JPH01313924A - 縦型プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
縦型プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH01313924A JPH01313924A JP14537288A JP14537288A JPH01313924A JP H01313924 A JPH01313924 A JP H01313924A JP 14537288 A JP14537288 A JP 14537288A JP 14537288 A JP14537288 A JP 14537288A JP H01313924 A JPH01313924 A JP H01313924A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、成膜室内に間隔をおいて平行に配された１
面の方向が鉛直方向の４枚の基板にプラズマＣＶＤ法に
よる薄膜形成を行う装置であって、壁面が鉛直方向の方
形周壁と上下の端蓋とにより気密な筺体として形成され
た成膜室内に、この成膜室の対向壁面間ほぼ中央位置で
該対向壁面と平行に成膜室に固設される第１の高周波電
極板と、この第１の高周波電極板の両面に間隔をおいて
それぞれ平行に対向して成膜室に固設される第２の高周
波電極板と、前記第１．第２の高周波電極板のそれぞれ
の対向空間内で成膜室に固設され前記第１．第２の高周
波電極板と平行な面状の発熱部位を形成するヒータとを
収納するとともに、このヒータを両側から平行に挟む、
外側に被成膜基板が密着状態に取り付けられる取付は面
を有するサセプタが、前記対向壁面と平行に移動可能に
配された縦型プラズマＣＶＤ装置に関する。
面の方向が鉛直方向の４枚の基板にプラズマＣＶＤ法に
よる薄膜形成を行う装置であって、壁面が鉛直方向の方
形周壁と上下の端蓋とにより気密な筺体として形成され
た成膜室内に、この成膜室の対向壁面間ほぼ中央位置で
該対向壁面と平行に成膜室に固設される第１の高周波電
極板と、この第１の高周波電極板の両面に間隔をおいて
それぞれ平行に対向して成膜室に固設される第２の高周
波電極板と、前記第１．第２の高周波電極板のそれぞれ
の対向空間内で成膜室に固設され前記第１．第２の高周
波電極板と平行な面状の発熱部位を形成するヒータとを
収納するとともに、このヒータを両側から平行に挟む、
外側に被成膜基板が密着状態に取り付けられる取付は面
を有するサセプタが、前記対向壁面と平行に移動可能に
配された縦型プラズマＣＶＤ装置に関する。
この種縦型プラズマＣＶＤ装置の従来の構成例を第４図
に示す０紙面に垂直な金属板１ａ、ｌａと、紙面に平行
な金属板（図示せず）とにより形成された。壁面が鉛直
方向の方形周壁の上方端周縁に、下方が開放された。金
属板からなる方形箱状の上部端蓋１ｃの下方端周縁を気
密に接合するとともに、前記方形周壁の下方端を金属板
からなる下部端蓋ｌｄで気密に閉鎖してなる成膜室１に
は、前記金属板１”＋ ｌａが形成する対向壁面の間の
ほぼ中央位置で壁面と平行に下部端蓋１ｄに固設され外
部の高周波電源の一方の出力端子に接続される。偏平な
方形箱状に形成され内部に成膜原料ガスの導入路が形成
されている第１の高周波電極板８と、この第１の高周波
電極板８の両面側にそれぞれ間隔をおいてこの高周波電
極板８と平行に下部端蓋１ｄに固設され前記外部の高周
波電源の他方の出力端子に接続される。前記第１の高周
波電極ｖｉ８と同一構成の第２の高周波電極板７．７と
、この第１．第２の高周波電極板８．７のそれぞれの対
向空間内で下部端蓋１ｄに固設された３例えばガラス管
内に電熱製 もに、ヒータ３．３４−それぞれ両側から間隙を介して
平行に挟む、外側に被成膜基板５が取り付けられる取付
は面を備えたサセプタ４が、成膜室上方の方形箱状上部
端蓋１ｃ内に配された搬送装置２により前記対向壁面に
平行に移動可能に配されている。
に示す０紙面に垂直な金属板１ａ、ｌａと、紙面に平行
な金属板（図示せず）とにより形成された。壁面が鉛直
方向の方形周壁の上方端周縁に、下方が開放された。金
属板からなる方形箱状の上部端蓋１ｃの下方端周縁を気
密に接合するとともに、前記方形周壁の下方端を金属板
からなる下部端蓋ｌｄで気密に閉鎖してなる成膜室１に
は、前記金属板１”＋ ｌａが形成する対向壁面の間の
ほぼ中央位置で壁面と平行に下部端蓋１ｄに固設され外
部の高周波電源の一方の出力端子に接続される。偏平な
方形箱状に形成され内部に成膜原料ガスの導入路が形成
されている第１の高周波電極板８と、この第１の高周波
電極板８の両面側にそれぞれ間隔をおいてこの高周波電
極板８と平行に下部端蓋１ｄに固設され前記外部の高周
波電源の他方の出力端子に接続される。前記第１の高周
波電極ｖｉ８と同一構成の第２の高周波電極板７．７と
、この第１．第２の高周波電極板８．７のそれぞれの対
向空間内で下部端蓋１ｄに固設された３例えばガラス管
内に電熱製 もに、ヒータ３．３４−それぞれ両側から間隙を介して
平行に挟む、外側に被成膜基板５が取り付けられる取付
は面を備えたサセプタ４が、成膜室上方の方形箱状上部
端蓋１ｃ内に配された搬送装置２により前記対向壁面に
平行に移動可能に配されている。
このように構成された縦型プラズマＣＶＤ装置の第１の
高周波電極板８と第２の高周波電極板７．７との間に外
部の電源から周波数が通常１３．５６ＭＨｚのラジオ周
波数の高周波電圧を供給すると、両肩周波電極板８．７
のそれぞれの対向空間に形成される高周波電界により、
成膜室１内に導入された成膜原料ガスがプラズマ化され
、両面側からヒータ３，３〔発明が解決しようとする課
題〕 上述のように構成された従来の縦型プラズマＣＶＤ装置
の問題点は次の通りである。すなわち・第２図に示す、
成膜中の成膜室内温度分布図にみられるように、成膜室
内に配された基板４層のうち、第２の高周波電極板７．
７とそれぞれ成膜面が対向する基板５．５の温度は、基
板が高温のヒータ３．３と低温の成膜室両壁面である金
属板１ａとの間にそれぞれ位置しているため、ヒータの
温度と壁面温度との中間にあり、一方、第１の高周波電
極板８と成膜面が対向する基板６．６はともに高温のヒ
ータ３．３の間に位置するから、温度がヒータ温度に近
く、このため成膜時の基板温度に差が生じ、基板５と６
との薄膜に特性値の差が生じる傾向がある。
高周波電極板８と第２の高周波電極板７．７との間に外
部の電源から周波数が通常１３．５６ＭＨｚのラジオ周
波数の高周波電圧を供給すると、両肩周波電極板８．７
のそれぞれの対向空間に形成される高周波電界により、
成膜室１内に導入された成膜原料ガスがプラズマ化され
、両面側からヒータ３，３〔発明が解決しようとする課
題〕 上述のように構成された従来の縦型プラズマＣＶＤ装置
の問題点は次の通りである。すなわち・第２図に示す、
成膜中の成膜室内温度分布図にみられるように、成膜室
内に配された基板４層のうち、第２の高周波電極板７．
７とそれぞれ成膜面が対向する基板５．５の温度は、基
板が高温のヒータ３．３と低温の成膜室両壁面である金
属板１ａとの間にそれぞれ位置しているため、ヒータの
温度と壁面温度との中間にあり、一方、第１の高周波電
極板８と成膜面が対向する基板６．６はともに高温のヒ
ータ３．３の間に位置するから、温度がヒータ温度に近
く、このため成膜時の基板温度に差が生じ、基板５と６
との薄膜に特性値の差が生じる傾向がある。
この発明の目的は、前記従来の装置構成を維持しつつ基
板の温度を４層均一ならしめうる縦型プラズマＣＶＤ装
置の構成を提供することである。
板の温度を４層均一ならしめうる縦型プラズマＣＶＤ装
置の構成を提供することである。
上記課題を解決するために、この発明によれば、前記従
来の装置構成をもつ縦型プラズマＣＶＤ装置、すなわち
、壁面が鉛直方向の方形周壁と上下の端蓋とにより気密
な筺体として形成された成膜室内に、この成膜室の対向
壁面間ほぼ中央位置で該対向壁面と平行に成膜室に固設
される第１の高周波電極板と、この第１の高周波電極板
の両面に間隔をおいてそれぞれ平行に対向して成膜室に
固設される第２の高周波電極板と、前記第１．第２の高
周波電極板のそれぞれの対向空間内で成膜室に固設され
前記第１．第２の高周波電極板と平行な面状の発熱部位
を形成するヒータとを収納するとともに、このヒータを
両側から平行に挟む、外側に被成膜基板が密着状態に取
り付けられる取付は面を有するサセプタが前記対向壁面
と平行に移動可能に配された縦型プラズマＣＶＤ装置に
おいて、前記それぞれの対向壁面と第２の高周波電極板
との間に該壁面と平行に壁面側から順に熱遮蔽板と面状
の発熱部位を形成する壁面ヒータとを配するものとする
。
来の装置構成をもつ縦型プラズマＣＶＤ装置、すなわち
、壁面が鉛直方向の方形周壁と上下の端蓋とにより気密
な筺体として形成された成膜室内に、この成膜室の対向
壁面間ほぼ中央位置で該対向壁面と平行に成膜室に固設
される第１の高周波電極板と、この第１の高周波電極板
の両面に間隔をおいてそれぞれ平行に対向して成膜室に
固設される第２の高周波電極板と、前記第１．第２の高
周波電極板のそれぞれの対向空間内で成膜室に固設され
前記第１．第２の高周波電極板と平行な面状の発熱部位
を形成するヒータとを収納するとともに、このヒータを
両側から平行に挟む、外側に被成膜基板が密着状態に取
り付けられる取付は面を有するサセプタが前記対向壁面
と平行に移動可能に配された縦型プラズマＣＶＤ装置に
おいて、前記それぞれの対向壁面と第２の高周波電極板
との間に該壁面と平行に壁面側から順に熱遮蔽板と面状
の発熱部位を形成する壁面ヒータとを配するものとする
。
縦型プラズマＣＶＤ装置をこのように構成する情
と、壁面全面側に配された壁面ヒータにより面状の高温
部位が形成され、第１．第２の高周波電極板のそれぞれ
の対向空間内に配されているヒータから成膜室壁面に向
かう温度勾配が小さくなり、従ってこの温度勾配の途中
に位置する基板の温度が上昇する。従って壁面ヒータの
容量を適切に選択し、あるいは外部の電源から壁面ヒー
タに供給される熱エネルギすなわち電流を調整すること
により、基板の温度を第１の高周波電極板側と第２の高
周波電極板側とで実質同一にすることができる。しかも
、壁面ヒータに供給された熱エネルギは熱遮蔽板により
壁面方向に流れるのを抑制されているから外部電源の容
量はさほど大きくする必要がない。
部位が形成され、第１．第２の高周波電極板のそれぞれ
の対向空間内に配されているヒータから成膜室壁面に向
かう温度勾配が小さくなり、従ってこの温度勾配の途中
に位置する基板の温度が上昇する。従って壁面ヒータの
容量を適切に選択し、あるいは外部の電源から壁面ヒー
タに供給される熱エネルギすなわち電流を調整すること
により、基板の温度を第１の高周波電極板側と第２の高
周波電極板側とで実質同一にすることができる。しかも
、壁面ヒータに供給された熱エネルギは熱遮蔽板により
壁面方向に流れるのを抑制されているから外部電源の容
量はさほど大きくする必要がない。
第１図に本発明による縦型プラズマＣＶＤ９置構成の一
実施例を示す０図中、第４図と同一の部材には同一符号
を付し、説明を省略する。方形の筺体として形成された
成膜室１の対向壁面を形成する金属板１ａ、 １ｍの内
側にはそれぞれ取付は座９を介して壁面側から順に熱遮
蔽板９．９、壁面ヒータ１０．１０が着脱可能に取り付
けられている。熱遮蔽板９は熱によって変質しないよう
金属板とし、壁面ヒータ１０は、たとえば、ガラス管内
に電熱線を配した棒状の赤外線ヒータを水平にして鉛直
方向に配列して形成するか、シーズヒータすなわち電熱
線たとえばニクロム線をコイル状に巻いて金属パイプ、
たとえばステンレスパイプ中に耐熱性絶縁物質、たとえ
ば酸化アルミ粉末を介してパイプから絶縁状態に埋め込
み、金属パイプ両端部に、電熱線端部を金属パイプから
絶縁するとともに該パイプ両端部をほぼ気密に封止する
。たとえばセラミックスからなる封止部材を備えしめた
パイプ状ヒータを一平面内で繰り返し往復、蛇行させて
形成する。
実施例を示す０図中、第４図と同一の部材には同一符号
を付し、説明を省略する。方形の筺体として形成された
成膜室１の対向壁面を形成する金属板１ａ、 １ｍの内
側にはそれぞれ取付は座９を介して壁面側から順に熱遮
蔽板９．９、壁面ヒータ１０．１０が着脱可能に取り付
けられている。熱遮蔽板９は熱によって変質しないよう
金属板とし、壁面ヒータ１０は、たとえば、ガラス管内
に電熱線を配した棒状の赤外線ヒータを水平にして鉛直
方向に配列して形成するか、シーズヒータすなわち電熱
線たとえばニクロム線をコイル状に巻いて金属パイプ、
たとえばステンレスパイプ中に耐熱性絶縁物質、たとえ
ば酸化アルミ粉末を介してパイプから絶縁状態に埋め込
み、金属パイプ両端部に、電熱線端部を金属パイプから
絶縁するとともに該パイプ両端部をほぼ気密に封止する
。たとえばセラミックスからなる封止部材を備えしめた
パイプ状ヒータを一平面内で繰り返し往復、蛇行させて
形成する。
縦型プラズマＣＶＤ装置をこのように構成して成膜運転
を行うたときの成膜室１内温度分布を第３図に示す、成
膜室壁面である金属板ｌａ側に配された壁面ヒータｌＯ
の温度は従来の壁面温度と比べて顕著に高く、このため
、内部のヒータ３から壁面ヒータ１０へ向かう温度勾配
は、第２図に示す同６ｉ域の従来の温度勾配と比べて顕
著に緩やかとなり、ヒータ３．３間の温度勾配に類似す
る。このため、この温度勾配上にある基板５の温度も従
来と比べて顕著に高くなり、壁面ヒータｌＯの温度を外
部の加熱電源出力を調整して変えることにより、図のよ
うに基板６の温度と等しくすることができる。
を行うたときの成膜室１内温度分布を第３図に示す、成
膜室壁面である金属板ｌａ側に配された壁面ヒータｌＯ
の温度は従来の壁面温度と比べて顕著に高く、このため
、内部のヒータ３から壁面ヒータ１０へ向かう温度勾配
は、第２図に示す同６ｉ域の従来の温度勾配と比べて顕
著に緩やかとなり、ヒータ３．３間の温度勾配に類似す
る。このため、この温度勾配上にある基板５の温度も従
来と比べて顕著に高くなり、壁面ヒータｌＯの温度を外
部の加熱電源出力を調整して変えることにより、図のよ
うに基板６の温度と等しくすることができる。
以上に述べたように、本発明によれば、壁面が鉛直方向
の方形周壁と上下の端蓋とにより気密な筺体として形成
された成膜室内に、この成膜室の対向壁面間ほぼ中央位
置で該対向壁面と平行に成膜室に固設される第１の高周
波電極板と、この第１の高周波電極板の両面に間隔をお
いてそれぞれ平行に対向して成膜室に固設される第２の
高周波電極板と、前記第１．第２の高周波電極板のそれ
ぞれの対向空間内で成膜室に固設され前記第１゜第２の
高周波電極板と平行な面状の発熱部位を形成するヒータ
とを収納するとともに、このヒータを両側から平行に挟
む、外側に被成膜基板が密着状態に取り付けられる取付
は面を有するサセプタが前記対向壁面と平行に移動可能
に配された縦型プラズマＣＶＤ！装置において、前記そ
れぞれの対向壁面と第２の高周波電極板との間に該壁面
と平行に壁面側から順に熱遮蔽板と面状の発熱部位を形
成する壁面ヒータとを配したので、第２の高周波電極板
と成膜面が対向する基板が、成膜室壁面より温度が顕著
に高い壁面ヒータと基板を背面側から加熱するヒータと
の間の、従来と比べると傾斜が顕著に緩やかな温度勾配
上に位置することとなり、基板の温度が従来と比べ顕著
に高（なる。
の方形周壁と上下の端蓋とにより気密な筺体として形成
された成膜室内に、この成膜室の対向壁面間ほぼ中央位
置で該対向壁面と平行に成膜室に固設される第１の高周
波電極板と、この第１の高周波電極板の両面に間隔をお
いてそれぞれ平行に対向して成膜室に固設される第２の
高周波電極板と、前記第１．第２の高周波電極板のそれ
ぞれの対向空間内で成膜室に固設され前記第１゜第２の
高周波電極板と平行な面状の発熱部位を形成するヒータ
とを収納するとともに、このヒータを両側から平行に挟
む、外側に被成膜基板が密着状態に取り付けられる取付
は面を有するサセプタが前記対向壁面と平行に移動可能
に配された縦型プラズマＣＶＤ！装置において、前記そ
れぞれの対向壁面と第２の高周波電極板との間に該壁面
と平行に壁面側から順に熱遮蔽板と面状の発熱部位を形
成する壁面ヒータとを配したので、第２の高周波電極板
と成膜面が対向する基板が、成膜室壁面より温度が顕著
に高い壁面ヒータと基板を背面側から加熱するヒータと
の間の、従来と比べると傾斜が顕著に緩やかな温度勾配
上に位置することとなり、基板の温度が従来と比べ顕著
に高（なる。
従って前記壁面ヒータの容量を適切に選択するか、外部
の加熱電源出力を調整して壁面ヒータの温度を変えるこ
とにより、第２の高周波電極板と成膜面が対向する基板
の温度を、第１の高周波電極板と成膜面が対向する基板
の温度と等しくすることが可能となり、両基板に形成さ
れた薄膜の特性値の差をなくすることができる。しかも
、成膜室壁面と壁面ヒータとの間には熱遮蔽板が配され
、壁面ヒータから成膜室壁面側へ逃げる熱を抑制してい
るから、壁面ヒータは小入力にて温度をあげることがで
き、均質な多量の基板が経済的に得られるという効果が
ある。また、壁面ヒータの温度が高いことから壁面ヒー
タ表面のパウダの発生が抑えられ、かつ壁面ヒータの面
積的遮蔽効果により成膜室壁面のパウダ付着も減少し、
大きい構造物である成膜室の保守作業の周期が長くなり
、装置の稼動率が向上するという、大きい副次的効果も
得られる。
の加熱電源出力を調整して壁面ヒータの温度を変えるこ
とにより、第２の高周波電極板と成膜面が対向する基板
の温度を、第１の高周波電極板と成膜面が対向する基板
の温度と等しくすることが可能となり、両基板に形成さ
れた薄膜の特性値の差をなくすることができる。しかも
、成膜室壁面と壁面ヒータとの間には熱遮蔽板が配され
、壁面ヒータから成膜室壁面側へ逃げる熱を抑制してい
るから、壁面ヒータは小入力にて温度をあげることがで
き、均質な多量の基板が経済的に得られるという効果が
ある。また、壁面ヒータの温度が高いことから壁面ヒー
タ表面のパウダの発生が抑えられ、かつ壁面ヒータの面
積的遮蔽効果により成膜室壁面のパウダ付着も減少し、
大きい構造物である成膜室の保守作業の周期が長くなり
、装置の稼動率が向上するという、大きい副次的効果も
得られる。
なお、本発明は、成膜室内で基板４層に同時に成膜する
４層式縦型プラズマＣＶＤ装置を対象としているが、層
数をさらに増した場合にも適用可能であることは明らか
である。
４層式縦型プラズマＣＶＤ装置を対象としているが、層
数をさらに増した場合にも適用可能であることは明らか
である。
第１図は本発明に基づいて構成される縦型プラズマＣＶ
Ｄ装置の一実施例を示す断面図、第２図は従来の縦型プ
ラズマＣＶＤ装置例における成膜室内の温度分布を示す
線図、第３図は第１図に示す縦型プラズマＣＶＤ装置の
成膜室内温度分布を第２図と対比して示す線図、第４図
は従来の縦型プラズマＣＶＤ装置の構成例を示す断面図
である。 ｌ：成膜室、３：ヒータ、４：サセプタ、５゜６：基板
、７：第２の高周波電極板、８：第１の高周波電極板、
１０：壁面ヒータ、１１：熱遮蔽板。 第１図 一−→位置 第２図 一→位置 第３図
Ｄ装置の一実施例を示す断面図、第２図は従来の縦型プ
ラズマＣＶＤ装置例における成膜室内の温度分布を示す
線図、第３図は第１図に示す縦型プラズマＣＶＤ装置の
成膜室内温度分布を第２図と対比して示す線図、第４図
は従来の縦型プラズマＣＶＤ装置の構成例を示す断面図
である。 ｌ：成膜室、３：ヒータ、４：サセプタ、５゜６：基板
、７：第２の高周波電極板、８：第１の高周波電極板、
１０：壁面ヒータ、１１：熱遮蔽板。 第１図 一−→位置 第２図 一→位置 第３図
Claims (1)
- １）壁面が鉛直方向の方形周壁と上下の端蓋とにより気
密な筺体として形成された成膜室内に、この成膜室の対
向壁面間ほぼ中央位置で該対向壁面と平行に成膜室に固
設される第１の高周波電極板と、この第１の高周波電極
板の両面に間隔をおいてそれぞれ平行に対向して成膜室
に固設される第２の高周波電極板と、前記第１、第２の
高周波電極板のそれぞれの対向空間内で成膜室に固設さ
れ前記第１、第２の高周波電極板と平行な面状の発熱部
位を形成するヒータとを収納するとともに、このヒータ
を両側から平行に挟む、外側に被成膜基板が密着状態に
取り付けられる取付け面を有するサセプタが前記対向壁
面と平行に移動可能に配された縦型プラズマＣＶＤ装置
において、前記それぞれの対向壁面と第２の高周波電極
板との間に該壁面と平行に壁面側から順に熱遮蔽板と面
状の発熱部位を形成する壁面ヒータとが配されたことを
特徴とする縦型プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145372A JPH0691030B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 縦型プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145372A JPH0691030B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 縦型プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01313924A true JPH01313924A (ja) | 1989-12-19 |
| JPH0691030B2 JPH0691030B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=15383699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63145372A Expired - Fee Related JPH0691030B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 縦型プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691030B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014104551A1 (ko) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Park Hyung Sang | 수직형 플레이트 히터를 이용한 증착 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01174922U (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-13 |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP63145372A patent/JPH0691030B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01174922U (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-13 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014104551A1 (ko) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Park Hyung Sang | 수직형 플레이트 히터를 이용한 증착 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0691030B2 (ja) | 1994-11-14 |
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