JPH0194254A - 油中ガスセンタ - Google Patents
油中ガスセンタInfo
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- JPH0194254A JPH0194254A JP25131087A JP25131087A JPH0194254A JP H0194254 A JPH0194254 A JP H0194254A JP 25131087 A JP25131087 A JP 25131087A JP 25131087 A JP25131087 A JP 25131087A JP H0194254 A JPH0194254 A JP H0194254A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Relating To Insulation (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は油中に溶存している水素ガスの検知に好適な
油中ガスセンサに関する。
油中ガスセンサに関する。
(従来の技術)
周知のように変圧器、コンデンサ、リアクトルその他の
油入電気機器においては、局部的にコロナ放電が発生す
るような異常或いは局部加熱により、絶縁油が分解され
て水素ガスが発生することが知られている。したがって
水素ガスを検出することによって、電気機器の異常を、
事故が発生する以前に検知することができるようになる
。
油入電気機器においては、局部的にコロナ放電が発生す
るような異常或いは局部加熱により、絶縁油が分解され
て水素ガスが発生することが知られている。したがって
水素ガスを検出することによって、電気機器の異常を、
事故が発生する以前に検知することができるようになる
。
従来ではこのような水素ガスの検出に、電気機器より絶
縁油を採取し、これより溶存ガスを抽出し、これをガス
クロマトグラフにより分析するようにしている。しかし
このような手段によると、電気41k器の設置現場では
分析できないし、またオンライン分析ができないなどの
不便がある。
縁油を採取し、これより溶存ガスを抽出し、これをガス
クロマトグラフにより分析するようにしている。しかし
このような手段によると、電気41k器の設置現場では
分析できないし、またオンライン分析ができないなどの
不便がある。
(発明が解決しようとする問題点)
この発明は油中に溶存している水素ガスの測定に際し、
これより絶縁油を採取したり、溶存ガスを抽出したりす
ることを必要とせず、その絶縁油中に浸漬するだけの簡
単な作業で、その測定を可能にすることを目的とする。
これより絶縁油を採取したり、溶存ガスを抽出したりす
ることを必要とせず、その絶縁油中に浸漬するだけの簡
単な作業で、その測定を可能にすることを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
この発明は絶縁性の基板の表面に、金属酸化物の薄膜を
設け、その表面に互いに向かい合う一対の電極を形成す
ることによってセンサ本体を構成し、前記センサ本体を
、フッ素系樹脂製のフィルムからなる袋の内部に減圧し
て、乾燥空気とともに封入したことを特徴とする。
設け、その表面に互いに向かい合う一対の電極を形成す
ることによってセンサ本体を構成し、前記センサ本体を
、フッ素系樹脂製のフィルムからなる袋の内部に減圧し
て、乾燥空気とともに封入したことを特徴とする。
(実施例)
この発明の実施例を図によって説明する。1はたとえば
ポリエチレンテレフタレートのような樹脂からなるフィ
ルム状の基板、或いはAl2O3,5i02などの無機
絶縁材料からなる基板、2は基板1の表面に設けられた
金属酸化物からなる薄膜である。
ポリエチレンテレフタレートのような樹脂からなるフィ
ルム状の基板、或いはAl2O3,5i02などの無機
絶縁材料からなる基板、2は基板1の表面に設けられた
金属酸化物からなる薄膜である。
これはたとえばSnO2、Tie□、v03、Ink□
その他の単体またはこれらのうちの2種以上の複合体が
使用できる。
その他の単体またはこれらのうちの2種以上の複合体が
使用できる。
この種の金属酸化物類は、水素ガスによってその表面抵
抗が変化するものとして知られている。
抗が変化するものとして知られている。
なおこれらの金属酸化物の薄膜は、IVD法、IBS法
、真空蒸着法、プラズマCVD法などによって適当に設
けられる。
、真空蒸着法、プラズマCVD法などによって適当に設
けられる。
薄膜2の表面には互いに向かい合う一対の電極3が形成
される。これは図のように櫛型とするのが好ましい。電
極3はたとえばAu、Pdなどによって形成される。な
お電極3にはリードが接続され、後記する袋より外部に
導出される。
される。これは図のように櫛型とするのが好ましい。電
極3はたとえばAu、Pdなどによって形成される。な
お電極3にはリードが接続され、後記する袋より外部に
導出される。
以上のようにしてセンサ本体4が構成されるが、この発
明ではこのセンサ本体4を、フッ素系樹脂製のフィルム
からなる袋5の内部に減圧して封入する。フッ素系樹脂
製のフィルムは水素ガスを透過する特性を具備している
。袋5の内部を減圧して、乾燥空気とともに封入するこ
とにより、センサ本体4の周囲より湿気を除去する。そ
してこのセンサ本体4を封入した袋5を、分析対象の電
気機器の絶縁油中にそのまま浸漬する。
明ではこのセンサ本体4を、フッ素系樹脂製のフィルム
からなる袋5の内部に減圧して封入する。フッ素系樹脂
製のフィルムは水素ガスを透過する特性を具備している
。袋5の内部を減圧して、乾燥空気とともに封入するこ
とにより、センサ本体4の周囲より湿気を除去する。そ
してこのセンサ本体4を封入した袋5を、分析対象の電
気機器の絶縁油中にそのまま浸漬する。
ここで透過してきた水素ガスに金属酸化物の薄膜2が接
触して反応すると、その薄膜2の表面抵抗が、水素ガス
の濃度に応じて変化する。したがってこの表面抵抗を電
極3間の抵抗として検知することによって、水素ガスの
濃度を知ることができるようになる。
触して反応すると、その薄膜2の表面抵抗が、水素ガス
の濃度に応じて変化する。したがってこの表面抵抗を電
極3間の抵抗として検知することによって、水素ガスの
濃度を知ることができるようになる。
なおここに使用できるフッ素系樹脂としては、4フッ化
エチレン−パーフロロアルキルビニル共重合物、4フッ
化エチレン−6フツ化プロピレン共重合物、4フッ化エ
チレン−エチレン共重合物、4フツ化エチレンなどが使
用できる。
エチレン−パーフロロアルキルビニル共重合物、4フッ
化エチレン−6フツ化プロピレン共重合物、4フッ化エ
チレン−エチレン共重合物、4フツ化エチレンなどが使
用できる。
次にこの発明の実験例について説明する。厚さ15μm
、50mm平方のポリエチレンテレフタレートフィルム
からなる基板1の表面に、IVD法により厚さ1.0μ
mに金属酸化物であるSnO2の薄膜2を設け、この薄
膜2の表面にAuによって櫛状の電極3を形成して、セ
ンサ本体4を構成した。そしてこれを厚さ5μmの4フ
ッ化エチレン−パーフロロアルキルビニル共重合物から
なる袋5の内部に減圧(10Torr)シた後、乾燥空
気とともに密封した。
、50mm平方のポリエチレンテレフタレートフィルム
からなる基板1の表面に、IVD法により厚さ1.0μ
mに金属酸化物であるSnO2の薄膜2を設け、この薄
膜2の表面にAuによって櫛状の電極3を形成して、セ
ンサ本体4を構成した。そしてこれを厚さ5μmの4フ
ッ化エチレン−パーフロロアルキルビニル共重合物から
なる袋5の内部に減圧(10Torr)シた後、乾燥空
気とともに密封した。
第3図は前記のようにして製作したガスセンサを、水素
ガスが溶存している油中に浸漬して、そのときの水素ガ
ス濃度に対する抵抗変化率(水素ガスと反応した後の抵
抗値/反応前の初期の抵抗値)をグラフにした特性曲線
である。これによれば水素ガス濃度に対して抵抗変化率
は、はぼ直線的に変化していることが判明する。
ガスが溶存している油中に浸漬して、そのときの水素ガ
ス濃度に対する抵抗変化率(水素ガスと反応した後の抵
抗値/反応前の初期の抵抗値)をグラフにした特性曲線
である。これによれば水素ガス濃度に対して抵抗変化率
は、はぼ直線的に変化していることが判明する。
第4図は同じ池内の水素ガス濃度を、この発明によるガ
スセンサによって測定したときの測定値A(油中濃度換
算値)と、ガスクロマ1−グラフによって測定したとき
の測定値Bとの相関関係を示す特性曲線である。これに
よると水素ガス濃度が50ppm以上のとき、両側定値
A、Bは互いにほぼ同じ値を呈するようになる。
スセンサによって測定したときの測定値A(油中濃度換
算値)と、ガスクロマ1−グラフによって測定したとき
の測定値Bとの相関関係を示す特性曲線である。これに
よると水素ガス濃度が50ppm以上のとき、両側定値
A、Bは互いにほぼ同じ値を呈するようになる。
以上の結果、この発明によるガスセンサによって水素ガ
ス濃度を計測するとき、その濃度に対応して感度よく抵
抗が変化するとともに、これによる測定値は、ガスクロ
マトグラフによる測定値とほぼ匹敵する正確な値となる
ことが理解される。
ス濃度を計測するとき、その濃度に対応して感度よく抵
抗が変化するとともに、これによる測定値は、ガスクロ
マトグラフによる測定値とほぼ匹敵する正確な値となる
ことが理解される。
なお水素ガスを選択的に透過する物質としてポリイミド
樹脂がある。しかしこの種ポリイミド樹脂は水素ガスの
透過係数がフッ素系樹脂に比較して小さく、そのため反
応速度が遅い欠点がある。
樹脂がある。しかしこの種ポリイミド樹脂は水素ガスの
透過係数がフッ素系樹脂に比較して小さく、そのため反
応速度が遅い欠点がある。
すなわちポリイミド(膜厚50μm)の透過係数(mQ
−印/d−5−■・Hg)が1.3であるのに対し、4
フッ化エチレン−パーフロロアルキルビニル共重合物(
膜厚75μm)では16.4フッ化エヂレン−6フッ化
プロピレン共重合物(膜厚75μm)では111.4フ
ッ化エチレン−エチレン共重合物(膜厚38μm)では
3.31.4フツ化エチレン(膜厚50μIn)では8
.9であって、いずれもポリイミドよりも大−日− きい。したがって水素ガスに迅速に反応する。
−印/d−5−■・Hg)が1.3であるのに対し、4
フッ化エチレン−パーフロロアルキルビニル共重合物(
膜厚75μm)では16.4フッ化エヂレン−6フッ化
プロピレン共重合物(膜厚75μm)では111.4フ
ッ化エチレン−エチレン共重合物(膜厚38μm)では
3.31.4フツ化エチレン(膜厚50μIn)では8
.9であって、いずれもポリイミドよりも大−日− きい。したがって水素ガスに迅速に反応する。
第5図はこの発明により4フツ化エチレンーノ(−フロ
ロアルキルビニル共重合物を使用した油中センサと、ポ
リイミド製の袋を使用した油中センサとの反応速度を合
せて示した特性曲線図である。
ロアルキルビニル共重合物を使用した油中センサと、ポ
リイミド製の袋を使用した油中センサとの反応速度を合
せて示した特性曲線図である。
この試験は袋の容量10cJ、袋の表面積15d、袋の
厚さ5μmとし、油中の水素ガスの濃度が500ppm
の絶縁油中で行なった。
厚さ5μmとし、油中の水素ガスの濃度が500ppm
の絶縁油中で行なった。
これから理解されるように4フッ化エチレン−パーフロ
ロアルキルビニル共重合物からなる袋の場合は、約5時
間で内部の水素ガス濃度が飽和するのに対し、ポリイミ
ド膜からなる袋の場合は、24時間経過してもなお飽和
状態には至っていない。
ロアルキルビニル共重合物からなる袋の場合は、約5時
間で内部の水素ガス濃度が飽和するのに対し、ポリイミ
ド膜からなる袋の場合は、24時間経過してもなお飽和
状態には至っていない。
これからしても本発明による場合の方が反応速度が早い
ことが知られる。なお油中の水素ガスの濃度が500p
pmの場合、これに接するガス室(袋の内部)の濃度は
、8600ppmで平衡する。
ことが知られる。なお油中の水素ガスの濃度が500p
pmの場合、これに接するガス室(袋の内部)の濃度は
、8600ppmで平衡する。
(発明の効果)
以上詳述したようにこの発明によれば、油中に溶存する
水素ガス濃度の測定を、その測定対象の油の中に単に浸
漬するだけの簡単な操作で可能となるし、またポリイミ
ド膜を使用する場合よりも、反応速度が早まるといった
効果を奏する。
水素ガス濃度の測定を、その測定対象の油の中に単に浸
漬するだけの簡単な操作で可能となるし、またポリイミ
ド膜を使用する場合よりも、反応速度が早まるといった
効果を奏する。
第1図はこの発明の実施例を示す断面図、第2図は同じ
くセンサ本体の正面図、第3図は抵抗変化率を示す特性
曲線図、第4図は測定値の相関関係を示す特性曲線図、
第5図は反応速度特性曲線図である。 1・・・基板、2・・・薄膜、3・・・電極、4・・・
センサ本体、5・・・袋、
くセンサ本体の正面図、第3図は抵抗変化率を示す特性
曲線図、第4図は測定値の相関関係を示す特性曲線図、
第5図は反応速度特性曲線図である。 1・・・基板、2・・・薄膜、3・・・電極、4・・・
センサ本体、5・・・袋、
Claims (1)
- 絶縁性の基板の表面に、金属酸化物の薄膜を設け、その
表面に互いに向かい合う一対の電極を形成することによ
ってセンサ本体を構成し、前記センサ本体を、フッ素系
樹脂製のフィルムからなる袋の内部に減圧して、乾燥空
気とともに封入してなる油中ガスセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25131087A JPH0194254A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 油中ガスセンタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25131087A JPH0194254A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 油中ガスセンタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0194254A true JPH0194254A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17220905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25131087A Pending JPH0194254A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 油中ガスセンタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0194254A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03146900A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-06-21 | Hitachi Ltd | センサー、原子炉、原子炉の制御方法、及びセンサーの製造方法 |
JPH044266U (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-16 | ||
JP2010243201A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁劣化モニタ装置、電気機器および絶縁劣化モニタ方法 |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP25131087A patent/JPH0194254A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03146900A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-06-21 | Hitachi Ltd | センサー、原子炉、原子炉の制御方法、及びセンサーの製造方法 |
JPH044266U (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-16 | ||
JP2010243201A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁劣化モニタ装置、電気機器および絶縁劣化モニタ方法 |
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