JPH01311511A - 積層導電膜 - Google Patents
積層導電膜Info
- Publication number
- JPH01311511A JPH01311511A JP63141676A JP14167688A JPH01311511A JP H01311511 A JPH01311511 A JP H01311511A JP 63141676 A JP63141676 A JP 63141676A JP 14167688 A JP14167688 A JP 14167688A JP H01311511 A JPH01311511 A JP H01311511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- transparent conductive
- silicon
- conductive film
- laminated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- -1 ITO Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 32
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は透明Ｎ！Ａｉｔ膜に関し、特に耐環境性の透明
導電膜に関する。
導電膜に関する。
［従来技術とその課題］
透明導電膜は各種の産業用もしくは民生用の電気製品、
電子機器等に多用されている。また、光電機能を利用す
る半導体機器においては、その透明性と電気伝導性を利
用して、光透過電極として用いられている。
電子機器等に多用されている。また、光電機能を利用す
る半導体機器においては、その透明性と電気伝導性を利
用して、光透過電極として用いられている。
しかして、かかる透明導電膜を有する半導体機器等を製
作するプロセスにおいては、該透明導電膜の特性を変化
させる環境状況がしばしば発生する。すなわち、透明導
電膜としては、金属の酸化物がよく知られているが、こ
れらは還元性の雰囲気、とくに、原子状水素が存在する
高温やプラズマの雰囲気に曝されると、その特性が大き
く低下して仕舞うために、これを組み込んだ半導体機器
の性能自体も大きく低下すると云う課題を含んでいた。
作するプロセスにおいては、該透明導電膜の特性を変化
させる環境状況がしばしば発生する。すなわち、透明導
電膜としては、金属の酸化物がよく知られているが、こ
れらは還元性の雰囲気、とくに、原子状水素が存在する
高温やプラズマの雰囲気に曝されると、その特性が大き
く低下して仕舞うために、これを組み込んだ半導体機器
の性能自体も大きく低下すると云う課題を含んでいた。
これらの課題の解決のために、従来は、透明導電膜の上
に耐酸化性や対プラズマ性を有する薄膜、たとえば、酸
化チタン、炭化チタン、窒化チタン等をコーティングす
ることが試験的に試みられていた。これらの薄膜のコー
チイブにより、耐酸化性や耐プラズマ性は若干の向上が
観測されたが、問題の本質的な解決にはならなかった。
に耐酸化性や対プラズマ性を有する薄膜、たとえば、酸
化チタン、炭化チタン、窒化チタン等をコーティングす
ることが試験的に試みられていた。これらの薄膜のコー
チイブにより、耐酸化性や耐プラズマ性は若干の向上が
観測されたが、問題の本質的な解決にはならなかった。
なぜなら、これらの薄膜は本質的に、電気を通しにくい
ものであり、そのために、透明導電膜の電気抵抗の増加
が発生し、結果として、総合的な半導体装置の特性自体
をかえって、低下させることになったからである。
ものであり、そのために、透明導電膜の電気抵抗の増加
が発生し、結果として、総合的な半導体装置の特性自体
をかえって、低下させることになったからである。
「発明の基本的着想ｊ
しかして、本発明者らは、かかる点に鑑み、鋭意検討し
た結果、透明導電膜上に透明導電薄膜とシリコン薄膜の
積層膜を形成させた透明導電膜は、導電率を低下させる
ことなく耐環境性を向上させることを見いだした０本発
明は、かかる着想に基づきなされるに到ったものである
。
た結果、透明導電膜上に透明導電薄膜とシリコン薄膜の
積層膜を形成させた透明導電膜は、導電率を低下させる
ことなく耐環境性を向上させることを見いだした０本発
明は、かかる着想に基づきなされるに到ったものである
。
［発明の開示］
すなわち、本発明は、基板上に、透明導電膜およびシリ
コン膜を繰り返し積層してなる積層導電膜を形成したこ
とを特徴とする透明導電膜を要菅とするものである。
コン膜を繰り返し積層してなる積層導電膜を形成したこ
とを特徴とする透明導電膜を要菅とするものである。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の態様を説明す
る。
る。
第１図は本発明の透明導電膜の層構成を示す説明図であ
るが、基板１上に透明導電膜２、シリコン薄膜３、透明
導電薄膜４、シリコン薄膜３′、透明導電薄膜４゛ ・
・・・の積層膜５が形成されている（なお、ここでは、
便宜上、基板に接して設けられた透明導電膜を単に「透
明導電膜」、それ以外のものを「透明導電薄膜」として
一応区別した）、かかる積層の回数は１．５回（すなわ
ち透明導電膜ｌシリコン薄膜／透明導電薄膜からなる積
層膜を意味する）以上、高々１Ｏ１５回以下で十分であ
る。ここで、 ｒｏ、ｓ ４回とは、シリコン薄膜の
みが表面に存在する状態を表わすものである。透明導電
ｍＲおよびシリコン薄膜の膜厚は、それぞれ、１原子層
以上、５０Å以下、好ましくは、３０Å以下である。
るが、基板１上に透明導電膜２、シリコン薄膜３、透明
導電薄膜４、シリコン薄膜３′、透明導電薄膜４゛ ・
・・・の積層膜５が形成されている（なお、ここでは、
便宜上、基板に接して設けられた透明導電膜を単に「透
明導電膜」、それ以外のものを「透明導電薄膜」として
一応区別した）、かかる積層の回数は１．５回（すなわ
ち透明導電膜ｌシリコン薄膜／透明導電薄膜からなる積
層膜を意味する）以上、高々１Ｏ１５回以下で十分であ
る。ここで、 ｒｏ、ｓ ４回とは、シリコン薄膜の
みが表面に存在する状態を表わすものである。透明導電
ｍＲおよびシリコン薄膜の膜厚は、それぞれ、１原子層
以上、５０Å以下、好ましくは、３０Å以下である。
本発明における透明導電膜および透明導電薄膜用の材料
としては、ＩｎｔＯｓ 、ＩＴＯ、Ｓｎｕｇ、Ｚｏｏ等
のごとき単独の金属酸化物からなるものが有用でり、ま
た、ＩＴＯ／ＳｎＯ２やＩＴＯ／ＺｎＯ等のように積層
された透明導電膜材料に対しても有効である。
としては、ＩｎｔＯｓ 、ＩＴＯ、Ｓｎｕｇ、Ｚｏｏ等
のごとき単独の金属酸化物からなるものが有用でり、ま
た、ＩＴＯ／ＳｎＯ２やＩＴＯ／ＺｎＯ等のように積層
された透明導電膜材料に対しても有効である。
本発明におけるシリコン薄膜としては、多結晶や微結晶
等の結晶性のシリコンおよび非晶質のシリコンが有効に
用いられる。また、シリコン薄膜中に、酸素、窒素、炭
素、硼素、リン、砒素等の不純物元素を混合させること
ができる。酸素、窒素、炭素等の混合により、光の透過
性を変更することが可能であり、硼素、リン、砒素等の
添加によ、す、電気的性質を変更できる。
等の結晶性のシリコンおよび非晶質のシリコンが有効に
用いられる。また、シリコン薄膜中に、酸素、窒素、炭
素、硼素、リン、砒素等の不純物元素を混合させること
ができる。酸素、窒素、炭素等の混合により、光の透過
性を変更することが可能であり、硼素、リン、砒素等の
添加によ、す、電気的性質を変更できる。
以上のごとく、本発明は、基板上に、透明導電（ｉｌｌ
）膜およびシリコン膜を繰り返し積層してなる積層導電
膜を形成するものであるが、この透明導電薄膜とシリコ
ン薄膜の積層膜は、化学堆積法（ＣＶＤ ） 、プラズ
マ化学堆積法（ＰＣＶＤ ＞、光化学堆積法（Ｐｈｏｔ
ｏ ＣＶＤ ）、スパッタリング、イオン化蒸着法等
やこれらの蒸着法に反応ガスを併用する反応性の薄膜形
成法を用いて形成される。
）膜およびシリコン膜を繰り返し積層してなる積層導電
膜を形成するものであるが、この透明導電薄膜とシリコ
ン薄膜の積層膜は、化学堆積法（ＣＶＤ ） 、プラズ
マ化学堆積法（ＰＣＶＤ ＞、光化学堆積法（Ｐｈｏｔ
ｏ ＣＶＤ ）、スパッタリング、イオン化蒸着法等
やこれらの蒸着法に反応ガスを併用する反応性の薄膜形
成法を用いて形成される。
［発明を実施するための好ましい形１１１、 第１図
は、本発明の好ましい実施の態様の一例、である、基板
１上にＩｎｇｏｔ 、ＩＴＯ％、Ｓｎｕｇ、ＺｎＯ等の
金属酸化物からなる透明導電膜２が形成され、その上に
、多結晶、微結晶等の結晶性シリコンや非晶質シリコン
等からなるシリコン薄膜３を形成し、同様にしてその上
にＳａｕｇ、Ｚｏｏ等の金属酸化物からなる透明導電薄
膜４、シリコン薄膜３′、透明導電薄膜４′ ・・・・
の順序で積層し、最後に、シリコン薄膜を形成すること
により、積層膜５を形成する。これら積層膜は、ＣＶＤ
、 ＰＣＶＤ、Ｐｈｏｔｏ ＣＶＤ 、スパッタリン
グ、イオン化蒸着法等やこれらの反応蒸着法を用いて形
成される。積層の回数は１．５回以上、高々１０．５回
以下で十分である。透明導電薄膜およびシリコン薄膜の
膜厚は、それぞれ、ｌ原子層以上、５０Å以下、好まし
くは、３０Å以下である。積・層膜の総厚みは３０人か
ら３００人である。なお、不純物の添加は、積層薄膜形
成中に、不純物元素を含有する物質を導入することによ
り、具体的には、ＣＶＤ、 ＰＣＶＤ、 Ｐｈｏｔ。
は、本発明の好ましい実施の態様の一例、である、基板
１上にＩｎｇｏｔ 、ＩＴＯ％、Ｓｎｕｇ、ＺｎＯ等の
金属酸化物からなる透明導電膜２が形成され、その上に
、多結晶、微結晶等の結晶性シリコンや非晶質シリコン
等からなるシリコン薄膜３を形成し、同様にしてその上
にＳａｕｇ、Ｚｏｏ等の金属酸化物からなる透明導電薄
膜４、シリコン薄膜３′、透明導電薄膜４′ ・・・・
の順序で積層し、最後に、シリコン薄膜を形成すること
により、積層膜５を形成する。これら積層膜は、ＣＶＤ
、 ＰＣＶＤ、Ｐｈｏｔｏ ＣＶＤ 、スパッタリン
グ、イオン化蒸着法等やこれらの反応蒸着法を用いて形
成される。積層の回数は１．５回以上、高々１０．５回
以下で十分である。透明導電薄膜およびシリコン薄膜の
膜厚は、それぞれ、ｌ原子層以上、５０Å以下、好まし
くは、３０Å以下である。積・層膜の総厚みは３０人か
ら３００人である。なお、不純物の添加は、積層薄膜形
成中に、不純物元素を含有する物質を導入することによ
り、具体的には、ＣＶＤ、 ＰＣＶＤ、 Ｐｈｏｔ。
ＣＶＤ 、スパッタリング、イオン化蒸着法等の成膜室
に酸素、窒素、炭素、硼素、リン、砒素等元素や化合物
を導入することにより、行うことができる。
に酸素、窒素、炭素、硼素、リン、砒素等元素や化合物
を導入することにより、行うことができる。
［実施例］
シート抵抗が５Ω／口、・可視光透過率が７９％のＳｎ
ｏｗ付ガラス基板を用意し、この上にシリコン薄膜、ｓ
ｎｏｗｙ膜をスパッタリングを用いて、それぞれの膜厚
が２０人になるように５．５回積層した。積層後のシー
ト抵抗と可視光透過率は、それぞれ、６Ω／口と７８％
であり、はとんど、変化していなかった、この透明導電
膜をｐｉｎ型のアモルファスシリコン光電変換素子の基
板として用いた。また、比較のために、本透明導電膜を
形成する前の基板（シート抵抗が５Ω／口、可視光透過
率が７９％の５ｎＯｔ付ガラス基板）を用いて、同一の
プラズマプロセスでアモルファスシリコン光電変換素子
を形成した０本発明の効果は、当該光電変換素子の開放
端電圧の増加となって現われた。すなわち、比較例にお
いて、０．８６Ｖであった開放端電圧が、本発明により
０．９５Ｖにまで上昇した。
ｏｗ付ガラス基板を用意し、この上にシリコン薄膜、ｓ
ｎｏｗｙ膜をスパッタリングを用いて、それぞれの膜厚
が２０人になるように５．５回積層した。積層後のシー
ト抵抗と可視光透過率は、それぞれ、６Ω／口と７８％
であり、はとんど、変化していなかった、この透明導電
膜をｐｉｎ型のアモルファスシリコン光電変換素子の基
板として用いた。また、比較のために、本透明導電膜を
形成する前の基板（シート抵抗が５Ω／口、可視光透過
率が７９％の５ｎＯｔ付ガラス基板）を用いて、同一の
プラズマプロセスでアモルファスシリコン光電変換素子
を形成した０本発明の効果は、当該光電変換素子の開放
端電圧の増加となって現われた。すなわち、比較例にお
いて、０．８６Ｖであった開放端電圧が、本発明により
０．９５Ｖにまで上昇した。
［発明の効果１
実施例に示したように、本発明において、開放端電圧が
顕著に向上した。従来、アモルファスシリコン光電変換
素子はかかる開放端電圧の低下のために、光電変換効率
の向上が妨げられていたが、本発明の利用により、この
改善が大きく期待される。
顕著に向上した。従来、アモルファスシリコン光電変換
素子はかかる開放端電圧の低下のために、光電変換効率
の向上が妨げられていたが、本発明の利用により、この
改善が大きく期待される。
この改善効果は、本発明の透明導電膜の耐環境性、すな
わち、還元性の雰囲気での耐性が増強されたためと推定
されるものであり、半導体装置作製プロセスへの適合性
にすぐれた性質を有している。とくに、実施例に示すよ
うに、プラズマプロセスを利用するアモルファスシリコ
ンデバイスの作製に用いられる透明導電性材料として有
用である。
わち、還元性の雰囲気での耐性が増強されたためと推定
されるものであり、半導体装置作製プロセスへの適合性
にすぐれた性質を有している。とくに、実施例に示すよ
うに、プラズマプロセスを利用するアモルファスシリコ
ンデバイスの作製に用いられる透明導電性材料として有
用である。
第１図は本発明の透明導電膜の層構成を示す説明図であ
る０図において、 ■・・・基板、２・・・透明導電膜、３・・・シリコン
薄膜、４・・・透明導１ｉＥ薄膜、３′ ・・・シリコ
ン薄膜、４′ ・・・透明導電薄膜、５・・８・積層膜
。 特許出願人 三井東圧化学株式会社
る０図において、 ■・・・基板、２・・・透明導電膜、３・・・シリコン
薄膜、４・・・透明導１ｉＥ薄膜、３′ ・・・シリコ
ン薄膜、４′ ・・・透明導電薄膜、５・・８・積層膜
。 特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (1)
- （１）基板上に、透明導電膜およびシリコン膜を繰り返
し積層してなる積層導電膜を形成したことを特徴とする
透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63141676A JP2849388B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 積層導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63141676A JP2849388B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 積層導電膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01311511A true JPH01311511A (ja) | 1989-12-15 |
| JP2849388B2 JP2849388B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=15297609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63141676A Expired - Fee Related JP2849388B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 積層導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2849388B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0656664A1 (en) * | 1993-11-30 | 1995-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Polycrystalline silicon photoelectric transducer and process for its production |
| JP2002528847A (ja) * | 1997-07-08 | 2002-09-03 | プラッツ、カール−オットー | 電気デバイス、電気装置または照明デバイス |
| US6936806B1 (en) * | 1999-11-05 | 2005-08-30 | Minolta Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and solid-state image sensing device using the same |
| JP2010123577A (ja) * | 1997-07-08 | 2010-06-03 | Karl-Otto Platz | 電気デバイス、電気装置または照明デバイス |
| JP2010225384A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Kaneka Corp | 透明電極付き基板およびその製造方法 |
| JP2015228363A (ja) * | 2014-05-07 | 2015-12-17 | Tdk株式会社 | 積層型透明導電膜 |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP63141676A patent/JP2849388B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0656664A1 (en) * | 1993-11-30 | 1995-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Polycrystalline silicon photoelectric transducer and process for its production |
| US5575862A (en) * | 1993-11-30 | 1996-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Polycrystalline silicon photoelectric conversion device and process for its production |
| JP2002528847A (ja) * | 1997-07-08 | 2002-09-03 | プラッツ、カール−オットー | 電気デバイス、電気装置または照明デバイス |
| JP2010123577A (ja) * | 1997-07-08 | 2010-06-03 | Karl-Otto Platz | 電気デバイス、電気装置または照明デバイス |
| US6936806B1 (en) * | 1999-11-05 | 2005-08-30 | Minolta Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and solid-state image sensing device using the same |
| JP2010225384A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Kaneka Corp | 透明電極付き基板およびその製造方法 |
| JP2015228363A (ja) * | 2014-05-07 | 2015-12-17 | Tdk株式会社 | 積層型透明導電膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2849388B2 (ja) | 1999-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4623601A (en) | Photoconductive device containing zinc oxide transparent conductive layer | |
| US7824947B2 (en) | Method to improve flexible foil substrate for thin film solar cell applications | |
| CN102625953B (zh) | 太阳能电池前接触件掺杂 | |
| WO2006070799A1 (ja) | ＭＯＣＶＤ（有機金属化学蒸着）法によるＺｎＯ系透明導電膜の製造方法 | |
| JP2013502745A5 (ja) | ||
| TW201342397A (zh) | 透明導電膜層積體及其製造方法以及薄膜太陽電池及其製造方法 | |
| WO2005083722A1 (ja) | 透明導電膜及びそれを用いた透明導電性基材 | |
| CN107180880B (zh) | 一种超薄半透明薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| JP6380259B2 (ja) | 酸化物透明導電膜積層体、光電変換素子、および光電変換素子の製造方法 | |
| CN102206801A (zh) | 基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法 | |
| Szyszka et al. | Development of new transparent conductors and device applications utilizing a multidisciplinary approach | |
| EP2800144A1 (en) | Back contact substrate for a photovoltaic cell or module | |
| JP5070720B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| KR100699072B1 (ko) | 산화아연계 투명 도전막 | |
| JPH01311511A (ja) | 積層導電膜 | |
| CN106784113A (zh) | 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| JP2001189114A (ja) | 透明電極の製造方法 | |
| WO2009078682A2 (en) | Transparent conductive film and method for preparing the same | |
| WO2012029797A1 (ja) | 透明導電膜積層体及びその製造方法、並びに薄膜太陽電池及びその製造方法 | |
| CN104662673A (zh) | 光电转换元件以及光电转换元件的制造方法 | |
| US11942575B2 (en) | Transparent electrode, method of producing transparent electrode, and electronic device | |
| US20120107491A1 (en) | High Permittivity Transparent Films | |
| JPH06338623A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| WO2009116467A1 (ja) | 透明導電酸化物層およびこれを用いた光電変換装置 | |
| Saikumar et al. | Work function estimation of gallium-doped zinc oxide using transparent gate electrode MOSFET |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |