JPH0183351U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0183351U JPH0183351U JP1987178199U JP17819987U JPH0183351U JP H0183351 U JPH0183351 U JP H0183351U JP 1987178199 U JP1987178199 U JP 1987178199U JP 17819987 U JP17819987 U JP 17819987U JP H0183351 U JPH0183351 U JP H0183351U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous semiconductor
- holes
- electrode layer
- substrate
- photovoltaic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
第１図は、本考案の実施例である非晶質半導体
光起電力素子の背面側の斜視図、第２図は、前記
第１図の非晶質半導体光起電力素子の断面図、第
３図は、前記第１図の非晶質半導体光起電力素子
の受光面側の斜視図、第４図は、前記第１図の非
晶質半導体光起電力素子の電気的特性を従来技術
に比較して表した特性の一例を示すグラフである
。 １…透明基板、２…透明電極層、３…非晶質半
導体層、４…背面電極層、７…スルーホール、８
…スルーホール導体、９…良導電体。
光起電力素子の背面側の斜視図、第２図は、前記
第１図の非晶質半導体光起電力素子の断面図、第
３図は、前記第１図の非晶質半導体光起電力素子
の受光面側の斜視図、第４図は、前記第１図の非
晶質半導体光起電力素子の電気的特性を従来技術
に比較して表した特性の一例を示すグラフである
。 １…透明基板、２…透明電極層、３…非晶質半
導体層、４…背面電極層、７…スルーホール、８
…スルーホール導体、９…良導電体。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 透光性基板の一方の主面上に透明電極層、
非晶質半導体層、背面電極層を順次積層形成して
成る光起電力素子において、前記透光性基板上に
間隔を置いてスルーホールを穿設し、このスルー
ホールに前記透明電極層と導通するスルーホール
導体を形成し、該スルーホール導体を透光性基板
の他面側に配した良導電体で接続したことを特徴
とする非晶質半導体光起電力素子。 (2) 実用新案登録請求の範囲第１項において、
前記の電気的接続のための良導電体は、前記透光
性基板の他方の主面上に前記スルーホール間を結
ぶように形成された金属層であることを特徴とす
る非晶質半導体光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987178199U JPH0183351U (ja) | 1987-11-21 | 1987-11-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987178199U JPH0183351U (ja) | 1987-11-21 | 1987-11-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0183351U true JPH0183351U (ja) | 1989-06-02 |
Family
ID=31469826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987178199U Pending JPH0183351U (ja) | 1987-11-21 | 1987-11-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0183351U (ja) |
-
1987
- 1987-11-21 JP JP1987178199U patent/JPH0183351U/ja active Pending