｚ３．Ｒｚ４はピエゾ抵抗係数παが極値としテ
ノ最大値（ｄ　７Ｃ＊／ｄθ＝０．Ｒ点）となる〈工Ｏ
Ｏ〉軸方位に配設されている。従って、これらＸ。

Ｙ軸方向にそれぞれ配設されるｎ型拡散抵抗８は、Ｚ軸
方向に配設されるｎ型拡散抵抗８に対して±４５°をな
す方位に配設されていることになる。

なお、角度θはピエゾ抵抗係数の特性図（第２図）にお
けるψと同方向にとったものである。

このような構成において、（１００）面をもつＰ−８Ｌ
基板６上にｎ型拡散抵抗８を配設することによって、従
来から問題とされていた成分力の相互干渉が生じるとい
うことや、最高の検出感度が得られず応力の作用してい
る方向と強さを正確に測定することができないというこ
と、さらには。

Ｚ軸方向の検出感度がＸ、Ｙ軸方向の検出感度に比べ２
〜３倍程度劣るという問題等を解決することができる理
由について以下順を追って説明する。

まず、成分力の相互干渉をなくすことができる理由につ
いて説明する。第２図において、Ｘ、　Ｙ軸成分力検出
用のｎ型拡散抵抗８のピエゾ抵抗係数πＱ、πｔは、Ｐ
、Ｑ点において、 πｇ＝πｌＸ＝πＱｙ＃　３２　Ｘ　１０−”ｃｍ”／
ｄｙｎｅ・・・（１３） Ｔ、Ｕ点において、 πｔ　＝πｔｘ＝πｔｙ＃　０　、　Ｉ　Ｘ　１０−”
ｃｍ”／ｄｙｎｅ・・・　（１４） となる。

これら２つの値からπＱ〉πｔの条件を満足するため、
この関係を（２）式に入れると（３）式を得ることがで
きる。これにより、例えば、力伝達体５に力Ｆｘが加わ
った場合に、Ｘ軸縦方向応力σＱは検出されるが、Ｙ軸
横方向応力σｔまでも検出されてしまうというようなこ
とはないため、これにより従来から問題とされていたＸ
、Ｙ間における成分力の相互干渉をなくし正確な力検出
を行うことができる。

次に、最高の検出感度を得て応力の作用している方向と
強さを正確に測定することができる理由について説明す
る。第２図において、Ｚ軸成分力検出用の検出素子８は
、πｎの値が最大値Ｃｄ７Ｃａ／ｄθ＝０）となるＲ点
を通過する方位の軸線上に配設されているため、Ｚ軸方
向の検出感度を最高にすることができる。一方、Ｘ、Ｙ
軸成分力検出用の検出素子８は、π悲の最小値（ｄｙｃ
Ｑ／１＝ｏ）であるＰ、Ｑ点を通過する方位の軸線上に
配設されている。このようにπＱの値がｄ　７Ｃｏｌｄ
θ＝０となる方位にＸ、Ｙ軸方向の検出素子８をそれぞ
れ配設することによって、それぞれの方向に同じ大きさ
の応力が加わった際に、Ｘ軸方向のピエゾ抵抗係数の値
及びＹ軸方向のピエゾ抵抗係数の値に変動がなくほぼ等
しいため、Ｘ。

Ｙ軸方向の検出感度を同等にすることができ、しかも、
最高の検出感度でその応力の方位と強さを正確に測定す
ることができる。

次に、Ｚ軸方向の検出感度をＸ、Ｙ軸方向の検出感度と
同等にすることができる理由について説明する。第２図
において、Ｒ点におけるピエゾ抵抗係数π９は、 πＱ＝πＱｚ＃　１０２　Ｘ　１０−”ｃｍ”／ｄｙｎ
ｅ・・・（１５） となる。

これにより（１３）式との関係から、 πＱＸ＝πｌｙ；（１／３）πｌｚ　　−（１６）の関
係となる。

従って、（３）、（９）、（１６）式により、ΔＲｘ　
／　Ｒｘ　＝πＱＸσＱＸ ＝　　（１／３）　　πＱｚ・（２〜３）σＱＺζπＱ
ＺσａＺ ＝ΔＲｚ／Ｒｚ　　　　・＝　　（１７）となる。

同様に、ΔＲｙ　／　Ｒｙについても（１７）式の関係
を得ることができる。従って、この式より、Ｚ軸方向の
検出感度をＸ、Ｙ軸方向の検出感度と同等にすることが
できる。

上述したように、（１００）面を有するＰ−８ｉ基板６
を用いてピエゾ抵抗係数πΩの値が極大又は極小（ｄ　
Ｔｃａｄｄθ＝Ｏ）となる方位にｘ、ｙ、ｚ軸成分力検
出用のｎ型拡散抵抗８を配設することによって、Ｘ、Ｙ
軸方向においてπＱ〉πｔの関係を満足させ、しかも、
Ｚ軸方向のπＱＺの値がＸ。

Ｙ軸方向のπＱｘｔπＱｙの値に比べ２〜３倍程度大き
くなる関係を満足させることができる。このため、Ｘ、
Ｙ成分力の相互干渉をなくすことができ。

また、最高の検出感度を得た状態で応力の作用している
方向と強さを正確に測定することが可能となり、さらに
、Ｚ軸方向の成分力の検出感度をＸ。

Ｙ軸方向の成分力の検出感度と同等にすることができる
。

次に、前述した実施例の変形例を第３図に基づいて説明
する。これは、Ｚ軸成分力検出用のｎ型拡散抵抗８を４
個から８個にした場合の例であり、その他の同一部分に
ついての説明は省略する。

具体的には、Ｚ軸成分力検出用のｎ型拡散抵抗Ｒｚ、　
、　Ｒｚ、　、　Ｒｚ、　、　Ｒｚ、は、ピエゾ抵抗係
数π９が極値としての最大値（ｄ　７Ｃｕ／ｄθ＝Ｏ，
Ｓ点）となる＜０１０＞軸方位に配設されている。これ
により、前述した実施例の場合と同様な効果を得ること
ができる他に、Ｚ軸方向の検出素子８を４個から８個に
したことにより、そのＺ軸方向の検出精度をより一層上
げることができる。

発明の効果 本発明は、単結晶基板が（］、　ＯＯ）面を有するＰ型
単結晶基板によりなり、このＰ型単結晶基板の（１００
）面上に形成されるＸ、Ｙ、Ｚ軸成分力検出用のｎ型拡
散抵抗を歪抵抗係数πｌの値が極値（ｄπｌｄｄθ＝Ｏ
）となる方位にそれぞれ配設したので、これにより、Ｘ
、Ｙ軸成分力検出用のｎ型拡散抵抗をπαの値が最小値
となる方位に配設し、Ｚ軸成分力検出用のｎ型拡散抵抗
をπｇの値が最大値となる方位に配設することによって
、Ｘ、Ｙ軸方向においてπ悲）πｔの関係を満足させ。

しかも、Ｚ軸方向のπＱＺの値がＸ、Ｙ軸方向のπＱＸ
、πＱＹの値に比べ数倍程度大きくなる関係を満足させ
ることができるため、Ｘ、Ｙ成分力の相互干渉をなくす
ことができ、また、最高の検出感度を得た状態で応力の
作用している方向と強さを正確に測定することが可能と
なり、さらに、Ｚ軸方向の成分力の検出感度をＸ、Ｙ軸
方向の成分力の検出感度と同等にすることができるもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す（１００）面のＰ　−
Ｓ　ｉ基板の平面図、第２図はそのｎ型拡散抵抗のピエ
ゾ抵抗係数を示す特性図、第３図は本発明の変形例を示
す（１００）面のＰ−８ｉ基板の平面図、第４図は従来
例を示す力覚センサの縦断側面図、第５図は第一の従来
例を示す（１１０）面のｎ−Ｓｉ基板の平面図、第６図
はそのＰ型拡散抵抗のピエゾ抵抗係数を示す特性図、第
７図は第二の従来例を示す（２１１）面のｎ−８ｉ基板
の平面図、第８図はそのＰ型拡散抵抗のピエゾ抵抗係数
を示す特性図、第９図は検出素子の形状を示す平面図、
第１０図はそれに応力σが加わった時の様子を示す説明
図、第１１図は（１１１）面のｎ−８Ｌ基板の平面図、
第１２図はそのＰ型拡散抵抗のピエゾ抵抗係数を示す特
性図、第１３図（ａ）（ｂ）（ｃ）は各種ブリッジ回路
を示す回路図である。 １・・・起歪体、５・・・力伝達体、６・・・単結晶基
板（Ｐ型単結晶基板）、８・・・検出素子（ｎ型拡散抵
抗）、Ｐ、Ｑ、Ｒ，Ｓ・・・極値 出　願　人　　　　株式会社　リ　コ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 力伝達体を有する起歪体の表面に検出素子が一面に形成
   された単結晶基板を接着固定することにより、前記力伝
   達体に作用する力の成分力を前記検出素子の歪抵抗効果
   により検出する力覚センサにおいて、前記単結晶基板は
   （１００）面を有するＰ型単結晶基板によりなり、この
   Ｐ型単結晶基板の（１００）面上に形成されるＸ、Ｙ、
   Ｚ軸成分力検出用のｎ型拡散抵抗を、歪抵抗係数πｌの
   値が極値（ｄπｌ／ｄθ＝０）となる方位にそれぞれ配
   設したことを特徴とする力覚センサ。