JPH0137696B2 - - Google Patents

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JPH0137696B2
JPH0137696B2 JP59049756A JP4975684A JPH0137696B2 JP H0137696 B2 JPH0137696 B2 JP H0137696B2 JP 59049756 A JP59049756 A JP 59049756A JP 4975684 A JP4975684 A JP 4975684A JP H0137696 B2 JPH0137696 B2 JP H0137696B2
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JP
Japan
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signal
circuit
trigger
storage
memory
Prior art date
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Application number
JP59049756A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS60194369A (en
Inventor
Sumio Takeuchi
Rikichi Murooka
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Tektronix Japan Ltd
Original Assignee
Sony Tektronix Corp
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Publication date
Application filed by Sony Tektronix Corp filed Critical Sony Tektronix Corp
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Publication of JPS60194369A publication Critical patent/JPS60194369A/en
Publication of JPH0137696B2 publication Critical patent/JPH0137696B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R13/00Arrangements for displaying electric variables or waveforms
    • G01R13/20Cathode-ray oscilloscopes
    • G01R13/22Circuits therefor
    • G01R13/34Circuits for representing a single waveform by sampling, e.g. for very high frequencies
    • G01R13/345Circuits for representing a single waveform by sampling, e.g. for very high frequencies for displaying sampled signals by using digital processors by intermediate A.D. and D.A. convertors (control circuits for CRT indicators)

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はクロツク信号に応じて入力信号を記憶
回路に記憶する信号記憶装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a signal storage device that stores input signals in a storage circuit in response to a clock signal.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

信号記憶装置には波形記憶装置(別名、トラン
ジエント・デジタイザ、トランジエント・レコー
ダ、波形デジタイザ、又はデジタル・オシロスコ
ープ)やロジツク・アナライザがある。波形記憶
装置は、アナログ入力信号をアナログ・デジタル
(A/D)変換器によりデジタル信号に変換し、
クロツク信号に同期してこのデジタル信号をデジ
タル記憶回路に記憶し、記憶したデジタル信号を
デジタル・アナログ(D/A)変換器でアナログ
信号に変換するものである。なお、波形記憶装置
には、アナログ入力信号をクロツク信号に同期し
てCCD等のアナログ記憶回路に記憶する型式も
ある。また、ロジツク・アナライザはロジツク
(デジタル)信号をクロツク信号に同期してデジ
タル記憶回路に記憶するものであり、A/D変換
器及びD/A変換器を除けば、原理的には波形記
憶装置と類似している。これらの信号記憶装置は
トリガ信号発生以前の入力信号も記憶、即ち測定
できるため、非常に便利である。
Signal storage devices include waveform storage devices (also known as transient digitizers, transient recorders, waveform digitizers, or digital oscilloscopes) and logic analyzers. The waveform storage device converts an analog input signal into a digital signal by an analog-to-digital (A/D) converter,
This digital signal is stored in a digital storage circuit in synchronization with a clock signal, and the stored digital signal is converted into an analog signal by a digital-to-analog (D/A) converter. Note that there is also a type of waveform storage device that stores an analog input signal in an analog storage circuit such as a CCD in synchronization with a clock signal. In addition, a logic analyzer stores logic (digital) signals in a digital storage circuit in synchronization with a clock signal, and in principle it is a waveform storage device, except for the A/D converter and D/A converter. is similar to These signal storage devices are very convenient because they can store or measure input signals even before the trigger signal is generated.

ところで、これら信号記憶装置により、入力信
号全体を測定しながら、トリガ信号が発生した注
目部分(例えばトランジエント発生部分)を詳細
に測定したい場合がある。この場合、クロツク周
波数を低くすれば、限られた記憶容量の記憶回路
に入力信号全体を記憶できるが、注目部分を詳細
に測定することはできない。また、クロツク周波
数を高くすれば、注目部分を詳細に測定できる
が、波形全体を測定するには非常に大きな記憶容
量が必要となる。
By the way, while measuring the entire input signal using these signal storage devices, there are cases where it is desired to measure in detail a portion of interest where a trigger signal is generated (for example, a portion where a transient occurs). In this case, if the clock frequency is lowered, the entire input signal can be stored in a storage circuit with limited storage capacity, but the portion of interest cannot be measured in detail. Furthermore, if the clock frequency is increased, the part of interest can be measured in detail, but measuring the entire waveform requires a very large storage capacity.

〔従来技術とその問題点〕[Prior art and its problems]

このような問題を解決するため、従来いくつか
の提案が行なわれている。これら従来技術の1つ
は特開昭57−33363号(又は特開昭58−224498号)
公報に開示されている。信号記憶装置が波形記憶
装置とすれば、この従来技術は、第1図の如く低
周波クロツク信号Lに応じて入力信号Iを第1記
憶回路に記憶し、高周波クロツク信号Hに応じて
入力信号Iを第2記憶回路に記憶する。そして、
トリガ回路により検出したトリガ時点T2(又は
T4)から所定クロツク数を計数して第1及び第
2記憶回路の書込みモードを停止し、第1記憶回
路には時点T0及びT7間にわたつて入力信号全
体を大ざつぱに記憶し、第2記憶回路には時点T
1及びT6間にわたつて入力信号の注目部分(ト
ランジエント)を細かく記細する。よつて入力信
号全体を測定できると共に、入力信号のトランジ
エントを詳細に測定できる。しかし、低周波クロ
ツク信号Lの連続するパルス間に入力信号のトラ
ンジエントが発生した場合、第1記憶回路はこの
トランジエントを何ら記憶しない。よつて、第1
記憶回路に記憶された入力信号を再生(読出)し
ても、トランジエントが入力信号全体のどの部分
に対応するかの判断が困難となる。また、クロツ
ク信号Lの周波数をある程度高くすれば、第1記
憶回路にトランジエントの少なくとも一部を記憶
できるだろうが、入力信号全体を記憶するために
は第1記憶回路が大容量でなければならない。
In order to solve such problems, several proposals have been made in the past. One of these prior art is JP-A-57-33363 (or JP-A-58-224498).
Disclosed in the official gazette. If the signal storage device is a waveform storage device, this prior art stores the input signal I in the first storage circuit in response to the low frequency clock signal L, as shown in FIG. 1, and stores the input signal I in response to the high frequency clock signal H. I is stored in the second storage circuit. and,
The write mode of the first and second memory circuits is stopped by counting a predetermined number of clocks from the trigger time T2 (or T4) detected by the trigger circuit, and the input signal is input to the first memory circuit between time points T0 and T7. The whole is roughly memorized, and the second memory circuit is stored at time T.
The part of interest (transient) of the input signal between T1 and T6 is described in detail. Therefore, not only the entire input signal can be measured, but also the transients of the input signal can be measured in detail. However, if a transient in the input signal occurs between successive pulses of the low frequency clock signal L, the first storage circuit does not store any of this transient. Therefore, the first
Even if the input signal stored in the storage circuit is reproduced (read), it is difficult to determine which part of the entire input signal the transient corresponds to. Also, if the frequency of the clock signal L is increased to a certain extent, at least a part of the transient can be stored in the first storage circuit, but in order to store the entire input signal, the first storage circuit must have a large capacity. It won't happen.

他の従来技術は特開昭54−60543号(又は特開
昭55−154415号)公報に開示されており、第1図
のC1(又はC2)に示す如くトリガ時点T2
(又はT4)からクロツク信号周波数を切替えて
入力信号を記憶回路に記憶している。よつて、ト
リガ時点前(又は後)を大ざつぱに測定できると
共に、トランジエントを詳細に測定できる。更
に、入力信号全体とトランジエントとの関係も容
易に判断できる。しかし、クロツク信号がC1の
場合、トランジエントの初めの部分を測定でき
ず、またクロツク信号がC2の場合、トランジエ
ントの終わりの部分を測定できない。
Another conventional technique is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 54-60543 (or Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-154415), and the trigger time T2 is as shown in C1 (or C2) in FIG.
(or T4), the clock signal frequency is switched and the input signal is stored in the storage circuit. Therefore, it is possible to roughly measure the period before (or after) the trigger point, and also to measure the transient in detail. Furthermore, the relationship between the entire input signal and transients can be easily determined. However, if the clock signal is C1, the beginning of the transient cannot be measured, and if the clock signal is C2, the end of the transient cannot be measured.

上述の従来技術を波形記憶装置の代りにロジツ
ク・アナライザに適用しても、同じ問題が生じ
る。
The same problem arises when the prior art described above is applied to a logic analyzer instead of a waveform storage device.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

したがつて、本発明の目的の1つは上述の従来
技術の欠点を改善した信号記憶装置の提供にあ
る。
Therefore, one of the objects of the present invention is to provide a signal storage device which improves the drawbacks of the prior art mentioned above.

本発明の他の目的は、入力信号全体を大ざつぱ
にかつ入力信号の注目部分全体を詳細に測定でき
ると共に、入力信号の全体と注目部分との関係が
容易に判断できる信号記憶装置の提供にある。
Another object of the present invention is to provide a signal storage device that can measure the entire input signal roughly and the entire part of interest of the input signal in detail, and can easily determine the relationship between the whole input signal and the part of interest. be.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明の信号記憶装置は、トリガ信号が発生す
ると第1クロツク信号からこの第1クロツク信号
と周波数の異なる第2クロツク信号に切替えるス
イツチと、第1書込み制御回路の制御により、こ
のスイツチからのクロツク信号に応じて入力信号
のトリガ信号発生前後を記憶する(書込む)第1
記憶回路と、第1及び第2クロツク信号の内周波
数の高い方のクロツク信号に応じて入力信号を記
憶する第2記憶回路とを具えている。第2書込み
制御回路の制御によりこの第2記憶回路は、第1
クロツク信号の周波数が第2クロツク信号よりも
低い場合、トリガ信号が発生する直前の入力信号
を記憶し、また第1クロツク信号の周波数が第2
クロツク信号より高い場合、トリガ信号が発生し
た直後の入力信号を記憶している。よつて、第1
記憶回路への入力信号の記憶は上述の第2の従来
技術と同様であるが、第1記憶回路に細かく記憶
されない入力信号の注目部分の初めの部分又は終
わりの部分は第2記憶回路に細かく記憶されてい
る。したがつて、入力信号全体を大ざつぱにかつ
入力信号の注目部分全体を詳細に測定できると共
に、入力信号の全体と注目部分との関係が容易に
判断できる。
The signal storage device of the present invention includes a switch that switches from a first clock signal to a second clock signal having a frequency different from the first clock signal when a trigger signal is generated, and a first write control circuit that controls the clock signal from the switch. The first one stores (writes) the input signal before and after the trigger signal is generated according to the signal.
The device includes a storage circuit, and a second storage circuit that stores an input signal in accordance with the higher frequency clock signal of the first and second clock signals. Under the control of the second write control circuit, this second memory circuit
If the frequency of the clock signal is lower than the second clock signal, the input signal immediately before the trigger signal is generated is stored, and the frequency of the first clock signal is lower than the second clock signal.
If it is higher than the clock signal, the input signal immediately after the trigger signal was generated is stored. Therefore, the first
The storage of the input signal in the storage circuit is similar to the second conventional technique described above, but the beginning or end of the part of interest of the input signal that is not stored in detail in the first storage circuit is stored in the second storage circuit in detail. remembered. Therefore, the entire input signal can be roughly measured and the entire portion of interest of the input signal can be measured in detail, and the relationship between the entire input signal and the portion of interest can be easily determined.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施例
を説明する。第2図は本発明の第1実施例のブロ
ツク図を示し、信号記憶装置が波形記憶装置の場
合である。入力端子10のアナログ入力信号を
A/D変換器12に供給してデジタル信号に変換
すると共に、このアナログ入力信号をトリガ回路
14に供給してトリガ信号を発生する。このトリ
ガ回路14は第3図に示す如く、入力信号10か
らの入力信号とポテンシヨメータ16からのトリ
ガ・レベルとを比較する比較器18と、この比較
器18の出力信号によりクロツクされるD型フリ
ツプ・フロツプ20とで構成する。よつて、トリ
ガ回路14は入力信号がトリガ・レベルを超す
と、「低」レベルから「高」レベルに変化するト
リガ信号を発生する。なお、フリツプ・フロツプ
20は書込みモードの初めにリセツトされる。
A/D変換器12のデジタル出力信号を第1記憶
回路22及び第2記憶回路24に供給する。これ
ら第1及び第2記憶回路22及び24は例えばラ
ンダム・アクセス・メモリ(RAM)である。第
1及び第2記憶回路22及び24から読出したデ
ジタル信号はマルチプレクサ(MUX)を介した
D/A変換器28に供給してアナログ信号に戻
し、例えばCRTである表示器30の垂直偏向手
段に供給する。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 2 shows a block diagram of a first embodiment of the present invention, in which the signal storage device is a waveform storage device. An analog input signal at an input terminal 10 is supplied to an A/D converter 12 to convert it into a digital signal, and this analog input signal is supplied to a trigger circuit 14 to generate a trigger signal. The trigger circuit 14, as shown in FIG. It consists of a type flip-flop 20. Thus, trigger circuit 14 generates a trigger signal that changes from a "low" level to a "high" level when the input signal exceeds the trigger level. Note that flip-flop 20 is reset at the beginning of write mode.
The digital output signal of the A/D converter 12 is supplied to the first storage circuit 22 and the second storage circuit 24. These first and second storage circuits 22 and 24 are, for example, random access memories (RAM). The digital signals read from the first and second storage circuits 22 and 24 are supplied to a D/A converter 28 via a multiplexer (MUX) and converted back into analog signals, which are then applied to vertical deflection means of a display 30 such as a CRT. supply

クロツク発生器32は例えば第4図に示す如
く、水晶発振器である基準クロツク発生器34
と、この発生器34の出力信号を分周して複数の
分周出力を発生する分周器36と、この分周器3
6の出力信号から1つを夫々選択するMUX38
及び40とで構成する。なお、MUX38及び4
0を外部からの制御信号により制御してもよい
し、MUXの代りに機械的スイツチを利用しても
よい。MUX38の出力端を端子Hとし、MUX
40の出力端を端子Lとして、端子Hのクロツク
信号の周波数は端子Lのクロツク信号よりも通常
は高くする。クロツク発生器32の端子Hからの
高周波クロツク信号はA/D変換器12、切替手
段である電子スイツチ42、及び第2書込み制御
回路44に供給し、端子Lからの低周波クロツク
信号はスイツチ42に供給する。スイツチ42が
選択したクロツク信号は第1書込み制御回路46
及び書込み/読出しW/R制御回路48に供給す
る。トリガ回路14からのトリガ信号によりスイ
ツチ42の切替え動作を制御すると共に、このト
リガ信号を第1及び第2書込み制御回路46及び
44並びにW/R制御回路48に供給する。
The clock generator 32 includes, for example, a reference clock generator 34, which is a crystal oscillator, as shown in FIG.
, a frequency divider 36 that divides the output signal of this generator 34 to generate a plurality of divided outputs, and this frequency divider 3
MUX38 that selects one from 6 output signals.
and 40. In addition, MUX38 and 4
0 may be controlled by an external control signal, or a mechanical switch may be used instead of the MUX. The output end of MUX38 is terminal H, and MUX
The output end of 40 is terminal L, and the frequency of the clock signal at terminal H is usually higher than that of the clock signal at terminal L. The high frequency clock signal from the terminal H of the clock generator 32 is supplied to the A/D converter 12, the electronic switch 42 which is a switching means, and the second write control circuit 44, and the low frequency clock signal from the terminal L is supplied to the switch 42. supply to. The clock signal selected by the switch 42 is used by the first write control circuit 46.
and the write/read W/R control circuit 48. The switching operation of the switch 42 is controlled by a trigger signal from the trigger circuit 14, and this trigger signal is supplied to the first and second write control circuits 46 and 44 and the W/R control circuit 48.

W/R制御回路48は信号記憶装置の書込みモ
ード及び読出しモードを制御するための回路であ
り、例えば第5図に示す如く、クロツク端子Cに
スイツチ42からのクロツク信号を受け、イネー
ブル(付勢)端子Eにトリガ回路14からのトリ
ガ信号を受けるプログラマブル・カウンタ50
と、このカウンタ50のキヤリ・アウト信号及び
スイツチ52が選択したロジツク・レベルを受け
るロジツク回路54とで構成する。よつて、スイ
ツチ52が書込みモードWを選択した場合、カウ
ンタ50はトリガ信号発生後にイネーブルされて
スイツチ42からのクロツク信号の計数を開始
し、設定した数だけクロツク・パルスを計数する
とキヤリ・アウト信号を発生する。このキヤリ・
アウト信号によりロジツク回路54からのW/R
制御信号を「高」レベルから「低」レベルに変化
させる。また、スイツチ52が読出しモードRを
選択した場合、W/R制御信号は常に「低」レベ
ルである。このW/R制御信号は、第1及び第2
記憶回路22及び24の書込み及び読出しモード
を制御すると共に、MUX56及び58の選択動
作を制御し、更に第1及び第2書込み制御回路4
6及び44並びに読出し制御回路60を制御す
る。
The W/R control circuit 48 is a circuit for controlling the write mode and read mode of the signal storage device. For example, as shown in FIG. ) A programmable counter 50 that receives a trigger signal from the trigger circuit 14 at terminal E.
and a logic circuit 54 which receives the carry-out signal of the counter 50 and the logic level selected by the switch 52. Thus, when switch 52 selects write mode W, counter 50 is enabled after the trigger signal is generated and starts counting the clock signals from switch 42, and when it has counted the set number of clock pulses, it outputs a carry-out signal. occurs. This carri
W/R from logic circuit 54 by out signal
Change the control signal from "high" level to "low" level. Furthermore, when the switch 52 selects the read mode R, the W/R control signal is always at a "low" level. This W/R control signal
It controls the write and read modes of the memory circuits 22 and 24 as well as the selection operations of the MUXs 56 and 58, and further controls the first and second write control circuits 4.
6 and 44 as well as the read control circuit 60.

第1書込み制御回路46は第1記憶回路22用
の書込みアドレス信号を発生する回路であり、例
えば第6図に示す如く、クロツク端子Cにスイツ
チ42からのクロツク信号を受け、イネーブル端
子EにW/R制御回路48からのW/R制御信号
を受けるカウンタ62と、このカウンタ62の計
数出力をトリガ信号に応じてラツチするラツチ回
路64とから構成される。即ち、カウンタ62は
書込みモード期間のみクロツク信号を計数し、計
数出力をアドレス信号としてMUX56に供給す
る。またラツチ回路64はトリガ信号発生時点の
アドレス信号をラツチして、読出し制御回路60
に供給する。一方、第2書込み制御回路44は第
2記憶回路24用の書込みアドレス信号を発生す
る回路であり、第7図に示す如くクロツク端子C
にクロツク発生器32からの高周波クロツク信号
を受け、反転イネーブル端子にトリガ信号を受け
るカウンタ66と、このカウンタ66の計数出力
をトリガ信号に応じてラツチするラツチ回路68
とを具えている。カウンタ66はトリガ信号が発
生するまで高周波クロツク信号を計数してアドレ
ス信号を発生し、このアドレス信号をMUX58
に供給する。なお、トリガ信号が発生すると、カ
ウンタ66は計数を停止することに注意された
い。またラツチ回路68はトリガ信号が発生した
時点のアドレス信号をラツチし、読出し制御回路
60に供給する。なお、カウンタ62及び66の
最大計数値は夫々記憶回路22及び24の容量で
決まる。
The first write control circuit 46 is a circuit that generates a write address signal for the first memory circuit 22. For example, as shown in FIG. The counter 62 receives the W/R control signal from the /R control circuit 48, and the latch circuit 64 latches the counted output of the counter 62 in response to a trigger signal. That is, the counter 62 counts the clock signal only during the write mode period, and supplies the count output to the MUX 56 as an address signal. Further, the latch circuit 64 latches the address signal at the time when the trigger signal is generated, and the read control circuit 64
supply to. On the other hand, the second write control circuit 44 is a circuit that generates a write address signal for the second memory circuit 24, and as shown in FIG.
A counter 66 which receives a high frequency clock signal from the clock generator 32 and a trigger signal at its inverting enable terminal, and a latch circuit 68 which latches the count output of this counter 66 in response to the trigger signal.
It is equipped with. The counter 66 counts the high frequency clock signals until a trigger signal is generated, generates an address signal, and sends this address signal to the MUX 58.
supply to. Note that the counter 66 stops counting when the trigger signal is generated. Further, the latch circuit 68 latches the address signal at the time when the trigger signal is generated and supplies it to the read control circuit 60. Note that the maximum count values of the counters 62 and 66 are determined by the capacities of the memory circuits 22 and 24, respectively.

読出し制御回路60は第1及び第2記憶回路2
2及び24用の読出しアドレス信号を発出し、
MUX26の選択動作を制御し、更に水平掃引用
のデジタル信号を発生してD/A変換器70に供
給する。このD/A変換器70は水平掃引信号
(階段波)を発生して表示器30の水平偏向手段
に供給する。読出し制御回路60は、例えば第8
図の如き構成である。演算回路72は例えばマイ
クロプロセツサ・システムであり、W/R制御回
路48からW/R制御信号を受けると共に、第1
及び第2書込み制御回路46及び44からトリガ
時点のアドレス信号を受けて種々の演算を行な
う。この演算結果をラツチ回路74及び76に供
給すると共に、アドレス・カウンタ78及び80
にプリセツトする。クロツク発生器82は読出し
クロツク信号を発生し、カウンタ84はこのクロ
ツク信号を計数して掃引用デジタル信号を発生す
る。なお、カウンタ84の最大計数値は記憶回路
22及び24の容量の和にほぼ対応する。このデ
ジタル信号をD/A変換器70及び演算回路72
に供給する。デジタル比較器86はラツチ回路7
4及びカウンタ84の出力信号を比較し、これら
出力信号が一致するとD型フリツプ・フロツプ8
8をクロツクする。同様に、デジタル比較器90
はラツチ回路76及びカウンタ84の出力信号を
比較し、これら出力信号が一致するとD型フリツ
プ・フロツプ92をクロツクする。フリツプ・フ
ロツプ88及び92はD端子に「高」レベルを受
けているので、夫々比較器86及び90の出力信
号に応じて「高」レベルをラツチする。また、こ
れらフリツプ・フロツプ88及び92は読出しモ
ードの初めにリセツトされる。排他的オア・ゲー
ト94はフリツプ・フロツプ88及び92のQ出
力を受ける。アンド・ゲート98はインバータ9
6を介して排他的オア・ゲート94の出力信号を
受け、クロツク発生器82からの読出しクロツク
信号をカウンタ78のクロツク端子Cに通過させ
る。またアンド・ゲート100は排他的オア・ゲ
ート94の出力信号を受け、読出しクロツク信号
をカウンタ80のクロツク端子Cに通過させる。
排他的オア・ゲート94の出力信号はMUX26
の選択を制御し、カウンタ78及び80の計数出
力は夫々第1及び第2記憶回路22及び24の読
出しアドレス信号となる。なお、カウンタ78及
び80の最大計数値は夫々カウンタ62及び66
と同じである。
The read control circuit 60 is connected to the first and second storage circuits 2
Issues a read address signal for 2 and 24,
It controls the selection operation of the MUX 26, and also generates a digital signal for horizontal sweeping and supplies it to the D/A converter 70. This D/A converter 70 generates a horizontal sweep signal (staircase wave) and supplies it to the horizontal deflection means of the display 30. For example, the read control circuit 60
The configuration is as shown in the figure. The arithmetic circuit 72 is, for example, a microprocessor system, and receives the W/R control signal from the W/R control circuit 48, and also receives the W/R control signal from the W/R control circuit 48.
It receives address signals at the trigger time from the second write control circuits 46 and 44 and performs various operations. This operation result is supplied to latch circuits 74 and 76, and address counters 78 and 80
Preset to. A clock generator 82 generates a read clock signal, and a counter 84 counts the clock signal to generate a digital signal for sweep. Note that the maximum count value of the counter 84 approximately corresponds to the sum of the capacities of the memory circuits 22 and 24. This digital signal is transferred to the D/A converter 70 and the arithmetic circuit 72.
supply to. Digital comparator 86 is latch circuit 7
4 and the counter 84, and if these output signals match, the D-type flip-flop 8
Clock 8. Similarly, digital comparator 90
compares the output signals of latch circuit 76 and counter 84 and clocks D-type flip-flop 92 if the output signals match. Flip-flops 88 and 92 receive a ``high'' level at their D terminals and therefore latch a ``high'' level in response to the output signals of comparators 86 and 90, respectively. Flip-flops 88 and 92 are also reset at the beginning of the read mode. Exclusive-OR gate 94 receives the Q outputs of flip-flops 88 and 92. AND gate 98 is inverter 9
6 receives the output signal of exclusive-OR gate 94 and passes the read clock signal from clock generator 82 to clock terminal C of counter 78. AND gate 100 also receives the output signal of exclusive-OR gate 94 and passes the read clock signal to clock terminal C of counter 80.
The output signal of exclusive OR gate 94 is MUX 26
The count outputs of counters 78 and 80 serve as read address signals for first and second memory circuits 22 and 24, respectively. Note that the maximum count values of counters 78 and 80 are the same as those of counters 62 and 66, respectively.
is the same as

次に第1図のタイミング図を参照して、第2図
の書込み動作を説明する。クロツク発生器32は
端子H及びLに夫々高周波クロツク信号H及び低
周波クロツク信号Lを発生しており、スイツチ4
2は端子Lを選択している。また、入力信号10
には入力信号が供給されているので、A/D変
換器12は高周波クロツク信号Hに応じて入力信
号をサンプリングし、デジタル信号に変換して
いる。W/R制御回路48は書込みモードなの
で、そのW/R制御信号は「高」レベルであり、
第1及び第2記憶回路22及び24は書込みモー
ドであり、MUX56及び58は夫々第1及び第
2書込み制御回路46及び44を選択している。
第1書込み制御回路46は低周波クロツク信号L
に応じて低速アドレス信号を発生しており、第1
記憶回路22は低周波クロツク信号Lの発生した
際の入力信号のデジタル値をこの低速アドレス
信号に応じて順次記憶していく。また、第2書込
み制御回路44は高周波クロツク信号Hに応じて
高速アドレス信号を発生しており、第2記憶回路
24は高周波クロツク信号Hの発生した際の入力
信号のデジタル値をこの高速アドレス信号に応
じて順次記憶していく。低速アドレス信号により
記憶を行なう第1記憶回路22も、高速アドレス
信号により記憶を行なう第2記憶回路24も共
に、共通のA/D変換器の出力デジタル信号を受
けていることに注意されたい。
Next, the write operation shown in FIG. 2 will be explained with reference to the timing diagram shown in FIG. A clock generator 32 generates a high frequency clock signal H and a low frequency clock signal L at terminals H and L, respectively, and the switch 4
2 selects terminal L. In addition, the input signal 10
Since the input signal is supplied to the A/D converter 12, the A/D converter 12 samples the input signal in accordance with the high frequency clock signal H and converts it into a digital signal. Since the W/R control circuit 48 is in write mode, its W/R control signal is at a "high"level;
First and second storage circuits 22 and 24 are in write mode, and MUXes 56 and 58 select first and second write control circuits 46 and 44, respectively.
The first write control circuit 46 uses a low frequency clock signal L.
A low-speed address signal is generated according to the first
The storage circuit 22 sequentially stores the digital values of the input signals when the low frequency clock signal L is generated in accordance with this low speed address signal. Further, the second write control circuit 44 generates a high-speed address signal in response to the high-frequency clock signal H, and the second memory circuit 24 stores the digital value of the input signal when the high-frequency clock signal H is generated as the high-speed address signal. The information is stored sequentially according to the information. It should be noted that both the first storage circuit 22, which performs storage using a low-speed address signal, and the second storage circuit 24, which performs storage using a high-speed address signal, receive a common A/D converter output digital signal.

時点T2において、トリガ回路14が入力信号
のトリガ・レベルを検出するとトリガ信号が発
生、即ちトリガ回路14の出力信号が「低」レベ
ルから「高」レベルに変化する。すると、スイツ
チ42は切替わり、端子Hを選択するので、第1
書込み制御回路46は高周波クロツク信号に応じ
てアドレス信号を発生する。よつて、第1記憶回
路22は高周波クロツク信号Hの発生した際の入
力信号のデジタル値を引続き記憶する。なお、
第1書込み制御回路46のラツチ回路64は、ト
リガ時点T2の第1記憶回路用アドレス信号をラ
ツチする。一方、第2書込み制御回路44は、ト
リガ信号の発生によりカウンタ66の計数が停止
するため、トリガ時点T2以降に新たなアドレス
信号を発生しない。よつて、第2記憶回路24は
A/D変換器12からの新たなデジタル信号を記
憶せず、トリガ時点T2以前の入力信号のデジ
タル値を記憶している。この記憶する量は第2記
憶回路24の記憶容量で決まり、例えば時点T1
及びT3間において高周波クロツク信号Hの発生
した際の入力信号のデジタル値を記憶する。第
2記憶回路24は第1記憶回路22の補助なの
で、その記憶容量は小さくてよい。また、第2書
込み制御回路44のラツチ回路68はトリガ時点
T2の第2記憶回路用アドレス信号をラツチす
る。
At time T2, when the trigger circuit 14 detects the trigger level of the input signal, a trigger signal is generated, that is, the output signal of the trigger circuit 14 changes from a "low" level to a "high" level. Then, the switch 42 switches and selects the terminal H, so the first
Write control circuit 46 generates address signals in response to the high frequency clock signal. Therefore, the first storage circuit 22 continues to store the digital value of the input signal when the high frequency clock signal H is generated. In addition,
The latch circuit 64 of the first write control circuit 46 latches the address signal for the first storage circuit at the trigger time T2. On the other hand, since the counter 66 stops counting upon generation of the trigger signal, the second write control circuit 44 does not generate a new address signal after the trigger time T2. Therefore, the second storage circuit 24 does not store a new digital signal from the A/D converter 12, but stores the digital value of the input signal before the trigger time T2. The amount to be stored is determined by the storage capacity of the second storage circuit 24, and for example, at time T1.
and T3, the digital value of the input signal when the high frequency clock signal H is generated is stored. Since the second memory circuit 24 is an auxiliary to the first memory circuit 22, its memory capacity may be small. Further, the latch circuit 68 of the second write control circuit 44 latches the address signal for the second storage circuit at the trigger time T2.

この場合、スイツチ42の出力クロツク信号は
第1図のC1となる。また、トリガ信号により
W/R制御回路48のカウンタ50がイネーブル
され、クロツク信号C1をトリガ時点T2以後に
計数する。予め設定された数だけのクロツク・パ
ルスを計数すると、W/R制御信号が反転して、
第1書込み制御回路46はアドレス信号の発生を
停止し、第1記憶回路22も書込みモードを停止
する。よつて、第1記憶回路22は、例えば時点
T0及びT6間においてクロツク信号C1の発生
した際の入力信号のデジタル値を記憶する。入
力信号の注目部分の初めの部分(時点T1及び
T2間の部分)は第1記憶回路22に細かく記憶
されていないが、この部分は第2記憶回路24に
細かく記憶されている点に注意されたい。また、
第1記憶回路22は入力信号の全体を荒く、注
目部分を細かく記憶している点にも注意された
い。なお、トリガ時点T2が高速クロツク信号H
と同期していない場合は、高速クロツク信号Hの
次のパルス(時点T3)からカウンタ50及び6
2が計数を行なつている。
In this case, the output clock signal of switch 42 becomes C1 in FIG. The trigger signal also enables the counter 50 of the W/R control circuit 48 to count the clock signal C1 after the trigger time T2. After counting a preset number of clock pulses, the W/R control signal is inverted and
The first write control circuit 46 stops generating the address signal, and the first storage circuit 22 also stops the write mode. Therefore, the first storage circuit 22 stores the digital value of the input signal when the clock signal C1 is generated, for example, between time points T0 and T6. It should be noted that the first part of the part of interest of the input signal (the part between time points T1 and T2) is not stored in detail in the first storage circuit 22, but this part is stored in detail in the second storage circuit 24. sea bream. Also,
It should also be noted that the first storage circuit 22 roughly stores the entire input signal and stores the portion of interest in detail. Note that the trigger time T2 is the high speed clock signal H.
If the counters 50 and 6 are not synchronized with each other, the counters 50 and 6
2 is doing the counting.

読出しモードによりW/R制御回路48からの
W/R制御信号が「低」レベルになると、第1及
び第2記憶回路22及び24は読出し状態とな
り、MUX56及び58は読出し制御回路60か
らのアドレス信号選択する。この読出しモードに
おいては、読出し制御回路60及びMUX26
が、時点T0及びT1間に対応する信号を第1記
憶回路22から順次読出し、その後時点T1及び
T2間に対応する信号を第2記憶回路24から順
次読出し、更に時点T2及びT6間に対応する信
号を第1記憶回路22から順次読出せばよい。即
ち、第1記憶回路22に記憶された時点T1及び
T2間に対応する信号部分を第2記憶回路24に
置換すればよい。
When the W/R control signal from the W/R control circuit 48 becomes a "low" level due to the read mode, the first and second storage circuits 22 and 24 enter the read state, and the MUXs 56 and 58 receive the address from the read control circuit 60. Select signal. In this read mode, the read control circuit 60 and the MUX 26
reads signals corresponding to time points T0 and T1 sequentially from the first memory circuit 22, then sequentially reads signals corresponding to time points T1 and T2 from the second memory circuit 24, and then sequentially reads signals corresponding to time points T2 and T6. The signals may be read out sequentially from the first storage circuit 22. That is, the signal portion stored in the first memory circuit 22 and corresponding to the time points T1 and T2 may be replaced in the second memory circuit 24.

この読出しモードの動作を第8図により更に説
明する。第1及び第2記憶回路22及び24は最
終アドレスまで書込むと最初のアドレスに戻り、
再び最終アドレスに向つて順次書込むものであ
り、また第1及び第2記憶回路の記憶容量は異な
るため、トリガ時点のアドレスは互いに独立して
いる。また第1及び第2記憶回路22及び24に
記憶されている最初の(即ち最も古い)デジタル
信号のアドレスも互いに独立している。よつて、
読出しモードの初めにおいて、演算回路72は、
第1書込み制御回路46からのトリガ時点のアド
レスと、W/R制御回路48のカウンタ50の設
定値と、第1記憶回路22の記憶容量(最終アド
レス)とから、第1記憶回路の最初のデジタル値
のアドレス(時点T0に対応)を計算し、カウン
タ78にプリセツトする。また、演算回路72
は、第2書込み制御回路44からのトリガ時点の
アドレスの次のアドレスを、第2記憶回路24の
最初のデジタル値のアドレス(時点T1に対応)
とし、カウンタ80にプリセツトする。更に、演
算回路72は高周波及び低周波クロツク信号の周
期、第2記憶回路24の容量、トリガ時点のアド
レス等から、時点T0及びT1間の低周波クロツ
ク信号Lのパルス数を求めてラツチ回路74にラ
ツチすると共に、このパルス数と時点T1及びT
2間の高周波クロツク信号Hのパルス数との和を
求めてラツチ回路76にラツチする。また、演算
回路72は時点T1及びT2間における低周波ク
ロツク信号Lのパルス数も求める。
The operation in this read mode will be further explained with reference to FIG. When the first and second memory circuits 22 and 24 write to the final address, they return to the initial address,
Since the data is sequentially written again toward the final address, and the storage capacities of the first and second storage circuits are different, the addresses at the time of the trigger are independent of each other. Further, the addresses of the first (ie, oldest) digital signals stored in the first and second storage circuits 22 and 24 are also independent from each other. Then,
At the beginning of the read mode, the arithmetic circuit 72
From the address at the trigger time from the first write control circuit 46, the setting value of the counter 50 of the W/R control circuit 48, and the storage capacity (final address) of the first storage circuit 22, the first The address of the digital value (corresponding to time T0) is calculated and preset in the counter 78. In addition, the arithmetic circuit 72
is the address next to the address at the trigger time from the second write control circuit 44, and the address of the first digital value in the second storage circuit 24 (corresponding to time T1).
and presets the counter 80. Further, the arithmetic circuit 72 calculates the number of pulses of the low frequency clock signal L between time points T0 and T1 from the periods of the high frequency and low frequency clock signals, the capacity of the second memory circuit 24, the address at the trigger time, etc., and applies the same to the latch circuit 74. This pulse number and time points T1 and T
The sum of the number of pulses of the high frequency clock signal H between the two is determined and latched in the latch circuit 76. The arithmetic circuit 72 also determines the number of pulses of the low frequency clock signal L between times T1 and T2.

カウンタ84の計数値が0(時点T0に対応)
になると、演算回路72はフリツプ・フロツプ8
8及び92をリセツトする。よつて、排他的オ
ア・ゲート94の出力信号は「低」レベルであ
り、ゲート98はオンし、ゲート100はオフと
なる。よつて、カウンタ78はカウンタ84と同
期して、読出しクロツク信号を計数し、第1記憶
回路22から順次デジタル信号を読出す。なお、
この際、ゲート94の出力信号によりMUX26
は第1記憶回路を選択している。比較器86が時
点T1に対応するアドレスを検出すると、フリツ
プ・フロツプ88の出力信号は「高」レベルに反
転し、排他的オア・ゲート94の出力信号も
「高」レベルに反転する。よつて、MUX26は
第2記憶回路24を選択し、ゲート98はオフと
なり、カウンタ78は計数を停止する。一方、ゲ
ート100はオンとなり、カウンタ80はカウン
タ84と同期して読出しクロツク信号を計数し、
第2記憶回路24からデジタル信号を順次読出
す。また、演算回路72は時点T1及びT2間の
低周波クロツク信号のパルス数分だけカウンタ7
8の計数内容を進める。比較器90がトリガ時点
T2(実際には時点T3)に対応するアドレスを
検出すると、フリツプ・フロツプ92の出力信号
は「高」レベルに反転し、排他的オア・ゲート9
4の出力信号は「低」レベルに反転する。よつ
て、MUX26は第1記憶回路を選択し、ゲート
100がオフとなり、カウンタ80は計数を停止
する。一方、ゲート98は再びオンとなり、カウ
ンタ78は時点T3に対応するアドレスから計数
を再開する。カウンタ78及び84が時点T6に
対応するアドレスまで計数すると、初めの状態に
戻り、上述の動作を繰返す。したがつて、時点T
0及びT1間、並びに時点T2,T3及びT6間
に対応する入力信号部分は第1記憶回路22から
読出し、時点T1及びT2,T3間に対応する入
力信号部分は第2記憶回路24から読出せる。
The count value of the counter 84 is 0 (corresponding to time T0)
Then, the arithmetic circuit 72 converts the flip-flop 8
8 and 92. Thus, the output signal of exclusive-OR gate 94 is at a "low" level, gate 98 is on, and gate 100 is off. Therefore, the counter 78 counts the read clock signal in synchronization with the counter 84 and sequentially reads digital signals from the first storage circuit 22. In addition,
At this time, the output signal of the gate 94 causes the MUX26 to
selects the first memory circuit. When comparator 86 detects the address corresponding to time T1, the output signal of flip-flop 88 is inverted to a high level and the output signal of exclusive-OR gate 94 is also inverted to a high level. Therefore, MUX 26 selects second memory circuit 24, gate 98 is turned off, and counter 78 stops counting. On the other hand, the gate 100 is turned on, and the counter 80 counts the read clock signal in synchronization with the counter 84.
Digital signals are sequentially read from the second storage circuit 24. The arithmetic circuit 72 also operates the counter 7 by the number of pulses of the low frequency clock signal between time points T1 and T2.
Proceed with the counting details in step 8. When comparator 90 detects the address corresponding to trigger time T2 (actually time T3), the output signal of flip-flop 92 is inverted to a "high" level and exclusive-OR gate 9
The output signal of 4 is inverted to a "low" level. Therefore, MUX 26 selects the first storage circuit, gate 100 is turned off, and counter 80 stops counting. Meanwhile, the gate 98 is turned on again, and the counter 78 restarts counting from the address corresponding to time T3. When the counters 78 and 84 have counted up to the address corresponding to time T6, they return to the initial state and repeat the above-described operation. Therefore, time T
The input signal portions corresponding between 0 and T1 and between times T2, T3 and T6 can be read from the first storage circuit 22, and the input signal portions corresponding between times T1 and T2 and T3 can be read from the second storage circuit 24. .

なお、上述の説明では、トリガ時点において、
スイツチ42がクロツク信号を低周波数から高周
波数に切替えたが、例えばトリガ・スロープをマ
イナスとし、時点T4をトリガ時点として、スイ
ツチ42が高周波クロツク信号から低周波クロツ
ク信号に切替えてもよい。即ち、スイツチ42か
らのクロツク信号を第1図のC2としてもよい。
この場合、第1書込み制御回路46はそのままで
よいが、第2書込み制御回路44はトリガ信号発
生後に所定期間経過したらアドレス信号を停止す
るか、又は第2記憶回路24の書込みモードを停
止すればよい。よつて、例えば、第1記憶回路2
2は時点T1及びT7の間において、クロツク信
号C2が発生した際の入力信号のデジタル値を
記憶し、第2記憶回路24は時点T4及びT6の
間において、高周波クロツク信号Hが発生した際
の入力信号のデジタル値を記憶する。また、演
算回路72は時点T4及びT6に対応するカウン
タ84のアドレスを計数し、これら計数値を夫々
ラツチ回路74及び76にラツチする。他の動作
は上述のクロツク信号C1の場合と同様である。
In addition, in the above explanation, at the time of triggering,
Although switch 42 switches the clock signal from a low frequency to a high frequency, switch 42 may switch from a high frequency clock signal to a low frequency clock signal, for example, with a negative trigger slope and time T4 as the trigger time. That is, the clock signal from switch 42 may be C2 in FIG.
In this case, the first write control circuit 46 may be left as is, but the second write control circuit 44 may stop the address signal after a predetermined period of time has passed after the trigger signal is generated, or stop the write mode of the second memory circuit 24. good. Therefore, for example, the first memory circuit 2
2 stores the digital value of the input signal when the clock signal C2 is generated between times T1 and T7, and the second storage circuit 24 stores the digital value of the input signal when the high frequency clock signal H is generated between the times T4 and T6. Stores the digital value of the input signal. Arithmetic circuit 72 also counts the addresses of counter 84 corresponding to times T4 and T6, and latches these counts in latch circuits 74 and 76, respectively. Other operations are similar to those for the clock signal C1 described above.

ところで、信号記憶装置は第9図に示す如
く、間欠点に発生するトランジエントの複数個を
連続して記憶したい場合がある。このような場合
も、複数個のトランジエントを全体的に測定でき
ると共に、各トランジエント部分を詳細に測定で
きると非常に便利である。このような測定ができ
る本発明の第2実施例を第10図に示す。この実
施例は第2図の実施例とほとんど同じなので、同
じブロツクは同じ参照番号で示す。以下、第2図
と異なるブロツクについて説明する。トリガ回路
14−1は第11図に示す如く、比較器18の出
力を単安定マルチバイブレータに供給している。
よつて、トリガ回路14−1は、入力信号がト
リガ・レベルを超す毎に所定のパルス巾のトリガ
信号を発生する。また、スイツチ制御回路102
はトリガ信号が発生する毎に、所定期間だけ高周
波クロツク信号を選択するようにスイツチ42を
制御している。このスイツチ制御回路102は、
例えば第12図に示す如く、クロツク端子Cにス
イツチ42からのクロツク信号を受け、リセツト
端子Rにトリガ信号を受け、所定数のクロツク・
パルスを計数すると出力信号を発生するカウンタ
106と、D端子に「高」レベルを受け、リセツ
ト端子Rにカウンタ106の出力信号を受け、ク
ロツク端子Cにトリガ信号を受けるD型フリツ
プ・フロツプ108とから構成されている。即
ち、トリガ信号が発生すると、フリツプ・フロツ
プ108はトリガされてQ出力は「高」レベルに
なると共に、カウンタ106はリセツトされて新
たにクロツク信号の計数を行なう。カウンタ10
6が所定数の計数を行なうとフリツプ・フロツプ
108をリセツトするので、そのQ出力は「低」
レベルに変化する。よつて、スイツチ制御回路1
02の出力信号はトリガ信号発生後の所定期間の
み「高」レベルになる。
By the way, as shown in FIG. 9, the signal storage device may want to continuously store a plurality of transients occurring at an interval. In such cases, it would be very convenient to be able to measure a plurality of transients as a whole, as well as to measure each transient part in detail. A second embodiment of the present invention that allows such measurements is shown in FIG. This embodiment is substantially similar to the embodiment of FIG. 2, so like blocks are designated with like reference numerals. Hereinafter, blocks different from those in FIG. 2 will be explained. The trigger circuit 14-1 supplies the output of the comparator 18 to a monostable multivibrator, as shown in FIG.
Therefore, the trigger circuit 14-1 generates a trigger signal with a predetermined pulse width each time the input signal exceeds the trigger level. In addition, the switch control circuit 102
controls the switch 42 to select the high frequency clock signal for a predetermined period each time a trigger signal is generated. This switch control circuit 102 is
For example, as shown in FIG. 12, the clock terminal C receives a clock signal from the switch 42, the reset terminal R receives a trigger signal, and a predetermined number of clock signals are input.
A counter 106 that generates an output signal when counting pulses, a D-type flip-flop 108 that receives a "high" level at its D terminal, receives the output signal of the counter 106 at its reset terminal R, and receives a trigger signal at its clock terminal C. It consists of That is, when the trigger signal is generated, flip-flop 108 is triggered and the Q output goes high, and counter 106 is reset to count a new clock signal. counter 10
6 resets the flip-flop 108 after a predetermined number of counts, so its Q output is "low".
Change in level. Therefore, switch control circuit 1
The output signal of 02 is at the "high" level only for a predetermined period after the trigger signal is generated.

この実施例では、第2記憶回路24が複数のト
ランジエントのトリガ発生直前部分を記憶するの
で、第2記憶回路24の記憶領域を複数に分割し
て使用している。そのため、第2書込み制御回路
44−1は例えば第13図に示す如く構成してい
る。即ち、カウンタ110はクロツク端子Cにト
リガ信号を受け、イネーブル端子EにW/R制御
信号を受ける。またカウンタ112はクロツク端
子Cに高周波クロツク信号を受け、イネーブル端
子EにW/R制御信号を受ける。カウンタ110
の計数出力をアドレス信号の上位ビツトに割当
て、カウンタ112の計数出力をアドレス信号の
下位ビツトに割当てる。カウンタ110はトリガ
信号毎に計数値を変化し、かつアドレス信号の上
位ビツトを担当するので、分割した記憶領域を指
定する。またカウンタ112は高周波クロツク信
号毎に計数値を変化し、かつアドレス信号の下位
ビツトを担当するので、指定された分割記憶領域
内のアドレスを指定する。ラツチ回路114は、
複数のアドレス信号をラツチでき、トリガ信号が
発生する毎にアドレス信号を次々にラツチする。
In this embodiment, since the second storage circuit 24 stores portions of a plurality of transients immediately before trigger generation, the storage area of the second storage circuit 24 is divided into a plurality of sections. Therefore, the second write control circuit 44-1 is configured as shown in FIG. 13, for example. That is, counter 110 receives a trigger signal at clock terminal C and a W/R control signal at enable terminal E. Further, the counter 112 receives a high frequency clock signal at a clock terminal C, and receives a W/R control signal at an enable terminal E. counter 110
The count output of the counter 112 is assigned to the upper bits of the address signal, and the count output of the counter 112 is assigned to the lower bits of the address signal. Since the counter 110 changes its count value for each trigger signal and is responsible for the upper bits of the address signal, it specifies the divided storage area. Further, since the counter 112 changes its count value for each high-frequency clock signal and is in charge of the lower bits of the address signal, it specifies an address within a designated divided storage area. The latch circuit 114 is
Multiple address signals can be latched, and the address signals are latched one after another each time a trigger signal occurs.

次に第9図のタイミング図を参照して、第10
図の実施例の動作を説明する。書込みモードが開
始すると、MUX56及び58は夫々制御回路4
6及び44−1を選択し、スイツチ42は低周波
クロツク信号Lを選択するので、第1記憶回路2
2は低周波クロツク信号Lが発生した際の入力信
号のデジタル値を記憶する。また第2記憶回路
24の第1記憶領域は高周波クロツク信号Hが発
生した際の入力信号のデジタル値を記憶する。
時点T2において第1回目のトリガ信号が発生す
ると、スイツチ42は高周波クロツク信号Hを選
択し、このクロツク信号Hに応じて第1記憶回路
22は入力信号を記憶する。一方、第2書込み
制御回路44−1は第1回目のトリガ信号により
第2記憶回路24の第2記憶領域を指定する。よ
つて、第1記憶領域には、トリガ時点T2以前
で、この記憶領域の記憶容量分だけ(例えば時点
T1及びT2間に対応)入力信号のデジタル値
が記憶されたことになる。また、書込み制御回路
46及び44−1のラツチ回路はトリガ時点T2
の夫々のアドレス信号をラツチする。トリガ時点
T2から所定期間経過した時点T3において、ス
イツチ42は低周波クロツク信号Lを選択する。
よつて、スイツチ42からのクロツク信号は第9
図Cのようになる。
Next, referring to the timing diagram of FIG.
The operation of the illustrated embodiment will be explained. When the write mode begins, MUXs 56 and 58 are connected to control circuit 4, respectively.
6 and 44-1, and the switch 42 selects the low frequency clock signal L, so the first memory circuit 2
2 stores the digital value of the input signal when the low frequency clock signal L is generated. The first storage area of the second storage circuit 24 stores the digital value of the input signal when the high frequency clock signal H is generated.
When the first trigger signal is generated at time T2, the switch 42 selects the high frequency clock signal H, and the first storage circuit 22 stores the input signal in accordance with this clock signal H. On the other hand, the second write control circuit 44-1 specifies the second storage area of the second storage circuit 24 using the first trigger signal. Therefore, in the first storage area, before the trigger time T2, the digital value of the input signal is stored as much as the storage capacity of this storage area (corresponding to, for example, between times T1 and T2). Further, the latch circuits of the write control circuits 46 and 44-1 are activated at the trigger time T2.
latches each address signal. At time T3, a predetermined period of time has elapsed from trigger time T2, switch 42 selects low frequency clock signal L.
Therefore, the clock signal from switch 42 is
It will look like Figure C.

また、時点T5において第2回目のトリガ信号
が発生すると、第1回目のトリガ信号のときと同
様に、スイツチ42は高周波クロツク信号Hを選
択し、第2書込み制御回路44−1は第2記憶回
路24の第3記憶領域を指定する。よつて、第2
記憶回路24の第2記憶領域には時点T4及びT
5間の入力信号のデジタル値が記憶される。第
1及び第2書込み制御回路46及び44−1のラ
ツチ回路はトリガ時点T5の夫々のアドレス信号
をラツチする。以下、同様な動作を繰返す。一
方、W/R制御回路48−1は例えば第5図のカ
ウンタ50のイネーブル端子Eの前段にトリガ信
号をラツチするラツチ回路(例えばD型フリツ
プ・フロツプ)を設けたものである。よつて、
W/R制御回路48−1は、第1回目のトリガ時
点T2からクロツク信号の計数を開始し、所定数
の計数が終了すると(例えば時点T10)第1及
び第2記憶回路22及び24の書込みモード停止
させる。よつて、第1記憶回路22には、時点T
0及びT10間におけるクロツク信号Cが発生時の
入力信号のデジタル値が記憶される。また、第
2記憶回路24の第1、第2及び第3記憶領域に
は、夫々時点T1及びT2間、時点T4及びT5
間、並びに時点T7及びT8間における高周波ク
ロツク信号Hが発生時の入力信号のデジタル値
が記憶される。
Furthermore, when the second trigger signal is generated at time T5, the switch 42 selects the high frequency clock signal H, as in the case of the first trigger signal, and the second write control circuit 44-1 selects the high frequency clock signal H. The third storage area of the circuit 24 is designated. Therefore, the second
The second storage area of the storage circuit 24 stores time points T4 and T.
The digital values of input signals between 5 are stored. The latch circuits of the first and second write control circuits 46 and 44-1 latch their respective address signals at trigger time T5. Hereafter, the same operation is repeated. On the other hand, the W/R control circuit 48-1 is, for example, provided with a latch circuit (for example, a D-type flip-flop) for latching a trigger signal before the enable terminal E of the counter 50 shown in FIG. Then,
The W/R control circuit 48-1 starts counting the clock signals from the first trigger time T2, and when the predetermined number of counts is completed (for example, time T10), the writing in the first and second memory circuits 22 and 24 is performed. Stop the mode. Therefore, the first memory circuit 22 stores the time T
The digital value of the input signal when the clock signal C is generated between 0 and T10 is stored. Further, the first, second, and third storage areas of the second storage circuit 24 are stored between time points T1 and T2, and between time points T4 and T5, respectively.
The digital value of the input signal at the time when the high frequency clock signal H is generated between T7 and T8 is stored.

読出しモードにおいては、MUX56及び58
は読出し制御回路60からの読出しアドレス信号
を選択し、時点T0及びT1間、時点T2及びT
4間、時点T5及びT7間、時点T8及びT10
間に対応する信号を第1記憶回路22から読出
し、時点T1及びT2間、時点T4及びT5間、
時点T7及びT8間に対応する信号を第2記憶回
路24から読出せばよい。この読出し動作を制御
するために、読出し制御回路60は第8図の構成
でよいが、カウンタ80をアドレスの上位ビツト
用(記憶領域選択用)と、アドレスの下位ビツト
用(各記憶領域内でのアドレス指定用)とに分け
る必要がある。また、演算回路72は時点T0,
T2,T5及びT8に対応する第1記憶回路22
のアドレスを求め、読出し動作中にカウンタ78
に順次プリセツトすると共に、時点T1,T4及
びT7に対応する第2記憶回路24のアドレスを
求め、読出し動作中にカウンタ80に順次ブリセ
ツトする必要がある。更に、演算回路72は時点
T1,T4及びT7に対応するカウンタ84のア
ドレスを求め、読出し動作中にラツチ回路74に
順次ラツチすると共に、時点T2,T5及びT8
に対応するカウンタ84のアドレスを求め、読出
し動作中にラツチ回路76に順次ラツチする必要
がある。なお、読出し動作は低速でよいので、演
算回路72は読出し動作中にプリセツト動作やラ
ツチ動作を行なえる。他の動作は第1実施例の場
合と同様である。
In read mode, MUX 56 and 58
selects the read address signal from the read control circuit 60, and selects the read address signal from the read control circuit 60 between time points T0 and T1 and between time points T2 and T.
4, between time points T5 and T7, time points T8 and T10
Between time points T1 and T2, between time points T4 and T5,
It is sufficient to read the signal corresponding to the time between time T7 and time T8 from the second storage circuit 24. In order to control this read operation, the read control circuit 60 may have the configuration shown in FIG. (for address specification). Further, the arithmetic circuit 72 operates at time T0,
First memory circuit 22 corresponding to T2, T5 and T8
counter 78 during the read operation.
It is also necessary to sequentially preset the counter 80 during the read operation by determining the addresses of the second memory circuit 24 corresponding to times T1, T4 and T7. Furthermore, the arithmetic circuit 72 determines the addresses of the counter 84 corresponding to time points T1, T4, and T7, and sequentially latches them in the latch circuit 74 during the read operation.
It is necessary to find the address of the counter 84 corresponding to the address and sequentially latch it in the latch circuit 76 during the read operation. Note that since the read operation may be performed at a low speed, the arithmetic circuit 72 can perform a preset operation or a latch operation during the read operation. Other operations are similar to those in the first embodiment.

上述は本発明の好適な実施例についてのみ説明
したが、当業者には本発明の要旨を逸脱すること
なく種々の変更が可能なことが理解できよう。例
えば、上述の実施例では信号記憶回路が波形記憶
回路であつたが、ロジツク・アナライザに適用し
てもよい。この場合、A/D変換器及びD/A変
換器を除去し、トリガ回路をワード・リコグナイ
ザ(入力デジタル信号から所定のデジタル・ワー
ドを検出する)にすればよい。また、外部トリガ
信号及び外部クロツク信号を用いてもよいし、記
憶回路にシフト・レジスタを用いてもよい。更
に、波形記憶装置の場合、第1及び第2記憶回路
の夫々に専用のA/D変換器を設けてもよい。ま
た、第1記憶回路の記憶内容を利用して、再生信
号におけるトリガ点を間に含む2点間の時間測定
を行なうと、クロツク周波数切替部分の不確定な
時間により測定精度が下るが、この不確定な時間
を第2記憶回路の記憶内容により測定でき、測定
精度を向上できる。
Although the foregoing describes only preferred embodiments of the invention, those skilled in the art will appreciate that various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. For example, although the signal storage circuit in the above embodiment is a waveform storage circuit, it may also be applied to a logic analyzer. In this case, the A/D converter and the D/A converter may be removed and the trigger circuit may be a word recognizer (detects a predetermined digital word from the input digital signal). Further, an external trigger signal and an external clock signal may be used, or a shift register may be used in the storage circuit. Furthermore, in the case of a waveform storage device, a dedicated A/D converter may be provided for each of the first and second storage circuits. Furthermore, if the stored contents of the first storage circuit are used to measure the time between two points including the trigger point in the reproduced signal, the measurement accuracy will decrease due to the uncertain time in the clock frequency switching part. An uncertain time can be measured based on the storage contents of the second storage circuit, and measurement accuracy can be improved.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述の如く本発明の信号記憶装置によれば、ト
リガ信号に応じてクロツク周波数を切替えて入力
信号を第1記憶回路に記憶しているので、入力信
号全体を荒く(低周波クロツク信号で)記憶し、
入力信号の注目部分を細かく(高周波クロツク信
号で)記憶できる。即ち、入力信号の全体及び注
目部分が同じ記憶回路に記憶されるので、入力信
号の全体及び注目部分の開係が確実に判る。ま
た、クロツク信号の切替において、入力信号の注
目部分のうち第1記憶回路に荒く記憶された部分
は第2記憶回路に細かく記憶されるので、注目部
分の全体を詳細に測定できる。さらに、第1記憶
回路の記憶内容を読出す際に、この記憶内容が時
間的に第2記憶回路の記憶内容に対応する部分の
みは、第1記憶回路の代わりに第2記憶回路の記
憶内容を読出しているので、第1及び第2記憶回
路に記憶された入力信号の全体を容易に確認でき
る。
As described above, according to the signal storage device of the present invention, since the input signal is stored in the first storage circuit by switching the clock frequency according to the trigger signal, the entire input signal can be stored roughly (as a low frequency clock signal). death,
The part of interest in the input signal can be memorized in detail (using a high-frequency clock signal). That is, since the entire input signal and the portion of interest are stored in the same storage circuit, the relationship between the entire input signal and the portion of interest can be reliably determined. Furthermore, when switching the clock signal, the part of interest in the input signal that is roughly stored in the first memory circuit is stored in fine detail in the second memory circuit, so that the entire part of interest can be measured in detail. Furthermore, when reading the memory content of the first memory circuit, only the part where the memory content temporally corresponds to the memory content of the second memory circuit is replaced by the memory content of the second memory circuit instead of the first memory circuit. , the entire input signal stored in the first and second storage circuits can be easily confirmed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来及び本発明の信号記憶装置の動作
を説明するためのタイミング図、第2図は本発明
の好適な一実施例のブロツク図、第3図は第2図
に用いるトリガ回路の一例を示す回路図、第4図
は第2図に用いるクロツク発生器の一例を示すブ
ロツク図、第5図は第2図に用いるW/R制御回
路の一例を示すブロツク図、第6図は第2図に用
いる第1書込み制御回路の一例を示すブロツク
図、第7図は第2図に用いる第2書込み制御回路
の一例を示すブロツク図、第8図は第2図に用い
る読出し制御回路の一例を示すブロツク図、第9
図は本発明の他の実施例の動作を説明するための
タイミング図、第10図は本発明の好適な他の実
施例のブロツク図、第11図は第10図に用いる
トリガ回路の回路図、第12図は第10図に用い
るスイツチ制御回路のブロツク図、第13図は第
10図に用いる第2書込み制御回路のブロツク図
である。 図において、22は第1記憶回路、24は第2
記憶回路、42はスイツチ、44及び44−1は
第2書込み制御回路、46は第1書込み制御回
路、60は読出し制御回路である。
FIG. 1 is a timing diagram for explaining the operation of the conventional signal storage device and the present invention, FIG. 2 is a block diagram of a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram of the trigger circuit used in FIG. 4 is a block diagram showing an example of the clock generator used in FIG. 2, FIG. 5 is a block diagram showing an example of the W/R control circuit used in FIG. 2, and FIG. 6 is a block diagram showing an example of the W/R control circuit used in FIG. FIG. 7 is a block diagram showing an example of the first write control circuit used in FIG. 2, FIG. 7 is a block diagram showing an example of the second write control circuit used in FIG. 2, and FIG. 8 is a read control circuit used in FIG. 2. Block diagram showing an example of
The figure is a timing diagram for explaining the operation of another embodiment of the present invention, Figure 10 is a block diagram of another preferred embodiment of the present invention, and Figure 11 is a circuit diagram of a trigger circuit used in Figure 10. , FIG. 12 is a block diagram of the switch control circuit used in FIG. 10, and FIG. 13 is a block diagram of the second write control circuit used in FIG. In the figure, 22 is the first memory circuit, 24 is the second memory circuit, and 24 is the second memory circuit.
42 is a switch, 44 and 44-1 are second write control circuits, 46 is a first write control circuit, and 60 is a read control circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 トリガ信号が発生すると、第1クロツク信号
から該第1クロツク信号より周波数の高い第2ク
ロツク信号に切り替えるスイツチと、 第1記憶回路と、 上記スイツチからのクロツク信号に応じて、上
記トリガ信号が発生する前後における上記入力信
号を上記第1記憶回路に記憶させると共に、上記
トリガ信号の発生時点の上記第1記憶回路のアド
レスをラツチする第1書込み制御回路と、 第2記憶回路と、 上記第2クロツク信号に応じて、上記トリガ信
号が発生する直前における上記入力信号を上記第
2記憶回路に記憶させると共に、上記トリガ信号
の発生時点の上記第2記憶回路のアドレスをラツ
チする第2書込み制御回路と、 上記第1記憶回路の記憶内容を読出すと共に、
上記第1書込み制御回路にラツチされたアドレス
及び上記第2書込み制御回路にラツチされたアド
レスに応じて、上記第1記憶回路の記憶内容が時
間的に上記第2記憶回路の記憶内容に対応する部
分のみは、上記第1記憶回路の代わりに上記第2
記憶回路の記憶内容を読出す読出し制御回路とを
具えた信号記憶装置。 2 トリガ信号が発生すると、第1クロツク信号
から該第1クロツク信号より周波数の低い第2ク
ロツク信号に切り替えるスイツチと、 第1記憶回路と、 上記スイツチからのクロツク信号に応じて、上
記トリガ信号が発生する前後における上記入力信
号を上記第1記憶回路に記憶させると共に、上記
トリガ信号の発生時点の上記第1記憶回路のアド
レスをラツチする第1書込み制御回路と、 第2記憶回路と、 上記第1クロツク信号に応じて、上記トリガ信
号が発生する直後における上記入力信号を上記第
2記憶回路に記憶させると共に、上記トリガ信号
の発生時点の上記第2記憶回路のアドレスをラツ
チする第2書込み制御回路と、 上記第1記憶回路の記憶内容を読出すと共に、
上記第1書込み制御回路にラツチされたアドレス
及び上記第2書込み制御回路にラツチされたアド
レスに応じて、上記第1記憶回路の記憶内容が時
間的に上記第2記憶回路の記憶内容に対応する部
分のみは、上記第1記憶回路の代わりに上記第2
記憶回路の記憶内容を読出す読出し制御回路とを
具えた信号記憶装置。
[Claims] 1. A switch for switching from a first clock signal to a second clock signal having a higher frequency than the first clock signal when a trigger signal is generated; a first memory circuit; a first write control circuit that causes the first storage circuit to store the input signal before and after the trigger signal is generated, and latches the address of the first storage circuit at the time when the trigger signal is generated; a memory circuit; in response to the second clock signal, the input signal immediately before the trigger signal is generated is stored in the second memory circuit, and the address of the second memory circuit at the time when the trigger signal is generated is stored; a second write control circuit that latches; and reads the memory contents of the first memory circuit;
According to the address latched in the first write control circuit and the address latched in the second write control circuit, the memory contents of the first memory circuit temporally correspond to the memory contents of the second memory circuit. Only the portion is connected to the second memory circuit instead of the first memory circuit.
A signal storage device comprising a readout control circuit that reads out stored contents of a storage circuit. 2. When a trigger signal is generated, a switch for switching from the first clock signal to a second clock signal having a lower frequency than the first clock signal; a first storage circuit; a first write control circuit that causes the first memory circuit to store the input signal before and after the trigger signal is generated, and latches an address in the first memory circuit at the time when the trigger signal is generated; a second memory circuit; a second write control for storing the input signal immediately after the trigger signal is generated in the second memory circuit in response to the one clock signal, and latching the address of the second memory circuit at the time the trigger signal is generated; reading out the memory contents of the circuit and the first memory circuit;
According to the address latched in the first write control circuit and the address latched in the second write control circuit, the memory contents of the first memory circuit temporally correspond to the memory contents of the second memory circuit. Only the portion is connected to the second memory circuit instead of the first memory circuit.
A signal storage device comprising a readout control circuit that reads out stored contents of a storage circuit.
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