JPH0139648B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0139648B2 JPH0139648B2 JP4891784A JP4891784A JPH0139648B2 JP H0139648 B2 JPH0139648 B2 JP H0139648B2 JP 4891784 A JP4891784 A JP 4891784A JP 4891784 A JP4891784 A JP 4891784A JP H0139648 B2 JPH0139648 B2 JP H0139648B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- state
- signal
- end point
- lens barrel
- prism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 10
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置等のエツチングによる回
路パターン作成時のエツチング終了点の検出、あ
るいはこのエツチングに先立つ回路パターンの現
像の終了点等の検出方法に関する。
路パターン作成時のエツチング終了点の検出、あ
るいはこのエツチングに先立つ回路パターンの現
像の終了点等の検出方法に関する。
集積回路等の半導体装置を作成する場合にはフ
オトリソグラフイ技術が用いられる。
オトリソグラフイ技術が用いられる。
これは、半導体基板となるべき板状物質の下層
に蒸着、塗着等により他の物質からなる層を形成
して多層構造とし、その表層に更にフオトレジス
ト等の耐腐食性物質を塗布して回路パターンを露
光し、これを現像してフオトレジスト層の感光し
た部分又は感光していない部分を除去して回路パ
ターンを形成する。次にこれを腐食性液体（エツ
チング媒体）に浸漬して表層のフオトレジストが
除去されている部分を腐食させて下層を露呈さ
せ、最後に表層上のフオトレジストを除去して所
定の回路パターンを作成するものである。
に蒸着、塗着等により他の物質からなる層を形成
して多層構造とし、その表層に更にフオトレジス
ト等の耐腐食性物質を塗布して回路パターンを露
光し、これを現像してフオトレジスト層の感光し
た部分又は感光していない部分を除去して回路パ
ターンを形成する。次にこれを腐食性液体（エツ
チング媒体）に浸漬して表層のフオトレジストが
除去されている部分を腐食させて下層を露呈さ
せ、最後に表層上のフオトレジストを除去して所
定の回路パターンを作成するものである。
ところで、耐腐食性物質にて回路パターンを形
成する際の現像の進行状況、即ち耐腐食性物質の
除去の進行状況、あるいはエツチングの際の表層
の腐食の進行状況、即ち腐食が下層表面まで完了
したか否かの検出は品質管理上重要である。
成する際の現像の進行状況、即ち耐腐食性物質の
除去の進行状況、あるいはエツチングの際の表層
の腐食の進行状況、即ち腐食が下層表面まで完了
したか否かの検出は品質管理上重要である。
従来、このような終了点検出方法としては、例
えば特開昭55−104452等が知られているが、これ
は可干渉光の反射光を電気信号に変換し、このア
ナログ信号の時間導関数を求めて終了点を判断す
るものであるが、終了点付近の信号変化が緩やか
であるため、その判断が困難である。
えば特開昭55−104452等が知られているが、これ
は可干渉光の反射光を電気信号に変換し、このア
ナログ信号の時間導関数を求めて終了点を判断す
るものであるが、終了点付近の信号変化が緩やか
であるため、その判断が困難である。
また信号処理系の定常ノイズと検出すべき信号
との区別が行ない難い点、更には終了後にたとえ
ば腐食液中の気泡等からの反射光があつた場合等
には未だ終了していないとの判断が行われる等、
終了判定が不確実であり、またややもすると終了
反対に遅れが生じて所謂オーバエツチングを惹起
し、不良品の発生を見るに到る場合があつた。
との区別が行ない難い点、更には終了後にたとえ
ば腐食液中の気泡等からの反射光があつた場合等
には未だ終了していないとの判断が行われる等、
終了判定が不確実であり、またややもすると終了
反対に遅れが生じて所謂オーバエツチングを惹起
し、不良品の発生を見るに到る場合があつた。
本発明は以上の如き事情に鑑みてなされたもの
であり、確実に終点を検出し得、また電気的ノイ
ズの影響を排して誤検出のないエツチング及びそ
れに先立つ現像工程等における終了点検出方法の
提案を目的とする。
であり、確実に終点を検出し得、また電気的ノイ
ズの影響を排して誤検出のないエツチング及びそ
れに先立つ現像工程等における終了点検出方法の
提案を目的とする。
本発明に係る終点検出方法は、屈折率が異なる
２層の内の１層の逓減していく層厚が零となつた
ことを検出する終点検出方法において、層厚が逓
減していく層の表面側から可干渉光を投射し、該
可干渉光の反射光を検出して電気信号に変換し、
該電気信号のレベルの所定時間当りの変動量を求
め、これを所定範囲内にある第１状態、所定範囲
を超えて増加する第２状態、又は所定範囲を超え
て減少する第３状態に経時的に弁別し、前記第１
状態であることが所定回数に亘つて検知された場
合に前記層厚が零となつたと判定することを特徴
とする。
２層の内の１層の逓減していく層厚が零となつた
ことを検出する終点検出方法において、層厚が逓
減していく層の表面側から可干渉光を投射し、該
可干渉光の反射光を検出して電気信号に変換し、
該電気信号のレベルの所定時間当りの変動量を求
め、これを所定範囲内にある第１状態、所定範囲
を超えて増加する第２状態、又は所定範囲を超え
て減少する第３状態に経時的に弁別し、前記第１
状態であることが所定回数に亘つて検知された場
合に前記層厚が零となつたと判定することを特徴
とする。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
第１図は本発明に係る終点検出方法を実施する
ための装置を示すブロツク図である。
ための装置を示すブロツク図である。
レーザ発振器２はHe−Neレーザ光を発するも
のであり、そのレーザ光は光フアイバコード１０
を介して後述する側視鏡筒２０に伝送される。こ
の光フアイバコード１０は結束具１３から先端側
部分は、光フアイバコード１１の周囲を光フアイ
バコード１２の多数の素線で囲繞した重心構造と
なつており、レーザ発振器２からのレーザ光は光
フアイバコード１１を介して側視鏡筒２０へ伝送
され、後述する如く側視鏡筒２０からの反射光は
光フアイバコード１２を介してＯ／Ｅ（光電）変
換器４に還送される構成となつている。そして、
光フアイバコード１０の先端には自動現像装置５
０の現像槽５１の底面に取り付けられた固定具３
６にその脚３４を固定された側視鏡筒２０が接続
されている。
のであり、そのレーザ光は光フアイバコード１０
を介して後述する側視鏡筒２０に伝送される。こ
の光フアイバコード１０は結束具１３から先端側
部分は、光フアイバコード１１の周囲を光フアイ
バコード１２の多数の素線で囲繞した重心構造と
なつており、レーザ発振器２からのレーザ光は光
フアイバコード１１を介して側視鏡筒２０へ伝送
され、後述する如く側視鏡筒２０からの反射光は
光フアイバコード１２を介してＯ／Ｅ（光電）変
換器４に還送される構成となつている。そして、
光フアイバコード１０の先端には自動現像装置５
０の現像槽５１の底面に取り付けられた固定具３
６にその脚３４を固定された側視鏡筒２０が接続
されている。
第２図は側視鏡筒２０の構成を示す縦断面図、
第３図はその本体２０Ａの構成を示す縦断面図、
第４図は同じく光フアイバコード１０との接続部
２０Ｂを示す外観図である。
第３図はその本体２０Ａの構成を示す縦断面図、
第４図は同じく光フアイバコード１０との接続部
２０Ｂを示す外観図である。
本体２０Ａは、鏡筒３１及び固定用脚３４とか
らなる。鏡筒３１はその断面の外形が正方形の有
底角筒状に形成され、その底面の位置を底辺とす
る略正方形の開口部３５が一側面に設けられてお
り、この開口部３５にはHe−Neレーザ光
（0.633μｍ）に対して無反射となるようにコーテ
イング処理されたガラス板３３が水密嵌合されて
いる。
らなる。鏡筒３１はその断面の外形が正方形の有
底角筒状に形成され、その底面の位置を底辺とす
る略正方形の開口部３５が一側面に設けられてお
り、この開口部３５にはHe−Neレーザ光
（0.633μｍ）に対して無反射となるようにコーテ
イング処理されたガラス板３３が水密嵌合されて
いる。
鏡筒３１の上端面から開口部３５の上縁辺の位
置にかけては円孔が開設されており、その内周面
には雌ネジが刻設されており、この上端部内周面
には耐腐食性合成樹脂製のＯリング３２が内嵌さ
れている。この鏡筒３１内の底部には直角プリズ
ム４２がその光軸をガラス板３３表面と直交する
ように取り付けられている。即ち、第５図にその
外観図を示す如く、プリズム４２は、後述するス
リーブ２４の外径よりやや大内径で外周面に雄ネ
ジを刻設した円筒体状のプリズムホルダ４０の底
面下側に突設された支持板４３，４３に抱持され
ており、このプリズムホルダ４０を鏡筒３１内に
螺合したものであり、鏡筒３１内の雌ネジの先端
までプリズムホルダ４０を螺入することによりプ
リズム４２の一面がガラス板３３と略対向するよ
うになつている。
置にかけては円孔が開設されており、その内周面
には雌ネジが刻設されており、この上端部内周面
には耐腐食性合成樹脂製のＯリング３２が内嵌さ
れている。この鏡筒３１内の底部には直角プリズ
ム４２がその光軸をガラス板３３表面と直交する
ように取り付けられている。即ち、第５図にその
外観図を示す如く、プリズム４２は、後述するス
リーブ２４の外径よりやや大内径で外周面に雄ネ
ジを刻設した円筒体状のプリズムホルダ４０の底
面下側に突設された支持板４３，４３に抱持され
ており、このプリズムホルダ４０を鏡筒３１内に
螺合したものであり、鏡筒３１内の雌ネジの先端
までプリズムホルダ４０を螺入することによりプ
リズム４２の一面がガラス板３３と略対向するよ
うになつている。
更に鏡筒３１の底部下側には脚３４が取り付け
られている。この脚３４は鏡筒３１の長さ方向と
軸長方向を一致させた螺杆であつて、前述の如く
現像槽５１底面に設置された固定具３６に刻設さ
れた雌ネジに螺合されることにより現像槽５１に
固定される。
られている。この脚３４は鏡筒３１の長さ方向と
軸長方向を一致させた螺杆であつて、前述の如く
現像槽５１底面に設置された固定具３６に刻設さ
れた雌ネジに螺合されることにより現像槽５１に
固定される。
光フアイバコード１０との接続部２０Ｂは、ホ
ルダ２１、押えリング２２、ストツプリング２３
等からなつている。
ルダ２１、押えリング２２、ストツプリング２３
等からなつている。
ホルダ２１はステンレス製であつて、その上側
部の外径を鏡筒３１の断面の外辺長と同一とし、
下側部は上側部に比してやや小径に形成されて鏡
筒３１に刻設された雌ネジに螺合するように雄ネ
ジが刻設された円筒であり、前述の光フアイバコ
ード１０の先端面にその下端面を一致させて光フ
アイバコード１０に外嵌された適長のステンレス
製スリーブ２４が遊嵌されている。このスリーブ
２４のホルダ２１下端から下方への突出部分の下
端寄りの位置にはステンレス製のストツプリング
２３がセツトビス２３′により固定されているが、
スリーブ２４のストツプリング２３下端からの突
出長は前述のプリズムホルダ４０の軸長方向寸法
よりやや短目となつている。スリーブ２４のスト
ツプリング２３とホルダ２１との間には、鏡筒３
１に刻設された雌ネジと螺合する雄ネジが刻設さ
れたステンレス製の押えリング２２が遊嵌されて
いる。
部の外径を鏡筒３１の断面の外辺長と同一とし、
下側部は上側部に比してやや小径に形成されて鏡
筒３１に刻設された雌ネジに螺合するように雄ネ
ジが刻設された円筒であり、前述の光フアイバコ
ード１０の先端面にその下端面を一致させて光フ
アイバコード１０に外嵌された適長のステンレス
製スリーブ２４が遊嵌されている。このスリーブ
２４のホルダ２１下端から下方への突出部分の下
端寄りの位置にはステンレス製のストツプリング
２３がセツトビス２３′により固定されているが、
スリーブ２４のストツプリング２３下端からの突
出長は前述のプリズムホルダ４０の軸長方向寸法
よりやや短目となつている。スリーブ２４のスト
ツプリング２３とホルダ２１との間には、鏡筒３
１に刻設された雌ネジと螺合する雄ネジが刻設さ
れたステンレス製の押えリング２２が遊嵌されて
いる。
従つて、まず鏡筒３１内底部にプリズム４２を
固定したプリズムホルダ４０を螺入し、ストツプ
リング２３下端がプリズムホルダ４０上面に当接
するまでスリーブ２４下端部を鏡筒３１内に挿入
する。そして所定の工具（図示せず）を鏡筒３１
の上部開口から挿入して押えリング２２を回転さ
せてストツプリング２３上部に当接するまで下方
へ螺進させてストツプリング２３をプリズムホル
ダ４０との間で挾む状態とする。これにより光フ
アイバコード１０はその先端をプリズム４２上面
と極くわずか離隔し、かつ光軸を一致させた状態
で鏡筒３１に固定される。この後ホルダ２１の下
側小径部を鏡筒３１に切られた雌ネジに螺合する
と、鏡筒３１上端に設けられたＯリング３２によ
り鏡筒３１とホルダ２１との間は液密状態とな
る。
固定したプリズムホルダ４０を螺入し、ストツプ
リング２３下端がプリズムホルダ４０上面に当接
するまでスリーブ２４下端部を鏡筒３１内に挿入
する。そして所定の工具（図示せず）を鏡筒３１
の上部開口から挿入して押えリング２２を回転さ
せてストツプリング２３上部に当接するまで下方
へ螺進させてストツプリング２３をプリズムホル
ダ４０との間で挾む状態とする。これにより光フ
アイバコード１０はその先端をプリズム４２上面
と極くわずか離隔し、かつ光軸を一致させた状態
で鏡筒３１に固定される。この後ホルダ２１の下
側小径部を鏡筒３１に切られた雌ネジに螺合する
と、鏡筒３１上端に設けられたＯリング３２によ
り鏡筒３１とホルダ２１との間は液密状態とな
る。
このように側視鏡筒２０を組み立てることによ
り、光フアイバコード１０から伝送されたレーザ
光はプリズム４２に入射されてその進行方向を
90゜変換されてガラス板３３を透過して外部へ投
射され、また外部からガラス板３３を透過してプ
リズム４２に入射した光はその進行方向を90゜変
換されて光フアイバコード１０に入射することと
なる。
り、光フアイバコード１０から伝送されたレーザ
光はプリズム４２に入射されてその進行方向を
90゜変換されてガラス板３３を透過して外部へ投
射され、また外部からガラス板３３を透過してプ
リズム４２に入射した光はその進行方向を90゜変
換されて光フアイバコード１０に入射することと
なる。
現像槽５１内にはフオトレジスト用の現像液５
２が満たされており、現像液５２により現像され
るべき表層（回路パターンを露光されたフオトレ
ジスト層）６１を有する下層６０が図示しない適
宜の保持手段により現像層５１の底面とその表面
を垂直として固定されている。そして、前述した
如く、この表層６１の表面にプリズム４２からの
投射光が直交するように側視鏡筒２０が、現像層
５１底面に取り付けられた固定具３６により固定
されている。
２が満たされており、現像液５２により現像され
るべき表層（回路パターンを露光されたフオトレ
ジスト層）６１を有する下層６０が図示しない適
宜の保持手段により現像層５１の底面とその表面
を垂直として固定されている。そして、前述した
如く、この表層６１の表面にプリズム４２からの
投射光が直交するように側視鏡筒２０が、現像層
５１底面に取り付けられた固定具３６により固定
されている。
従つてプリズム４２からの投射光は表層６１の
表面及び下層６２の表面それぞれにて反射され、
この際に表層の厚さ分の２倍の光路長の相異によ
り位相のずれた両反射光が干渉し合うため、反射
光全体としての光強度が変化する。
表面及び下層６２の表面それぞれにて反射され、
この際に表層の厚さ分の２倍の光路長の相異によ
り位相のずれた両反射光が干渉し合うため、反射
光全体としての光強度が変化する。
この反射光はガラス板３５を介してプリズム４
２に入射し、90゜進行方向を変換されて光フアイ
バコード１０の先端に到り、その光フアイバコー
ド１２を介してＯ／Ｅ変換部３に伝送される。
２に入射し、90゜進行方向を変換されて光フアイ
バコード１０の先端に到り、その光フアイバコー
ド１２を介してＯ／Ｅ変換部３に伝送される。
Ｏ／Ｅ変換部３は入射された光学信号、即ち上
述の反射光の強度変化をフオトダイオード等の光
電変換素子によりアナログの電気信号に変換する
ものであり、このアナログの電気信号はＡ／Ｄ
（アナログ／デジタル）変換器４によりデジタル
電気信号に変換されてCPU１に入力される。
述の反射光の強度変化をフオトダイオード等の光
電変換素子によりアナログの電気信号に変換する
ものであり、このアナログの電気信号はＡ／Ｄ
（アナログ／デジタル）変換器４によりデジタル
電気信号に変換されてCPU１に入力される。
CPU１は操作部７、ROM８、RAM９等と共
にマイクロコンピユータシステムを構成してお
り、入力された信号の演算処理等を行うものであ
り、その結果は表示装置５に表示され、また前述
の自動現像装置５０の制御装置に適宜与えられ
る。なお、ROM８はCPU１の演算プログラム等
を格納しており、RAM９は演算処理に必要なデ
ータ、演算の途中結果等を記憶するものである。
にマイクロコンピユータシステムを構成してお
り、入力された信号の演算処理等を行うものであ
り、その結果は表示装置５に表示され、また前述
の自動現像装置５０の制御装置に適宜与えられ
る。なお、ROM８はCPU１の演算プログラム等
を格納しており、RAM９は演算処理に必要なデ
ータ、演算の途中結果等を記憶するものである。
次に、本発明方法を実施するための上述の如く
構成された装置の動作について、CPU１の演算
処理内容を示す第６，８，１０図のフローチヤー
トに従つて説明する。
構成された装置の動作について、CPU１の演算
処理内容を示す第６，８，１０図のフローチヤー
トに従つて説明する。
まず第７図のCPU１による処理対象となる原
信号、即ち表層６１及び下層６０の表面からの反
射光の強度変化を上段に、これをCPU１により
処理した結果を下段にそれぞれ示したグラフに従
つてCPU１の処理内容について説明する。
信号、即ち表層６１及び下層６０の表面からの反
射光の強度変化を上段に、これをCPU１により
処理した結果を下段にそれぞれ示したグラフに従
つてCPU１の処理内容について説明する。
最初に現像装置５０に対して現像開始を指示す
る信号Ｓが与えられると、CPU１にもこの信号
Ｓが与えられる。これによりCPU１は所定時間
T1の経過後に原信号の処理を開始するが、これ
は現像開始直後に無用の処理を行つて誤検出等が
発生するのを回避するためである。
る信号Ｓが与えられると、CPU１にもこの信号
Ｓが与えられる。これによりCPU１は所定時間
T1の経過後に原信号の処理を開始するが、これ
は現像開始直後に無用の処理を行つて誤検出等が
発生するのを回避するためである。
次にCPU１は原信号のサンプリングを開始す
るが、このサンプリングはたとえば、Ａ／Ｄ変換
器４により10ｍ秒間隔にて原信号のデジタル化サ
ンプリングを行う。このようにしてサンプリング
された各時点の反射光強度のデータを処理する
が、第８図はそのデータ処理、即ちＨ、Ｌ、Ｅ判
定のフローチヤートである。
るが、このサンプリングはたとえば、Ａ／Ｄ変換
器４により10ｍ秒間隔にて原信号のデジタル化サ
ンプリングを行う。このようにしてサンプリング
された各時点の反射光強度のデータを処理する
が、第８図はそのデータ処理、即ちＨ、Ｌ、Ｅ判
定のフローチヤートである。
10ｍ秒間隔にてサンプリングされた反射光強度
のデータDiは順次RAM９に格納されるが、サン
プリング開始後のデータ数がｎ個（装置の電気的
ノイズのレベルが高い場合はｎを比較的大に、ノ
イズのレベルが低い場合にはｎを比較的小とす
る）になると実際の処理を開始する。
のデータDiは順次RAM９に格納されるが、サン
プリング開始後のデータ数がｎ個（装置の電気的
ノイズのレベルが高い場合はｎを比較的大に、ノ
イズのレベルが低い場合にはｎを比較的小とす
る）になると実際の処理を開始する。
データDi（ｉ＞ｎ）が読込まれると、データDi
を含む過去のｎ個のデータDi-o〜Doの内最大及び
最小値を除外した残りのｎ−２個の平均値ｉを
算出してこれを現時点を代表するデータとする。
そして１つ前のデータDi-1が読み込まれた時点で
算出された平均値i-1、即ちデータDi-o-1〜Do-1
の内最大及び最小値を除外した残りのｎ−２個の
平均値i-1を過去を代表するデータとする。そ
して両データｉとi-1との比較を行うことに
より入力信号値（反射光強度）の変化を検出する
が、装置の電気的ノイズの影響を排除するためこ
の電気的ノイズの平均値よりやや大である値を
ΔVとすると｜ｉ−i-1｜＜ΔVの第１の状態
では実質的な信号レベルの変化はない、ｉ−
ｉ−１＞ΔVの第２の状態では信号レベルが増加しつ
つあり、ｉ−i-1＜−ΔVの第３の状態では信
号レベルが減少しつつあるとしてそれぞれ比較結
果“Ｅ”、“Ｈ”、“Ｌ”として判断する。信号値の
変化がない場合、即ち反射光強度が一定である
“Ｅ”の場合には信号が極大又は極小のピーｉ付
近にある場合及び現像が終了した場合とがある
が、この“Ｅ”の場合には終了判定が行われる。
を含む過去のｎ個のデータDi-o〜Doの内最大及び
最小値を除外した残りのｎ−２個の平均値ｉを
算出してこれを現時点を代表するデータとする。
そして１つ前のデータDi-1が読み込まれた時点で
算出された平均値i-1、即ちデータDi-o-1〜Do-1
の内最大及び最小値を除外した残りのｎ−２個の
平均値i-1を過去を代表するデータとする。そ
して両データｉとi-1との比較を行うことに
より入力信号値（反射光強度）の変化を検出する
が、装置の電気的ノイズの影響を排除するためこ
の電気的ノイズの平均値よりやや大である値を
ΔVとすると｜ｉ−i-1｜＜ΔVの第１の状態
では実質的な信号レベルの変化はない、ｉ−
ｉ−１＞ΔVの第２の状態では信号レベルが増加しつ
つあり、ｉ−i-1＜−ΔVの第３の状態では信
号レベルが減少しつつあるとしてそれぞれ比較結
果“Ｅ”、“Ｈ”、“Ｌ”として判断する。信号値の
変化がない場合、即ち反射光強度が一定である
“Ｅ”の場合には信号が極大又は極小のピーｉ付
近にある場合及び現像が終了した場合とがある
が、この“Ｅ”の場合には終了判定が行われる。
第１０図は終了判定のフローチヤートである。
終了判定は基本的には“Ｅ”、即ち第１の状態
が所定回数Ｎ以上継続して検出されたか否かで行
われる。しかし、たとえば第９図に示す如く実際
には終了状態となつて“Ｅ”の状態がある程度継
続した後、終了判定が下される所定回数Ｎまで
“Ｅ”の状態が検出されない内に何らかの原因に
より“Ｈ”又は“Ｌ”と判定されるようなノイズ
が入力した場合、EHL判定の結果は“Ｈ”又は
“Ｌ”と判定されて終了判定が中断される。この
ような誤判定を回避するため、CPU１は過去の
信号の周期を基に上述のようなノイズの排除を行
う。具体的には、“Ｅ”以外の状態であると判定
される都度カウンタC2を＋１づつインクリメン
トするのステツプへ進む。そして“Ｅ”の状態
が検出された場合にはのステツプへ進んでカウ
ンタC1を＋１づつインクリメントした後カウン
タC2の値VC2を読み出し記憶する。
が所定回数Ｎ以上継続して検出されたか否かで行
われる。しかし、たとえば第９図に示す如く実際
には終了状態となつて“Ｅ”の状態がある程度継
続した後、終了判定が下される所定回数Ｎまで
“Ｅ”の状態が検出されない内に何らかの原因に
より“Ｈ”又は“Ｌ”と判定されるようなノイズ
が入力した場合、EHL判定の結果は“Ｈ”又は
“Ｌ”と判定されて終了判定が中断される。この
ような誤判定を回避するため、CPU１は過去の
信号の周期を基に上述のようなノイズの排除を行
う。具体的には、“Ｅ”以外の状態であると判定
される都度カウンタC2を＋１づつインクリメン
トするのステツプへ進む。そして“Ｅ”の状態
が検出された場合にはのステツプへ進んでカウ
ンタC1を＋１づつインクリメントした後カウン
タC2の値VC2を読み出し記憶する。
次にカウンタC2の値VC2が零でない場合、即ち
直前のHLE判定の結果が“Ｈ”又は“Ｌ”であ
つた場合にはその値VC2を記憶した後カウンタC2
をリセツト（VC2＝０）し、カウンタC2の過去の
値から最小値を除外した平均値C2を求めると、
このC2は第７図にを付して示す如く過去の
信号の平均半周期に相当する。そしてのステツ
プにてカウンタC1の値VC1が所定値Ｎより大であ
れば終了と判定されるが、小である間はHLE判
定へ戻る。
直前のHLE判定の結果が“Ｈ”又は“Ｌ”であ
つた場合にはその値VC2を記憶した後カウンタC2
をリセツト（VC2＝０）し、カウンタC2の過去の
値から最小値を除外した平均値C2を求めると、
このC2は第７図にを付して示す如く過去の
信号の平均半周期に相当する。そしてのステツ
プにてカウンタC1の値VC1が所定値Ｎより大であ
れば終了と判定されるが、小である間はHLE判
定へ戻る。
このように、“Ｈ”又は“Ｌ”の状態から“Ｅ”
の状態になつた場合には信号の過去の平均半周期
VC2がまず求められ、以後“Ｅ”の状態が継続す
る間は“Ｅ”と判定された回数が計数されてゆ
き、これが所定回数Ｎ以上になると終了判定が下
される。
の状態になつた場合には信号の過去の平均半周期
VC2がまず求められ、以後“Ｅ”の状態が継続す
る間は“Ｅ”と判定された回数が計数されてゆ
き、これが所定回数Ｎ以上になると終了判定が下
される。
一方、“Ｅ”の状態がＮ回以上継続するまでに
“Ｈ”又は“Ｌ”の状態となつた場合にはのス
テツプからのステツプへ進みカウンタC1の値
VC1と、先に求められている信号の平均半周期
C2の安全率を見込んだ所定比率、たとえば80％、
70％程度の値C2′とが比較され、VC1＜C2′の
場合、即ち過去の信号の平均半周期C2の所定
比率C2′より短い時間以内に“Ｈ”又は“Ｌ”
の状態となつた場合には、たとえば現像液５２中
の気泡によるノイズであると見倣して“Ｅ”の状
態が継続しているものとしてカウンタC1による
計数を続行し、VC1＞C2′の場合、即ちC2′以
後に“Ｈ”又は“Ｌ”の状態となつた場合には終
了ではないと判定してカウンタC1をリセツト
（VC1＝０）する。
“Ｈ”又は“Ｌ”の状態となつた場合にはのス
テツプからのステツプへ進みカウンタC1の値
VC1と、先に求められている信号の平均半周期
C2の安全率を見込んだ所定比率、たとえば80％、
70％程度の値C2′とが比較され、VC1＜C2′の
場合、即ち過去の信号の平均半周期C2の所定
比率C2′より短い時間以内に“Ｈ”又は“Ｌ”
の状態となつた場合には、たとえば現像液５２中
の気泡によるノイズであると見倣して“Ｅ”の状
態が継続しているものとしてカウンタC1による
計数を続行し、VC1＞C2′の場合、即ちC2′以
後に“Ｈ”又は“Ｌ”の状態となつた場合には終
了ではないと判定してカウンタC1をリセツト
（VC1＝０）する。
一方、のステツプで終了が判定された場合に
は、その後所定時間T2の経過を待つて終了信号
が自動現像器５０に出力され、これにより現像液
の排出が行われる等して現像の進行が停止され
る。
は、その後所定時間T2の経過を待つて終了信号
が自動現像器５０に出力され、これにより現像液
の排出が行われる等して現像の進行が停止され
る。
以上詳述した如く本発明に係る終点検出方法に
よれば、検出された信号のレベル変動を検出する
に際しては、移動平均値を用いてレベル変動が実
質的に零である第１の状態、実質的に増加しつつ
ある第２の状態又は実質的に減少しつつある第３
の状態とに経時的に弁別して行うので、終了点の
検出判定が的確に行え、また判定装置等の定常的
電気ノイズの影響は排除されるため正確で遅れの
ない終了判定が可能となる。
よれば、検出された信号のレベル変動を検出する
に際しては、移動平均値を用いてレベル変動が実
質的に零である第１の状態、実質的に増加しつつ
ある第２の状態又は実質的に減少しつつある第３
の状態とに経時的に弁別して行うので、終了点の
検出判定が的確に行え、また判定装置等の定常的
電気ノイズの影響は排除されるため正確で遅れの
ない終了判定が可能となる。
また前記実施例では、終了判定に際しては、過
去の信号の平均周期を予め求め、この平均周期の
所定割合以上に亘つて終了を意味する信号が検出
された場合にのみ実際の終了判定を下しているの
で、確実な終点検出が可能となる。
去の信号の平均周期を予め求め、この平均周期の
所定割合以上に亘つて終了を意味する信号が検出
された場合にのみ実際の終了判定を下しているの
で、確実な終点検出が可能となる。
なお前記実施例ではエツチングのためのパター
ン形成時の現像終了点検出について説明したが、
他にエツチングの腐食仮定は勿論のこと、下層と
屈折率の異なる表層の逓減過程の終了点の検出に
広く応用可能である。
ン形成時の現像終了点検出について説明したが、
他にエツチングの腐食仮定は勿論のこと、下層と
屈折率の異なる表層の逓減過程の終了点の検出に
広く応用可能である。
第１図は本発明の実施に用いられる装置のブロ
ツク図、第２図は側視鏡筒の縦断面図、第３図は
その本体の縦断面図、第４図は同じくその接続ス
リーブの外観図、第５図はプリズムホルダの外観
図、第６，８，９図はCPUの処理内容を示すフ
ローチヤート、第７，１０図は信号の波形を示す
グラフである。 １……CPU、２……レーザ発振器、３……
Ｏ／Ｅ変換器、１０，１１，１２……光フアイバ
コード、２０……側視鏡筒、６０……下層、６１
……表層。
ツク図、第２図は側視鏡筒の縦断面図、第３図は
その本体の縦断面図、第４図は同じくその接続ス
リーブの外観図、第５図はプリズムホルダの外観
図、第６，８，９図はCPUの処理内容を示すフ
ローチヤート、第７，１０図は信号の波形を示す
グラフである。 １……CPU、２……レーザ発振器、３……
Ｏ／Ｅ変換器、１０，１１，１２……光フアイバ
コード、２０……側視鏡筒、６０……下層、６１
……表層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 屈折率が異なる２層の内の１層の逓減してい
く層厚が零となつたことを検出する終点検出方法
において、 層厚が逓減していく層の表面側から可干渉光を
投射し、 該可干渉光の反射光を検出して電気信号に変換
し、 該電気信号のレベルの所定時間当りの変動量を
求め、これを所定範囲内にある第１状態、所定範
囲を超えて増加する第２状態、又は所定範囲を超
えて減少する第３状態とに経時的に弁別し、 前記第１状態であることが所定回数に亘つて検
知された場合に前記層厚が零となつたと判定する
ことを特徴とする終点検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4891784A JPS60192338A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4891784A JPS60192338A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 終点検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60192338A JPS60192338A (ja) | 1985-09-30 |
| JPH0139648B2 true JPH0139648B2 (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=12816599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4891784A Granted JPS60192338A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60192338A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2598508B1 (fr) * | 1986-05-09 | 1989-05-12 | Guillaume Michel | Procede et appareil de determination de fin d'attaque d'une surface gravee |
| JPS63147327A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 表面処理における処理終点検知方法 |
-
1984
- 1984-03-13 JP JP4891784A patent/JPS60192338A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60192338A (ja) | 1985-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0107410A1 (en) | Method of photometric measurement | |
| US5617201A (en) | Method for refractometer measuring using mathematical modelling | |
| EP0601205A1 (en) | Optical measurement instrument | |
| EP0453226A2 (en) | Fiber optic liquid leak detector | |
| JPH0139648B2 (ja) | ||
| SE503513C2 (sv) | Förfarande och anordning för bestämning av tjocklek och koncentricitet hos ett skikt pålagt på en cylindrisk kropp | |
| US6844537B2 (en) | Method and device for measuring the velocity of a moving surface | |
| JPS5826226A (ja) | 液面検知装置 | |
| McMillan et al. | Preliminary investigation into the analytical potential of a multiwavelength fiber drop analyzer with special reference to applications in medical diagnostics | |
| US7212280B1 (en) | Device for measuring the dimension and controlling of defects in optical fibres during production | |
| JP3552386B2 (ja) | レーザ干渉変位計 | |
| JPS61226639A (ja) | 投入式成分々析計 | |
| JPH072960U (ja) | エリプソメータによる溶液中試料測定法 | |
| JPS61262638A (ja) | 屈折率測定用センサ− | |
| JPH03291551A (ja) | 溶液成分測定装置 | |
| JPH05133871A (ja) | 浸漬型液体比重測定装置 | |
| JP2522480B2 (ja) | 屈折率測定方法 | |
| JPS59107223A (ja) | 分光分析装置 | |
| JPS6335361Y2 (ja) | ||
| HUT73543A (en) | Method and apparatus for process control | |
| JPS6240702B2 (ja) | ||
| JPS64406A (en) | Instrument for measuring shape of sample | |
| JPH0259603A (ja) | 半導体基板の溝の深さの測定方法 | |
| JPS60213028A (ja) | 終点検出方法 | |
| JPS5590857A (en) | Method of detecting border of double-layer liquid |