JPH01307154A - 質量分析装置 - Google Patents

質量分析装置

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Publication number
JPH01307154A
JPH01307154A JP63135579A JP13557988A JPH01307154A JP H01307154 A JPH01307154 A JP H01307154A JP 63135579 A JP63135579 A JP 63135579A JP 13557988 A JP13557988 A JP 13557988A JP H01307154 A JPH01307154 A JP H01307154A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current limiting
beam current
limiting aperture
holes
aperture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63135579A
Other languages
English (en)
Inventor
Shozo Kobayashi
祥三 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP63135579A priority Critical patent/JPH01307154A/ja
Publication of JPH01307154A publication Critical patent/JPH01307154A/ja
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  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はスパッタされた二次イオンによって固体試料の
質量分析を行う質量分析装置にかかり、特に試料に一次
イオンビームを照射する一次イオンビーム光学系の改良
に関するものである。
(従来の技術) 従来のこの種の質量分析装置としては、イオン銃からA
rイオンなどの一次イオンビームを発射し。
この−次イオンビームを集束レンズと差動排気スリット
を兼ねたビーム電流制限アパーチャなどを含むイオンビ
ーム光学系を介して試料に照射し、これによって試料か
ら発生する二次イオンを検出して質量分析する二次イオ
ン質量分析装置が一般的である。
この装置においては、−次イオンビームを試料に効率よ
く照射させる必要があり、このためには集束レンズの光
軸と差動排気スリットを兼ねたビーム電流制限アパーチ
ャにおける光軸とを一致させると共に、中性粒子除去用
偏向電極の光軸が照射される試料面に細束なビーム径を
得るための対物レンズの光軸とも一致させる必要がある
従ってこれらの組立は熟練を要し、多大な労力と時間を
費やすものとなる。
しかし構造設計の寸法公差や組立公差などによる光軸の
ずれは避けられず、このためアライメント電極などを用
いて光軸の微調整を行っている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、このようにして最終調整された。
光軸も、装置を使う過程でイオン源からの一次イオンビ
ームによる影響を受け、早ければ十数時間で、通常数十
時間で差動排気を兼ねたビーム電流制限アパーチャの孔
がスパッタによって変形し、初期状態と異る状態となっ
て試料に対する必要なビーム電流が変化し、これと同時
に差動排気の圧力差にも変化が生ずる。
これらは、質量分析装置を使用して高精度な質量分析を
行うときに問題となり、また再調整のためには超高真空
を破って差動排気スリットを兼ねたビーム電流制限アパ
ーチャを交換する必要があり、作業能率の面でも問題と
なる。
本発明は、差動排気スリットを兼ねたビーム電流制限ア
パーチャ部を改良することによって、簡単かつ短時間の
調整で超高真空を破ることなく一次イオンビームを初期
の好適条件に戻すことができ、これによって長期的に高
精度の質量分析を可能とする合理的な質量分析装置を提
供することを目的としている。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段と作用) 本発明は上記の問題を解決するために、差動排気スリッ
トを兼ねたビーム電流制限アパーチャを差動排気スリッ
トとビーム電流制限アパーチャとに分割して独立に機能
させ、さらにビーム電流制限アパーチャ板に複数のアパ
ーチャを設けると共にこのビーム電流制限アパーチャ板
を外部より移動可能とした。
このような手段を用いることによって、装置の使用過程
におけるイオン銃からの一次イオンビームによるビーム
電流制限アパーチャのアパーチャ孔がスパッタによって
変化しても他のアパーチャ孔を利用することができ、ま
た差動排気スリットはビーム電流制限アパーチャのすぐ
下に配置され、かつ差動排気スリット孔をビーム電流制
限アパーチャ孔より大きくすることにより、差動排気ス
リット孔はスパッタの影響を受けにくくなり、従って良
好な圧力差を維持することができ、これによって質量分
析装置を長期間にわたって高精度で使用することが可能
となる。
(実施例) 本発明の一実施例を第1図に示す6 第1図において、1はArイオンなどの一次イオンビー
ムを発射するイオン銃、2はイオン銃1から発射される
イオンビームを集束する集束レンズであり、集束された
イオンビームは一対のX方向電極と一対のX方向電極か
ら構成されるアライメント電極3で調整され、ビーム電
流制限アパーチャ4の複数の孔の1つを通り、さらに差
動排気スリット5の孔を通過し、さらに中性粒子除去電
極7によってイオンビームのみがプローブイオンとして
取出される。
ビーム電流制限アパーチャ4は第2図に示すように複数
の孔4A、 4B、 4Cを有し、外部から操作できる
駆動導入機6によって左右に移動できるようになってい
る。
プローブイオンとなったイオンビームはX方向およびX
方向にそれぞれ一対の電極を有する走査ffi極8によ
って偏向走査され、イオンビームを微細に集束するため
の対物レンズ9を通過して試料10の上に照射され、試
料lOをスパッタする。
スパッタされた粒子のうちイオン化した二次イオンが質
量分析計11で収集され、ここで質量分析が行われる。
このように、イオン銃1から発射された一次イオンビー
ムは集束レンズ2で集束され、アライメント電極3で偏
向された後ビーム電流制限アパーチャ4によって一次イ
オンビームのコリメートおよび試料に対する必要電流量
の確保が行われ、差動排気用スリット5.各部の電極7
,8および対物レンズ9を経て試料10に到達する。
ビーム電流制限アパーチャ4に入射する一次イオンビー
ムは、試料10の表面をスパッタするのと同様にビーム
電流制限アパーチャ穴4Aをスパッタする。
これによってアパーチャ穴4Aの孔径が変化し、十数時
間もすると試料10の必要電流量が変化し、初期の測定
条件とは異ってくる。
この時には、ビーム電流制限アパーチャ4を外部の駆動
導入機6によって移動させ、イオンビーム通路に他のビ
ーム電流制限アパーチャ穴4Bを位置させる。
またビーム電流制限アパーチャ4のすぐ下方に差動排気
スリット5が設けられており、そのスリット孔はビーム
電流制限アパーチャ4と同等またはそれ以上大きな孔径
となっている。
例えばビーム電流制限アパーチャ4の孔径を1.0〜1
.5nm程度とし、差動排気スリット5の孔径を1.5
〜2.0皿程度にしている。
従って一次イオンビームがビーム電流制限アパーチャ4
をスパッタしても、差動排気スリット5はその影響を受
けることが少くなり、初期の良好な圧力差を維持するこ
とができる。
ビーム電流制限アパーチャ4には複数の孔を設けである
が、−次イオンビーム照射時アパーチャ孔をスパッタし
た粒子が飛散し他のアパーチャ孔に付着するのを防ぐた
めに、第3図に示すように。
それぞれのアパーチャ孔の周囲に突起12を設けである
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、ビーム電流制限ア
パーチャと差動排気スリットをそれぞれ独立に配置して
いるので、イオン銃からの一次イオンビームはビーム電
流制限アパーチャにより不要部がカットされ、差動排気
スリットには直接干渉せず、従′って差動排気スリット
の孔径は変化することなく良好な圧力差を長期にわたっ
て保つことができる。
またビーム電流制限アパーチャには複数の孔が設けられ
ると共に移動可能になっているので、スパッタによって
ビーム電流制限アパーチャの孔径が変化しても、超高真
空を破ることなく他の孔に置き換えることができ、当初
のビーム電流制限アパーチャと同一条件が容易に得られ
る。
これによってビーム発射時間とスパッタによるビーム電
流制限アパーチャのダメージとの比較も得られ、アパー
チャの移動時間の推測も可能となる。
またビーム電流制限アパーチャの複数の孔の孔径を互に
変えておくことにより、イオン銃の放電条件や各部レン
ズ、電極などの設定条件を固定したままで異種試料に対
する必要電流を得ることが可能となる。
これらによって長期間にわたって高精度を保持できる合
理的な質量分析装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図および
第3図はそれぞれ本発明に用いられるビーム電流制限ア
パーチャの一例を示す断面図である。 1・・・イオン銃      2・・・集束レンズ3・
・・アライメント電極  4・・・ビーム電流制限アパ
ーチャ5・・・差動排気スリット  6・・・駆動導入
機7・・・中性粒子除去電極  8・・・走査電極9・
・・対物レンズ     10・・・試料11・・・質
量分析計     12・・・突起代理人 弁理士 則
 近 憲 佑 同    第子丸   健 第1図 第2図 第8図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. イオン銃から発射され集束された一次イオンビームをビ
    ーム電流制限アパーチャ、差動排気スリット、中性粒子
    除去電極、走査電極、対物レンズなどから成るイオンビ
    ーム光学系を通して試料に照射し、スパッタによって発
    生した二次イオンによって試料の質量分析を行う質量分
    析装置において、上記ビーム電流制限アパーチャと差動
    排気スリットを独立して設け、さらに上記ビーム電流制
    限アパーチャに複数の孔を設けると共にそれぞれの孔が
    ビーム通路の中心位置にくるように上記ビーム電流制限
    アパーチャを外部操作によって移動する移動装置を設け
    たことを特徴とする質量分析装置。
JP63135579A 1988-06-03 1988-06-03 質量分析装置 Pending JPH01307154A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63135579A JPH01307154A (ja) 1988-06-03 1988-06-03 質量分析装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63135579A JPH01307154A (ja) 1988-06-03 1988-06-03 質量分析装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01307154A true JPH01307154A (ja) 1989-12-12

Family

ID=15155116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63135579A Pending JPH01307154A (ja) 1988-06-03 1988-06-03 質量分析装置

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JP (1) JPH01307154A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008084834A (ja) * 2006-07-14 2008-04-10 Tel Epion Inc ガスクラスターイオンビーム加工装置における粒子汚染を低減するための装置および方法
JP2012252967A (ja) * 2011-06-07 2012-12-20 Nippon Steel & Sumitomo Metal 電子顕微鏡用絞りプレート板及びその製造方法

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