JPH0193170A - Light-triggered semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
この発明は同−基体内に制御回路を形成した光トリガ型
半導体装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention (Field of Industrial Application) This invention relates to a light-triggered semiconductor device in which a control circuit is formed within the same substrate.
（従来の技術）
光サイリスタ等の光トリガ型半導体装置では、光トリガ
型半導体装置本体の動作を制御する目的でＭＯＳトラン
ジスタ等からなる制御回路を内蔵することがある。第２
図（ａ）はこのような制御回路を内蔵した光サイリスタ
の従来の構成を示す平面図である。また、第２図（ｂ）
は同図（ａ＞のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。Ｎ型
半導体基体１の裏面には光サイリスタ部２のＰ型のアノ
ード領域３が拡散によって形成されており、基体１の表
面側にはこのアノード領域３と接するようにＰ型の分離
領域４が拡散によって形成されている。また、基体１の
表面には光サイリスタ部２のベース領域１４、制御回路
を構成するＭＯＳトランジスタ部７のＰウェル領域８及
びＰ型のガードリング領域９がそれぞれ拡散によって形
成されている。上記ベース領域１４内には光サイリスタ
部のＮ型のカソード領域１５が島状に複数形成されてい
る。(Prior Art) A photo-triggered semiconductor device such as an optical thyristor may include a control circuit made of a MOS transistor or the like for the purpose of controlling the operation of the photo-triggered semiconductor device itself. Second
Figure (a) is a plan view showing the conventional configuration of an optical thyristor incorporating such a control circuit. Also, Fig. 2(b)
is a cross-sectional view taken along the line AA' in the same figure (a). On the back surface of the N-type semiconductor substrate 1, a P-type anode region 3 of the optical thyristor section 2 is formed by diffusion, and the substrate 1 A P-type isolation region 4 is formed by diffusion on the surface side of the base body 1 so as to be in contact with the anode region 3.Furthermore, on the surface side of the base body 1, a base region 14 of the optical thyristor section 2 and a MOS constituting a control circuit are formed. A P-well region 8 and a P-type guard ring region 9 of the transistor section 7 are each formed by diffusion.In the base region 14, a plurality of N-type cathode regions 15 of the optical thyristor section are formed in the form of islands. There is.
他方Ｐウェル領！４！８内にはＭＯＳトランジスタ部の
Ｎ型のソース領域１１及びドレイン領域１２が形成され
ており、両領域１１．１２間をまたぐようにゲート電極
１３が形成されている。On the other hand, P-well territory! An N-type source region 11 and a drain region 12 of the MOS transistor section are formed in 4!8, and a gate electrode 13 is formed so as to straddle both regions 11.12.
第２図では図示していないが上記ＭＯＳトランジスタ部
７のソース・ドレインは配線によって光サイリスタ部２
のカソード、ベースにそれぞれ接続されており、さらに
ＭＯＳトランジス９部７のゲートと、光サイリスタ部２
のアノードとの間には電圧検出用のダイオードが接続さ
れている。Although not shown in FIG. 2, the source and drain of the MOS transistor section 7 are connected to the optical thyristor section 2 by wiring.
are connected to the cathode and base of the MOS transistor 9 and the gate of the MOS transistor 9 and the optical thyristor 2
A voltage detection diode is connected between the anode and the anode.
このように構成された光サイリスタの等価回路を第３図
に示す。いま、光サイリスタ部２のアノードＡ１カソー
ドに間に交流電圧を印加し、この交流電圧がほぼＯ近辺
の値になっている時、第２図中のベース領域１４の表面
に光が照射されると光サイリスタ部２がトリガされ、ア
ノードＡ１カソードＫが導通する。他方、交流電圧の値
が大きくなっている時には電圧検出用のダイオードＤに
ある電圧が発生し、ＭＯＳトランジス９部７がこの電圧
によって導通ずるので光サイリスタ部２に光が照射され
てもアノードＡ１カソードに間は導通しない。すなわち
、上記ＭＯＳトランジスタ部７はゼロクロス用の制御回
路として作用する。FIG. 3 shows an equivalent circuit of the optical thyristor constructed in this manner. Now, when an AC voltage is applied between the anode A1 and the cathode of the optical thyristor unit 2, and this AC voltage is approximately at a value near O, light is irradiated onto the surface of the base region 14 in FIG. The optical thyristor unit 2 is triggered, and the anode A1 and the cathode K become conductive. On the other hand, when the value of the AC voltage is large, a certain voltage is generated in the voltage detection diode D, and the MOS transistor 9 section 7 is made conductive by this voltage, so even if the optical thyristor section 2 is irradiated with light, the anode A1 There is no conduction between the cathode and the cathode. That is, the MOS transistor section 7 functions as a zero-crossing control circuit.
ところで、上記構成でなる光サイリスタにおいてＭＯＳ
トランジス９部７の誤動作を防止するためにはＰウェル
領域８は比較的深く拡散することが望ましい。しかも、
光サイリスタ部２のＰ型ベース領域１４も周縁部の曲率
を緩やかにし、耐圧を向上させるためには比較的深く拡
散することが望ましい。このため、従来では光サイリス
タ部２のベース領域１４、ＭＯＳトランジス９部７のＰ
ウェル領域８、及びＰ型のガードリング領域９を同時に
拡散し、それぞれ例えば２５ｍ程度の拡散深さに設定し
ている。By the way, in the optical thyristor having the above configuration, the MOS
In order to prevent malfunction of the transistor 9 section 7, it is desirable that the P well region 8 be diffused relatively deeply. Moreover,
It is desirable that the P-type base region 14 of the optical thyristor section 2 also have a gentler curvature at the peripheral edge and be relatively deeply diffused in order to improve breakdown voltage. For this reason, conventionally, the base region 14 of the optical thyristor section 2 and the P of the MOS transistor 9 section 7
The well region 8 and the P-type guard ring region 9 are simultaneously diffused, and each is set to a diffusion depth of about 25 m, for example.
ところが、光サイリスタ部２は通常、波長が９０００人
程度０赤外光によってトリガされるが、この波長の光が
入射した場合、深さ２５岬のベース領域１４とＮ型基体
１との接合面には入射光の約２２％しか到達しないため
、光感度は低いものとなっている。However, the optical thyristor section 2 is normally triggered by infrared light having a wavelength of about 9,000 nm, but when light of this wavelength is incident, the junction surface between the base region 14 and the N-type substrate 1 at a depth of 25 Since only about 22% of the incident light reaches , the light sensitivity is low.
光感度を向上させるには光サイリスタ部２のＰ型ベース
領域１４の拡散深さを浅くすればよいが、これに伴って
ベース領域の周縁部の曲率がきつくなり、光サイリスタ
部２の耐圧低下という問題が発生する。In order to improve the photosensitivity, the diffusion depth of the P-type base region 14 of the optical thyristor section 2 can be made shallow, but as a result, the curvature of the periphery of the base region becomes tighter and the withstand voltage of the optical thyristor section 2 decreases. This problem arises.
（発明が解決しようとする問題点）
このように従来では、光感度を向上させるには光サイリ
スタ部のＰ型ベース領域の拡散深さを浅くすればよいが
、これに伴ってベース領域の周縁部の曲率がきつくなり
、光サイリスタ部の耐圧が低下するという問題が生じる
。この発明の目的は上記事情を解決すべくなされたもの
で他の特性に影響を与えることなく光感度が向上する光
トリガ型の半導体装置を提供することにある。(Problems to be Solved by the Invention) Conventionally, in order to improve the photosensitivity, it is sufficient to reduce the diffusion depth of the P-type base region of the optical thyristor portion. A problem arises in that the curvature of the optical thyristor section becomes steeper and the withstand voltage of the optical thyristor section decreases. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a photo-trigger type semiconductor device that improves photosensitivity without affecting other characteristics.
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
この発明の光動トリガ型半導体装置は第１導電型の半導
体基体と、この基体の一方の主面に形成された第２導電
型の第１拡散領域と、上記基体の他方の主面に選択的に
形成された第２導電型の第２拡散領域と、第２拡散領域
周縁部に接して形成されこの第２拡散領域よりも深い拡
散深さを持つ第２導電型の第３拡散領域と、上記第２拡
散領域に選択的に形成された第１導電型の第４拡散領域
とから構成される。[Structure of the Invention] (Means for Solving Problems) A photodynamic trigger type semiconductor device of the present invention includes a semiconductor substrate of a first conductivity type and a semiconductor substrate of a second conductivity type formed on one main surface of the substrate. a first diffusion region; a second diffusion region of a second conductivity type selectively formed on the other main surface of the base; and a second diffusion region formed in contact with the peripheral edge of the second diffusion region and deeper than the second diffusion region. It is composed of a third diffusion region of the second conductivity type having a diffusion depth, and a fourth diffusion region of the first conductivity type selectively formed in the second diffusion region.
（作用）
光サイリスタ部のベース領域を浅く拡散して形成するこ
とにより、光感度の向上を図る。また、このベース領域
の周縁部は深く、曲率を緩やかにしているので高耐圧化
も図られている。(Function) By forming the base region of the optical thyristor portion to be shallow and diffused, the optical sensitivity is improved. Furthermore, the peripheral edge of this base region is deep and has a gentle curvature, so that high voltage resistance can be achieved.
（実施例）
以下、図面を参照してこの発明の一実施例について説明
する。 −
第１図（ａ）はこの発明に係る制御回路を内蔵した光サ
イリスタの構成を示す平面図である。また、第１図（ｂ
）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。Ｎ
型半導体基体１の裏面には光サイリスタ部２のＰ型のア
ノード領域３が拡散によって形成されており、基体１の
表面側にはこのアノード領域３と接するようにＰ型の分
離領域４が拡散によって形成されている。基体１の表面
に形成された光サイリスタ部２のベース領域５は、その
周縁部６の拡散深さに比べて浅い拡散によって形成され
ている。また、制御回路を構成するＭＯＳトランジスタ
部７のＰウェル領域８及びＰ型のガードリング領域９が
それぞれ拡散によって形成されている。上記ベース領域
５内には光サイリスタ部のＮ型のカソード領域１０が島
状に複数形成されている。他方Ｐウェル領域８内にはＭ
ＯＳトランジスタ部のＮ型のソース領域１１及びドレイ
ン領域１２が形成されており、両頭域１１．１２間をま
たぐようにゲート電極１３が形成されている。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings. - FIG. 1(a) is a plan view showing the configuration of an optical thyristor incorporating a control circuit according to the present invention. In addition, Fig. 1 (b
) is a sectional view taken along line AA' in FIG. N
A P-type anode region 3 of the optical thyristor section 2 is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1 by diffusion, and a P-type separation region 4 is formed on the front surface of the substrate 1 so as to be in contact with this anode region 3. is formed by. The base region 5 of the optical thyristor portion 2 formed on the surface of the base body 1 is formed by shallow diffusion compared to the diffusion depth of the peripheral edge portion 6 thereof. Further, a P well region 8 and a P type guard ring region 9 of the MOS transistor section 7 constituting the control circuit are each formed by diffusion. In the base region 5, a plurality of N-type cathode regions 10 of the optical thyristor portion are formed in the form of islands. On the other hand, in the P well region 8, M
An N-type source region 11 and drain region 12 of the OS transistor section are formed, and a gate electrode 13 is formed so as to straddle the two-head regions 11 and 12.
このような構成により、光サイリスタ部２のベース領域
５の周縁部６は緩やかな曲率をもって耐圧の向上が考慮
され、ＭＯＳ トランジスタ部７のＰウェル領域８及び
Ｐ型のガードリング領域８と同様な拡散深さ（約２５−
）になる゛。また、光サイリスタ部２の光が照射される
ベース領域５は、浅い拡散によって例えば１０譚程度に
形成される。With such a configuration, the peripheral edge 6 of the base region 5 of the optical thyristor section 2 has a gentle curvature to improve breakdown voltage, and is similar to the P-well region 8 and the P-type guard ring region 8 of the MOS transistor section 7. Diffusion depth (approximately 25-
). Further, the base region 5 to which the light from the optical thyristor section 2 is irradiated is formed into, for example, about 10 lines by shallow diffusion.
この結果、光サイリスタ部２のベース領域５に波長９０
００人程度０光が入射した場合、深さ１０−のベース領
域５とＮ型基体１との接合面には入射光の約５５％の光
を到達させることができる。As a result, the base region 5 of the optical thyristor section 2 has a wavelength of 90
When approximately 0000 people's light is incident, about 55% of the incident light can reach the bonding surface between the base region 5 and the N-type substrate 1 at a depth of 10-.
従って、光感度の向上と耐圧の向上を同時に満足するこ
とができる。Therefore, it is possible to simultaneously improve photosensitivity and withstand voltage.
上記構成でなる光トリガ型半導体装置の製造工程を説明
する。比抵抗４０Ω・α程度のＮ型半導体基体１にＰ型
のアノード領域３、分離領域４を形成する。写真蝕刻に
よりイオン注入用マスクに対しベース領域５の周縁部６
、Ｐウェル領域８、ガードリング領域９を開孔した後、
薄い１０００人程０の酸化膜を形成する。これはゲート
酸化膜またはバッファ酸化膜となる。次にポリシリコン
によりＭＯＳトランジスタのゲート電極１３を形成した
後、ボロンをイオン注入し、ドライブイン拡散により周
縁部６とＰウェル領域８及びガードリング領域９を深さ
２２ｓ程度に形成する。次にｃｖｏｇｉを表面で保護し
た後、イオン注入用マスクに対しベース領域５を写真蝕
刻により開孔し、再びバッファ酸化膜である薄い１００
０人程０の酸化膜を形成する。そして、ボロンのイオン
注入及びドライブイン拡散を経て深さ１ｏ−程度のベー
ス領域５を形成する。このようにしてベース領域５の周
縁部６、Ｐウェル領域８、ガードリング領域９は最終的
に深さ２５−程度に、ベース領域５は深さ１０−程度に
形成される。次に、光サイリスタ部のＮ型のカソード領
域１０とＭＯＳトランジスタ部のＮ型のソース領域１１
及びドレイン領域１２を同時に深さ５４程度に形成する
。そして、酸化膜の一部を開孔してアルミニウム電極を
形成する。The manufacturing process of the photo-triggered semiconductor device having the above configuration will be explained. A P-type anode region 3 and a separation region 4 are formed on an N-type semiconductor substrate 1 having a specific resistance of about 40Ω·α. The periphery 6 of the base region 5 is exposed to the ion implantation mask by photolithography.
, after opening the P well region 8 and the guard ring region 9,
A thin oxide film of about 1,000 layers is formed. This becomes a gate oxide film or a buffer oxide film. Next, after forming the gate electrode 13 of the MOS transistor from polysilicon, boron ions are implanted, and the peripheral portion 6, P well region 8, and guard ring region 9 are formed to a depth of about 22 seconds by drive-in diffusion. Next, after protecting the cvogi on the surface, a hole is formed in the base region 5 by photolithography against the ion implantation mask, and again a thin 100% buffer oxide film is formed.
An oxide film of about 0 is formed. Then, a base region 5 having a depth of about 1o- is formed through boron ion implantation and drive-in diffusion. In this way, the peripheral edge 6, P-well region 8, and guard ring region 9 of the base region 5 are finally formed to a depth of about 25 -, and the base region 5 is finally formed to a depth of about 10 -. Next, the N-type cathode region 10 of the optical thyristor section and the N-type source region 11 of the MOS transistor section
and the drain region 12 are simultaneously formed to a depth of about 54. Then, a hole is formed in a part of the oxide film to form an aluminum electrode.
このように光サイリスタ部２のベース領域５は浅く形成
されるので、後の工程でこの部分に形成するエミッタ領
域も必然的に浅く形成できる。このため、エミッタ部分
をより微細に形成することができ、特性の向上につなが
るという利点がある。Since the base region 5 of the optical thyristor section 2 is thus formed shallowly, the emitter region to be formed in this portion in a later step can also be formed shallowly. Therefore, there is an advantage that the emitter portion can be formed more finely, leading to improved characteristics.
［発明の効果］
以上詳述したようにこの発明の光トリガ型半導体装置に
よれば、他の特性に影響を与えることなく光感度を向上
させることができる。[Effects of the Invention] As detailed above, according to the photo-triggered semiconductor device of the present invention, the photosensitivity can be improved without affecting other characteristics.
第１図（ａ）、（ｂ）はそれぞれこの発明の一実施例の
構成を示す平面図及びＡ−Ａ’断面図、第２図（ａ）、
（ｂ）はそれぞれ従来の光サイリスタの集積回路の構成
を示す平面図及びＡ−Ａ’断面図、第３図は光サイリス
タの集積回路の動作を示す等価回路である。
１・・・半導体基体、２・・・光サイリスタ部、３・・
・光サイリスタ部のアノード領域、４・・・分離領域、
５・・・光サイリスタ部のベース領域、６・・・ベース
領域の周縁部、７・・・ＭＯＳトランジスタ部、８・・
・Ｐウェル領域、９・・・ガードリング領域、１０・・
・光サイリ゛スタ部のカソード領域、１１・・・ＭＯＳ
トランジスタ部のソース領域、１２・・・ＭＯＳトラン
ジスタ部のドレイン領域、１３・・・ゲート電極。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦FIGS. 1(a) and 1(b) are a plan view and an AA' cross-sectional view showing the configuration of an embodiment of the present invention, and FIG. 2(a),
(b) is a plan view and a cross-sectional view taken along the line AA' showing the configuration of a conventional optical thyristor integrated circuit, respectively, and FIG. 3 is an equivalent circuit showing the operation of the optical thyristor integrated circuit. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Semiconductor base, 2... Optical thyristor part, 3...
・Anode region of optical thyristor part, 4... separation region,
5... Base region of optical thyristor section, 6... Periphery of base region, 7... MOS transistor section, 8...
・P well area, 9... Guard ring area, 10...
・Cathode region of optical thyristor part, 11...MOS
Source region of transistor section, 12... Drain region of MOS transistor section, 13... Gate electrode. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue
Claims (1)
散領域と、 上記基体の他方の主面に選択的に形成された第２導電型
の第２拡散領域と、 上記第２拡散領域周縁部に接して形成されこの第２拡散
領域よりも深い拡散深さを持つ第２導電型の第３拡散領
域と、 上記第２拡散領域に選択的に形成された第１導電型の第
４拡散領域と を具備したことを特徴とする光トリガ型半導体装置[Claims] A semiconductor substrate of a first conductivity type, a first diffusion region of a second conductivity type formed on one main surface of the substrate, and a first diffusion region selectively formed on the other main surface of the substrate. a second diffusion region of a second conductivity type; a third diffusion region of a second conductivity type formed in contact with a peripheral edge of the second diffusion region and having a deeper diffusion depth than the second diffusion region; A light-triggered semiconductor device comprising a fourth diffusion region of a first conductivity type selectively formed in the second diffusion region.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250884A JPH0193170A (en) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | Light-triggered semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP62250884A JPH0193170A (en) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | Light-triggered semiconductor device |
Publications (1)
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| JPH0193170A true JPH0193170A (en) | 1989-04-12 |
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ID=17214451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62250884A Pending JPH0193170A (en) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | Light-triggered semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193170A (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4932030A (en) * | 1972-07-27 | 1974-03-23 | ||
| JPS5745277A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | High withstand voltage planar type thyristor |
| JPS57196571A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Toshiba Corp | Thyristor |
| JPS61270867A (en) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | Matsushita Electric Works Ltd | Semiconductor device |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP62250884A patent/JPH0193170A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4932030A (en) * | 1972-07-27 | 1974-03-23 | ||
| JPS5745277A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | High withstand voltage planar type thyristor |
| JPS57196571A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Toshiba Corp | Thyristor |
| JPS61270867A (en) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | Matsushita Electric Works Ltd | Semiconductor device |
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