JPH01453A - Foreign object detection device - Google Patents

Foreign object detection device

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JPH01453A
JPH01453A JP63-135484A JP13548488A JPH01453A JP H01453 A JPH01453 A JP H01453A JP 13548488 A JP13548488 A JP 13548488A JP H01453 A JPH01453 A JP H01453A
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substrate
foreign matter
pellicle
light
detection
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幸雄 宇都
正孝 芝
小泉 光義
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株式会社日立製作所
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の対象分野〕 本発明は、枠にペリクルを形成した異物付着防止手段を
基板に装着した状態で基板上に存在する微小異物を検出
する異物検出装置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of the Invention] The present invention relates to a foreign matter detection device that detects minute foreign matter present on a substrate with a foreign matter adhesion prevention means having a pellicle formed in a frame attached to the substrate. be.

〔従来技術〕[Prior art]

従来の異物検査装置は第1図に示すように構成されてい
た。即ち、ウェハ1上に存在する異物2に対して2方向
斜め」―方よりS偏光レーザ発振器3.4より出射され
たS偏光レーザ光5゜6が照射され、異物2からはs 
+ P偏光レーザ光7が反射される。このS+P偏光レ
ーザ光7を対物レンズ8で集光した後、S偏光カットフ
ィルタ9でS偏光レーザのみを遮断し、P偏光レーザ光
10のみを視野限定用の絞り11を介して光電変換素子
12により検出する。回路パターン段差からはS偏光レ
ーザ光のみが反射される。従って、上記光電変換索子1
2の出力により異物の存在を知ることが出来る。
A conventional foreign matter inspection device was constructed as shown in FIG. That is, the foreign matter 2 present on the wafer 1 is irradiated with S-polarized laser light 5°6 emitted from the S-polarized laser oscillator 3.4 from two oblique directions, and the foreign matter 2 emits s
+P polarized laser light 7 is reflected. After condensing this S+P polarized laser beam 7 with an objective lens 8, only the S polarized laser beam is blocked by an S polarization cut filter 9, and only the P polarized laser beam 10 is passed through a field-limiting aperture 11 to a photoelectric conversion element 12. Detected by. Only the S-polarized laser beam is reflected from the circuit pattern step. Therefore, the photoelectric conversion cable 1
The presence of foreign matter can be known from the output of step 2.

しかしながら、この従来の異物検査装置は。However, this conventional foreign matter inspection device.

あくまでもウェハ上に存在する異物を検出しようとする
ものである。
The purpose is to detect foreign matter present on the wafer.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は上記従来技術に鑑みて、枠にペリクルを
形成した異物付着防止手段をJ8板に装着した状態で、
回路パターンを有する基板全表面に亘って枠の影響を受
けることなく、基板表面に存在する微小異物を正確に検
出し、基板に付着した異物に基づく不良露光をなくし、
半導体生産の大きな歩留まり向上に寄午できるようにし
た異物検出装置を堤供するにある。
In view of the above-mentioned prior art, an object of the present invention is to provide a J8 board with a foreign matter adhesion prevention means in which a pellicle is formed on the frame.
Accurately detects minute foreign matter present on the board surface without being affected by the frame over the entire surface of the board with the circuit pattern, eliminating defective exposure due to foreign matter adhering to the board,
The purpose of the present invention is to provide a foreign object detection device that can significantly improve yields in semiconductor production.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

即ち本発明は、上記目的を達成するために、光源と、該
光源からの光を、枠にペリクルを形成した異物付着防止
手段を装着した基板表面上に上記ペリクルを通して相対
向して傾斜させて集光照明する対なる照明光学系と、該
照明光学系で照射される方向に対して基板面においてほ
ぼ90度なる方向から相対向して上記基板上に存在する
異物からの反射光を上記ペリクルを通して検出する対な
る検出光学系と、該各光学系から得られる光を受光して
信号に変換する光電変換手段とを備え、上記基板表面を
少なくとも4分割することによって上記光電変換手段か
ら得られる信号に基いて基板表面全面に亘って基板表面
に付着した異物を検出するように形成したことを特徴と
する異物検出装置である。
That is, in order to achieve the above object, the present invention includes a light source, and the light from the light source is passed through the pellicle onto the surface of a substrate equipped with foreign matter adhesion prevention means in which a pellicle is formed in a frame, and is tilted toward each other. A pair of illumination optical systems that perform condensed illumination and a pair of illumination optical systems that face each other from a direction of about 90 degrees on the substrate surface with respect to the direction of illumination by the illumination optical system and direct reflected light from foreign matter existing on the substrate to the pellicle. comprising a pair of detection optical systems for detecting light through the optical system, and a photoelectric conversion means for receiving the light obtained from each optical system and converting it into a signal, and dividing the surface of the substrate into at least four parts to obtain signals from the photoelectric conversion means. This foreign matter detection device is characterized in that it is configured to detect foreign matter attached to the substrate surface over the entire surface of the substrate based on a signal.

縮小投影式自動マスクアライナ等の露光装置において、
レチクルやフォトマスク等に形成された回路パターンを
、半導体ウェハ上にステツリ プアンドヤピートして転写する際、レチクルパターンや
フォトマスク等に異物が存在するとその像(影)が回路
パターンと一緒にウェハ上に転写され、出来上がったウ
ェハ上の単一露光部(チップ)全てが不良となることが
ある。そこで異物付着防止手段策として金属等で形成さ
れた枠にニトロセルローズ等のペリクルを貼り付けた異
物付着防止手段と称するものを、レチクルやホトマスク
等の基板を洗浄した後装着した。
In exposure equipment such as reduction projection type automatic mask aligner,
When transferring a circuit pattern formed on a reticle, photomask, etc. onto a semiconductor wafer by step-printing and repeating, if there is a foreign object on the reticle pattern or photomask, the image (shadow) of the foreign object may be lost along with the circuit pattern. After being transferred onto a wafer, all single exposed parts (chips) on the finished wafer may be defective. Therefore, as a measure to prevent the adhesion of foreign matter, a so-called foreign matter adhesion prevention means, in which a pellicle of nitrocellulose or the like is attached to a frame made of metal or the like, is attached after cleaning the substrate such as the reticle or photomask.

ところで本発明の特徴はこのペリクルを基板に装着した
後、この枠、ペリクル等に影響を受けることなく、基板
表面全面に亘って基板表面上の微小異物を高信頼度で検
出できるようにしたことにある。
By the way, the feature of the present invention is that after the pellicle is attached to the substrate, minute foreign matter on the substrate surface can be detected with high reliability over the entire surface of the substrate without being affected by the frame, pellicle, etc. It is in.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体的に説明
する。第2図は本発明に係るペリクル体をフォトマスク
やレチクル等の基板に装着した場合の基板上の異物を検
出する装置の一実施例を示す図である。即ちレーザ発振
器27から出たレーザ光30は偏光素子29によっであ
る特定方向の直線偏光波(水平波)となり、回転または
揺動するモータ34に連結されたガルバノミラ−28で
全反射し、レンズ31を経てミラー32に達する。その
後ミラー35a。
The present invention will be specifically described below based on embodiments shown in the drawings. FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of an apparatus for detecting foreign matter on a substrate such as a photomask or reticle when a pellicle body according to the present invention is attached to the substrate. That is, the laser beam 30 emitted from the laser oscillator 27 becomes a linearly polarized wave (horizontal wave) in a specific direction by the polarizing element 29, is totally reflected by the galvano mirror 28 connected to the rotating or swinging motor 34, and is reflected by the lens. 31 and reaches the mirror 32. Then mirror 35a.

36aあるいは35b、36bを経て基板21の表面上
に斜方向より傾斜角αで入射する。ガルバノミラ−28
は回転速度を一定に振動し、レンズ31はガルバノミラ
−28の回転角に比例して基板21の表面上のレーザス
ポラ1−80を直線的に走査することができるf・0レ
ンズである。
The light is incident on the surface of the substrate 21 from an oblique direction at an inclination angle α via 36a, 35b, and 36b. Galvano mirror 28
oscillates at a constant rotation speed, and the lens 31 is an f.0 lens that can linearly scan the laser spora 1-80 on the surface of the substrate 21 in proportion to the rotation angle of the galvanometer mirror 28.

24からの反射光25を検出するため、レーザ光30a
、30bと直角にしかも基板21の水平面に対し傾斜角
βの斜上方にS偏光シャットフィルタ等の検出子41a
、41b、集光レンズ40a、40b、スリット状遮光
装置39a。
In order to detect the reflected light 25 from 24, the laser beam 30a
, 30b and obliquely above the horizontal plane of the substrate 21 at an inclination angle β, a detector 41a such as an S polarization shut filter is installed.
, 41b, condensing lenses 40a, 40b, and slit-shaped light shielding device 39a.

39b、光電変換素子38a、38bから成る検出装置
37a、37bをレチクルの基板21y方向中心の対称
位置にそれぞれ設置しである。
Detecting devices 37a and 37b, each consisting of photoelectric conversion elements 39b and photoelectric conversion elements 38a and 38b, are respectively installed at symmetrical positions about the center of the reticle in the substrate 21y direction.

検光子41a、41bは異物24からの反射光25の特
定方向の直線偏光波を抽出するものである。抽出された
検光子通過光は集光レンズ40a、40bによりスリッ
ト状遮光装置39a。
The analyzers 41a and 41b are for extracting linearly polarized light waves in a specific direction from the reflected light 25 from the foreign object 24. The extracted light passing through the analyzer is sent to a slit-shaped light blocking device 39a by condenser lenses 40a and 40b.

39bを経て光電変換素子38a、38b上に達する。The light reaches the photoelectric conversion elements 38a and 38b via 39b.

高感度を有する光電子倍増管等の光電変換素子38a、
38bは受光強度に比例した電気信号を発生する。
A photoelectric conversion element 38a such as a photomultiplier tube having high sensitivity,
38b generates an electrical signal proportional to the intensity of the received light.

第2図で1対の照明装置35a、36a、及び35b、
36bと検出装置37a、37bを設けたのは以下の理
由による。
In FIG. 2, a pair of lighting devices 35a, 36a, and 35b,
36b and the detection devices 37a and 37b are provided for the following reason.

第5図、第6図は、レーザ光3oの照射方向と異物24
の反射光25の検出方向を示す図である。ペリクルの枠
22でレーザ光30a、3obや異物24の反射光25
が遮断されるのを防止する手段として第5図の如く基板
21を半分に分けて、常に検査領域の反対側からレーザ
光30a、30bを照射し、同時に異物24の反射光2
5も異物24の存在領域の反対側より検出するようにし
である。すなわち、第6図の如く基板21の検査領域を
4個に分割して示すならば、レーザ光30aは領域Aと
Cを検査する場合に照射し、レーザ光30bは領域B、
Dを検査する場合に照射する。この場合レーザ光30a
、30bの切換えはミラー32(第2図)をモータ33
で90度回転させることにより行う。検出装置37aは
レーザスポット80が基板21の面上のAないしBの領
域にある時作動させ、検出装置37bはレーザスポット
80が基板21の面上のCないしDの領域に存在する時
に作動させる。即ち、ガルバノミラ−28の回転角に同
期して光′重子倍増管等の光電変換素子38 aまたは
38bの検出信号を゛It気回路によって導通、非導通
(オン・オフ)させることになる。また、基板21の中
心寄りに異物24が存在する場合と端に異物24が存在
する場合とでは、5′4物からの反射光25の検出感度
が変化するため本装置では異物検出のための電気を的す
閾値(スライスレベル)を基板21而J−ル−ザスポッ
ト80の位置に同期して変化するようにしである。
5 and 6 show the irradiation direction of the laser beam 3o and the foreign matter 24.
FIG. 3 is a diagram showing the direction in which reflected light 25 is detected. Laser beams 30a and 3ob and reflected light 25 from foreign matter 24 are reflected by the pellicle frame 22.
As a means to prevent the laser beams from being blocked, the substrate 21 is divided into two halves as shown in FIG.
5 is also designed to be detected from the opposite side of the area where the foreign object 24 exists. That is, if the inspection area of the substrate 21 is divided into four parts as shown in FIG. 6, the laser beam 30a is irradiated when inspecting areas A and C, and the laser beam 30b is irradiated when inspecting areas B,
Irradiate when inspecting D. In this case, the laser beam 30a
, 30b, the mirror 32 (Fig. 2) is switched by the motor 33.
This is done by rotating it 90 degrees. The detection device 37a is activated when the laser spot 80 is in the area A or B on the surface of the substrate 21, and the detection device 37b is activated when the laser spot 80 is in the area C or D on the surface of the substrate 21. . That is, in synchronization with the rotation angle of the galvanometer mirror 28, the detection signal of the photoelectric conversion element 38a or 38b, such as a photomultiplier, is made conductive or non-conductive (on/off) by the electric circuit. In addition, the detection sensitivity of the reflected light 25 from the 5'4 object changes depending on whether the foreign object 24 is present near the center of the substrate 21 or the foreign object 24 is present near the edge. The threshold value (slice level) for applying electricity is changed in synchronization with the position of the laser spot 80 on the substrate 21.

第7図に検出回路の概略を示す。光電変換宏−f−38
aまたは38bのアナログ信号は電圧増幅器42a、4
2bを経てマルチプレクサ/1;3に人力する。マルチ
プレクサ43は、ガルバノミラ−F、J4 !tj+ 
”装置44から出る回転角に比例した第8図(a)に示
す駆動信号50に同期して、第8図()〕)に示すゲー
ト・信号51を形成し、光電変換素子38a、または3
8bのいずれかの信号のみを通す。第8図(d)に示す
アナログ(?j号52は、閾値回路(コンパレータ)4
7により、ガルバノミラ−駆動装置44から出る電気信
号と同期して電圧を可変する閾値発生回路46で発生す
る第8図(c)に示す可変閾値信号53と比較され、第
8図(e)に示す信号54が得られる。この場合、検出
信号52が閾値53を越えた場合にA/D変換器49に
より検出信号52のピーク値を、ガルバノミラ−駆動装
置44から得られるy座標電気信号50とテーブル駆動
装置45のX座標検出センサから得られるX座標ffl
気イ3号とに基いて定まる基板21上の(x、y)座標
位置に対応させて記憶装置48に記憶するので、異物の
(x、y)存在位置が把握でき、顕微鏡等によって異物
検出後に異物の寸法・形状のamが可能である。
FIG. 7 shows an outline of the detection circuit. Photoelectric conversion Hiroshi-f-38
The analog signal of a or 38b is sent to a voltage amplifier 42a, 4
2b to multiplexer/1;3. The multiplexer 43 is a galvanometer mirror F, J4! tj+
"In synchronization with the drive signal 50 shown in FIG. 8(a) which is proportional to the rotation angle output from the device 44, the gate signal 51 shown in FIG.
Only one of the signals of 8b is passed. The analog (?j number 52 shown in FIG. 8(d) is the threshold circuit (comparator) 4
7 is compared with the variable threshold signal 53 shown in FIG. 8(c) generated by the threshold generating circuit 46 which varies the voltage in synchronization with the electric signal output from the galvanometer mirror drive device 44, and the signal shown in FIG. 8(e) is compared with the variable threshold signal 53 shown in FIG. A signal 54 shown is obtained. In this case, when the detection signal 52 exceeds the threshold value 53, the A/D converter 49 converts the peak value of the detection signal 52 into the y-coordinate electric signal 50 obtained from the galvanomirror drive device 44 and the X-coordinate of the table drive device 45. X coordinate ffl obtained from the detection sensor
Since it is stored in the storage device 48 in correspondence with the (x, y) coordinate position on the substrate 21 determined based on the number 3, the (x, y) location of the foreign object can be known, and the foreign object can be detected using a microscope or the like. Later, it is possible to measure the size and shape of the foreign object.

以上述べた説明は基板21の一ヒ表面異物検出装置85
によるものであるが、基板21の下表面の異物を検出す
る際には、第9図の如く基板21の下表面異物検出装置
90を基板21の下面に更に1組設置することにより可
能である。
The above explanation is based on the surface foreign matter detection device 85 of the substrate 21.
However, when detecting foreign matter on the lower surface of the substrate 21, it is possible to detect foreign matter on the lower surface of the substrate 21 by installing an additional set of lower surface foreign matter detection devices 90 on the lower surface of the substrate 21 as shown in FIG. .

この場合、装置の構成および電気回路の構成は全く同様
なもので良い。
In this case, the configuration of the device and the configuration of the electric circuit may be exactly the same.

1/】0縮小投影式マスグアライナ用のレチクルでは、
レチクル上面の異物10〜20μm以上、下面パターン
面上の異物2〜5μm以北を検出する必要があるため、
上・下面検出装着85.90の閾値を上記異物検出レベ
ルに設定又、以上の説明はレチクル異物検査m体として
いるが、本装置をマスクアライナに装着することにより
、マスクアライナへのレチクル装着後の付着異物をも、
検査することが可能となる。
1/] In the reticle for 0 reduction projection type mass aligner,
It is necessary to detect foreign objects of 10 to 20 μm or more on the top surface of the reticle and foreign objects of 2 to 5 μm or more on the bottom pattern surface.
The threshold value of upper/lower surface detection mounting 85.90 is set to the above foreign object detection level.In addition, although the above explanation is based on reticle foreign object inspection, by mounting this device on a mask aligner, it is possible to Also removes foreign matter from
It becomes possible to inspect.

以上説明したように本発明では、基板面」二に装着され
た107m のペリクルの枠22(厚さ2IIN11.
高さ4 wn 、又は6.3mm)の影響をさけるため
に、第10図に示す如くペリクルの枠の影響を受けずに
、基板面上を照明できる位置(α=22.5°±15°
)に照明装置(27゜29)を設け、これと直角(90
度±10度)に基板の斜上方(β=22.5°±15°
)に検出装置37を設けて、基板2】上の異物を検出す
ることにある。しかし本発明では照明光を基板21に対
し斜方向より照射するため、第4図に示す如くペリクル
膜体の枠22の上面からの反射光26a、レチクルパタ
ーン面21aからの反射光26b、ペリクル膜23上の
異物58からの反射光26cを基板21面上の異物とし
て誤検出してしまう。ここで異物58が基板21より離
れているので、投影露光する際焦点ボケとなり、検査は
不要である。
As explained above, in the present invention, the 107 m pellicle frame 22 (thickness 2IIN11.
In order to avoid the influence of the height 4 wn or 6.3 mm), we set a position (α = 22.5° ± 15°) where the substrate surface can be illuminated without being affected by the pellicle frame, as shown in Figure 10.
) with a lighting device (27°29) installed at right angles (90°) to this.
degree ±10 degrees) and diagonally above the board (β = 22.5 degrees ± 15 degrees)
) is provided with a detection device 37 to detect foreign matter on the substrate 2. However, in the present invention, since the illumination light is irradiated onto the substrate 21 from an oblique direction, as shown in FIG. The reflected light 26c from the foreign object 58 on the substrate 23 is mistakenly detected as a foreign object on the surface of the substrate 21. Here, since the foreign object 58 is separated from the substrate 21, the image is out of focus during projection exposure, and no inspection is necessary.

そこで本発明は、第10図に示すピンホール状 遮光装
置57および第11図に示すスリット状遮 光装置39
を検出装置に付加したことによって誤検出への対処を行
った。第10図に示すピンホール状遮光装置57を付加
した検出装置を用いて基板面上の異物を検出する場合は
基板21をXおよびX方向に移動または回転しながら一
方向に移動するテーブル(図示せず)上に載置して2次
元的に走査する必要がある。
Therefore, the present invention provides a pinhole-shaped light shielding device 57 shown in FIG. 10 and a slit-shaped light shielding device 39 shown in FIG.
By adding this to the detection device, we took measures against false detections. When detecting foreign matter on a substrate surface using a detection device equipped with a pinhole-shaped light shielding device 57 shown in FIG. 10, a table (see FIG. (not shown) and scan in two dimensions.

また、第11図に示すスリット状遮光装置39を付加し
た検出装置を用いて基板21の面上の異物24を検出す
る場合は、照明光を走査手段(ガルバノミラ−28とf
・0レンズ31等から構成される。)で一方向(X方向
)に走査して基板21をX方向テーブル(図示せず)に
載置して照明光の走査と直交する方向(X方向)に移動
することにより基板全面上の異物検出が可能である。以
上述べた第10及び第11図に示すピンホール、スリッ
ト状遮光装置を本発明に採用したことにより、第12図
に示すようなペリクルの枠22などの反射光の影響を受
けずに、基板面上の異物検出が高感度に行える。又、照
明光に偏光を用い、検出装置に検光子41を付加するこ
とにより、従来技術に述べている如く異物と回路パター
ンの段差部との間の散乱反射光の偏光角度特性の違いを
利用して更に微小異物の感度向上をはかることができる
In addition, when detecting the foreign matter 24 on the surface of the substrate 21 using a detection device equipped with a slit-shaped light shielding device 39 shown in FIG.
- Consists of 0 lens 31, etc. ) is scanned in one direction (X direction), the substrate 21 is placed on an Detection is possible. By employing the pinhole and slit-shaped light shielding device shown in FIGS. 10 and 11 described above in the present invention, the substrate can be protected without being affected by reflected light from the pellicle frame 22 as shown in FIG. Foreign matter on surfaces can be detected with high sensitivity. In addition, by using polarized light for the illumination light and adding an analyzer 41 to the detection device, the difference in polarization angle characteristics of the scattered reflected light between the foreign object and the stepped portion of the circuit pattern can be utilized as described in the prior art. By doing so, it is possible to further improve the sensitivity of minute foreign matter.

まお、上記実施例において傾斜角α′、βは小さい程、
偏光角度変化が有効に検出出来るので、検出感度が向上
するが、ペリクルの枠等の影響からα、β共に角度22
.5±15度が最適である。更に検出装置37a、37
bの光軸(スリットの中心)を第6図の42口の点(レ
チクル移動時には線x、x2)に向けると、検出感度の
均一性を向上させることができる。
Well, in the above example, the smaller the inclination angles α' and β, the more
Changes in polarization angle can be detected effectively, improving detection sensitivity, but due to the influence of the pellicle frame, both α and β angles of 22
.. 5±15 degrees is optimal. Furthermore, detection devices 37a, 37
The uniformity of detection sensitivity can be improved by directing the optical axis b (center of the slit) toward the 42 points in FIG. 6 (line x, x2 when moving the reticle).

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によれば、枠にペリクルを
形成した異物付着防止手段を基板に装着した状態で、基
板表面を少なくとも4分割して検出できるように構成し
たので、ペリクル、枠等の影響を受けずに基板表面全面
に亘って回路パターンを有する基板面トに存在する1〜
2μmの大きさの微小異物を正確に検出でき、基板に付
着した異物に基づく不良露光をなくし、半導体生産の大
きな歩留まり向上に寄与できるようにした効果を奏する
As explained above, according to the present invention, the substrate surface is divided into at least four parts and can be detected with the foreign matter adhesion prevention means in which the pellicle is formed on the frame attached to the substrate. 1 to 1 present on a board surface that has a circuit pattern over the entire surface of the board without being affected by
It is possible to accurately detect minute foreign matter with a size of 2 μm, eliminate defective exposure due to foreign matter adhering to the substrate, and contribute to a significant improvement in yield in semiconductor production.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来技術を説明するための図、第2図は本発明
の一実施例を示す構成図、第3図は本発明の基本構成を
示す図、第4図はペリクル枠の影響を示す図、第5図は
照明光と検査領域の関係および異物検出方向と検査領域
の関係を示す図、第6図は基板上の検査領域の関係を示
す図、第7図は本発明の電気回路を示す図、第8図は第
7図に示す回路で得られる信号波形を示す図、第9図は
基板の上、下面を検査する装置の構成を示す図、第10
図(A)は第3図に示す検出装置にピンホールの遮光装
置を備え付けた場合を示した図、第10図(B)は第1
0図(A)のA 1o矢視拡大図、第11図(Δ)は検
出装置にスリット遮光装置を備え付けた場合を示した図
、第11図(B)は第11図(A)のA z 、矢視拡
大図、第12図(A)、(B)は本発明の特徴を示す図
である。 21・・・基板 22・・・ペリクル砿体の枠 23・・・ペリクル膜− 24・・・異物 27・・・レーザ発振器 29・・・偏光素子 31・・・f・θレンズ 38 、38 a 、 38 b ・−光電変換素子3
9.39a、39b・・・スリット状遮光装同40 、
40 a 、 40 b−集光レンズ4 L 、 41
 a 、 4 l b −検光装置42a、42b・・
・電圧増幅器 43・・・マルチプレクサ 44・・・ガルバノミラ−駆動装置 45・・・テーブル駆動装置 48・・・記憶装置 汁 !O ÷(至)、5呻・・・異物検出袋に 57・・・ピンホール状遮光装置
Fig. 1 is a diagram for explaining the prior art, Fig. 2 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 3 is a diagram showing the basic structure of the present invention, and Fig. 4 is a diagram showing the influence of the pellicle frame. 5 is a diagram showing the relationship between the illumination light and the inspection area, and the relationship between the foreign object detection direction and the inspection area. FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the inspection area on the board. FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the inspection area on the board. FIG. 8 is a diagram showing the signal waveform obtained by the circuit shown in FIG. 7. FIG.
Figure (A) is a diagram showing the case where the detection device shown in Figure 3 is equipped with a pinhole light blocking device, and Figure 10 (B) is a diagram showing the case where the detection device shown in Figure 3 is equipped with a pinhole light shielding device.
11 (Δ) is a diagram showing the case where the detection device is equipped with a slit light shielding device, and FIG. 11 (B) is the A 1 o arrow enlarged view in Figure 11 (A). z, an enlarged view in the direction of arrows, and FIGS. 12(A) and 12(B) are diagrams showing features of the present invention. 21...Substrate 22...Pericle rod frame 23...Pellicle film- 24...Foreign object 27...Laser oscillator 29...Polarizing element 31...F/θ lenses 38, 38 a , 38 b - photoelectric conversion element 3
9.39a, 39b...slit-shaped light shielding device 40,
40a, 40b-condensing lens 4L, 41
a, 4lb - Analyzers 42a, 42b...
・Voltage amplifier 43...Multiplexer 44...Galvano mirror drive device 45...Table drive device 48...Storage device! O ÷ (to), 5 groans...57 in the foreign object detection bag...pinhole-shaped light shielding device

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、光源と、該光源からの光を、枠にペリクルを形成し
た異物付着防止手段を装着した基板表面上に上記ペリク
ルを通して相対向して傾斜させて集光照明する対なる照
明光学系と、該照明光学系で照射される方向に対して基
板面においてほぼ90度なる方向から相対向して上記基
板上に存在する異物からの反射光を上記ペリクルを通し
て検出する対なる検出光学系と、該各光学系から得られ
る光を受光して信号に変換する光電変換手段とを備え、
該光電変換手段から得られる信号に基いて上記基板表面
全面について基板表面に付着した異物を検出するように
形成したことを特徴とする異物検出装置。
1. A light source, and a companion illumination optical system that condenses and illuminates the surface of a substrate equipped with a foreign matter adhesion prevention means having a pellicle formed in a frame by tilting the light from the light source to face each other through the pellicle; a pair of detection optical systems configured to detect reflected light from a foreign substance existing on the substrate through the pellicle, facing each other from a direction approximately 90 degrees on the substrate surface with respect to the direction irradiated by the illumination optical system; and photoelectric conversion means for receiving light obtained from each optical system and converting it into a signal,
A foreign matter detection device characterized in that it is configured to detect foreign matter attached to the substrate surface over the entire surface of the substrate based on a signal obtained from the photoelectric conversion means.
JP63135484A 1988-06-03 1988-06-03 Foreign matter detector Granted JPS64453A (en)

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