JPH01307090A - Semiconductor memory - Google Patents

Semiconductor memory

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Publication number
JPH01307090A
JPH01307090A JP63137077A JP13707788A JPH01307090A JP H01307090 A JPH01307090 A JP H01307090A JP 63137077 A JP63137077 A JP 63137077A JP 13707788 A JP13707788 A JP 13707788A JP H01307090 A JPH01307090 A JP H01307090A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
data
output
serial
counter
Prior art date
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Pending
Application number
JP63137077A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Fukuyama
裕二 福山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP63137077A priority Critical patent/JPH01307090A/en
Publication of JPH01307090A publication Critical patent/JPH01307090A/en
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Abstract

PURPOSE:To invert the output sequence of data in a simple constitution by selectively output the data from the low order to the high order of a serial address and from the high order to low order of the address based on the address given from an address selector means. CONSTITUTION:When a selecting signal to select the output of an up-counter 1 is produced from a mode switching control circuit 4, an address selector 3 is operated so as to make the output address of the counter 1 pass. Since the output address is given to a selector 7 for the data, the data are serially outputted in the sequence from a low address 0 in a serial data register to the high address from a selector 7. Next, when the selecting signal to select the output of a down-counter 2 is produced from the circuit 4, the selector 3 operates so as to make the output address of the counter 2 pass, and the data are successively outputted in the sequence from the high address 255 of the register 6 to the low address.

Description

【発明の詳細な説明】 皮呈上生■尻公国 本発明は半導体メモリに関するものであり、より特定的
にはシリアル・アクセス・メモリ部を有する半導体メモ
リに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor memory, and more particularly to a semiconductor memory having a serial access memory section.

藍米公に± 一般のメモリと同じ構成・機能のランダム・アクセス・
メモリ部とシリアル・クロックによるデータの入出力が
可能なシリアル・アクセス・メモリ部(以下rSAM、
部という)から構成されるメモリ(デュアル・ボート・
メモリ)において、SAM部のアクセスにはシリアル・
クロックをカウントアツプしていき順次SAM部内のシ
リアル・アドレスの低い方から高いアドレスのデータを
セレクトしてSAM部データを出力していく為のアップ
カウンタしか存在していない、而して、従来のメモリで
は、シリアルクロック入力に対してシリアル・データの
出力順序はSAM部データに対してシリアルアドレスの
低い番地から高い番地への順方向だけであった。
Random access with the same configuration and functions as general memory
Serial access memory section (rSAM, hereinafter referred to as rSAM) that can input and output data using the memory section and serial clock.
memory (dual boat)
(memory), serial access is required to access the SAM section.
There is only an up counter that counts up the clock, selects serial address data in the SAM section from low to high, and outputs the SAM section data. In a memory, the output order of serial data with respect to a serial clock input is only in the forward direction from a low serial address to a high serial address with respect to SAM part data.

日が ° しよ゛と るi 従って、斯る従来の半導体メモリでは、デュアルポート
メモリのSAM部データの出力順序の反転(通常、表示
画面の左右反転表示となる。つまりミラー効果)を行う
場合はデュアルポートメモリのシリアル出力をデュアル
ポートメモリの外部に特別の回路を設けて、水平表示ラ
イン毎にメモリの出力順序を反転する必要があり、部品
点数の増加、基板面積の増大、コストアップ等の問題が
生じることになる。
Therefore, in such a conventional semiconductor memory, when the output order of the SAM part data of the dual port memory is reversed (normally, the display screen is displayed horizontally inverted, that is, mirror effect). For serial output of dual-port memory, it is necessary to install a special circuit outside the dual-port memory and reverse the memory output order for each horizontal display line, which increases the number of parts, board area, and cost. This will cause problems.

本発明はこのような点に鑑みなされたものであって、デ
ータの出力順序の反転機能を有する半導体メモリを提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor memory having a function of reversing the output order of data.

i   ゛ −るための 上記の目的を達成するため本発明の半導体メモリは、シ
リアルクロックの入力に応じてシリアルアドレスをアッ
プ方向へカウントするアップカウンタと、ダウン方向へ
カウントするダウンカウンタと、切換え信号に基づいて
前記アップカウンタの出力と、ダウンカウンタの出力の
いずれか一方を出力するアドレス選択手段と、シリアル
・データ・レジスタと、該シリアル・データ・レジスタ
のデータ出力を前記選択手段から与えられるアドレスに
基づいてシリアルアドレス低位から高位へのデータ出力
順序又はシリアルアドレス高位から低位へのデータ出力
順序で出力するデータ選択手段と、から構成されている
In order to achieve the above-mentioned object, the semiconductor memory of the present invention includes an up counter that counts up serial addresses in accordance with the input of a serial clock, a down counter that counts down serial addresses, and a switching signal. address selection means for outputting either the output of the up-counter or the output of the down-counter based on; a serial data register; and an address given by the selection means for the data output of the serial data register; and data selection means for outputting data in the order of outputting data from low to high serial addresses or from high to low serial addresses based on the serial address.

立−尻 このような構成によると、外部付加回路なしにメモリ単
独にてデータの逆順序出力が可能になり、表示画面の左
右反転表示が容易に行え、コンピュータの画面表示シス
テムとして高次元のものが簡単に構成出来ることになる
With this configuration, data can be output in reverse order using the memory alone without any external additional circuitry, and the display screen can easily be reversed horizontally, making it a high-level computer screen display system. can be easily configured.

叉」L五 以下、図面に示した一実施例について説明する。叉”L5 An embodiment shown in the drawings will be described below.

図において、(1)はLOAD端子に8ビツトの列アド
レスが与えられ、端子(IN)にシリアルクロックが与
えられるアップカウンタ、(2)は該アップカウンタ(
1)と同一の信号が与えられるが、ダウン方向へカウン
トする点で異なるダウンカウンタである。(3)は前記
アップカウンタ(1) とダウンカウンタ(2)の各8
ビツトよりなる出力を選択的に通過させるアドレス用セ
レクタであり、スイッチのような役割を担う。(4)は
πττ、ττ下。
In the figure, (1) is an up counter to which an 8-bit column address is given to the LOAD terminal and a serial clock is given to the terminal (IN), and (2) is the up counter (
The same signal as in 1) is given, but this is a down counter different in that it counts in the down direction. (3) is each 8 of the up counter (1) and down counter (2).
This is an address selector that selectively passes output consisting of bits, and plays a role similar to a switch. (4) is below πττ, ττ.

W”T等の制御信号によって選択信号を形成するモード
切換え制御回路であり、この選択信号の内容に応じて前
記アドレス用セレクタ(3)を切換える。
This is a mode switching control circuit that forms a selection signal using a control signal such as W''T, and switches the address selector (3) according to the content of this selection signal.

尚、このようなモード切換え制御回路(4)を設ける代
りに、メモリに外付はピンを1つ余分に設けて、該ピン
を介してハイレベルとローレベルの信号をアドレス用セ
レクタ(3)に与えて該アドレス用セレクタの切換えを
制御するようにしてもよい。
In addition, instead of providing such a mode switching control circuit (4), an extra pin is provided externally to the memory, and high level and low level signals are sent to the address selector (3) via this pin. may be given to control switching of the address selector.

但し、図示のようにモード切換え回路(4)を設けた場
合には、ピン数を増加させる必要がないので、半導体メ
モリとしては望ましい。尚、図において、点線枠(5)
内は本実施例において導入された構成を示す。
However, if the mode switching circuit (4) is provided as shown, there is no need to increase the number of pins, which is preferable for semiconductor memory. In addition, in the figure, the dotted line frame (5)
The inside indicates the configuration introduced in this embodiment.

(6)は256ビツトのシリアル・データ・レジスタで
あり、そのデータは低いアドレスφから高いアドレス2
55までの256本の出力路を通して出力される。(7
)はデータ用セレクタであり、上記アドレス用セレクタ
(3)から与えられるアドレスに基づいてシリアル・デ
ータ・レジスタ(6)からの出力をシリアルに出力する
。(8)はこの出力を受ける出力バッファである。
(6) is a 256-bit serial data register, and its data is sent from the low address φ to the high address 2.
55 through 256 output paths. (7
) is a data selector which serially outputs the output from the serial data register (6) based on the address given from the address selector (3). (8) is an output buffer that receives this output.

今、モード切換え制御回路(4)からアップカウンタ(
1)の出力を選択すべき選択信号が出力されると、アド
レス用セレクタ(3)はアップカウンタ(1)の出力ア
ドレスを通過させるように作用し、この出力アドレスが
データ用セレクタ(7)に与えられるので、シリアル・
データ・レジスタ(6)の低いアドレスφのデータから
順次高いアドレスのデータがデータ用セレクタ(7)か
らシリアルに出力される。このときのシリアルデータを
画像表示すれば表示画面の左側から右側へ描かれた画像
が得られる。
Now, from the mode switching control circuit (4) to the up counter (
When the selection signal to select the output of 1) is output, the address selector (3) acts to pass the output address of the up counter (1), and this output address is sent to the data selector (7). Since the serial
The data of the data register (6) from the low address φ to the high address is serially outputted from the data selector (7). If the serial data at this time is displayed as an image, an image drawn from the left side to the right side of the display screen will be obtained.

次に、モード切換え制御回路(4)からダウンカウンタ
(2)の出力を選択すべき選択信号が出力されると、ア
ドレス用セレクタはダウンカウンタ(2)の出力アドレ
スを通過させるように作用し、これに応じてデータ用セ
レクタ(7)からは、シリアル・データ・レジスタ(6
)の高位のアドレス255のデータから順次低いアドレ
スのデータが出力される。従って、この場合の表示画像
は画面の右側から左側へ向けて描かれることになり、ア
ップカウンタからのシリアルクロックが通過処理された
場合とは左右逆の画像が得られる。
Next, when a selection signal for selecting the output of the down counter (2) is output from the mode switching control circuit (4), the address selector acts to pass the output address of the down counter (2), In response, the data selector (7) outputs the serial data register (6
) data at lower addresses are output in order from the data at the higher address 255. Therefore, the displayed image in this case is drawn from the right side to the left side of the screen, and an image that is left and right opposite to that when the serial clock from the up counter is passed is obtained.

このように、本実施例では半導体メモリにSAMデータ
の逆順序出力機能が備っている。尚、上記実施例におけ
るモード切換え制御回路(4)はπXτ、ττ丁、WT
等の制御信号によって制御されて選択信号を作成するが
、これらの制御信号は良く知られているように外部操作
に基づいてコントロールすることができる。
As described above, in this embodiment, the semiconductor memory is provided with a function for outputting SAM data in reverse order. Note that the mode switching control circuit (4) in the above embodiment has πXτ, ττ, and WT.
These control signals can be controlled based on external operations as is well known.

主班生立来 以上のように、本発明の半導体メモリによれば、外付け
の回路無しに、表示画面の左右反転表示(ミラー効果)
がコントロール信号を制御するだけで実現出来き、画像
表示回路を設計するうえにおいて容易に機能アップが図
れ、部品点数の増加やコストアップを伴わないという効
果がある。
Since the beginning of the main group As described above, according to the semiconductor memory of the present invention, the display screen can be displayed in reverse horizontally (mirror effect) without any external circuit.
This can be realized simply by controlling control signals, and the function can be easily improved when designing an image display circuit, without increasing the number of parts or cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図は本発明を実施した半導体メモリのブロック回路図で
ある。 (1)−一一アツブカウンタ。 (2)・・・ダウンカウンタ。 (3)−−−アドレス用セレクタ。 (6)−・シリアル・データ・レジスタ。 (7)−データ用セレクタ。
The figure is a block circuit diagram of a semiconductor memory embodying the present invention. (1)-11 Atsubu counter. (2)...down counter. (3) ---Address selector. (6)--Serial data register. (7) - Selector for data.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)シリアルクロックによるデータの入出力が可能な
シリアル・アクセス・メモリ部を有する半導体メモリに
おいて、シリアルクロックの入力に応じてシリアルアド
レスをアップ方向へカウントするアップカウンタと、ダ
ウン方向へカウントするダウンカウンタと、切換え信号
に基づいて前記アップカウンタの出力とダウンカウンタ
の出力のいずれか一方を出力するアドレス選択手段と、
シリアル・データ・レジスタと、該シリアル・データ・
レジスタのデータ出力を前記選択手段から与えられるア
ドレスに基づいてシリアルアドレス低位から高位へのデ
ータ出力順序又はシリアルアドレス高位から低位へのデ
ータ出力順序で出力するデータ選択手段と、から成る半
導体メモリ。
(1) In a semiconductor memory that has a serial access memory section that can input and output data using a serial clock, there is an up counter that counts serial addresses in the upward direction according to the input of the serial clock, and a down counter that counts in the downward direction according to the input of the serial clock. a counter; and address selection means for outputting either the output of the up counter or the output of the down counter based on a switching signal;
Serial data register and the serial data register
A semiconductor memory comprising: data selection means for outputting data from a register in the order of data output from low to high serial addresses or from high to low serial addresses based on the address given from the selection means.
JP63137077A 1988-06-03 1988-06-03 Semiconductor memory Pending JPH01307090A (en)

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