JPH0138979Y2 - - Google Patents

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JPH0138979Y2
JPH0138979Y2 JP1983125094U JP12509483U JPH0138979Y2 JP H0138979 Y2 JPH0138979 Y2 JP H0138979Y2 JP 1983125094 U JP1983125094 U JP 1983125094U JP 12509483 U JP12509483 U JP 12509483U JP H0138979 Y2 JPH0138979 Y2 JP H0138979Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は電流ミラー回路、特に半導体集積回
路化された電流ミラー回路において、出力トラン
ジスタのコレクタ電圧の大小による出力電流の増
減を抑え、ミラー回路の出力電圧ダイナミツクレ
ンジに依存しない電流ミラー回路に関するもので
ある。
[Detailed description of the invention] [Field of industrial application] This invention suppresses the increase or decrease in output current due to the magnitude of the collector voltage of the output transistor in a current mirror circuit, especially a current mirror circuit implemented in a semiconductor integrated circuit. The present invention relates to a current mirror circuit that does not depend on the output voltage dynamic range of the circuit.

〔従来の技術〕 第1図は従来の電流ミラー回路の三例を示す回
路図である。同図において、1,2はベースが共
通接続されたトランジスタであり、このトランジ
スタ1のコレクタには基準電流源3が接続されて
いる。また、これらのトランジスタ1,2の共通
ベースにはベース電流供給用の駆動トランジスタ
4が、そのエミツタを共通ベースに直接あるいは
抵抗等の素子を直列に介して接続され、駆動トラ
ンジスタ4のベースはミラー回路の基準電流源3
側のトランジスタ1のコレクタと接続され、駆動
トランジスタ4のコレクタは供給電源Vcc端子5
に接続されている。ここで、ミラー回路の出力は
トランジスタ2のコレクタで構成され、通常基準
電流源3の基準電流の一定倍率の電流が出力され
る。なお、6は負荷抵抗、7は出力端子である。
[Prior Art] FIG. 1 is a circuit diagram showing three examples of conventional current mirror circuits. In the figure, reference numerals 1 and 2 are transistors whose bases are commonly connected, and a reference current source 3 is connected to the collector of the transistor 1. Further, a drive transistor 4 for supplying base current is connected to the common base of these transistors 1 and 2, and its emitter is connected to the common base either directly or through an element such as a resistor in series, and the base of the drive transistor 4 is connected to a mirror. Reference current source 3 of the circuit
The collector of the drive transistor 4 is connected to the collector of the side transistor 1, and the collector of the drive transistor 4 is connected to the supply voltage Vcc terminal 5.
It is connected to the. Here, the output of the mirror circuit is constituted by the collector of the transistor 2, and normally a current that is a constant magnification of the reference current of the reference current source 3 is output. Note that 6 is a load resistance and 7 is an output terminal.

次に従来回路の動作を説明する。同図におい
て、基準電流源3から基準電流Ioが供給される
と、駆動トランジスタ4のベース電流が流れ、そ
のコレクタ電流により共通ベース接続されたトラ
ンジスタ1,2のベース電流が流れ、これらのト
ランジスタ1,2のベース−エミツタ間の電圧が
同電位となるように動作する。ここで、トランジ
スタ1,2のベース−エミツタ間の電圧VBEは、
基準電流Ioおよびトランジスタ1の有する個有の
飽和電流Isによつて決まる下記式(1)の電圧とな
る。
Next, the operation of the conventional circuit will be explained. In the figure, when the reference current Io is supplied from the reference current source 3, the base current of the drive transistor 4 flows, and the base current of the transistors 1 and 2 whose bases are connected together flows due to the collector current. , 2 are operated so that the voltage between the base and emitter of the two transistors becomes the same potential. Here, the voltage V BE between the base and emitter of transistors 1 and 2 is
The voltage is determined by the reference current Io and the unique saturation current Is of the transistor 1 and is expressed by the following formula (1).

VBE=kT/q・lnIs/Io …(1) k:ポルツマン定数 T:絶対温度 q:電荷 一般にミラー回路では、出力トランジスタ2は
基準電流供給用トランジスタ1の一定倍率のエミ
ツタ面積をもつたトランジスタが使用される。こ
こで、基準電流供給用トランジスタ1のエミツタ
面積をS、出力トランジスタ2の面積をASとす
ると、第1図の場合、トランジスタ1,2のベー
スおよびエミツタは共通接続されているため、ト
ランジスタ1,2のベース−エミツタ間電圧は前
記第(1)式で示すように等しく、トランジスタの飽
和電流がエミツタ面積に比例することを考慮する
と、出力トランジスタ2のコレクタ電流Icは VBE=kT/q・lnIs/Io=kT/q・lnA・Is/Ic…(2) となり、 Ic=AIo …(3) で表わされる。したがつて出力電流Icは基準電流
IoのA(面積比)倍となり、一定倍率Aをもつた
電流ミラー回路として動作する。
V BE =kT/q・lnIs/Io...(1) k: Polzmann's constant T: Absolute temperature q: Charge Generally, in a mirror circuit, the output transistor 2 is a transistor with an emitter area that is a constant multiple of the reference current supply transistor 1. is used. Here, if the emitter area of the reference current supply transistor 1 is S and the area of the output transistor 2 is AS, then in the case of FIG. 1, the bases and emitters of transistors 1 and 2 are commonly connected, so Considering that the base-emitter voltages of the output transistors 2 and 2 are equal as shown in equation (1) above, and that the saturation current of the transistor is proportional to the emitter area, the collector current Ic of the output transistor 2 is V BE =kT/q・lnIs/Io=kT/q・lnA・Is/Ic…(2), and Ic=AIo…(3). Therefore, the output current Ic is the reference current
It is A (area ratio) times Io and operates as a current mirror circuit with a constant magnification A.

〔考案が解決しようとする課題〕[The problem that the idea aims to solve]

しかしながら、前述した構成による電流ミラー
回路は、出力トランジスタ2のコレクタ電位が負
荷抵抗6の抵抗値に対応して変化する場合、出力
トランジスタ2のベース巾変調効果(アーリー効
果)により、直流電流増幅率hFEがコレクタ電圧
により変化するため、出力トランジスタの出力電
流(ミラー出力電流)は変化する。特にミラー回
路を構成するトランジスタ1,2の電流増幅率
hFEが高い場合に顕著にあらわれる。したがつて、
従来回路では負荷のバイアス電圧、すなわち、ミ
ラー回路のコレクタ出力の電位によりミラー出力
電流が変化し、負荷に依存して変化する電流が供
給されてしまうという欠点があつた。
However, in the current mirror circuit with the above-described configuration, when the collector potential of the output transistor 2 changes in accordance with the resistance value of the load resistor 6, the DC current amplification factor increases due to the base width modulation effect (Early effect) of the output transistor 2. Since h FE changes depending on the collector voltage, the output current of the output transistor (mirror output current) changes. In particular, the current amplification factor of transistors 1 and 2 that constitute the mirror circuit
h This is noticeable when FE is high. Therefore,
The conventional circuit has a drawback in that the mirror output current changes depending on the bias voltage of the load, that is, the potential of the collector output of the mirror circuit, and a current that changes depending on the load is supplied.

したがつてこの考案は、前述した従来の課題を
解決するためになされたものであり、その目的と
するところは、出力トランジスタのコレクタに、
ベース接地されたトランジスタを直列接続するこ
とにより、電流ミラー回路の出力トランジスタの
コレクタ電位を一定バイアスに抑え、前記ミラー
回路のアーリー効果を無くした電流ミラー回路を
提供することにある。
Therefore, this invention was made in order to solve the conventional problems mentioned above, and its purpose is to attach the collector of the output transistor to
An object of the present invention is to provide a current mirror circuit in which the collector potential of the output transistor of the current mirror circuit is suppressed to a constant bias by connecting transistors whose bases are grounded in series, thereby eliminating the Early effect of the mirror circuit.

〔課題を解決するための手段〕 本考案の電流ミラー回路は、ベースが共通接続
された複数のトランジスタと、前記トランジスタ
のベースに駆動電流を供給する駆動トランジスタ
と、前記複数のトランジスタの1個のトランジス
タのコレクタに基準電流を供給する基準電流供給
手段とを備え、前記ベース共通接続された複数の
トランジスタの基準電流供給側以外の出力トラン
ジスタのコレクタから基準電流と同一もしくは一
定倍率以上の電流を取り出すように構成された電
流ミラー回路において、前記出力トランジスタの
コレクタにエミツタを接続しコレクタを出力とす
るレベルシフトトランジスタと、前記レベルシフ
トトランジスタのベースにベース電位を供給する
定電流源とを設けたものである。
[Means for Solving the Problems] The current mirror circuit of the present invention includes a plurality of transistors whose bases are commonly connected, a drive transistor that supplies a drive current to the bases of the transistors, and one of the plurality of transistors. and a reference current supply means for supplying a reference current to the collectors of the transistors, and extracts a current equal to the reference current or at a certain magnification from the collectors of the output transistors other than the reference current supply side of the plurality of transistors whose bases are commonly connected. A current mirror circuit configured as follows, comprising a level shift transistor whose emitter is connected to the collector of the output transistor and whose collector is used as an output, and a constant current source which supplies a base potential to the base of the level shift transistor. It is.

〔作用〕[Effect]

本考案においては、レベルシフトトランジスタ
のベース電位に直流バイアス電位を与えることに
より、前記出力トランジスタのコレクタに固定さ
れた直流バイアス電圧を与え、該レベルシフトト
ランジスタのコレクタを出力とする。
In the present invention, by applying a DC bias potential to the base potential of the level shift transistor, a fixed DC bias voltage is applied to the collector of the output transistor, and the collector of the level shift transistor is used as an output.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面を用いてこの考案を詳細に説明す
る。
This invention will be explained in detail below using the drawings.

第2図はこの考案による電流ミラー回路の一実
施例を示す回路図であり、第1図と同一部分は同
一記号を付す。同図において、8は出力トランジ
スタ2と出力端子7との間に直列接続されたレベ
ルシフトトランジスタであり、このトランジスタ
8はそのエミツタが出力トランジスタ2のコレク
タに、そのベースが定電流源9と直列接続された
ダイオード10a,10bのなかでダイオード1
0aのアノード側にそれぞれ接続され、ベースに
一定の直流バイアスが与えられている。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the current mirror circuit according to this invention, and the same parts as in FIG. 1 are given the same symbols. In the figure, 8 is a level shift transistor connected in series between the output transistor 2 and the output terminal 7, and this transistor 8 has its emitter connected to the collector of the output transistor 2, and its base connected in series to the constant current source 9. Among the connected diodes 10a and 10b, diode 1
They are each connected to the anode side of 0a, and a constant DC bias is applied to the base.

第3図はこの考案による電流ミラー回路の他の
実施例を示す回路図であり、前述の図と同一部分
は同一記号を付す。同図において、第2図と異な
る点は、基準トランジスタ1、出力トランジスタ
2、駆動トランジスタ4およびベース接地トラン
ジスタ8がPNPトランジスタで構成されている。
FIG. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of the current mirror circuit according to this invention, and the same parts as in the previous figure are given the same symbols. In this figure, the difference from FIG. 2 is that the reference transistor 1, the output transistor 2, the drive transistor 4, and the common base transistor 8 are composed of PNP transistors.

次に第2図、第3図に示した実施例にもとづき
この考案による電流ミラー回路の動作を説明す
る。まず、第2図において、ベース接地されたト
ランジスタ8がミラー回路出力トランジスタ2の
コレクタと接続されることにより、出力トランジ
スタ2のコレクタ電圧Vc2は、ベース接地トラン
ジスタ8のベース電圧VB8からトランジスタ8
のベース−エミツタ間電圧VBE8を減算した値、
すなわち、下記式により表わされる。
Next, the operation of the current mirror circuit according to this invention will be explained based on the embodiment shown in FIGS. 2 and 3. First, in FIG. 2, the base-grounded transistor 8 is connected to the collector of the mirror circuit output transistor 2, so that the collector voltage Vc 2 of the output transistor 2 is changed from the base voltage V B 8 of the common-base transistor 8 to the transistor 8
The value obtained by subtracting the base-emitter voltage V BE of 8,
That is, it is expressed by the following formula.

Vc2=VB8−VBE8 …(4) =2VD−VBE8 …(5) ここで、VDはダイオード10a,10bの
順方向電圧を示す。
Vc2 = VB8 - VBE8 ...(4)= 2VD - VBE8 ...(5) Here, VD indicates the forward voltage of the diodes 10a and 10b.

通常、ベース接地トランジスタ8と、バイアス
設定用レベルシフトダイオード10a,10bと
はベース−エミツタ間接合等、同一種類の接合で
かつ同一接合面積で形成されるダイオード構成と
するため、定電流源9によりダイオード10a,
10bに直流バイアスされるバイアス電流I9とミ
ラー出力電流Icとの電流差に起因した電圧差分を
除いてほぼ同電圧(VDVBE8)であり、前記(5)
式は、 Vc2≒VD …(6) で表わされる。したがつて、このミラー回路出力
トランジスタ2のコレクタ電圧は負荷によりベー
ス接地トランジスタ8のコレクタ電圧が変化して
もトランジスタ8のエミツタ電位、すなわち、ミ
ラー回路の出力トランジスタ2のコレクタ電位は
一定であり、ミラー回路出力トランジスタ2のコ
レクタ電流はその電圧が変化することにより、通
常トランジスタ2に生じるアーリー効果(ベース
巾変調効果)によるコレクタ電流の変化はなく、
常に一定に保持される。一方、ベース接地された
レベルシフトトランジスタ8のコレクタ電流は、
負荷によりコレクタ電圧が加わつてもトランジス
タ8のコレクタ電流Ic8とダイオード10a,1
0bのバイアス電流供給用定電流源9の電流I9
の関係がI9≫Ic8/hFE(hFEはトランジスタ8の直
流電流増幅率)の条件を満足すれば、出力トラン
ジスタ2のコレクタ電流Icと同一電流となり、ベ
ース接地トランジスタ8のコレクタ電圧に依存し
ない一定電流となる。
Normally, the common base transistor 8 and the level shift diodes 10a and 10b for bias setting are of the same type of junction, such as a base-emitter junction, and have the same junction area. diode 10a,
The voltages are almost the same (V D V BE 8) except for the voltage difference caused by the current difference between the bias current I 9 that is DC-biased to 10b and the mirror output current Ic, and the voltage is almost the same (V D V BE 8),
The formula is expressed as Vc 2 ≒V D (6). Therefore, even if the collector voltage of the common base transistor 8 changes due to the load, the emitter potential of the transistor 8, that is, the collector potential of the output transistor 2 of the mirror circuit remains constant. As the collector current of the mirror circuit output transistor 2 changes its voltage, there is no change in the collector current due to the Early effect (base width modulation effect) that normally occurs in the transistor 2.
Always held constant. On the other hand, the collector current of the level shift transistor 8 whose base is grounded is
Even if the collector voltage is applied due to the load, the collector current Ic 8 of the transistor 8 and the diode 10a, 1
If the relationship with the current I 9 of the bias current supply constant current source 9 of 0b satisfies the condition I 9 ≫ Ic 8 /h FE (h FE is the DC current amplification factor of the transistor 8), the collector of the output transistor 2 The current is the same as the current Ic, and is a constant current that does not depend on the collector voltage of the common base transistor 8.

このような構成によれば、従来回路で問題とな
つたミラー回路出力のコレクタ電圧の変化によ
り、ミラー出力電流が変化するのを防止し、基準
電流Ioのトランジスタ1とトランジスタ2との接
合面積比倍(A倍)されたトランジスタ2のコレ
クタ電流Icがベース接地されたトランジスタ8の
コレクタ電圧変化に依存せず、トランジスタ8の
コレクタ電流(Ic8Ic)として出力される。
According to such a configuration, it is possible to prevent the mirror output current from changing due to a change in the collector voltage of the mirror circuit output, which was a problem in the conventional circuit, and to reduce the junction area ratio between transistor 1 and transistor 2 of the reference current Io. The multiplied (A times) collector current Ic of the transistor 2 is output as the collector current (Ic 8 Ic) of the transistor 8 without depending on the change in the collector voltage of the transistor 8 whose base is grounded.

また、第3図においても前述と同様に動作し、
ベース接地トランジスタ8のエミツタにより出力
トランジスタ2のコレクタ電圧は電源電圧Vccか
らベース−エミツタ間順方向電圧VBE(VD)を
減算した直流電圧にクランプされることにより、
出力トランジスタ2のアーリー効果(ベース巾変
調効果)によりミラー回路出力電流(トランジス
タ8のコレクタ電流)が変動することを抑え、ベ
ース接地トランジスタ8のコレクタ出力から一定
のミラー出力電流を取り出すことができる。
Also, in FIG. 3, it operates in the same manner as described above,
The collector voltage of the output transistor 2 is clamped by the emitter of the common base transistor 8 to the DC voltage obtained by subtracting the base-emitter forward voltage V BE (V D ) from the power supply voltage Vcc.
Fluctuations in the mirror circuit output current (collector current of transistor 8) due to the Early effect (base width modulation effect) of output transistor 2 are suppressed, and a constant mirror output current can be extracted from the collector output of common base transistor 8.

なお、前述した実施例においては、ミラー回路
出力に直列接続されたベース接地トランジスタに
適正なバイアスを与えることにより、ミラー回路
出力のアーリー効果を減少させるもので、実施例
に示される回路以外にも例えば、ダイオード10
a,10bを2個直列接続されたダイオードを抵
抗または抵抗とダイオードとの直列接続に置き換
え、ミラー回路のダイナミツクレンジを拡大させ
る等、また、ダイオード10a,10bにさらに
1個のダイオードを直列接続し、出力トランジス
タ2のコレクタ電位を基準電流供給用トランジス
タ1のコレクタ電位とほぼ同じくさせる等の応用
もアーリー効果を軽減させつつ、容易に構成する
ことができる。
In the above embodiment, the Early effect of the mirror circuit output is reduced by applying an appropriate bias to the common base transistor connected in series with the mirror circuit output. For example, diode 10
Replace the two series-connected diodes a and 10b with a resistor or a series connection of a resistor and a diode to expand the dynamic range of the mirror circuit, or connect one diode in series with the diodes 10a and 10b. However, applications such as making the collector potential of the output transistor 2 substantially the same as the collector potential of the reference current supplying transistor 1 can be easily configured while reducing the Early effect.

〔考案の効果〕[Effect of idea]

以上説明したようにこの考案によれば、負荷の
大きさによつて変化するミラー回路の出力電圧の
大小に関係なく、常に供給基準電流の一定倍率の
電流がミラー回路出力として取り出すことが可能
となるので、高精度の電流源を必要とする回路に
広く応用できるなどの極めて優れた効果が得られ
る。
As explained above, according to this invention, regardless of the magnitude of the output voltage of the mirror circuit, which changes depending on the size of the load, it is possible to always extract a current that is a constant multiple of the supplied reference current as the mirror circuit output. Therefore, extremely excellent effects such as wide application to circuits requiring a highly accurate current source can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の電流ミラー回路の一例を示す回
路図、第2図はこの考案による電流ミラー回路の
一実施例を示す回路図、第3図はこの考案の他の
実施例を示す回路図である。 1……基準電流供給用トランジスタ、2……出
力トランジスタ、3……基準電流源、4……駆動
トランジスタ、5……電源端子、6……負荷抵
抗、7……出力端子、8……レベルシフトトラン
ジスタ、9……ベースバイアス電圧供給用定電流
源、10a,10b……ダイオード。
Fig. 1 is a circuit diagram showing an example of a conventional current mirror circuit, Fig. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the current mirror circuit according to this invention, and Fig. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of this invention. It is. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Reference current supply transistor, 2... Output transistor, 3... Reference current source, 4... Drive transistor, 5... Power supply terminal, 6... Load resistance, 7... Output terminal, 8... Level Shift transistor, 9... constant current source for supplying base bias voltage, 10a, 10b... diode.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] ベースが共通接続された複数のトランジスタ
と、前記トランジスタのベースに駆動電流を供給
する駆動トランジスタと、前記複数のトランジス
タの1個のトランジスタのコレクタに基準電流を
供給する基準電流供給手段とを備え、前記ベース
共通接続された複数のトランジスタの基準電流供
給側以外の出力トランジスタのコレクタから基準
電流と同一もしくは一定倍率以上の電流を取り出
すように構成された電流ミラー回路において、前
記出力トランジスタのコレクタにエミツタを接続
しコレクタを出力とするレベルシフトトランジス
タと、前記レベルシフトトランジスタのベースに
ベース電位を供給する定電流源とを設け、該レベ
ルシフトトランジスタのベース電位に直流バイア
ス電位を与えることにより、前記出力トランジス
タのコレクタに固定された直流バイアス電圧を与
え、該レベルシフトトランジスタのコレクタを出
力とすることを特徴とした電流ミラー回路。
comprising a plurality of transistors whose bases are commonly connected, a drive transistor that supplies a drive current to the bases of the transistors, and a reference current supply means that supplies a reference current to the collector of one of the plurality of transistors; In a current mirror circuit configured to take out a current equal to or a certain magnification of a reference current from the collector of an output transistor other than the reference current supply side of the plurality of transistors whose bases are commonly connected, an emitter is connected to the collector of the output transistor. and a constant current source that supplies a base potential to the base of the level shift transistor, and applies a DC bias potential to the base potential of the level shift transistor, thereby increasing the output. A current mirror circuit characterized in that a fixed DC bias voltage is applied to the collector of a transistor, and the collector of the level shift transistor is used as an output.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57103414A (en) * 1980-12-17 1982-06-28 Pioneer Electronic Corp Current source circuit

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JPS57103414A (en) * 1980-12-17 1982-06-28 Pioneer Electronic Corp Current source circuit

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