JPH019170Y2 - - Google Patents

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JPH019170Y2
JPH019170Y2 JP4516684U JP4516684U JPH019170Y2 JP H019170 Y2 JPH019170 Y2 JP H019170Y2 JP 4516684 U JP4516684 U JP 4516684U JP 4516684 U JP4516684 U JP 4516684U JP H019170 Y2 JPH019170 Y2 JP H019170Y2
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【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は半導体基板を蒸気乾燥するに際して、
この半導体基板をベーパ槽内に導入するために用
いられる半導体基板のチヤツキング装置に関する
ものである。
[従来の技術] 半導体基板は、その製造工程において、洗浄さ
れた後に洗浄液を除去するための蒸気乾燥が行わ
れる。
この蒸気乾燥を行うために、第1図に示したよ
うに、ベーパ槽1が用いられる。このベーパ槽1
の底部には蒸気になり易い、イソプロピルアルコ
ール等の薬液1aが貯留されており、この薬液1
aは加熱されて蒸気となつて上昇せしめられるよ
うになつている。そして、このようにして上昇し
た高温の蒸気はベーパ槽1の上部に設けたクーラ
1bによつて冷却されて下降するようになつて、
ベーパ槽1内には薬液1aの対流が形成されるよ
うになつている。そして、半導体基板2はこのベ
ーパ槽1における薬液1aの液面とクーラ1bの
配設位置との間に導かれて、蒸気雰囲気下で乾燥
せしめられるようになつている。
このために、半導体基板2は、シユートを用い
て供給される場合には矢印イで示した方向から、
またコンベアによつて供給される場合には、矢印
ロで示した方向から搬送されて、矢印ハ方向に回
動されて垂直な姿勢を取らせ、さらに矢印ニで示
したようにして下降させ、然る後にこれと反対方
向に引き上げるようになし、この間に該半導体基
板2が蒸気と接触して乾燥されて、それに付着し
た洗浄液を除去するようにしている。
前述したように、半導体基板2を水平な姿勢か
ら垂直な状態に回動変位させるために、チヤツキ
ング装置が用いられる。ここで、チヤツキング装
置としては、該半導体基板2の板面を損傷させた
り、塵埃等の異物が付着したりしないようにする
ために、半導体基板2の裏面を真空吸着させる手
段を用いるようにしていた。
[考案が解決しようとする問題点] ところで、最近における半導体技術の進歩に伴
なつて、半導体基板の清浄度保持の要請が益々厳
格となり、そのチヤツクに際しては、表面だけで
なく、裏面も触れることがないようにすることが
望まれるようになつてきた。
本考案は叙上の点に鑑みてなされたものであつ
て、その目的とするところは、半導体基板の表裏
のいずれの面にも触れることなくチヤツクして、
脱落させることなく安定した状態で方向転換を行
わせることができるようにした半導体基板のチヤ
ツキング装置を提供することにある。
[問題点を解決するための手段] 前述した目的を達成するために、本考案は、基
端部を中心として水平状態と、この水平状態から
下方に回動して垂直状態との間に変位せしめられ
るベース部材を有し、該ベース部材における左右
の両側側部と回動方向における前方端部とのそれ
ぞれの位置に、内側に向けた垂直段壁部と、上下
の垂直段壁部間の底壁部を内側方向に向けて下降
する傾斜面とからなり、サイズの異なる半導体基
板の端面部をそれぞれ前記各垂直段壁部に当接さ
せた状態にして支持する複数段の階段状の基板載
置部を備え、最上段側から下段側に向けて順次サ
イズの小さい半導体基板を載置し得るようにした
階段状の基板ホルダを装着し、また前記基板ホル
ダに載置された半導体基板の左右両側縁部と当接
する一対のV字状クランプ爪を相互に近接・離間
する方向に変位可能に設ける構成としたことをそ
の特徴とするものである。
[作用] ベース部材を水平な状態に保持して、適宜の搬
送手段により基板ホルダにおける乾燥処理すべき
半導体基板のサイズに合つた基板載置部に載置す
ることによつて、その位置決めが行われる。ここ
で、半導体基板は、その端面部が各基板ホルダに
おける垂直段壁部と当接するが、底壁部は傾斜し
ているので、半導体基板における裏面部はこの底
壁部とは非接触の状態に保持される。
然る後に、クランプ爪を相互に近接する方向に
変位させることにより、半導体基板の左右両側角
隅部をチヤツクさせる。そして、ベース部材をそ
の基端部を中心として下方に回動させると、半導
体基板は垂直な状態となる。このときに、半導体
基板はクランプ爪によつて倒れ方向に対する規制
が行われ、またこのクランプ爪と左右両側の基板
ホルダとによつて左右方向に移動することがない
ように規制され、またその自重方向においては、
前方端部の基板ホルダにおける垂直壁部によつて
規制されているので、該半導体基板は安定した状
態に保持される。
この状態で、ベース部材を下降させることによ
つて、半導体基板をベーパ槽内に導入し、然る後
にこれを引き上げる間に半導体基板の蒸気乾燥を
行わせることができるようになる。
[実施例] 以下、本考案の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
まず、第2図にチヤツキング装置の要部平面を
示す。このチヤツキング装置は前述のベーパ槽1
の上部に配設される回動ベース3を有し、この回
動ベース3の基端側、即ち図の紙面の上方部を中
心として回動せしめられると共に、上下方向、即
ち紙面と直交する方向に変位可能となつている。
そして、この回動ベース3は、半導体基板2をチ
ヤツキングしてベーパ槽内に導入されて、該半導
体基板2の乾燥を行うものであり、ベーパ槽内に
おける薬液からの吸熱量を少なくするために、回
動ベース3には開口3a,3bが形成されてい
る。
回動ベース3における左右の両側側部には一対
の基板ホルダ4a,4bが装着され、また先端
側、即ち該回動ベース3の回動方向における前方
側端部にも一対の基板ホルダ5a,5bが装着さ
れている。そして、半導体基板2は、これら基板
ホルダ4a,4b,5a,5bによつて位置決め
した状態に保持されるようになつている。
そこで、第3図はこの左右一対の基板ホルダ4
a,4bの断面を示す。この基板ホルダ4a,4
bの内側部分、即ち相対向する側に垂直壁部分と
底壁部分とを有する3段の階段状の基板載置部
(同図においては上部2段の基板載置部が示され
ている)が形成されており、これら各基板ホルダ
4a,4bにおける各基板載置部は第2図の矢印
ホ及び矢印ヘ方向に向けて幅狭となつている。従
つて、幅寸法の大きい半導体基板は上段の基板載
置部に、また幅寸法の小さい半導体基板はそのサ
イズに応じて順次下段の基板載置部に設置させる
ことができるようになつている。そして、基板載
置部の底壁部4a−1,4b−1及び4a−2,
4b−2は相互に近接する方向即ち、内側に向け
て下降する傾斜面となつている。
一方、回動ベース3の前方端部に設けた基板ホ
ルダ5a,5bも、前述した基板ホルダ4a,4
bと同様に、垂直段壁部と底壁部とからなる3段
の基板載置部を有し、これら各基板載置部は、第
2図の矢印ト,チ方向、即ち内側に向けて低くな
る段差を有する階段状となつており、第5図から
も明らかなように、その底壁部は基端側、即ち内
側に向けて下降する傾斜面となつている。そし
て、これら基板ホルダ5a,5bは、蒸気乾燥を
行う際に薬液が溜まりにくくなるようにするため
に、中央部分にその段差形成方向に向けての溝5
a−A,5b−Aが形成されている。さらに、垂
直段壁部は薬液の滞留を防止するために、平面視
においてV字状となつた面5a−B,5a−C,
5a−D、及び5b−B,5b−C,5b−Dを
備えている。
さらに、前述のようにして基板ホルダ4a,4
b,5a,5bに載置された半導体基板を挟持す
るために、左右に一対のクランプ爪6a,6bが
配設されている。これら各クランプ爪6a,6b
は、第4図から明らかなように、相対向する方向
に向けて拡開するV字状の爪部6a−1,6a−
2,6a−3及び6b−1,6b−2,6b−3
を有し、これら各爪部は相互に近接する方向に向
けて階段状となつており、最上段の爪部6a−
1,6b−1は最も幅広となり、爪部6a−2,
6b−2、爪部6a−3,6b−3の順に幅狭と
なつている。そして、このクランプ爪6a,6b
は、案内手段及び駆動手段(共に図示せず)によ
つて相互に近接・離間する方向に変位可能となつ
ている。
本実施例は前述のように構成されるもので、次
にその作用について説明する。
半導体基板2は、シユートまたはコンベア等の
搬送手段によつて、ベーパ槽の上部に配設した基
板チヤツキング装置に移載される。このときにお
いて、該基板チヤツキング装置を構成する回動ベ
ース3は水平状態に保持すると共に、しかもクラ
ンプ爪6a,6bは相互に離間した状態に配設さ
れるようになすことによつて、この半導体基板2
は基板ホルダ4a,4b,5a,5bによつて形
成される基板載置部に載置されることになる。こ
の状態においては、基板載置部を構成する基板ホ
ルダ4a,4b,5a,5bの壁部のうち、半導
体基板2は、その端面部がそれらの垂直段壁部と
は当接するものの、その裏面部分は傾斜した底壁
部に対して離間した状態に保持されるようになつ
ている。
ここで、半導体基板のサイズが大きい基板2a
は、最上段の基板載置部に、この基板2aより小
さなサイズの基板2bは次段の基板載置部に、さ
らに最も小さいサイズの基板2cは最下段の基板
載置部にそれぞれ載置することができるようにな
つているので、装置を構成する部材の段取り変え
を行つたりすることなく、複数種類の半導体基板
をチヤツキングして乾燥処理を行うことができる
ようになる。
前述のように半導体基板がいずれかの基板載置
部に載置されると、クランプ爪6a,6bが相互
に近接する方向に変位することによつて、半導体
基板のチヤツキングが行われる。このチヤツキン
グは、半導体基板のサイズ2a,2b,2cに応
じて、クランプ爪6a,6bに形成した爪部6a
−1,6a−2,6a−3及び6b−1,6b−
2,6b−3のいずれかの爪部に係合することに
なるなることはいうまでもない。また、これら各
爪部はV字状となつているので、半導体基板が当
接する部分は左右両側の角隅部となる。この結
果、該半導体基板は、その表面はもとより、裏面
もチヤツキング装置を構成するいずれの部材とも
非接触状態に保持されることになる。
而して、半導体基板は、その左右方向には基板
ホルダ4a,4bにより規制され、また前方にお
いては基板ホルダ5a,5bにより規制されてい
るので、クランプ爪6a,6bによるチヤツキン
グは、半導体基板が倒れ方向、即ちその厚み方向
に移動しないように規制する作用だけを発揮すれ
ばよく、該半導体基板に対して格別大きな挟持力
を作用させる必要がないので、この半導体基板に
過大な力が加わつてそれを変形させたり、破損さ
せたりするおそれはない。なお、半導体基板にお
ける基板ホルダ5a,5bの配設側とは反対方向
への規制が行われていないが、後述するように、
回動ベース3を回動させたときにおいて、反自重
方向となるものであるから、この方向への規制は
必要としない。
前述のようにして半導体基板を安定的に支持し
た状態で、回動ベース3は第5図に矢印vで示し
た方向に回動せしめられて、該半導体基板は水平
な状態Hから垂直な状態Vに変位せしめられると
共に、それを下降させることによつてベーパ槽内
に導入されて、このベーパ槽内において半導体基
板の蒸気乾燥が行われる。然る後に、回動ベース
3がベーパ槽から引き上げられて、同図に矢印h
で示したように、半導体基板を水平状態Hとなる
ように復帰させると共に、クランプ爪6a,6b
を半導体基板から離間させて、該回動ベース3か
ら乾燥処理の完了した半導体基板が排除されるこ
とになる。そして、この動作を順次繰り返すこと
によつて、半導体基板の乾燥処理を連続的に行う
ことができるようになる。
[考案の効果] 以上説明したように、本考案によれば、半導体
基板の表裏のいずれの面にも触れることなく、そ
の周縁部を支持することによつて、安定した状態
に保持して、該半導体基板を回動及び上下動させ
ることができるようになり、この表裏のいずれの
面に対しても、損傷を来たしたり、また塵埃等の
異物を付着させたりするおそれはない。
【図面の簡単な説明】
第1図は蒸気乾燥用のベーパ槽の概略構成説明
図、第2図乃至第3図は本考案の一実施例を示す
もので、第2図はチヤツキング装置の平面図、第
3図は第2図の−断面図、第4図は第2図の
−断面図、第5図はチヤツキング装置の作動
を説明する第2図の−段面図であつて、Hは
回動ベースの水平状態を示し、Vは回動ベースの
垂直状態を示す図である。 1:ベーパ槽、1a:薬液、1b:クーラ、
2,2a,2b,2c:半導体基板、3:回動ベ
ース、4a,4b,5a,5b:基板ホルダ、6
a,6b:クランプ爪。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基端部を中心として水平状態と、この水平状態
    から下方に回動して垂直状態との間に変位せしめ
    られるベース部材を有し、該ベース部材における
    左右の両側側部と回動方向における前方端部との
    それぞれの位置に、内側に向けた垂直段壁部と、
    上下の垂直段壁部間の底壁部を内側方向に向けて
    下降する傾斜面とからなり、サイズの異なる半導
    体基板の端面部をそれぞれ前記各垂直段壁部に当
    接させた状態にして支持する複数段の階段状の基
    板載置部を備え、最上段側から下段側に向けて順
    次サイズの小さい半導体基板を載置し得るように
    した階段状の基板ホルダを装着し、また前記基板
    ホルダに載置された半導体基板の左右両側縁部と
    当接する一対のV字状クランプ爪を相互に近接・
    離間する方向に変位可能に設ける構成としたこと
    を特徴とする半導体基板のチヤツキング装置。
JP4516684U 1984-03-30 1984-03-30 半導体基板のチヤツキング装置 Granted JPS60158741U (ja)

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JPS60158741U JPS60158741U (ja) 1985-10-22
JPH019170Y2 true JPH019170Y2 (ja) 1989-03-13

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JP4516684U Granted JPS60158741U (ja) 1984-03-30 1984-03-30 半導体基板のチヤツキング装置

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