JPH0142628B2 - - Google Patents

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JPH0142628B2
JPH0142628B2 JP18803583A JP18803583A JPH0142628B2 JP H0142628 B2 JPH0142628 B2 JP H0142628B2 JP 18803583 A JP18803583 A JP 18803583A JP 18803583 A JP18803583 A JP 18803583A JP H0142628 B2 JPH0142628 B2 JP H0142628B2
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JP
Japan
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surface treatment
level
plate
target level
light
Prior art date
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Application number
JP18803583A
Other languages
Japanese (ja)
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JPS6079728A (en
Inventor
Nobutoshi Ookami
Masaru Kitagawa
Hisao Nishizawa
Masakazu Saida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Priority to US06/611,420 priority patent/US4569717A/en
Publication of JPS6079728A publication Critical patent/JPS6079728A/en
Publication of JPH0142628B2 publication Critical patent/JPH0142628B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72Repair or correction of mask defects
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 この発明は、たとえばフオトマスクの製造工程
におけるエツチング処理などによる基板の表面処
理時の処理状態を検知し、その処理の終点を正確
に検出する方法に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] (a) Field of Industrial Application This invention detects the processing state during surface processing of a substrate such as etching processing in the manufacturing process of a photomask, and accurately detects the end point of the processing. It is about the method.

(ロ) 従来技術 半導体の製造に使用されるフオトマスクは、通
常、金属を表面に薄く蒸着したガラス等の基板に
フオトレジストを塗布し、この基板上にフオトレ
ジスト膜を形成する工程、このフオトレジスト膜
に所定のマスクパターンを焼付け、しかる後所定
の現像液で現像することによつてフオトレジスト
膜をパターン化する工程、現像処理により露出し
た金属薄膜をエツチングする工程などを経て作成
される。かかるフオトマスクの作成工程のうち、
とくにエツチングの工程では高精度な処理が要求
されるところから、その処理の終点の正確な制御
が必要となる。そのため、従来からこのエツチン
グ処理の終点を高精度に検出するための種々の試
みがなされている。たとえば、特開昭56−158872
号では、フオトマスク面上の有効領域外にエツチ
ングの進行度合を検出するための光透過率測定用
区域を設け、この区域における光透過率を測定
し、その測定結果からエツチング処理の終点を検
出する方法が提案されている。
(b) Prior art Photomasks used in the manufacture of semiconductors are usually manufactured through a process in which a photoresist is applied to a substrate such as glass with a thin layer of metal deposited on the surface, and a photoresist film is formed on the substrate. It is created through the steps of patterning the photoresist film by printing a predetermined mask pattern on the film and then developing it with a predetermined developer, and etching the metal thin film exposed by the development process. Among the steps for creating such a photomask,
In particular, since highly accurate processing is required in the etching process, it is necessary to accurately control the end point of the process. Therefore, various attempts have been made to detect the end point of this etching process with high precision. For example, JP-A-56-158872
In this issue, a light transmittance measurement area is provided outside the effective area on the photomask surface to detect the progress of etching, the light transmittance in this area is measured, and the end point of the etching process is detected from the measurement results. A method is proposed.

しかしながら、この先願発明ではエツチング処
理の終点を検知する方法として、透過光量の前後
2回のサンプル値の差分をとり、それを連続した
10点位で平均化し、その平均値がゼロに近づくの
を検知してエツチング処理の終点を求める方法が
採られているので、エツチングの進行度合が一時
停滞するような場合、たとえば、蒸着された金属
薄膜上にエツチング処理液に対し難溶性の酸化膜
があるような場合には、エツチング処理の真の終
点に到る前に、前記一時停滞をもつてエツチング
処理の終点と看なされてしまう惧れがある。ま
た、金属薄膜を蒸着したガラス基板に対する透過
光量は、蒸着される金属の種類やこの金属の酸化
膜の有無、あるいはガラス基板の材質、厚さなど
により様々に変化するので、前記のような平均化
処理では、エツチング処理の終点を正確に検出す
ることができない難点がある。
However, in this prior invention, the method of detecting the end point of the etching process is to take the difference between the two sample values before and after the amount of transmitted light, and then calculate the difference between the two sample values before and after the amount of transmitted light.
This method calculates the end point of the etching process by averaging around 10 points and detecting when the average value approaches zero. If there is an oxide film on the metal thin film that is poorly soluble in the etching solution, there is a risk that the temporary stagnation may be regarded as the end point of the etching process before the etching process reaches its true end point. There is. In addition, the amount of light transmitted through a glass substrate on which a metal thin film is deposited varies depending on the type of metal being deposited, the presence or absence of an oxide film of this metal, the material and thickness of the glass substrate, etc. The etching process has the disadvantage that it is not possible to accurately detect the end point of the etching process.

一方、表面処理を行う回転処理装置(スピンナ
ー)にガラス基板などを保持させる手段として
は、スピンナーヘツド部の真空チヤツクによる真
空吸着方式が一般的であるが、その他に、ガラス
基板などの四隅を固定保持する簡易形の固定保持
アーム方式のものが知られている。
On the other hand, as a means for holding glass substrates etc. in a rotary processing device (spinner) that performs surface treatment, a vacuum chuck system using a vacuum chuck on the spinner head is generally used. A simple type of fixed holding arm type holding device is known.

この簡易形の固定保持アーム方式のスピンナー
ヘツドを使用する場合には、ガラス基板などの四
隅を保持するためのアームが、この基板などに対
する透過光量を検出するための光束を断続的にし
や断してしまうので、前記したような平均化処理
では、エツチング処理の終点の正確な検出はさら
に困難となる。
When using this simple fixed holding arm type spinner head, the arms that hold the four corners of a glass substrate, etc., intermittently interrupt the light beam used to detect the amount of light transmitted through the substrate. Therefore, in the above-described averaging process, it becomes more difficult to accurately detect the end point of the etching process.

また、本願出願人は、本願以前にも特公昭62−
40701号、特開昭59−215727号として本願と同様
な表面処理の終点検出方法を出願しているが、い
ずれの方法も、被処理板状体を透過(もしくは反
射)した光ビームを光電変換して得た検出信号の
レベルが所定の目標レベルを所定時間内に越えた
か否かを検知し、越えた場合には新たな目標レベ
ルを繰返し設定し、最終的に設定された目標レベ
ルを所定時間経過後も越えなくなつた時、当該時
点を表面処理の終点となす方法であつた。
In addition, the applicant of the present application had previously filed the patent application in Japanese Patent Publication No. 62-
No. 40701 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 59-215727 have filed applications for methods for detecting the end point of surface treatment similar to the present application, but both methods involve photoelectric conversion of a light beam transmitted (or reflected) through a plate-like object to be treated. It detects whether the level of the detection signal obtained by This was a method in which when the temperature no longer exceeded even after a certain period of time had elapsed, that point was regarded as the end point of the surface treatment.

しかしながらこれらの方法では、被処理板状体
が全面にわたつて均一に表面処理が進行している
か否かをチエツクすることができないため、被処
理板状体の一部のみで表面処理が進行した場合で
も誤つて表面処理の終点と検知してしまう難点が
あつた。
However, with these methods, it is not possible to check whether the surface treatment is progressing uniformly over the entire surface of the plate-like object to be treated, so it is possible that the surface treatment has progressed only on a part of the plate-like object to be treated. Even in some cases, there was a problem in that the end point of the surface treatment could be mistakenly detected.

(ハ) 発明の目的 この発明は、前記した従来方法における不都合
および本願出願人が既に出願した発明における難
点を解決すべくなされたもので、前記簡易形の固
定保持アーム方式のスピンナーヘツドを用いた場
合でも、あるいはいかなる透過光量特性を有する
フオトマスクであつても、エツチング処理などの
表面処理の終点をきわめて正確に検出することが
できる新たな方法を提供することを目的とする。
(c) Purpose of the Invention This invention was made to solve the disadvantages of the conventional method described above and the difficulties of the invention already filed by the applicant, and it uses the simple fixed holding arm type spinner head described above. It is an object of the present invention to provide a new method that can extremely accurately detect the end point of surface treatment such as etching treatment, regardless of the photomask's characteristics of the amount of transmitted light.

(ニ) 発明の構成 この発明は、たとえば第1図のイ〜ニに示すよ
うに、エツチング処理の当初においては、フオト
マスク等の各被処理板状体の透過光量特性は様々
に変化するが、処理が進むにつれて、各透過光量
特性はほぼ類似してくるという知見に基づいてな
されたものであり、その構成とするところは、被
処理板状体に対する透過光量を光電変換素子で検
出し、この検出レベルの変化から前記被処理板状
体の表面処理状態を検知する方法において、前記
検出レベルが所定時間内に所定の目標レベルを所
定回数連続して越えたか否かを検知し、越えたと
きには、つぎの新たな目標レベルを設定して、検
出レベルがこの新たに設定された所定の目標レベ
ルを所定時間内に越えたか否かを繰返し検知し、
検出レベルが所定時間内に所定の目標レベルを所
定回数連続して越えなくなつたことが検知された
ときは、この時点をもつて表面処理の終点とする
ことを特徴とするものである。あわせて、この発
明では、処理開始当初において初期の目標レベル
を比較的大きくして検知することにより様々に変
化する処理開始当初の透過光量特性に左右されず
に、適確に処理状態を検知することができ、処理
が進むにつれ、より細かな目標レベルを設定して
検知することにより検知精度を上げるようにした
もので、検出レベルが所定時間内に所定の目標レ
ベルを所定の回数連続して越えなくなつたことが
検知されたとき、この時点をもつて処理の終点と
するものである。
(D) Structure of the Invention The present invention provides that, as shown in FIG. This was done based on the knowledge that as the processing progresses, the characteristics of each transmitted light amount become almost similar.The structure is based on the fact that the amount of transmitted light to the plate-shaped object to be processed is detected by a photoelectric conversion element, and this In the method of detecting the surface treatment state of the plate-like object to be treated from a change in the detection level, it is detected whether the detection level exceeds a predetermined target level a predetermined number of times in a row within a predetermined time, and when the detection level exceeds the target level, , setting a next new target level and repeatedly detecting whether the detection level exceeds this newly set predetermined target level within a predetermined time;
When it is detected that the detection level no longer exceeds a predetermined target level for a predetermined number of consecutive times within a predetermined time, this point is set as the end point of the surface treatment. In addition, in this invention, by detecting a relatively large initial target level at the beginning of processing, the processing state can be accurately detected without being influenced by the transmitted light amount characteristics that change in various ways at the beginning of processing. As the processing progresses, the detection accuracy is increased by setting and detecting finer target levels. When it is detected that the limit is no longer exceeded, the process ends at this point.

(ホ) 発明の実施例 第2図および第3図は、この発明の実施に使用
する固定保持アーム方式のスピンナーヘツド部の
概略構成を示すもので、第2図は前記ヘツド部の
平面図を示し、第3図はその−線断面を矢印
方向にみた側断面図である。
(E) Embodiments of the Invention FIGS. 2 and 3 show a schematic configuration of a fixed holding arm type spinner head used in carrying out the present invention, and FIG. 2 shows a plan view of the head. 3 is a side cross-sectional view of the - line cross-section viewed in the direction of the arrow.

これらの図面において、被処理板状体1はガラ
ス基板、あるいはシリコンなどの半導体基板Gの
表面に金属薄膜を蒸着し、その上面にフオトレジ
ストを塗布、乾燥させてフオトレジスト膜を形成
し、ついで、このフオトレジスト膜に所定のパタ
ーンを焼付、現像したものである。ヘツド部はス
ピンドルSPに同軸状に結合された中央部Cと、
この中央部Cから水平面内において等角度間隔に
て放射状に配置されたアーム2と、各アーム2の
先端部上面に形成された一対の基板保持用ピン3
と、基板載置用ピン4とから構成されており、被
処理板状体1は、基板載置用ピン4上に載置さ
れ、その四隅を基板保持用ピン3で保持されたま
ま、水平面内で回転せしめられるようになつてい
る。
In these drawings, a plate-like object 1 to be processed is a glass substrate or a semiconductor substrate G made of silicon, etc., on which a metal thin film is deposited, a photoresist is applied and dried to form a photoresist film on the upper surface, and then a photoresist film is formed. , a predetermined pattern is printed and developed on this photoresist film. The head part has a central part C coaxially connected to the spindle SP,
Arms 2 are arranged radially from the center C at equal angular intervals in a horizontal plane, and a pair of substrate holding pins 3 are formed on the upper surface of the tip of each arm 2.
and a substrate mounting pin 4. The plate-shaped object 1 to be processed is placed on the substrate mounting pin 4, and is placed on a horizontal surface while its four corners are held by the substrate holding pins 3. It is designed so that it can be rotated internally.

また、前記スピンドルSPには、第4図に一例
を示す如く、アーム2と同数の切欠き部18を備
えた円板17が固設されており、該円板17の切
欠き部18を検出するためフオトセンサ16が当
該円板17と対向して付設されている。
Further, as shown in an example in FIG. 4, a disk 17 having the same number of notches 18 as the arms 2 is fixed to the spindle SP, and the notches 18 of the disk 17 are detected. In order to do this, a photo sensor 16 is provided opposite the disc 17.

光量検出部Sは、アーム2の基板載置用ピン4
上に水平に載置された被処理板状体1の上下面に
対向して配設され、その一端が受光素子8と発光
素子8′にそれぞれ接続される受光用フアイバー
5と投光用光フアイバー6、ならびにこれら光フ
アイバー5,6の受光端部、投光端部をそれぞれ
保持するようにしたホルダー7とから構成されて
おり、被処理板状体1に対する透過光量を検出す
るようにされている。なお、これら光フアイバー
5および6の受光端部および投光端部は、噴射ノ
ズル(図示せず)からのエツチング処理液が付着
しないように保持しておくことが必要である。さ
らには、投光用フアイバー6を省略し、発光素子
8′を直接受光用フアイバー5の受光端部に対向
させて設けるようにしてもよい。
The light amount detection unit S is connected to the board mounting pin 4 of the arm 2.
A light-receiving fiber 5 and a light-emitting light are arranged opposite to the upper and lower surfaces of the plate-like object 1 to be processed placed horizontally above, and one end of which is connected to a light-receiving element 8 and a light-emitting element 8', respectively. It consists of a fiber 6 and a holder 7 that holds the light receiving end and the light emitting end of these optical fibers 5 and 6, respectively, and is designed to detect the amount of light transmitted to the plate-shaped object 1 to be processed. ing. Incidentally, it is necessary to hold the light-receiving end and the light-emitting end of these optical fibers 5 and 6 so that the etching solution from a spray nozzle (not shown) will adhere to them. Furthermore, the light-emitting fiber 6 may be omitted and the light-emitting element 8' may be provided directly facing the light-receiving end of the light-receiving fiber 5.

第5図は、この発明にかかる方法を実施するた
めの装置全体の概略構成図である。同図中8は、
前記受光用光フアイバー5によつて伝導された透
過光を、その光量に対応した電気量(電圧)に変
換する光電変換素子であり、9はこの光電変換素
子8の出力を増幅する増幅器であり、この増幅器
9によつて増幅された出力信号はA/D変換器1
0に入力されるとともに、比較器11の一方の端
子にも入力される。比較器11の他方の端子に
は、D/A変換器12を介して中央演算処理装置
(CPU)14からの出力信号が基準電圧として入
力され、前記増幅器9からの出力信号がこの基準
電圧以上になると、比較器11からはパルス状の
判別信号Epが出力されるよう構成されている。
そして比較器11から出力された判別信号Epは、
カウンタ回路13に入力され、後述する如くに処
理された後、該カウンタ回路13からEND信号
としてCPU14に入力される。
FIG. 5 is a schematic diagram of the entire apparatus for carrying out the method according to the present invention. 8 in the same figure is
A photoelectric conversion element converts the transmitted light transmitted by the light-receiving optical fiber 5 into an amount of electricity (voltage) corresponding to the amount of light, and 9 is an amplifier that amplifies the output of the photoelectric conversion element 8. , the output signal amplified by this amplifier 9 is sent to the A/D converter 1
0 and is also input to one terminal of the comparator 11. The output signal from the central processing unit (CPU) 14 is input as a reference voltage to the other terminal of the comparator 11 via the D/A converter 12, and the output signal from the amplifier 9 is higher than this reference voltage. When this happens, the comparator 11 is configured to output a pulse-like discrimination signal Ep.
The discrimination signal Ep output from the comparator 11 is
After being input to the counter circuit 13 and processed as described later, the signal is input from the counter circuit 13 to the CPU 14 as an END signal.

CPU14は検出された透過光量レベルに応じ
て内蔵のメモリに予め設定された後述する所定の
基準レベル値E1,E2(E1>E2)を選択し、たとえ
ばVo1=V(o-1)1+E1(n=2、3、…)に相当す
る演算を行ない、この演算値を前記D/A変換器
12を介してアナログ基準電圧(目標レベル)
Vo1として比較器11に設定するとともに、CPU
14に入力した前記END信号ならびに内蔵のタ
イマーにあらかじめ設定された所定時間により、
被処理板状体1の処理状態が検知できる構成とな
つている。
The CPU 14 selects predetermined reference level values E 1 and E 2 (E 1 > E 2 ), which will be described later and is preset in the built-in memory, according to the detected transmitted light amount level, and for example, V o1 = V (o- 1) Perform a calculation corresponding to 1 +E 1 (n=2, 3,...), and convert this calculated value to an analog reference voltage (target level) via the D/A converter 12.
Set it to comparator 11 as V o1 , and
14 and the predetermined time set in the built-in timer,
The processing state of the plate-shaped object 1 to be processed can be detected.

前記したカウンタ回路13は、たとえば第6図
に示す如くアンドゲート131、フリツプフロツ
プF/F回路132、カウンタ133から構成す
ることができ、このカウンタ回路13におけるア
ンドゲート131の一方の端子には、第7図aに
示す如く比較回路11で目標レベル(点線にて図
示)と比較され、当該目標レベルを越えた検出信
号のみが、第7図bに示す如き判別信号Epとし
て入力される。この判別信号Epはフオトセンサ
16からのゲート信号<第7図c>でアンドゲー
ト131が開かれている間のみ、このアンドゲー
ト131から第7図dに示す如きパルス状の信号
として出力される。このアンドゲート131から
の出力は、つぎにF/F回路132を「1」にセ
ツトし<F/F回路132はゲート信号の立下り
でリセツトされる>、第7図eの如きパルス信号
がF/F回路132から出力され、これらのパル
ス信号は、つぎにカウンタ133でカウントさ
れ、カウント数があらかじめ設定された数、たと
えば4になつたとき、カウンタ133は第7図f
に示す如きEND信号を出力する。なおこのカウ
ンタ133は、スピンナーヘツドの1回転分に相
当するパルス信号によつてリセツトされるよう構
成される。
The counter circuit 13 described above can be composed of an AND gate 131, a flip-flop F/F circuit 132, and a counter 133, as shown in FIG. As shown in FIG. 7a, the detection signal is compared with a target level (indicated by a dotted line) in the comparator circuit 11, and only the detection signal exceeding the target level is inputted as a discrimination signal Ep as shown in FIG. 7b. This discrimination signal Ep is output from the AND gate 131 as a pulse-like signal as shown in FIG. 7D only while the AND gate 131 is opened by the gate signal <FIG. 7C> from the photo sensor 16. The output from this AND gate 131 then sets the F/F circuit 132 to "1"<The F/F circuit 132 is reset at the fall of the gate signal>, and a pulse signal as shown in FIG. 7e is generated. These pulse signals output from the F/F circuit 132 are then counted by a counter 133, and when the count reaches a preset number, for example 4, the counter 133 is
Outputs the END signal as shown in . Note that this counter 133 is configured to be reset by a pulse signal corresponding to one revolution of the spinner head.

つぎにこの装置を用いてこの発明を実施する場
合の具体的な手順を第8図および第9図に示した
フローチヤートを参照して説明する。
Next, specific procedures for carrying out the invention using this apparatus will be explained with reference to the flowcharts shown in FIGS. 8 and 9.

まず初めに、図示されていない入力装置を用い
て複数の基準レベル値(エツチング処理状態を検
知するための目安となるレベル値)E1、E2と検
出時間T1,T2とをCPU14の内部メモリに設定
する(ステツプ、)。
First, a plurality of reference level values (level values serving as a guideline for detecting the etching processing state) E 1 and E 2 and detection times T 1 and T 2 are input to the CPU 14 using an input device (not shown). Set in internal memory (step,).

この場合の基準レベルE1,E2ならびに検出時
間T1,T2は、実験などによつて適宜決定される
のであるが、この発明では、エツチング処理が進
むにつれて、その処理状態の検知精度を上げるた
めに、E1≫E2に設定されている。
In this case, the reference levels E 1 , E 2 and detection times T 1 , T 2 are appropriately determined through experiments, etc., but in this invention, as the etching process progresses, the detection accuracy of the processing state is improved. In order to increase the value, E 1 ≫ E 2 is set.

この設定がすむと、つぎに処理前の被処理板状
体1に対する固有の透過光量を測定し、そのとき
の検出信号レベルV1′(=V11)をCPU14の内部
メモリに記憶させる(ステツプ)。
Once this setting is completed, the amount of transmitted light unique to the plate-shaped object 1 to be processed before processing is measured, and the detected signal level V 1 ' (= V 11 ) at that time is stored in the internal memory of the CPU 14 (step 1). ).

ついてエツチング処理を開始し(ステツプ)、
同時にタイマーを作動させる(ステツプ)。
Then, the etching process starts (step).
Activate the timer at the same time (step).

このタイマーの設定時間T1は被処理板状体1
の表面のエツチングによつて透過光量の変化があ
らわれ始める時間に選定することが好ましい。
The setting time T1 of this timer is the plate-like object 1 to be processed.
It is preferable to select the time at which the amount of transmitted light begins to change due to etching of the surface.

なお、このタイマーはカウンタで構成し、所要
のパルス信号をカウントすることにより、処理時
間を制御するようにしてもよい。
Note that this timer may be configured with a counter, and the processing time may be controlled by counting required pulse signals.

初期設定時間T1が経過すると、CPU14は、
その内部メモリに記憶されている第1の基準レベ
ル値E1を用いてV21=V11−E1なる演算を行ない、
この演算値を基準電圧(目標レベル)としてD/
A変換器12を介して比較器11の一方の端子に
入力する(ステツプ)。またタイマーT2をセツ
トする(ステツプ)。
When the initial setting time T 1 has elapsed, the CPU 14
Using the first reference level value E 1 stored in the internal memory, perform the calculation V 21 =V 11 −E 1 ,
Using this calculated value as the reference voltage (target level), D/
It is input to one terminal of the comparator 11 via the A converter 12 (step). Also, timer T2 is set (step).

ステツプでエツチング処理が開始されると、
スピンナーヘツド部は前記したように一定の回転
速度で回転しているので、第5図において、発光
素子8′から投光用フアイバー6をへて被処理板
状体1に照射される光束は第2図に示す4本のア
ーム2によつて1/4回転毎にしや断され、その結
果光電変換素子8からの出力信号の検出レベル
は、第10図に示すように変化する。なおこの第
10図においてV0はアーム2によつて照射光束
がしや断されたときの光電変換素子8からの出力
信号の検出レベルであり、またV1′(=V11)は、
エツチング処理前の被処理板状体1の透過光量に
相当する検出レベルである。そして被処理板状体
1に対するエツチング処理が進むにつれ、被処理
板状体1に照射された光束の透過光量が漸増し、
光電変換素子8からは第10図に示すようなパル
ス信号が出力される。これは被処理板状体1に施
されたマスクパターン、すなわちフオトレジスト
が残つた部分と、レジストが除去された部分とに
応じて出力される多数のクロツクパルス状の信号
のうち、エツチングの進行する部分からの信号の
みを模式的に示している。
When the etching process starts in the step,
Since the spinner head rotates at a constant rotational speed as described above, in FIG. It is cut off every 1/4 rotation by the four arms 2 shown in FIG. 2, and as a result, the detection level of the output signal from the photoelectric conversion element 8 changes as shown in FIG. Note that in FIG. 10, V 0 is the detection level of the output signal from the photoelectric conversion element 8 when the irradiation light beam is interrupted by the arm 2, and V 1 ′ (=V 11 ) is
This is a detection level corresponding to the amount of light transmitted through the plate-shaped object 1 to be processed before etching processing. As the etching process on the plate-like object 1 progresses, the amount of transmitted light of the light beam irradiated onto the plate-like object 1 gradually increases.
The photoelectric conversion element 8 outputs a pulse signal as shown in FIG. This is a clock pulse-like signal outputted according to the mask pattern applied to the plate-like object 1, that is, the portion where the photoresist remains and the portion from which the resist has been removed. Only the signals from the parts are schematically shown.

タイマーが設定時間T1を越えた時点で比較器
11において検出信号レベルと目標レベルV21
を比較し、検出信号レベルが目標レベルV21を越
えたか否かがチエツクされ、目標レベルV21を越
えておれば、比較器11より判別信号Epをカウ
ンタ回路13に出力する。このカウンタ回路13
では、前記した如く、判別信号Epによつてたと
えばアームで区分された領域ごとにF/F回路1
32がセツトされてパルス信号が作成され、この
パルス信号がカウンタ133にたとえば4回連続
して入力されたときには、カウンタ回路13は
CPU14にEND信号を出力する(ステツプ)。
これは被処理板状体1がスピンナーヘツドのアー
ム2によつて区分されるそれぞれの領域すべてに
同程度に処理が進行していることを確認するため
である。そのときの時間tが設定時間T2よりも
短い場合、CPU14は第1目標レベルをV31
V21+E1に再設定する。そして同時にタイマーを
T2に再設定する(ステツプ)。
When the timer exceeds the set time T1 , the comparator 11 compares the detected signal level with the target level V21 , checks whether the detected signal level exceeds the target level V21 , and sets the target level V21 . If it exceeds, the comparator 11 outputs a discrimination signal Ep to the counter circuit 13. This counter circuit 13
Now, as mentioned above, the F/F circuit 1 is activated for each area divided by arms, for example, by the discrimination signal Ep.
32 is set to create a pulse signal, and when this pulse signal is input to the counter 133 consecutively, for example four times, the counter circuit 13
Outputs the END signal to the CPU 14 (step).
This is to confirm that the processing is progressing to the same extent in all regions of the plate-like object 1 divided by the arms 2 of the spinner head. If the time t at that time is shorter than the set time T 2 , the CPU 14 sets the first target level to V 31 =
Reset to V 21 +E 1 . and at the same time set the timer
Reset to T 2 (step).

このようにステツプ〜を繰返えし、新たな
目標レベルが設定されてからカウンタ回路13の
カウンタ133でパルス信号<第7図e>が、た
とえば連続して4回カウントされるまでに要する
時間tが、設定時間T2よりも長くなつたとき、
ステツプからステツプに移る。そして第1目
標レベルから第2目標レベルVo1=V(o-1)1+E2
設定する(ステツプ)。ここにE2は第1の基準
レベル値E1に比べ格段に小さい第2の基準レベ
ル値である。
By repeating steps ~ in this way, the time required for the counter 133 of the counter circuit 13 to count the pulse signal <Fig. When t becomes longer than the set time T 2 ,
Move from step to step. Then, a second target level V o1 =V (o-1)1 +E 2 is set from the first target level (step). Here, E 2 is a second reference level value that is much smaller than the first reference level value E 1 .

同時にタイマーにT2を設定し、検出信号レベ
ルと目標レベルとを比較し、カウンタ回路13の
F/F回路132からのパルス信号がたとえば連
続して4回カウンタ133によつてカウントされ
たとき、いいかえれば、アームによつて区分され
た被処理板状体の各領域の透過光量レベルに対応
した検出信号レベルが各領域についてすべて目標
レベルを越えたとき、カウンタ回路13はEND
信号をCPU14に出力し、このときの時間tが
設定時間T2よりも短い場合には、ステツプか
らステツプにもどり再び新たな目標レベルを設
定する。
At the same time, T2 is set on the timer, the detected signal level and the target level are compared, and when the pulse signal from the F/F circuit 132 of the counter circuit 13 is counted, for example, four times in succession by the counter 133, In other words, when the detection signal level corresponding to the transmitted light amount level of each region of the plate-like object to be processed divided by the arm exceeds the target level for each region, the counter circuit 13 outputs END.
A signal is output to the CPU 14, and if the time t at this time is shorter than the set time T2 , the process returns from step to step and a new target level is set again.

ステツプにおいて時間tが設定時間T2より
も長い場合には、ステツプに移行し、その時点
を表面処理のエンドポイントとし、表面処理を停
止する。
If the time t is longer than the set time T2 in the step, the process moves to the step, and that point is set as the end point of the surface treatment, and the surface treatment is stopped.

ところで、実施例のフローチヤートにおいて
は、第2目標レベルVo1=V(o-1)1+E2で表面処理
の終点を検出するようにしているが、必要に応じ
て第3目標レベル、第4目標レベル、…をさらに
設定するようにしてもよい。また第2図に示す被
処理板状体1を保持固定するアーム2の数は4本
であるが、これが3本である場合にはカウンタ回
路13におけるEND信号発生条件はカウンタ1
33が連続して3回F/F回路132からのパル
ス信号をカウントしたときとなる。
By the way, in the flowchart of the embodiment, the end point of the surface treatment is detected at the second target level V o1 =V (o-1)1 + E2 , but the third target level and the third target level are detected as necessary. 4 target levels may be further set. Furthermore, the number of arms 2 that hold and fix the plate-like object 1 to be processed shown in FIG.
33 is when the pulse signal from the F/F circuit 132 is counted three times in succession.

なお前記した実施例では、被処理板状体の透過
光量の変化状態から表面処理の終点を検出する場
合について説明したが、かかる透過光量の変化で
はなく、被処理板状体に対する反射光量の変化か
ら、前記したような表面処理の終点を検出するこ
とも可能である。また前記した実施例では、被処
理板状体の表面処理をエツチング処理として説明
したが、この発明にかかる方法は、たとえば基板
などの現像処理における終点の検出にも適用する
ことができる。
In the above embodiment, the end point of the surface treatment is detected based on the change in the amount of light transmitted through the plate-like object to be processed. It is also possible to detect the end point of the surface treatment as described above. Further, in the above-described embodiments, the surface treatment of the plate-like object to be processed was explained as etching treatment, but the method according to the present invention can also be applied to detecting the end point in the development treatment of, for example, a substrate.

(ヘ) 発明の効果 以上説明したように、この発明は、被処理板状
体に対する透過光量もしくは反射光量を光電変換
素子で連続的に検出し、この検出レベルの変化か
ら被処理板状体の表面処理状態を検知する方法に
おいて、前記検出信号レベルが所定時間内に所定
の目標レベルを所定の回数、連続して越えたか否
かを検知し、越えたときには、つぎの目標レベル
を設定することにより、繰返えし検出信号レベル
の変化を検知し、検出信号レベルが所定時間内に
所定の目標レベルを越えなくなつたことが検知さ
れたときは前記目標レベルより細かい新たな目標
レベルを設定し、最終的にこの新たな目標レベル
を検出信号レベルが所定時間内に越えなくなつた
時点をもつて表面処理の終点としているため、た
とえば保持用アームによつて区分される被処理板
状体の各区分領域全ての検出信号レベルが目標レ
ベルを越えたか否かを正確に検知することができ
る。
(F) Effects of the Invention As explained above, the present invention continuously detects the amount of transmitted light or the amount of reflected light with respect to the plate-like object to be processed using a photoelectric conversion element, and detects the amount of light transmitted or reflected from the plate-like object to be processed based on the change in the detection level. In the method for detecting a surface treatment state, detecting whether the detection signal level exceeds a predetermined target level a predetermined number of times consecutively within a predetermined time, and setting the next target level when the level exceeds the predetermined target level. repeatedly detects changes in the detection signal level, and when it is detected that the detection signal level no longer exceeds a predetermined target level within a predetermined time, a new target level that is finer than the target level is set. Finally, the end point of the surface treatment is the point at which the detection signal level no longer exceeds this new target level within a predetermined time. It is possible to accurately detect whether the detection signal levels of all the divided regions exceed the target level.

すなわち、被処理板状体が固定保持アーム方式
の簡易形スピンナヘツドに保持されて表面処理が
なされる場合においても、検出信号レベルが所定
の目標レベルを所定の時間内に所定の回数連続し
て越えなくなつた時点をこの表面処理の終点とな
すようにされているから、被処理板状体のほぼ全
域にわたつてその処理の終点を検出することがで
きる。
In other words, even when surface treatment is carried out on a plate-shaped object to be processed while being held in a simple spinner head using a fixed holding arm, the detection signal level will exceed a predetermined target level consecutively for a predetermined number of times within a predetermined time. Since the end point of this surface treatment is set at the point in time when the particles disappear, it is possible to detect the end point of the treatment over almost the entire area of the plate-like object to be treated.

またこの発明にかかる方法は、表面処理の当初
において目標レベルを大きく設定しておけば、表
面処理の透過光量特性が当初において如何に変化
してもかかる変化には捉われず適確に処理状態を
検知することができる。さらに、表面処理が進行
するにつれてより細かな目標レベルを設定して、
この目標レベルと検出信号レベルを比較するよう
にしているので、表面処理の終点検出精度を高め
ることができる。
Furthermore, in the method according to the present invention, if the target level is set high at the beginning of the surface treatment, no matter how the transmitted light amount characteristics of the surface treatment change at the beginning, the treatment state can be maintained accurately without being affected by such changes. can be detected. Furthermore, as the surface treatment progresses, finer target levels are set,
Since this target level is compared with the detection signal level, the accuracy of detecting the end point of surface treatment can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は各種の被処理板状体に対する透過光量
の、処理時間tの経過に伴う変化特性をあらわし
た特性曲線図、第2図は簡易形スピンナーヘツド
部の平面図、第3図はその−線断面を矢印方
向にみた側断面図、第4図はスピンナーヘツドに
設けられたゲート信号作成手段の一実施例を示す
平面図、第5図はこの発明にかかる方法の実施に
使用する装置例の要部の構成を示す説明図、第6
図および第7図は第5図のカウンタ回路の一実施
例を示すブロツク図およびタイミングチヤート、
第8図および第9図は第5図の実施例を説明する
ためのフローチヤート、第10図は処理時間の経
過に伴なう検出信号レベルの一例を示す線図であ
る。 1……被処理板状体(フオトマスク)、8……
光電変換素子、E1……第1基準レベル値、E2
…第2基準レベル値、T1,T2……設定時間。
Figure 1 is a characteristic curve diagram showing the change in the amount of light transmitted through various plate-like objects as the processing time t elapses, Figure 2 is a plan view of the simple spinner head, and Figure 3 is its 4 is a plan view showing one embodiment of the gate signal generating means provided in the spinner head, and FIG. 5 is a device used to carry out the method according to the present invention. Explanatory diagram showing the configuration of the main part of the example, No. 6
7 are a block diagram and timing chart showing an embodiment of the counter circuit of FIG.
8 and 9 are flowcharts for explaining the embodiment of FIG. 5, and FIG. 10 is a diagram showing an example of the detection signal level as the processing time elapses. 1... Plate-shaped object to be processed (photomask), 8...
Photoelectric conversion element, E 1 ...first reference level value, E 2 ...
...Second reference level value, T 1 , T 2 ...Setting time.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 表面処理される被処理板状体の所定部に光束
を照射し、その照射光束に対応する被処理板状体
の透過光量もしくは反射光量を検出し、この検出
信号レベルの変化によつてこの表面処理の終点を
検出するようにする表面処理方法において、前記
検出信号レベルが設定された所定の目標レベルを
所定時間内に所定回数連続して越えたか否かを段
階的に検知し、越えたときには、新たな所定の目
標レベルを設定し、前記検出信号レベルが所定時
間内にこの新たな所定の目標レベルを越えなくな
つた時点を、この表面処理の終点とすることを特
徴とする表面処理方法。 2 設定すべき目標レベルを表面処理の進行度合
に応じて選択し得るようにする特許請求の範囲第
1項記載の表面処理方法。 3 被処理板状体に対する表面処理がエツチング
処理である特許請求の範囲第1項ないし第2項の
いずれかの項に記載の表面処理方法。 4 被処理板状体に対する表面処理が現像処理で
ある特許請求の範囲第1項ないし第2項のいずれ
かの項に記載の表面処理方法。
[Scope of Claims] 1. A light beam is irradiated onto a predetermined portion of a plate-like object to be surface-treated, and the amount of transmitted light or reflected light of the plate-like object to be processed corresponding to the irradiated light beam is detected, and the level of this detection signal is determined. In a surface treatment method in which the end point of the surface treatment is detected based on a change in and when the detection signal level exceeds the new predetermined target level, a new predetermined target level is set, and the end point of this surface treatment is set at the time when the detection signal level no longer exceeds the new predetermined target level within a predetermined time. A surface treatment method characterized by: 2. The surface treatment method according to claim 1, wherein the target level to be set can be selected depending on the progress of the surface treatment. 3. The surface treatment method according to any one of claims 1 to 2, wherein the surface treatment of the plate-shaped object to be treated is an etching treatment. 4. The surface treatment method according to any one of claims 1 to 2, wherein the surface treatment of the plate-like object to be treated is a development treatment.
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