JPH0155772B2 - - Google Patents
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- JPH0155772B2 JPH0155772B2 JP58228027A JP22802783A JPH0155772B2 JP H0155772 B2 JPH0155772 B2 JP H0155772B2 JP 58228027 A JP58228027 A JP 58228027A JP 22802783 A JP22802783 A JP 22802783A JP H0155772 B2 JPH0155772 B2 JP H0155772B2
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- collector
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、エミツタフオロワ回路に関し、特に
従来回路に比し、負荷変動特性の少ないオペアン
プ回路を提供するためのエミツタフオロワ回路に
関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an emitter follower circuit, and more particularly to an emitter follower circuit for providing an operational amplifier circuit with less load fluctuation characteristics than conventional circuits.
第1図に、従来のエミツタフオロワ回路の構成
を示す。図において、Q1はそのベースが入力端
子11となつているNPNトランジスタ、I0は
定電流Iを供給するための定電流源、12は出力
端子、Vccは電源である。
FIG. 1 shows the configuration of a conventional emitter follower circuit. In the figure, Q1 is an NPN transistor whose base is the input terminal 11, I0 is a constant current source for supplying constant current I, 12 is an output terminal, and Vcc is a power supply.
この回路において、出力電流IoutがI1からI
2に変化した時、出力電圧Voutがどの程度変化
するかを以下に求める。 In this circuit, the output current Iout changes from I1 to I
2, how much the output voltage Vout changes is calculated below.
出力電流IoutがI1の時、トランジスタQ1の
エミツタ電流はI+I1であり、出力電流IoutがI
2の時、上記トランジスタQ1のエミツタ電流は
I+I2である。ここで、トランジスタQ1のエミ
ツタ電流とベース、エミツタ間電圧の関係はシヨ
ツクレイの式に従うから、この時の出力電圧
Voutの電圧変動ΔVoutは次の様になる。 When the output current Iout is I1, the emitter current of transistor Q1 is I+I1, and the output current Iout is I1.
2, the emitter current of the transistor Q1 is I+I2. Here, since the relationship between the emitter current and the voltage between the base and emitter of transistor Q1 follows Schottley's equation, the output voltage at this time is
The voltage fluctuation ΔVout of Vout is as follows.
ΔVout=kT/qln(I+I2)/(I+I1) ……(1)
ここで、k:ボルツマン定数、T:絶対温度、
q:電荷である。 ΔVout=kT/qln(I+I2)/(I+I1)...(1) Here, k: Boltzmann constant, T: absolute temperature,
q: Electric charge.
この発明は、そのベース、エミツタがそれぞれ
入力端子、出力端子とされ、コレクタに定電流が
供給されるトランジスタを有するエミツタフオロ
ワ回路において、上記トランジスタのエミツタに
上記定電流に比例した電流によつて動作するトラ
ンジスタを接続し、このトランジスタによつて上
記出力端子に流れる電流の変動分を抑制するよう
にすることにより、入力電圧変動を従来のものよ
り非常に小さくできるエミツタフオロワ回路を提
供することを目的としている。
The present invention provides an emitter follower circuit having a transistor whose base and emitter are used as an input terminal and an output terminal, respectively, and whose collector is supplied with a constant current. The object of the present invention is to provide an emitter follower circuit that can significantly reduce input voltage fluctuations compared to conventional circuits by connecting a transistor and using the transistor to suppress fluctuations in the current flowing through the output terminal. .
以下、本発明の実施例を図について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第2図は本発明の一実施例によるエミツタフオ
ロワ回路を示す。図において、I0は定電流Iを
供給するための定電流源、Q1はそのコレクタが
上記定電流源I0に接続された第1のトランジス
タ、Q2はそのコレクタが上記トランジスタQ1
のエミツタに接続され、エミツタが接地された第
2のトランジスタ、Q3はそのエミツタ、ベース
がそれぞれ上記トランジスタQ1のコレクタ、ベ
ースに、コレクタが上記トランジスタQ2のベー
スに接続された第3のトランジスタ(駆動回路)、
11は上記トランジスタQ1,Q3のベースに接
続された入力端子、12は上記トランジスタQ1
のエミツタに接続された出力端子である。 FIG. 2 shows an emitter follower circuit according to one embodiment of the invention. In the figure, I0 is a constant current source for supplying constant current I, Q1 is a first transistor whose collector is connected to the constant current source I0, and Q2 is a transistor whose collector is connected to the transistor Q1.
Q3 is a second transistor whose emitter is connected to the emitter of the transistor Q1, and whose emitter is grounded. Q3 is a third transistor (driving transistor) whose emitter and base are connected to the collector and base of the transistor Q1, respectively, and whose collector is connected to the base of the transistor Q2. circuit),
11 is an input terminal connected to the bases of the transistors Q1 and Q3, and 12 is the transistor Q1.
This is the output terminal connected to the emitter of
次に作用効果について説明する。 Next, the effects will be explained.
今、この回路で、出力電流IoutがI1からI2
に変化したとすると、トランジスタQ1のエミツ
タ電流はI−(I−I1)/hFE2からI−(I−
I2)/hFE2に変化する。ここでhFE2はトランジ
スタQ2のエミツタ接地電流増幅率である。 Now, in this circuit, the output current Iout is from I1 to I2
, the emitter current of transistor Q1 changes from I-(I-I1)/hFE2 to I-(I-
I2)/hFE2. Here, hFE2 is the common emitter current amplification factor of transistor Q2.
従つてこの時の出力電圧変動ΔVoutは次の様
になる。 Therefore, the output voltage fluctuation ΔVout at this time is as follows.
ΔVout=kT/qln(I−(I−I2)/hFE2/I−(I−
I1)/hFE2)
kT/qln(I+(I2/hFE2)/I+(I1/hFE2))
……(2)
但し、I・hFE2−I≒I・hFE2としている。ΔVout=kT/qln(I-(I-I2)/hFE2/I-(I-
I1)/hFE2) kT/qln(I+(I2/hFE2)/I+(I1/hFE2))
...(2) However, I・hFE2−I≒I・hFE2.
このように本実施例回路は第1図の回路に比
べ、変動がおよそ1/hFE2に抑えられることとな
る。 In this way, the variation in the circuit of this embodiment is suppressed to about 1/hFE2 compared to the circuit of FIG. 1.
第3図は本発明の他の実施例を示し、これはさ
らに負荷変動を小さくするようにしたものであ
り、第2図の回路のトランジスタQ3のエミツタ
とトランジスタQ1のコレクタとの間に第4のト
ランジスタQ4を接続したものである。即ち、該
トランジスタQ4はそのエミツタが上記トランジ
スタQ3のエミツタに、ベースが上記トランジス
タQ1のコレクタに、またコレクタが電源Vccに
接続されている。 FIG. 3 shows another embodiment of the present invention, which is designed to further reduce load fluctuations and includes a fourth transistor between the emitter of transistor Q3 and the collector of transistor Q1 in the circuit of FIG. A transistor Q4 is connected to the transistor Q4. That is, the emitter of the transistor Q4 is connected to the emitter of the transistor Q3, the base to the collector of the transistor Q1, and the collector to the power supply Vcc.
この実施例回路においては、出力電流IoutがI
1からI2に変化すると、トランジスタQ1のエ
ミツタ電流はI−(I−I1)/(hFE2・hFE4)
からI−(I−I2)/(hFE2・hFE4)に変化す
る。 In this example circuit, the output current Iout is I
When changing from 1 to I2, the emitter current of transistor Q1 is I-(I-I1)/(hFE2・hFE4)
It changes from I-(I-I2)/(hFE2・hFE4).
ここでhFE4はトランジスタQ4のエミツタ接
地電流増幅率である。 Here, hFE4 is the common emitter current amplification factor of transistor Q4.
従つてこの時の出力電圧変動ΔVoutは次の様
になる。 Therefore, the output voltage fluctuation ΔVout at this time is as follows.
ΔVout=kT/qln(I−(I−I2)/(hFE2・hFE4)/
I−(I−I1)/(hFE2・hFE4))
kT/qln(I+(I2/hFE2・hFE4)/I+(I1
/hFE2・hFE4))……(3)
但し、I・hFE2・hFE4−I≒I・hFE2・
hFE4としている。ΔVout=kT/qln(I-(I-I2)/(hFE2・hFE4)/
I-(I-I1)/(hFE2・hFE4)) kT/qln(I+(I2/hFE2・hFE4)/I+(I1
/hFE2・hFE4))……(3) However, I・hFE2・hFE4−I≒I・hFE2・
It is called hFE4.
このように、本実施例回路は第1図の回路に比
べ、出力電圧変動がおよそ1/hFE2・hFE4に抑
えられ、また第2図の回路に比べても、変動はさ
らに約1/hFE4に抑えられている。 In this way, in the circuit of this embodiment, the output voltage fluctuation is suppressed to approximately 1/hFE2・hFE4 compared to the circuit shown in FIG. 1, and the fluctuation is further reduced to approximately 1/hFE4 compared to the circuit shown in FIG. It's suppressed.
以上のように、本発明によれば、そのベース、
エミツタがそれぞれ入力端子、出力端子とされ、
コレクタに定電流が供給されるトランジスタを有
するエミツタフオロワ回路において、上記トラン
ジスタのエミツタに上記定電流に比例した電流に
よつて動作するトランジスタを接続し、このトラ
ンジスタによつて上記出力端子に流れる電流の変
動分を抑制するようにしたので、従来のエミツタ
フオロワ回路に比較して大幅に負荷変動特性を向
上させることができる効果がある。
As described above, according to the present invention, the base,
The emitters are respectively input and output terminals,
In an emitter follower circuit having a transistor whose collector is supplied with a constant current, a transistor that operates with a current proportional to the constant current is connected to the emitter of the transistor, and this transistor causes fluctuations in the current flowing to the output terminal. Since the current emitter follower circuit is suppressed, the load fluctuation characteristics can be significantly improved compared to the conventional emitter follower circuit.
第1図は従来のエミツタフオロワ回路の回路
図、第2図は本発明の一実施例によるエミツタフ
オロワ回路の回路図、第3図は本発明の他の実施
例によるエミツタフオロワ回路の回路図である。
図において、Q1は第1のトランジスタ、Q2
は第2のトランジスタ、Q3は第3のトランジス
タ、Q4は第4のトランジスタ、11は入力端
子、12は出力端子である。なお図中、同一符号
は同一又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional emitter follower circuit, FIG. 2 is a circuit diagram of an emitter follower circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram of an emitter follower circuit according to another embodiment of the present invention. In the figure, Q1 is the first transistor, Q2
is a second transistor, Q3 is a third transistor, Q4 is a fourth transistor, 11 is an input terminal, and 12 is an output terminal. In the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
端子とされコレクタに定電流が供給される第1の
トランジスタと、コレクタが上記第1のトランジ
スタのエミツタに接続されエミツタが接地された
第2のトランジスタと、上記第1のトランジスタ
に供給される定電流に比例した電流を上記第2の
トランジスタのベースに供給し該第2のトランジ
スタを駆動する駆動回路とを備えたことを特徴と
するエミツタフオロワ回路。 2 上記駆動回路は、エミツタ、ベースがそれぞ
れ上記第1のトランジスタのコレクタ、ベースに
コレクタが上記第2のトランジスタのベースに接
続されたトランジスタであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のエミツタフオロワ回
路。 3 上記駆動回路は、ベースが上記第1のトラン
ジスタのベースにコレクタが上記第2のトランジ
スタのベースに接続された第3のトランジスタ
と、ベースが上記第1のトランジスタのコレクタ
にエミツタが上記第3のトランジスタのエミツタ
にコレクタが電源に接続された第4のトランジス
タとからなるものであることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のエミツタフオロワ回路。[Scope of Claims] 1. A first transistor whose base and emitter are used as input and output terminals, respectively, and whose collector is supplied with a constant current, and whose collector is connected to the emitter of the first transistor and whose emitter is grounded. The present invention is characterized by comprising a second transistor and a drive circuit that supplies a current proportional to the constant current supplied to the first transistor to the base of the second transistor to drive the second transistor. Emitsuta follower circuit. 2. The drive circuit is a transistor whose emitter and base are connected to the collector of the first transistor, and whose base and collector are connected to the base of the second transistor, respectively. Emitsuta follower circuit. 3. The drive circuit includes a third transistor whose base is connected to the base of the first transistor and whose collector is connected to the base of the second transistor, and whose base is connected to the collector of the first transistor and whose emitter is connected to the third transistor. 2. The emitter follower circuit according to claim 1, further comprising a fourth transistor whose collector is connected to a power source at the emitter of the transistor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22802783A JPS60119111A (en) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Emitter follower circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22802783A JPS60119111A (en) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Emitter follower circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60119111A JPS60119111A (en) | 1985-06-26 |
JPH0155772B2 true JPH0155772B2 (en) | 1989-11-27 |
Family
ID=16870046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22802783A Granted JPS60119111A (en) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Emitter follower circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60119111A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS601020B2 (en) * | 1976-08-02 | 1985-01-11 | マ−ク・エフ・フイ−ドラ− | heat pack |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS601020U (en) * | 1983-05-31 | 1985-01-07 | ソニー株式会社 | Constant impedance output circuit |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22802783A patent/JPS60119111A/en active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS601020B2 (en) * | 1976-08-02 | 1985-01-11 | マ−ク・エフ・フイ−ドラ− | heat pack |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60119111A (en) | 1985-06-26 |
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