JPH0135303B2 - - Google Patents

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JPH0135303B2
JPH0135303B2 JP59072026A JP7202684A JPH0135303B2 JP H0135303 B2 JPH0135303 B2 JP H0135303B2 JP 59072026 A JP59072026 A JP 59072026A JP 7202684 A JP7202684 A JP 7202684A JP H0135303 B2 JPH0135303 B2 JP H0135303B2
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JP
Japan
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signal
address
memory
time
counter
Prior art date
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Application number
JP59072026A
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Japanese (ja)
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JPS60214266A (en
Inventor
Sumio Takeuchi
Rikichi Murooka
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Tektronix Japan Ltd
Original Assignee
Sony Tektronix Corp
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Publication date
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Publication of JPS60214266A publication Critical patent/JPS60214266A/en
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はクロツク信号に応じて入力信号を記憶
回路に記憶する信号記憶装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a signal storage device that stores input signals in a storage circuit in response to a clock signal.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

信号記憶装置には波形記憶装置(別名、トラン
ジエント・デジタイザ、トランジエント・レコー
ダ、波形デジタイザ、又はデジタル・オシロスコ
ープ)やロジツク・アナライザがある。波形記憶
装置は、アナログ入力信号をアナログ・デジタル
(A/D)変換器によりデジタル信号に変換し、
クロツク信号に同期してこのデジタル信号をデジ
タル記憶回路(メモリ)に記憶し、記憶したデジ
タル信号をデジタル・アナログ(D/A)変換器
でアナログ信号に変換するものである。なお、波
形記憶装置には、アナログ入力信号をクロツク信
号に同期してCCD等のアナログ・メモリに記憶
する型式もある。また、ロジツク・アナライザは
ロジツク(デジタル)信号をクロツク信号に同期
してデジタル・メモリに記憶するものであり、
A/D変換器及びD/A変換器を除けば、原理的
には波形記憶装置と類似している。これら信号記
憶装置はトリガ信号発生以前の入力信号も記憶、
即ち測定できるため、非常に便利である。
Signal storage devices include waveform storage devices (also known as transient digitizers, transient recorders, waveform digitizers, or digital oscilloscopes) and logic analyzers. The waveform storage device converts an analog input signal into a digital signal by an analog-to-digital (A/D) converter,
This digital signal is stored in a digital storage circuit (memory) in synchronization with a clock signal, and the stored digital signal is converted into an analog signal by a digital-to-analog (D/A) converter. Note that there is also a type of waveform storage device that stores an analog input signal in an analog memory such as a CCD in synchronization with a clock signal. In addition, a logic analyzer stores logic (digital) signals in digital memory in synchronization with a clock signal.
It is similar in principle to a waveform storage device, except for the A/D converter and D/A converter. These signal storage devices also store input signals before the trigger signal is generated.
In other words, it is very convenient because it can be measured.

ところで、これら信号記憶装置により、入力信
号全体を測定しながら、トリガ信号が発生する注
目部分(例えばトランジエント発生部分)を詳細
に測定したい場合がある。この場合、クロツク周
波数を低くすれば、限られた記憶容量のメモリに
入力信号全体を記憶できるが、注目部分を詳細に
測定することはできない。また、クロツク周波数
を高くすれば、注目部分を詳細に測定できるが、
波形全体を測定するには非常に大きな記憶容量が
必要となる。
By the way, while measuring the entire input signal using these signal storage devices, there are cases where it is desired to measure in detail a portion of interest where a trigger signal occurs (for example, a portion where a transient occurs). In this case, by lowering the clock frequency, the entire input signal can be stored in a memory with limited storage capacity, but the portion of interest cannot be measured in detail. Also, if you increase the clock frequency, you can measure the part of interest in detail, but
Measuring the entire waveform requires a very large storage capacity.

〔従来技術とその問題点〕[Prior art and its problems]

このような問題を解決するための従来技術は、
特開昭57−33363号又は特開昭58−224498号公報
に開示されている。信号記憶装置が波形記憶装置
とすれば、この従来技術は低周波クロツク信号に
応じて入力信号を第1メモリに記憶し、高周波ク
ロツク信号に応じて入力信号を第2メモリに記憶
する。そして、トリガ回路が入力信号の注目部分
(トランジエント)に応じて検出したトリガ時点
から所定クロツク数を計数して第1及び第2メモ
リの書込みモードを停止し、第1メモリには入力
信号全体を大ざつぱに記憶し、第2メモリには入
力信号のトランジエントを細かく記憶する。よつ
て入力信号全体を測定できると共に、入力信号の
トランジエントを詳細に測定できる。
The conventional technology for solving such problems is
It is disclosed in JP-A-57-33363 or JP-A-58-224498. If the signal storage device is a waveform storage device, this prior art stores the input signal in a first memory in response to a low frequency clock signal, and stores the input signal in a second memory in response to a high frequency clock signal. Then, the trigger circuit counts a predetermined number of clocks from the trigger point detected in accordance with the part of interest (transient) of the input signal, stops the write mode of the first and second memories, and stores the entire input signal in the first memory. is stored roughly, and the transient of the input signal is stored in detail in the second memory. Therefore, not only the entire input signal can be measured, but also the transients of the input signal can be measured in detail.

ところで、信号記憶装置により間欠的に発生す
る注目部分の複数個を連続して記憶したい場合が
ある。このような場合も、複数個の注目部分を全
体的に測定できると共に、各注目部分を詳細に測
定できると非常に便利である。しかし、上述の従
来技術では、入力信号の1つの注目部分しか記憶
できないし、第1メモリ及び第2メモリの記憶内
容のタイミング関係を正確に知ることができな
い。よつて、この従来技術では、入力信号の間欠
的に発生する複数の注目部分の各々を詳細に測定
すると共に、入力信号全体を大ざつぱに測定する
ことができない。
Incidentally, there are cases where it is desired to continuously store a plurality of intermittently occurring parts of interest using a signal storage device. Even in such a case, it would be very convenient to be able to measure a plurality of parts of interest as a whole and also to be able to measure each part of interest in detail. However, with the above-mentioned conventional technology, only one part of interest of the input signal can be stored, and the timing relationship between the contents stored in the first memory and the second memory cannot be accurately known. Therefore, with this conventional technique, it is not possible to measure each of a plurality of intermittently occurring portions of interest of an input signal in detail, and to roughly measure the entire input signal.

上述の従来技術を波形記憶装置の代りにロジツ
ク・アナライザに適用しても、同じ問題が生じ
る。
The same problem arises when the prior art described above is applied to a logic analyzer instead of a waveform storage device.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

したがつて本発明の目的は、複数の注目部分を
含む入力信号全体を大ざつぱに記憶すると共に、
注目部分の各々を細かに記憶する信号記憶装置の
提供にある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to roughly store the entire input signal including a plurality of parts of interest;
To provide a signal storage device that stores each part of interest in detail.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明の信号記憶装置によれば、トリガ信号発
生時点以後の入力信号を所定量だけ低周波クロツ
ク信号に応じて主メモリ領域に記憶させ、またこ
のトリガ信号発生時点付近及びこのトリガ信号発
生時点以後の各トリガ信号発生時点付近の入力信
号を高周波クロツク信号に応じて複数の副メモリ
領域の各々に記憶させる。よつて、主メモリ領域
は複数の注目部分を含む入力信号全体を大ざつぱ
に記憶し、副メモリ領域の各々は各注目部分を細
かに記憶する。また、各トリガ信号発生時点の主
メモリ領域及び副メモリ領域のアドレスをラツチ
しているので、これらラツチしたアドレスに応じ
て、主メモリ領域及び副メモリ領域に記憶された
入力信号を選択的に読出して、入力信号を連続的
に再生できる。
According to the signal storage device of the present invention, a predetermined amount of input signals after the trigger signal is generated are stored in the main memory area in accordance with the low frequency clock signal, and input signals near and after the trigger signal are generated. The input signals around the time when each trigger signal is generated are stored in each of the plurality of sub-memory areas in accordance with the high frequency clock signal. Thus, the main memory area roughly stores the entire input signal including a plurality of parts of interest, and each of the sub memory areas stores each part of interest in detail. In addition, since the addresses of the main memory area and sub memory area at the time of each trigger signal generation are latched, input signals stored in the main memory area and sub memory area can be selectively read out according to these latched addresses. The input signal can be played back continuously.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施例
を説明する。第1図は本発明の好適な一実施例の
ブロツク図であり、信号記憶装置が波形記憶装置
の場合である。入力端子10のアナログ入力信号
をA/D変換器12に供給すると共に、このアナ
ログ入力信号をトリガ回路14に供給してトリガ
信号を発生する。このトリガ回路14は第2図に
示す如く、入力端子10からの入力信号とポテン
シヨメーター16からのトリガ・レベルとを比較
する比較器18と、この比較器18の出力信号を
波形整形する例えばワン・シヨツト・マルチバイ
ブレータである波形整形回路20とで構成する。
よつて、トリガ回路14は、入力信号がトリガ・
レベルを超すと正方向のパルス(トリガ信号)を
発生する。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a block diagram of a preferred embodiment of the present invention, in which the signal storage device is a waveform storage device. An analog input signal at an input terminal 10 is supplied to an A/D converter 12, and this analog input signal is supplied to a trigger circuit 14 to generate a trigger signal. As shown in FIG. 2, this trigger circuit 14 includes a comparator 18 that compares the input signal from the input terminal 10 and the trigger level from the potentiometer 16, and a comparator 18 that shapes the output signal of this comparator 18 into a waveform. The waveform shaping circuit 20 is a one-shot multivibrator.
Therefore, the trigger circuit 14 is configured such that the input signal triggers the trigger circuit 14.
When the level is exceeded, a positive pulse (trigger signal) is generated.

クロツク発生器22は例えば第3図に示す如
く、水晶発振器である基準クロツク発生器24
と、この発生器24の出力信号を分周して複数の
分周出力を発生する分周器26と、この分周器2
6の複数の出力信号から1つを夫々選択するマル
チプレクサ(MUX)28及び30とで構成す
る。なお、MUX28及び30は外部からの制御
信号により制御してもよいし、MUXの代りに機
械的スイツチを利用してもよい。MUX28の出
力端を端子Hとし、MUX30の出力端を端子L
として、端子Hのクロツク信号の周波数は端子L
のクロツク信号よりも必ず高くする。
The clock generator 22 is, for example, a reference clock generator 24 which is a crystal oscillator as shown in FIG.
, a frequency divider 26 that divides the output signal of this generator 24 to generate a plurality of divided outputs, and this frequency divider 2
6, multiplexers (MUX) 28 and 30 each select one from a plurality of output signals. Note that the MUXs 28 and 30 may be controlled by external control signals, or mechanical switches may be used instead of the MUXs. The output end of MUX28 is terminal H, and the output end of MUX30 is terminal L.
, the frequency of the clock signal at terminal H is equal to the frequency of the clock signal at terminal L.
Be sure to set it higher than the clock signal.

A/D変換器12はクロツク発生器22からの
高周波クロツク信号に応じて端子10からのアナ
ログ入力信号をデジタル信号に変換し、このデジ
タル信号を第1メモリ32、第2メモリ34、第
3メモリ36及び第4メモリ38に供給する。第
1メモリ32は主メモリ領域となり、第2〜第4
メモリ34〜38は各副メモリ領域となる。これ
らメモリ32〜38は例えばランダム・アクセ
ス・メモリ(RAM)である。メモリ制御回路4
0はトリガ回路14からのトリガ信号と、クロツ
ク発生器22からの低周波クロツク信号及び高周
波クロツク信号とを受け、メモリ32〜38用の
アドレス信号等を発生して、これらメモリ32〜
38の書込み動作及び読出し動作を制御する。
MUX42はメモリ制御回路40からの制御信号
に応じてメモリ32〜38の読出し出力信号の1
つを選択して、D/A変換器44に供給する。こ
のD/A変換器44はデジタル化された入力信号
をアナログ信号に戻し、例えば陰極線管(CRT)
である表示器46の垂直偏向手段に供給する。一
方、D/A変換器48はメモリ制御回路40から
読出しアドレスに同期した水平アドレス信号を階
段波信号に変換し、時間軸信号としてCRT46
の水平偏向手段に供給する。
The A/D converter 12 converts the analog input signal from the terminal 10 into a digital signal according to the high frequency clock signal from the clock generator 22, and transfers this digital signal to the first memory 32, second memory 34, and third memory. 36 and a fourth memory 38. The first memory 32 becomes the main memory area, and the second to fourth
Memories 34 to 38 serve as sub-memory areas. These memories 32-38 are, for example, random access memories (RAM). Memory control circuit 4
0 receives the trigger signal from the trigger circuit 14 and the low frequency clock signal and high frequency clock signal from the clock generator 22, generates address signals etc. for the memories 32 to 38, and outputs address signals for the memories 32 to 38.
38 write and read operations.
The MUX 42 outputs one of the read output signals of the memories 32 to 38 in response to a control signal from the memory control circuit 40.
One is selected and supplied to the D/A converter 44. This D/A converter 44 returns the digitized input signal to an analog signal, for example, a cathode ray tube (CRT).
to the vertical deflection means of the display 46. On the other hand, the D/A converter 48 converts the horizontal address signal synchronized with the read address from the memory control circuit 40 into a staircase wave signal, and converts the horizontal address signal synchronized with the read address from the memory control circuit 40 into a staircase wave signal,
horizontal deflection means.

次に第4図の波形図を参照して第1図の動作を
説明する。書込み動作において、メモリ制御回路
40はメモリ32〜38を書込みモードにすると
共に、各メモリのチツプ・セレクト(C/S)端
子をイネーブル(付勢)する。また制御回路40
は、クロツク発生器22からの低周波クロツク信
号Lに応じて第1メモリ32用のアドレス信号を
発生すると共に、高周波クロツク信号Hに応じて
第2〜第4メモリ34〜38用のアドレス信号を
発生する。なお、これらアドレス信号はメモリの
記憶容量に応じた循環アドレス信号であり、メモ
リ34〜38のアドレス信号は共通でよい。上述
の如く、A/D変換器12は、入力端子10から
のアナログ入力信号を高周波クロツク信号Hに
応じてデジタル信号に変換する。また、低周波ク
ロツク信号Lは高周波クロツク信号Hに同期して
いるので、第1メモリ32は低周波クロツク信号
Lの発生時点のデジタル信号を順次記憶してい
く。一方、第2〜第4メモリ34〜38は高周波
クロツク信号Hの発生時点のデジタル信号を記憶
していく。アドレス信号は循環信号なので、メモ
リの全アドレスにデジタル信号が記憶されると、
古い(最初に記憶された)デジタル信号から順次
新しいデジタル信号に更新される。
Next, the operation of FIG. 1 will be explained with reference to the waveform diagram of FIG. 4. In a write operation, memory control circuit 40 places memories 32-38 in a write mode and enables the chip select (C/S) terminal of each memory. Also, the control circuit 40
generates address signals for the first memory 32 in response to the low frequency clock signal L from the clock generator 22, and generates address signals for the second to fourth memories 34 to 38 in response to the high frequency clock signal H. Occur. Note that these address signals are circular address signals depending on the storage capacity of the memory, and the address signals for the memories 34 to 38 may be common. As mentioned above, the A/D converter 12 converts the analog input signal from the input terminal 10 into a digital signal in response to the high frequency clock signal H. Further, since the low frequency clock signal L is synchronized with the high frequency clock signal H, the first memory 32 sequentially stores the digital signals at the time when the low frequency clock signal L is generated. On the other hand, the second to fourth memories 34 to 38 store digital signals at the time when the high frequency clock signal H is generated. The address signal is a circular signal, so when a digital signal is stored at all addresses in the memory,
The oldest (first stored) digital signal is sequentially updated to a newer digital signal.

トリガ回路14が時点T2において最初のトリ
ガ信号を発生すると、メモリ制御回路40は高周
波クロツク信号Hの計数を開始する。この制御回
路40が時点T3において所定数の高周波クロツ
ク信号Hの計数を終了すると、第2メモリ34の
チツプ・セレクト端子のイネーブルを停止、即ち
第2メモリ34の書込み動作を停止させる。よつ
て、第2メモリ34にはこの計数動作とメモリ3
4の記憶容量との関係で決まる時点T1及びT3間
の入力信号のデジタル値が記憶される。同様に、
トリガ回路14が時点T5において2回目のトリ
ガ信号を発生すると、メモリ制御回路40は時点
T6において第3メモリ36の書込み動作を停止
させる。よつて第3メモリ36は時点T4及びT6
間の入力信号のデジタル値を記憶する。またトリ
ガ回路14が時点T8において3回目のトリガ信
号を発生すると、メモリ制御回路40は時点T9
において第4メモリ38の書込み動作を停止させ
る。よつて第4メモリ38は時点T7及びT9間の
入力信号のデジタル値を記憶する。
When the trigger circuit 14 generates the first trigger signal at time T2, the memory control circuit 40 starts counting the high frequency clock signal H. When the control circuit 40 finishes counting a predetermined number of high frequency clock signals H at time T3, it stops enabling the chip select terminal of the second memory 34, that is, stops the write operation of the second memory 34. Therefore, the second memory 34 stores this counting operation and the memory 3.
The digital value of the input signal between time points T1 and T3 determined by the relationship with the storage capacity of 4 is stored. Similarly,
When the trigger circuit 14 generates a second trigger signal at time T5, the memory control circuit 40
At T6, the write operation of the third memory 36 is stopped. Therefore, the third memory 36 stores time points T4 and T6.
Stores the digital value of the input signal between. Furthermore, when the trigger circuit 14 generates a third trigger signal at time T8, the memory control circuit 40 generates a third trigger signal at time T9.
At this point, the write operation of the fourth memory 38 is stopped. The fourth memory 38 thus stores the digital value of the input signal between times T7 and T9.

一方、メモリ制御回路40は時点T2のトリガ
信号に応答して、低周波クロツク信号Lの計数を
開始する。そして制御回路40が時点T10におい
て所定数の低周波クロツク信号Lの計数を終了す
ると、第1メモリ32のチツプ・セレクト端子の
イネーブルを停止、即ち書込み動作を停止させ
る。よつて、第1メモリ32は、この計数動作と
メモリ32の記憶容量との関係で決まる時点T0
及びT10間の入力信号のデジタル値を記憶する。
よつて、第1メモリ32は複数の注目部分(トラ
ンジエント)を含む入力信号全体を大ざつぱに記
憶し、第2〜第4メモリ34〜38の各々は各注
目部分を細かに記憶した。なお、制御回路40
は、トリガ時点T2、T5及びT8における第1メモ
リ32のアドレス及び第2〜第4メモリ34〜3
8のアドレスを記憶している。
On the other hand, the memory control circuit 40 starts counting the low frequency clock signal L in response to the trigger signal at time T2. When the control circuit 40 finishes counting a predetermined number of low frequency clock signals L at time T10, it stops enabling the chip select terminal of the first memory 32, that is, stops the write operation. Therefore, the first memory 32 performs the counting operation at the time T0 determined by the relationship between this counting operation and the storage capacity of the memory 32.
and stores the digital value of the input signal between T10 and T10.
Therefore, the first memory 32 roughly stores the entire input signal including a plurality of parts of interest (transients), and each of the second to fourth memories 34 to 38 stores each part of interest in detail. Note that the control circuit 40
are the addresses of the first memory 32 and the second to fourth memories 34 to 3 at the trigger times T2, T5 and T8.
8 address is memorized.

読出し動作において、入力信号全体を表示器4
6に表示したい場合、MUX42はメモリ制御回
路40からの制御信号に応じて第1メモリ32を
選択する。また、制御回路40は第1メモリ32
を読出しモードとし、所定の読出しクロツク信号
に応じて読出しアドレス信号を発生して第1メモ
リ供給する。この読出しアドレス信号は上述の時
間軸(水平)信号の最初のレベルで第1メモリ3
2の最も古い記憶内容を読出す。よつて、表示器
46に大ざつぱな入力信号全体が表示される。な
お、時間軸信号はメモリの読出し動作に同期して
いる。また、特定の注目部分のみを細かく(詳細
に表示したい場合は、MUX42が第2〜第4メ
モリ34〜38から所望のものを選択し、上述と
同様に選択したメモリの記憶内容を読出せばよ
い。
In the read operation, the entire input signal is displayed on the display 4.
6, the MUX 42 selects the first memory 32 in response to a control signal from the memory control circuit 40. The control circuit 40 also controls the first memory 32
is in a read mode, and a read address signal is generated and supplied to the first memory in response to a predetermined read clock signal. This read address signal is applied to the first memory 3 at the first level of the above-mentioned time axis (horizontal) signal.
Read the oldest memory contents of 2. Therefore, the entire rough input signal is displayed on the display 46. Note that the time axis signal is synchronized with the read operation of the memory. In addition, if you want to display only a specific part of interest in detail, the MUX 42 selects the desired one from the second to fourth memories 34 to 38 and reads out the stored contents of the selected memory in the same way as described above. good.

ところで、本発明は記憶した入力信号全体を大
ざつぱに、また注目部分を詳細に同時測定ができ
る。そのためにまずメモ制御回路40は、各トリ
ガ時点の第1メモリ32のアドレス及びメモリ3
4〜38の記憶容量から時点T1、T3、T4、T6、
T7及びT9に対応する第1メモリ32のアドレス
を計算する。制御回路40は時点T0に対応する
部分から時間軸信号Tを発生すると共に、MUX
42が第1メモリ32を選択するようにする。時
点T1に対応するとMUX42は第2メモリ34を
選択し、時点T3に対応すると第1メモリ32を
選択し、時点T4に対応すると第3メモリ36を
選択し、時点T6に対応すると第1メモリ32を
選択し、時点T7に対応すると第4メモリ38を
選択し、時点T9に対応すると第1メモリ32を
選択する。そして時点T10に対応するとき時間軸
信号Tは終了し、再び時点T0から上述の動作を
繰返す。即ち、時点T0及びT1間、時点T3及び
T4間、時点T6及びT7間、並びに時点T9及び
T10間の入力信号のデジタル値は第1メモリ32
から読出し、時点T1及びT3間の入力信号のデジ
タル値は第2メモリ34から読出し、時点T4及
びT6間の入力信号のデジタル値は第3メモリ3
6から読出し、時点T7及びT9間の入力信号のデ
ジタル値は第4メモリ38から読出す。よつて、
入力信号全体を大ざつぱに、かつその内注目部分
のみを詳細に測定できる。
By the way, according to the present invention, it is possible to simultaneously measure the entire stored input signal roughly and the portion of interest in detail. To do this, the memo control circuit 40 first checks the address of the first memory 32 and the memory 3 at each trigger time.
Time points T1, T3, T4, T6, from storage capacity of 4 to 38
Calculate the addresses of the first memory 32 corresponding to T7 and T9. The control circuit 40 generates the time axis signal T from the portion corresponding to time T0, and also outputs the MUX
42 selects the first memory 32. MUX 42 selects second memory 34 when corresponding to time T1, selects first memory 32 when corresponding to time T3, selects third memory 36 when corresponding to time T4, and selects first memory 32 when corresponding to time T6. , the fourth memory 38 is selected when it corresponds to time T7, and the first memory 32 is selected when it corresponds to time T9. Then, when corresponding to time T10, the time axis signal T ends, and the above-described operation is repeated again from time T0. That is, between time T0 and T1, time T3 and
between T4, between time points T6 and T7, and between time points T9 and
The digital value of the input signal between T10 is stored in the first memory 32.
The digital value of the input signal between time points T1 and T3 is read from the second memory 34, and the digital value of the input signal between time points T4 and T6 is read from the third memory 34.
6 and the digital value of the input signal between times T7 and T9 is read from the fourth memory 38. Then,
The entire input signal can be roughly measured, and only the portion of interest within it can be measured in detail.

次に、上述の如くメモリ32〜38及びMUX
42の制御を行なうメモリ制御回路40の一例を
説明する。第5図は制御回路40の書込み制御部
分のブロツク図であり、第6図は読出し制御部分
を中心にしたブロツク図である。書込み及び読出
しの全体の動作は第6図に示す演算制御装置50
により制御する。この装置50はマイクロプロセ
ツサと、このマイクロプロセツサ用のプログラム
を記憶したリード・オンリ・メモリと、一時記憶
装置として動作するランダム・アクセス・メモリ
と、種々の設定を行なうキーボードとから構成さ
れており、バス52に接続している。
Next, as described above, the memories 32 to 38 and MUX
An example of the memory control circuit 40 that controls 42 will be described. FIG. 5 is a block diagram of the write control section of the control circuit 40, and FIG. 6 is a block diagram mainly centered on the read control section. The entire writing and reading operations are carried out by the arithmetic control unit 50 shown in FIG.
Controlled by This device 50 consists of a microprocessor, a read-only memory that stores programs for the microprocessor, a random access memory that operates as a temporary storage device, and a keyboard that allows various settings to be made. and is connected to bus 52.

演算制御装置50のキーボードにより書込みモ
ードの開始が入力されると、第5図のD型フリツ
プ・フロツプ54〜64は装置50によりリセツ
トされる(リセツト用の制御線は図示せず)。ま
た、装置50からの制御信号により、MUX66
はアドレス・カウンタ68を選択し、MUX70
はアドレス・カウンタ72を選択する。更に、装
置50はメモリ32〜38を書込みモードにし、
遅延カウンタ74及び76に所定数をセツト(制
御線は図示せず)する。
When the start of the write mode is input from the keyboard of the arithmetic and control unit 50, the D-type flip-flops 54-64 of FIG. 5 are reset by the device 50 (control lines for resetting are not shown). Also, the MUX 66 is controlled by the control signal from the device 50.
selects address counter 68 and MUX 70
selects address counter 72. Additionally, the device 50 places the memories 32-38 in a write mode;
A predetermined number is set in delay counters 74 and 76 (control lines are not shown).

トリガ信号発生前に遅延カウンタ74はイネー
ブルされず、その出力は「高」レベルなので、ア
ドレス・カウンタ68はイネーブルされて、クロ
ツク発生器22からの低周波クロツク信号Lを計
数し、アドレス信号を発生する。このアドレス信
号はMUX66を介して第1メモリ32のアドレ
ス端子に供給する。一方、アドレス・カウンタ7
2はクロツク発生器22からの高周波クロツク信
号Hを計数してアドレス信号を発生し、MUX7
0を介してこのアドレス信号をメモリ34〜38
のアドレス端子に供給する。メモリ34〜38の
容量は等しいので、共通のアドレス信号を使用で
きる。なお、カウンタ68及び72からのアドレ
ス信号は循環信号である。ところで、オア・ゲー
ト77〜82からの「高」レベル出力はメモリ3
2〜38のチツプ・セレクト端子の夫々に供給さ
れているので、メモリ32〜38は書込みモード
で動作している。
Since delay counter 74 is not enabled and its output is at a "high" level before the trigger signal is generated, address counter 68 is enabled to count the low frequency clock signal L from clock generator 22 and generate an address signal. do. This address signal is supplied to the address terminal of the first memory 32 via the MUX 66. On the other hand, address counter 7
2 counts the high frequency clock signal H from the clock generator 22 to generate an address signal, and MUX 7
0 to the memories 34-38.
Supplied to the address terminal of Since the memories 34-38 have the same capacity, a common address signal can be used. Note that the address signals from counters 68 and 72 are circular signals. By the way, the "high" level output from the OR gates 77 to 82 is output from the memory 3.
Since each of the chip select terminals 2-38 is supplied, the memories 32-38 are operating in a write mode.

トリガ回路14が時点T2において1回目のト
リガ信号を発生すると、フリツプ・フロツプ54
のQ出力は「高」レベルとなり、遅延カウンタ7
6はリセツトされて初めからの計数を開始する。
一方時点T2において、ラツチ回路84は第1メ
モリ32用のアドレス信号をラツチし、ラツチ回
路86は第2〜第4メモリ34〜38用のアドレ
ス信号をラツチする。また、フリツプ・フロツプ
54のQ出力により、遅延カウンタ74はイネー
ブルされて低周波クロツク信号Lの動作を開始
し、アンド・ゲート88はイネーブルされる。時
点T3において、遅延カウンタ76が所定数のク
ロツク・パルスを計数すると、カウンタ76の出
力信号はアンド・ゲート88を介してフリツプ・
フロツプ60をクロツクする。よつて、フリツ
プ・フロツプ60の出力が「低」レベルとな
り、オア・ゲート78を介して第2メモリ34の
動作を停止させる。したがつて、第2メモリ34
は、その記憶容量とカウンタ76の計数値で決ま
る例えば時点T1及びT3間の入力信号のデジタ
ル値を記憶する。
When the trigger circuit 14 generates the first trigger signal at time T2, the flip-flop 54
The Q output of is at the "high" level, and the delay counter 7
6 is reset and starts counting from the beginning.
Meanwhile, at time T2, the latch circuit 84 latches the address signal for the first memory 32, and the latch circuit 86 latches the address signal for the second to fourth memories 34-38. The Q output of flip-flop 54 also enables delay counter 74 to begin operating low frequency clock signal L, and AND gate 88 is enabled. At time T3, when delay counter 76 has counted a predetermined number of clock pulses, the output signal of counter 76 is flipped through AND gate 88.
Clock flop 60. Therefore, the output of flip-flop 60 goes low, stopping operation of second memory 34 via OR gate 78. Therefore, the second memory 34
stores the digital value of the input signal between time points T1 and T3, which is determined by its storage capacity and the count value of the counter 76, for example.

同様に、時点T5においてトリガ回路14が2
回目のトリガ信号を発生すると、フリツプ・フロ
ツプ56のQ出力は「高」レベルとなり、アン
ド・ゲート90をイネーブルする。またカウンタ
76は再びリセツトされて新たな計数を開始し、
ラツチ84及び86は夫々対応するアドレス信号
をラツチする。時点T6において、カウンタ76
が所定数のクロツク・パルスを計数すると、その
出力信号がアンド・ゲート90を介してフリツ
プ・フロツプ62をクロツクする。よつて、この
フリツプ・フロツプ62の出力はオア・ゲート
80を介して第3メモリ36の動作を停止させ
る。したがつて、第3メモリ36は時点T4及び
T6間の入力信号のデジタル値を記憶する。
Similarly, at time T5, the trigger circuit 14
Upon generation of the second trigger signal, the Q output of flip-flop 56 goes high, enabling AND gate 90. Also, the counter 76 is reset again and starts a new count,
Latches 84 and 86 each latch a corresponding address signal. At time T6, counter 76
After counting a predetermined number of clock pulses, its output signal clocks flip-flop 62 through AND gate 90. Therefore, the output of flip-flop 62 is passed through OR gate 80 to stop the operation of third memory 36. Therefore, the third memory 36 stores the time T4 and
Stores the digital value of the input signal between T6.

時点T8において、トリガ回路14が3回目の
トリガ信号を発生すると、フリツプ・フロツプ5
8のQ出力によりアンド・ゲート92がイネーブ
ルされ、カウンタ76はリセツトされて新たな計
数を行なう。一方、ラツチ回路84及び86は
夫々のアドレス信号をラツチする。時点T9にお
いて、カウンタ76が所定数のクロツク・パルス
を計数すると、フリツプ・フロツプ64はアン
ド・ゲート92の出力によりクロツクされ、オ
ア・ゲート82を介して第4メモリ38の動作を
停止させる。よつて第4メモリ38は時点T7及
びT9間の入力信号を記憶する。一方、時点T10
において、遅延カウンタ74が所定数のクロツ
ク・パルスを計数すると、その出力が「低」レベ
ルになり、オア・ゲート77を介して第1メモリ
32の動作を停止させる。よつて、第1メモリ3
2は時点T0及びT10間の入力信号を記憶する。
At time T8, when the trigger circuit 14 generates a third trigger signal, the flip-flop 5
The Q output of 8 enables AND gate 92 and resets counter 76 to make a new count. On the other hand, latch circuits 84 and 86 latch their respective address signals. At time T9, when counter 76 has counted a predetermined number of clock pulses, flip-flop 64 is clocked by the output of AND gate 92 and, via OR gate 82, stops operation of fourth memory 38. The fourth memory 38 thus stores the input signals between times T7 and T9. On the other hand, time point T10
Once the delay counter 74 has counted a predetermined number of clock pulses, its output goes low, stopping the operation of the first memory 32 via the OR gate 77. Therefore, the first memory 3
2 stores the input signal between time points T0 and T10.

次に第6図の主に参照してメモリ制御回路40
の読出し動作を説明する。演算制御装置50はメ
モリ32〜38を読出しモードとし、オア・ゲー
ト77〜82を介して各メモリのチツプ・セレク
ト端子をイネーブルする。また、MUX66及び
70も切替わる。クロツク発生器94は読出しク
ロツク信号を発生し、カウンタ96はこの読出し
クロツク信号を計数する。この計数出力(アドレ
ス信号)によりD/A変換器48が時間軸信号T
を発生するので、最小計数値及び最大計数値が
夫々表示器46のスクリーンの左端及び右端に対
応する。なお、カウンタ96からのアドレス信号
が対応する時点と、この時点に対応する各メモリ
のアドレスとは異なり、これらアドレスを互いに
対応させるためには書込み動作終了時点の各メモ
リのアドレスに応じたオフセツトが必要なことに
留意されたい。よつて、演算制御装置50はラツ
チ回路84及び86にラツチされた各トリガ時点
におけるアドレス・カウンタ68及び72の値、
メモリ32〜38の記憶容量等に基づいて、時点
T1、T3、T4、T6、T7及びT9に対応するカウン
タ96からのアドレスを演算すると共に、時点
T3、T6及びT9に対応するカウンタ68からのア
ドレス(第1メモリ32用アドレス)を演算す
る。
Next, referring mainly to FIG.
The read operation will be explained. Arithmetic control unit 50 places memories 32-38 in read mode and enables the chip select terminals of each memory via OR gates 77-82. Additionally, MUX 66 and 70 are also switched. A clock generator 94 generates a read clock signal and a counter 96 counts the read clock signals. This count output (address signal) causes the D/A converter 48 to output the time axis signal T.
, the minimum count value and maximum count value correspond to the left and right edges of the screen of the display 46, respectively. Note that the point in time to which the address signal from the counter 96 corresponds is different from the address of each memory corresponding to this point in time, and in order to make these addresses correspond to each other, an offset corresponding to the address of each memory at the end of the write operation is required. Please note that this is necessary. Therefore, the arithmetic and control unit 50 calculates the values of the address counters 68 and 72 at each trigger instant latched by the latch circuits 84 and 86;
Based on the storage capacity of the memories 32 to 38, etc.
While calculating the addresses from the counter 96 corresponding to T1, T3, T4, T6, T7 and T9,
The addresses from the counter 68 (addresses for the first memory 32) corresponding to T3, T6, and T9 are calculated.

カウンタ96のアドレスが時点T0に対応する
とき、演算制御装置50は、時点T0に対応する
第1メモリ32のアドレスをアドレス・カウンタ
98にロードし、時点T1に対応するカウンタ9
6のアドレスをレジスタ100にロードする。ま
た、D型フリツプ・フロツプ102及び104は
リセツトされているので、アンド・ゲート106
はイネーブルされ、アンド・ゲート108はイネ
ーブルされない。よつて、アドレス・カウンタ9
8はアンド・ゲート106を通過したクロツク発
生器94からのクロツク信号の計数を開始する。
なお、このときMUX42は第1メモリ32を選
択しているので、時点T0以後に対応する入力信
号のデジタル値が順次第1メモリからD/A変換
器44に供給される。また、演算制御装置50は
時点T1に対応する第2メモリのアドレスをアド
レス・カウンタ110にロードし、時点T3に対
応するカウンタ96のアドレスをレジスタ112
にロードする。
When the address of the counter 96 corresponds to time T0, the arithmetic and control unit 50 loads the address of the first memory 32 corresponding to the time T0 into the address counter 98, and loads the address of the counter 96 corresponding to the time T1.
Load the address of 6 into register 100. Also, since D-type flip-flops 102 and 104 have been reset, AND gate 106
is enabled and AND gate 108 is not enabled. Therefore, address counter 9
8 begins counting the clock signals from clock generator 94 that have passed through AND gate 106.
Note that since the MUX 42 selects the first memory 32 at this time, the digital values of the corresponding input signals after time T0 are sequentially supplied from the first memory to the D/A converter 44. Further, the arithmetic control unit 50 loads the address of the second memory corresponding to time T1 into the address counter 110, and loads the address of the counter 96 corresponding to time T3 into the register 110.
Load into.

デジタル比較器114がカウンタ96及びレジ
スタ100の出力信号を比較し、カウンタ96の
アドレスが時点T1に対応したことを検出すると、
比較器114はフリツプ・フロツプ102及び1
04をクロツクし、MUX42が第2メモリ34
を選択するようにする。フリツプ・フロツプ10
2の出力が「低」レベルになるので、アンド・
ゲート106は閉じ、カウンタ98は計数動作を
停止する。また、フリツプ・フロツプ104のQ
出力が「高」レベルになつて、アンド・ゲート1
08は開き、アドレス・カウンタ110は第2メ
モリ34の時点T1のアドレスからの計数を開始
する。一方、演算制御装置50は時点T3に対応
する第1メモリ32のアドレスをカウンタ98に
ロードし、時点T4に対応するカウンタ96のア
ドレスをレジスタ100にロードする。デジタル
比較器116はカウンタ96及びレジスタ112
の出力信号を比較し、時点T3に対応するカウン
タ96のアドレスを検出すると、フリツプ・フロ
ツプ102及び104をリセツトし、フリツプ・
フロツプ118〜122をクロツクする。よつ
て、アンド・ゲート106が開き、アドレス・カ
ウンタ98は時点T3以降の第1メモリ32のア
ドレスを発生し、アンド・ゲート108は閉じ、
アドレス・カウンタ110は計数を停止する。一
方、フリツプ・フロツプ118のQ出力が変化
し、MUX42は第1メモリ32を選択する。よ
つて、時点T3以降の入力信号のデジタル値が第
1メモリ32からD/A変換器44に供給され
る。次に演算制御装置50は時点T4に対応する
第3メモリ36のアドレスをアドレス・カウンタ
110にロードし、時点T6に対応するカウンタ
96のアドレスをレジスタ112にロードする。
When the digital comparator 114 compares the output signals of the counter 96 and the register 100 and detects that the address of the counter 96 corresponds to time T1,
Comparator 114 connects flip-flops 102 and 1
04 and the MUX 42 clocks the second memory 34.
be selected. flip flop 10
Since the output of 2 becomes "low" level, and
Gate 106 is closed and counter 98 stops counting. Also, the Q of flip-flop 104
When the output goes to "high" level, AND gate 1
08 is opened and the address counter 110 starts counting from the address of the second memory 34 at time T1. On the other hand, the arithmetic control unit 50 loads the address of the first memory 32 corresponding to time T3 into the counter 98, and loads the address of the counter 96 corresponding to time T4 into the register 100. Digital comparator 116 includes counter 96 and register 112.
When the address of counter 96 corresponding to time T3 is detected, flip-flops 102 and 104 are reset, and the flip-flops 102 and 104 are reset.
Clocks flops 118-122. Thus, the AND gate 106 is opened, the address counter 98 generates the address of the first memory 32 after time T3, and the AND gate 108 is closed;
Address counter 110 stops counting. Meanwhile, the Q output of flip-flop 118 changes and MUX 42 selects first memory 32. Therefore, the digital value of the input signal after time T3 is supplied from the first memory 32 to the D/A converter 44. The arithmetic and control unit 50 then loads the address of the third memory 36 corresponding to the time T4 into the address counter 110, and loads the address of the counter 96 corresponding to the time T6 into the register 112.

以下同様の動作が行なわれ、時点T4において、
比較器114の出力信号に応じてカウンタ110
からのアドレス信号が第3メモリ36に供給さ
れ、MUX42は第3メモリ36を選択する。そ
して、時点T6に対応する第1メモリ32のアド
レスをカウンタ98にロードし、時点T7に対応
するカウンタ96のアドレスをレジスタ100に
ロードする。時点T6において比較器116は出
力信号を発生すると、カウンタ98が計数を開始
し、フリツプ・フロツプ120のQ出力の変化に
よりMUX42は第1メモリ32を選択する。更
に時点T7に対応する第4メモリのアドレスをカ
ウンタ110にロードし、時点T9に対応するカ
ウンタ96のアドレスをレジスタ112にロード
する。よつて、時点T7において、アドレス・カ
ウンタ110が計数を開始し、MUX42は第4
メモリ38を選択する。次に時点T9に対応する
第1メモリ32のアドレスをカウンタ98にロー
ドする。時点T9において、アドレス・カウンタ
98が計数を開始し、MUX42は第1メモリ3
2を選択する。演算制御装置50が時点T10に対
応するカウンタ96のアドレスを検出すると、上
述の時点T0の状態に戻り、上述の動作を繰返す。
なお、クロツク発生器94の発振周波数は低いの
で、上述のロード動作には問題がない。
Similar operations are performed thereafter, and at time T4,
In response to the output signal of the comparator 114, the counter 110
The address signal from the MUX 42 is applied to the third memory 36, and the MUX 42 selects the third memory 36. Then, the address of the first memory 32 corresponding to time T6 is loaded into the counter 98, and the address of the counter 96 corresponding to time T7 is loaded into the register 100. At time T6, comparator 116 produces an output signal, counter 98 begins counting, and the change in the Q output of flip-flop 120 causes MUX 42 to select first memory 32. Furthermore, the address of the fourth memory corresponding to time T7 is loaded into counter 110, and the address of counter 96 corresponding to time T9 is loaded into register 112. Therefore, at time T7, address counter 110 starts counting and MUX 42 starts counting.
Select memory 38. Next, the address of the first memory 32 corresponding to time T9 is loaded into the counter 98. At time T9, address counter 98 starts counting and MUX 42
Select 2. When the arithmetic and control unit 50 detects the address of the counter 96 corresponding to time T10, it returns to the state of the above-mentioned time T0 and repeats the above-described operation.
Note that since the oscillation frequency of the clock generator 94 is low, there is no problem with the above-described loading operation.

上述は本発明の好適な実施例についてのみ説明
したが、当業者には本発明の要旨を逸脱すること
なく種々の変更が可能なことが理解できよう。例
えば、上述の実施例では信号記憶回路が波形記憶
回路であつたが、ロジツク・アナライザに適用し
てもよい。この場合、A/D変換器及びD/A変
換器を除去し、トリガ回路をワード・リコグナイ
ザ(入力デジタル信号から所定のデジタル・ワー
ドを検出する)にすればよい。また、外部トリガ
信号及び外部クロツク信号を用いてもよいし、記
憶回路にシフト・レジスタを用いてもよい。更に
複数の副メモリ領域の数は任意所望の数でよい
し、また各副メモリ領域を各メモリ素子とせず、
複数の副メモリ領域を単一のメモリ素子内に設け
てもよい。この場合、メモリ素子のアドレスを複
数のグループに分け、各グループをアドレス信号
の上位ビツトで指定し、各グループ内のアドレス
をアドレス信号の下位ビツトで指定すればよい。
このためには、トリガ信号をクロツクとして計数
する上位ビツト用カウンタと、高周波クロツク信
号を計数する下位ビツト用カウンタとを用意する
と、書込み動作が便利である。また読出し動作に
も、アドレス信号の上位ビツトと下位ビツトとを
別々に発生すればよい。
Although the foregoing describes only preferred embodiments of the invention, those skilled in the art will appreciate that various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. For example, although the signal storage circuit in the above embodiment is a waveform storage circuit, it may also be applied to a logic analyzer. In this case, the A/D converter and the D/A converter may be removed and the trigger circuit may be a word recognizer (detects a predetermined digital word from the input digital signal). Further, an external trigger signal and an external clock signal may be used, or a shift register may be used in the storage circuit. Further, the number of the plurality of sub-memory areas may be any desired number, and each sub-memory area may not be used as each memory element.
Multiple sub-memory areas may be provided within a single memory device. In this case, the addresses of the memory elements may be divided into a plurality of groups, each group designated by the upper bits of the address signal, and the addresses within each group designated by the lower bits of the address signal.
For this purpose, it is convenient for the write operation to prepare an upper bit counter that counts the trigger signal as a clock and a lower bit counter that counts the high frequency clock signal. Also, in the read operation, the upper bits and lower bits of the address signal may be generated separately.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述の如く本発明によれば、複数の注目部分を
含む入力信号全体を主メモリ領域に大ざつぱに記
憶できると共に、注目部分の各々を複数の副メモ
リ領域に細かに記憶できる。また、主メモリ領域
により入力信号全体を大ざつぱに再生し、この内
注目部分のみを副メモリ領域で細かく再生した信
号に置換えることもできる。さらに、ラツチ回路
が、連続的に発生する各トリガ信号発生時点の主
メモリ領域用アドレス信号及び副メモリ領域用ア
ドレス信号をラツチしている。よつて、これらラ
ツチしたアドレス信号に応じて、副メモリ領域を
優先的に、主メモリ領域及び副メモリ領域に記憶
された入力信号を選択的に読出して、入力信号を
記憶した順に連続的に再生できる。
As described above, according to the present invention, the entire input signal including a plurality of portions of interest can be roughly stored in the main memory area, and each of the portions of interest can be stored in detail in a plurality of sub-memory areas. It is also possible to roughly reproduce the entire input signal in the main memory area, and replace only the portion of interest with a signal finely reproduced in the sub memory area. Further, a latch circuit latches the main memory area address signal and the sub memory area address signal at the time of each successive trigger signal generation. Therefore, according to these latched address signals, input signals stored in the main memory area and the sub memory area are selectively read out, preferentially using the sub memory area, and the input signals are continuously reproduced in the order in which they were stored. can.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の好適な一実施例のブロツク
図、第2図は第1図に用いるトリガ回路の一例を
示すブロツク図、第3図は第1図に用いるクロツ
ク発生器の一例を示す図、第4図は本発明の動作
を説明するための波形図、第5図及び第6図は第
1図のメモリ制御回路の一例を示すブロツク図で
ある。 図において、22はクロツク発生器、32は主
メモリ領域、34〜38は副メモリ領域、40は
メモリ制御回路、68及び72はアドレス・カウ
ンタ、84及び86はラツチ回路である。
FIG. 1 is a block diagram of a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing an example of a trigger circuit used in FIG. 1, and FIG. 3 is an example of a clock generator used in FIG. 1. 4 are waveform diagrams for explaining the operation of the present invention, and FIGS. 5 and 6 are block diagrams showing an example of the memory control circuit of FIG. 1. In the figure, 22 is a clock generator, 32 is a main memory area, 34 to 38 are sub memory areas, 40 is a memory control circuit, 68 and 72 are address counters, and 84 and 86 are latch circuits.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 高周波クロツク信号及び低周波クロツク信号
を発生するクロツク発生器と、 主メモリ領域と、 複数の副メモリ領域と、 上記主メモリ領域及び上記複数のメモリ領域を
制御するメモリ制御回路とを具え、 該メモリ制御回路は、 上記低周波クロツク信号を計数して上記主メモ
リ領域用のアドレス信号を発生する第1アドレ
ス・カウンタ、 上記高周波クロツク信号を計数して上記複数の
副メモリ領域用のアドレス信号を発生する第2ア
ドレス・カウンタ、 連続的に発生するトリガ信号発生時点の上記第
1アドレス・カウンタからのアドレス信号をラツ
チする第1ラツチ回路、 上記トリガ信号発生時点の上記第2アドレス・
カウンタからのアドレス信号をラツチする第2ラ
ツチ回路を有し、 書込み動作にて、最初の上記トリガ信号発生時
点以後の入力信号を所定量だけ上記第1アドレ
ス・カウンタからのアドレス信号に応じて上記主
メモリ領域に記憶させると共に、上記連続的に発
生する各トリガ信号発生時点付近の上記入力信号
を所定量だけ上記第2アドレス・カウンタからの
アドレス信号に応じて上記複数の副メモリ領域の
各々に順次記憶させ、 上記第1及び第2ラツチ回路にラツチされたア
ドレス信号に応じて、上記主メモリ領域及び上記
副メモリ領域から上記入力信号を選択的に読出す
際、上記副メモリ領域に記憶された上記入力信号
以外の部分を上記主メモリ領域から読出すことを
特徴とする信号記憶装置。
[Scope of Claims] 1. A clock generator that generates a high-frequency clock signal and a low-frequency clock signal, a main memory area, a plurality of sub-memory areas, and a memory control that controls the main memory area and the plurality of memory areas. a first address counter that counts the low frequency clock signal to generate an address signal for the main memory area; and a first address counter that counts the low frequency clock signal and generates an address signal for the main memory area; a second address counter that generates an address signal for the area; a first latch circuit that latches the address signal from the first address counter at the time when the trigger signal is generated successively; 2 addresses/
It has a second latch circuit that latches the address signal from the counter, and in a write operation, the input signal after the first trigger signal is generated by a predetermined amount according to the address signal from the first address counter. In addition to storing the input signal in the main memory area, a predetermined amount of the input signal near the time point at which each of the continuously generated trigger signals is generated is stored in each of the plurality of sub memory areas in accordance with the address signal from the second address counter. When the input signals are sequentially stored in the main memory area and the sub-memory area in accordance with the address signals latched in the first and second latch circuits, the input signals are stored in the sub-memory area. A signal storage device characterized in that a portion of the input signal other than the input signal is read from the main memory area.
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JPS5674658A (en) * 1979-11-22 1981-06-20 Fujitsu Ltd Waveform recorder
JPS5733363A (en) * 1980-08-06 1982-02-23 Hitachi Denshi Ltd Waveform storage device

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JPS60214266A (en) 1985-10-26

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