JPH02100329U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02100329U JPH02100329U JP869189U JP869189U JPH02100329U JP H02100329 U JPH02100329 U JP H02100329U JP 869189 U JP869189 U JP 869189U JP 869189 U JP869189 U JP 869189U JP H02100329 U JPH02100329 U JP H02100329U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- control voltage
- controlled
- field effect
- effect transistor
- frequency amplifier
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例による高周波増幅
器の構成を示すブロツク図、第２図は従来の高周
波増幅器の構成例を示すブロツク図、第３図は従
来の高周波増幅器のＡＧＣの周波数特性を示す図
である。 １……アンテナ単同調回路、３……ＦＥＴ、７
……段間複同調回路、１０……可変容量ダイオー
ド、ＶＴ……同調制御電圧。
器の構成を示すブロツク図、第２図は従来の高周
波増幅器の構成例を示すブロツク図、第３図は従
来の高周波増幅器のＡＧＣの周波数特性を示す図
である。 １……アンテナ単同調回路、３……ＦＥＴ、７
……段間複同調回路、１０……可変容量ダイオー
ド、ＶＴ……同調制御電圧。
Claims (1)
- 同調制御電圧によつて共振周波数が制御される
同調回路を具備し、デユアルゲート型電界効果ト
ランジスタを増幅素子とする高周波増幅器におい
て、前記電界効果トランジスタのソースと基準電
位端との間に可変容量ダイオードを介装し、該可
変容量ダイオードの端子間容量を前記同調制御電
圧によつて制御することを特徴とする高周波増幅
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP869189U JPH02100329U (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP869189U JPH02100329U (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02100329U true JPH02100329U (ja) | 1990-08-09 |
Family
ID=31214793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP869189U Pending JPH02100329U (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02100329U (ja) |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP869189U patent/JPH02100329U/ja active Pending