JPH01303971A - ビデオ・カメラ・ユニット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はビデオ・カメラ・ユニット、特に小型で明るい
ビデオ・カメラ・ユニットに関する。

〔従来の技術〕

近年、超小型の１／３インチ固体撮像デバイスが開発さ
れ、これを応用したドアスコープＴＶカメラ等が試みら
れている。

これに用いられる広角レンズは、球面収差、非点収差、
歪曲収差、色収差、正弦条件等に係る一定の光学的性状
が要求されることから、８〜１０枚のレンズが組み合わ
されている（例えば特開昭４８−６４９２７号公報）。

また、フォトダイオードとスイッチＭＯ５ＦＥＴとの組
合せからなる固体撮像チップ（ＩＣチップ）は、例えば
特開昭５６−１５２３８２号公報で公知である。上記固
体撮像チップを利用した監視用又は家庭用等のテレビジ
ョンカメラでは、光学レンズに自動絞り機構が設けられ
ている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記広角レンズはレンズの枚数が多く、小型化に向いて
いない。

また、上記自動絞り機構部のレンズは、比較的複雑な機
械部品を必要とし、テレビジョンカメラにおけるレンズ
部の大型化及び高コスト化の原因となっている。また、
上記自動絞り機構は、比較的複雑な機械部品からなるた
め、機械的機構部分の摩耗による信頼性の点でも問題が
ある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の実施例によれば、幾つかのレンズを非球面に形
成した複数のプラスチックレンズと電気的に感度が可変
できる撮像回路とから成るビデオ・カメラ・ユニットが
提供される。

〔作用〕

全レンズがプラスチン−り製であるから、これらのレン
ズは、射出成形等適宜成形手段により簡単に成形でき、
したがって、研磨を要するガラスレンズでは不可能な非
球面レンズも容易に製作でき、幾つかのレンズを非球面
にすることにより、少ない枚数であっても、問題となる
球面収差、非点収差、歪曲収差、色収差、正弦条件を補
正でき、レンズの枚数を減らすことができ、小型化、軽
量化、低コスト化を可能とする。

また、固体撮像回路は電気的に感度が可変であるため、
従来のような機械的な絞り機構を不要とすることができ
、」二記レンズの小型化と併せカメラ全体の大幅な小型
化を達成することができる。

特に超小型監視用カメラでは両者の技術はその一方でも
欠かせない重要な技術となった。

〔実施例〕

第１図乃至第４図、表１は、本発明に係る広角レンズと
１．これを用いた超小型′ｒＶカメラユニットを示して
いる。第１図はカメラユニットの断面図、第２図はそれ
を下から（撮像デバイス側）がらみたときの平面図であ
る。

第１図および第２図において、１は、基部に撮像デバイ
ス収納部１１を形成した筒状のレンズホルダー、Ｌｌ、
Ｌ２．Ｌ、、Ｌ４は、このレンズホルダーのレンズ収納
部１２に内装された組合せプラスチックレンズ、６は、
上記撮像素子収納部１１にレンズと対応させて内装した
固体撮像デバイスである。

レンズホルダー１は、プラスチックレンズＬ。

〜Ｌ４と熱膨張係数の近い材料、例えば合成樹脂等から
成る。撮像デバイス収納部１１は撮像デバイス６がぴた
りと収まるよう直方体状に形成される。撮像デバイス収
納部１１とレンズ収納部１２との間には内向きフランジ
１３が設けられ、この内向きフランジ１３によってレン
ズＬ１〜Ｌ４と固体撮像デバイス６との位置合せができ
るようになっている。ホルダー１の先端にはレンズが抜
は出ないようリング状のふた１４が取り付けられている
。

プラスチックレンズＬ１〜Ｌ４は、具体的には別表第１
に示す定数で設計され第４図に示す特性を持つ。第１番
目のレンズＬ、と第２番目のレンズＬ２が凹レンズを、
また、第３番目のレンズＬ３と第４番目のレンズＬ４が
凸レンズをなし、第３番目のレンズＬ３の前後両面３５
．３６と第４番目のレンズＬ４の前面＃７を非球面にし
ている。これらのレンズＬ、〜Ｌ４は、周縁部に上記レ
ンズ収納部１２に嵌りかつレンズ相互に所定の間隔を保
つリブ２］、３１，４１．５１を備えている。

固体撮像デバイス６は、基板６２と、基板６２上にマウ
ントされた固体撮像半導体チップ６４と、基体６２の２
辺に取付けられた外部接続用リード６１から成る。チッ
プ６４の大きさは例えば対角１／３インチに設定される
。

次に、レンズし、〜Ｌ４の構成を第３図、第４図、表１
及び表２を参照して説明する。

第３図は第１図に示されるレンズＬ工〜Ｌ４のみを取り
出して表わした図で、左から順番に＃１〜＃８のレンズ
面番号を付けている。表１は各レンズ面＃１〜＃８及び
各レンズＬ１〜Ｌ４に対応するレンズ面曲率半径γ、レ
ンズ面間距離ｄ、屈折率ｎおよび分散率νの各設計定数
の一例を示すもので、半径γ及び距離ｄは４枚のレンズ
の合成焦点距離Ｅ、Ｆ、Ｌを１としたときのＥ、Ｆ、Ｌ
との比で表わしている。

レンズをなるべく少ない枚数で所定の特性を得るために
は次のような考え方を採り入れると良い。

■　第２レンズＬ２は凸面（＃１）を被写体側にむけた
メニスカス正レンズ、 ■　第２レンズＬ２は両面（＃３．＃４）凹状の負レン
ズ、 ■　第３レンズＬ、は両面（＃５、＃６）凸状で非球面
正レンズ、 ■　第４レンズＬ４は非球面の凸面（＃７）を被写体側
に向けたメニスカス正レンズにすれば良い。

また、各レンズ及びレンズ面の各定数は、好ましくは次
のような条件に合うように選ばれる。

（１）ｆ、＞ｓｏｆ （２）０．４　ｆ＜ｄ２＜０．６　ｆ （Ｊ　）　　１−　Ｏｆ　＜　ｒ　３ ここで、ｆはレンズＬ８〜Ｌ４の合成焦点距離、ｆ工は
レンズＬ１の独立焦点距離、ｄ２はレンズ面＃２及び４
３間に距離、ｒ３はレンズ面＃３の曲率半径である。

各条件の設定理由は下記の通りである。

（１）の条件に関し、仮にｆ、＜５０ｆとした場合負の
歪曲収差が大きくなり、像面湾曲の補正過剰となる。ま
た、コマ収差が発生する。

（２）の条件においてはｄ２の値が下限を下回る内向性
のコマ収差が発生し、上限を超えると外向性のコマ収差
が発生する様になる。

（３）の条件においてｒ、の値が合成焦点距離ｆを下回
ると下限に向うと負の歪曲収差が大きくなる。

なお、さらに良好な収差補正上、上記諸条件の他に実施
例に示すように第３レンズの両面及び第４レンズの被写
体側の面を非球面にする事によって容易に調整が可能で
ある。

本実施例における各収差は、第４図に示すようになり、
図中り、Ｇ、Ｃ，Ｆ、Ｅ線は、夫々、Ｄ−線、Ｇ−線、
Ｃ−線、Ｆ−線、Ｅ−線９球面収差曲線９色収差を表わ
す。Ｍ、Ｓはメリディオナル断面、サジタル断面を表わ
す。

これらの収差曲線より分かる様に、原曲収差の補正が良
く、開放時におけるフレアーが極めて小である。又ザイ
デル係数（表３）に見られる様にコマ収差の補正が良く
結像性能が良好である。本来の目的から歪曲収差は、補
正に対して大きい。

なお、レンズ面＃５〜＃７は非球面に形成されており、
表１の曲率半径Ｐには傘１〜串３の注釈を付けているが
、この曲率の算出方法は表２とその下の注釈に示しであ
る。

第５図は本発明による固体撮像ユニットの他の実施例を
示す断面図であり、第６図はそれを下からみたときの平
面図（レンズＬ１〜Ｌいふた１１４、ホルダ１の上端部
は省略）であり、第５図は第６図の■−■切断線を切断
面としたときの断面となっている。

１１４はレンズＬ１〜Ｌ４をレンズホルダー１に収納し
た後に組立てるふたである。レンズホルダー１の上部先
端部１１１の高さはレンズＬ１の縁部分よりも高く形成
され、またその内側には切欠きによる垂直部１１２と水
平底部１１３が形成されている。この水平底部１１３の
高さはレンズＬ１の縁部分とほぼ同じ高さが若干それよ
り高くなるよう設定される。

このように、レンズホルダー１の上部先端部に１１１〜
１１３の階段部分を形成することによって、ふた１１４
のはめ込みが容易になると共にふた１１４と階段部分１
１゛１〜１１３の接着面積が増え接着強度が高くなる。

また、ふた１１４の底部はレンズＬ１の縁部分とレンズ
ホルダー１の部分１１３の双方に接着剤等を介して接触
するので安定した構造が得られる。

ふた１１４の下方には切り欠き部１１０が設けられ、接
着剤の注入口として利用される。

レンズホルダー１の下方内側部分には突起部１１６と切
欠き部１１５とが設けられている。切欠き部１１５はレ
ンズＬ４〜Ｌ１を順次積み重ねていったときの追い出さ
れる空気のトレイン口として役立ち、レンズＬ４〜Ｌ１
が空気により浮き上がるのを防止できる。突起部１１６
は下側レンズＬ４と固体撮像チップ６４との距離を定め
るのに有効である。また、突起部１１６は乱反射光がチ
ップ６４に入射してフレア現象を引き起こすのを防ぐた
めの遮光体としても役立っている。８１〜Ｓ、も同様な
目的で設けられた。つやのない黒色の遮光板であり、ド
ーナツ状に形成されている。

レンズホルダー１の外形は下部に平坦な突出部１１７が
設けられるようにされており、この突出部１１７はこの
撮像ユニットをカメラ本体に設けられた穴に挿入すると
きのストッパとして利用できる。

ふた１１４の内側傾斜面１５０は階段状に形成され、そ
の部分に当る不要な光を外部へ乱反射させるためのもの
である。

固体撮像デバイス６はホルダ１の下側内壁１２５に沿っ
てはめ込まれる。このときのガイドになるのが、ホルダ
１の底面に突出して設けられた半円部１２６であり、デ
バイス６のプラスチック基板６２もその形状に合わせ半
円の凹部が形成されている。なお、第６図の平面図では
、ホルダ１の底面部１１８に便宜上ハツチングをしであ
る。

デバイス６の平面（Ｘ、Ｙ方向）上の位置合わせはこの
ようにホルダ１の内壁１２５，１２６によって行われる
が、縦カ行（２方向）についてはホルダ１の底面から少
し奥の方に位置する（第５図）階段部１２３，１２４で
決められ、レンズＬ１〜Ｌ４の撮像チップ６４面への焦
点合わせ距離を決めることができる。階段部１２３，１
２４は第６図の平面図において、上下２箇所に設けられ
ており、境界線１２３，１２４の部分で段差が形成され
ている。階段部１２３，１２４はパッケージ６２の上面
のり−ド６１が無い部分に接しているので、リード６１
の厚みやたわみがレンズ、撮像チップ間の距離精度に影
響を及ぼさない。

第７図は本発明によるビデオ・カメラ・ユニットの他の
実施例を示す断面図である。

本実施例の第１図および第５図の実施例と異なる特徴点
の１つは、視野角が広角でなく通常の角度にした点であ
り、レンズの枚数が１枚少なく合Ｊｔ３枚と原価低減を
可能とした点である。

レンズＬｒｔは両面（＃１１．　＃１２）共に凸状の正
レンズ、レンズＬ１２は凹面＃１３を被写体に向け、撮
像デバイス側の面＃１４を非球面としたメニスカス正レ
ンズ、レンズＬｚａは被写体側の面＃１５を非球面とし
たメニスカス正レンズで構成される。

各レンズ面の定数は表４、非球面レンズ面の定数は表５
、各レンズ面のサイデル収差係数等の諸特性は表６およ
び第８図に示してあり、各記号及び各記号の添字の付は
方は前述の第３図の実施例と同様であるのでその説明は
省略する。

このような各レンズ、レンズ面の最適設計定数は下記の
通りである。

（４）ｆ２＞０ （５）ｒｅ＞０ （６）０．２５＜ｄａ＜０．３５ （７）　ｆ♂＞　ｆ　ｘ＞　ｆ　ｌ＞　０（８）　１番
〉０ このような構成によれば、第８図の収差曲線より明らか
なように高次の球面収差及びコマ収差の補正が良く、開
放時におけるフレアーが極めて小さい。また表６に示す
ザイデル係数から明らかなように、コマ収差の補正が良
く結像性能が良好である。

本実施例の他の特徴点はホルダー１００にカーボンを含
ませることによって撮像デバイス６４を外部から静電シ
ールドした点である。

このホルダー１００は、ポリカーボネート樹脂に適量の
ガラスを混合させ、更に全体の１０〜２０％の割合でカ
ーボンを混入させてトランスファーモールドすることに
よって形成される。

このホルダーはカメラ・ユニットを本体に取付ける際本
体のシャーシ１５０を介して固体撮像デバイス６４のリ
ード６１と共に交流的に接地される。

なお、ホルダー１００に混入させる材料としてはカーボ
ンの他に銀粒子を使用しても良い。

なお、上述のＴＶカメラユニットは、全長および最大径
をそれぞれ１５ｍ＋内外に小型に形成できる。また、光
学系では、広角、標準、望遠を可能とし、それぞれを例
えば、焦点距離ｆ　＝　４　、８　ｎｎ　。

ｆ＝７．３ｍｍ、ｆ＝１５．０＋Ｉｉ＋＋、明るさＦ＝
１　：　１゜６〜２．０、画角８０″〜９０′（広角）
、４５”〜５０°（標ｉｌり、２０°〜２５°　（望遠
）等に構成できる。

ところで、固体撮像チップ６４は、電気的に感度が可変
とされており、従って絞り或はシャッタスピードを電気
的に調整できる機能を持たせており、前述した固定式の
レンズにおいては極めて好都合である。以下チップ６４
の内部回路を第９図で、撮像（カメラ）回路全体のブロ
ック構成を第１０図を参照しながら説明する。

第９図には、この発明が適用されるＴＳＬ（Ｔｒａｎｓ
ｖｅｒｓａｌ　Ｓ　ｉｇｎａｌ　Ｌ　１ｎｅ）方式の固
体撮像装置の一実施例の要部回路図が示されている。同
図の各回路素子は、公知の半導体集積回路の製造技術に
よって、特に制限されないが、単結晶シリコンのような
１個の半導体基板上において形成される。

同図の主要なブロックは、実際の幾何学的な配置に合わ
せて描かれている。

図の上下端にある０印は信号端子であり、第１図、第２
図に示されたデバイス６のリード６１に電気的に接続さ
れる。なお、第１図、第２図のリード６１の数は便宜上
１６個で表わしているが、第９図のチップ内回路に合わ
せると２４個（通称２４ピンＤＩＬパツケージ）にすれ
ば良い。

画素アレイＰＤは、４行、２列分が代表として例示的に
示されている。但し、図面が複雑化されてしまうのを防
ぐために、上記４行分のうち、２行分の画素セルに対し
てのみ回路記号が付加されている。１つの画素セルは、
フォトダイオードＤ１と垂直走査線ｖＬ１にそのゲート
が結合されたスイッチＭＯ８ＦＥＴＱＩと、水平走査線
ＨＬＩにそのゲートガ結合されたスイッチＭＯ８ＦＥＴ
Ｑ２の直列回路から構成される。上記フォトダイオード
Ｄ１及びスイッチＭＯ８ＦＥＴＱＩ、Ｑ２からなる画素
セルと同じ行（水平方向）に配置される他の同様な画素
セル（Ｄ２．Ｑ３．Ｑ４）等の出力ノードは、同図にお
いて横方行に延長される水平信号線Ｈ８Ｉに結合される
。他の行についても上記同様な画素セルが同様に結合さ
れる。

例示的に示されている水平走査線ＨＬＩは、同図におい
て縦方行に延長され、同じ列に配置される画素セルのス
イッチＭＯ８ＦＥＴＱ２．Ｑ６等のゲートに共通に結合
される。他の列に配置される画素セルも上記同様に対応
する水平走査線ＨＬ２等に結合される。

この実施例では、固体撮像装置に対して実質的な電子式
の自動絞り機能を付加するため、言い換えるならば、フ
ォトダイオードに対する実質的な蓄積時間を可変にする
ため、上記画素アレイを構成する水平信号線Ｈ８Ｉない
しＨ８４等の両端に。

それぞれスイッチＭＯ８ＦＥＴＱ８、Ｑ９及びＱ２６、
Ｑ２８が設けられる。右端側に配置される上記スイッチ
ＭＯＳＦＥＴＱ８、Ｑ９は、上記水平信号線Ｈ８Ｉ、Ｈ
８２をそれぞれ縦方向に延長される出力線ｖＳに結合さ
せる。この出力線ｖＳは、端子Ｓに結合され、この端子
Ｓを介して外部に設けられるプリアンプの入力に読み出
し信号が伝えられる。また、左端側に配置される上記ス
イッチＭＯ３ＦＥＴＱ２６、Ｑ２８は、上記水平信蜂線
Ｈ８Ｉ、Ｈ３２をそれぞれ縦方向に延長されるダミー（
リセット）出力線ＤＶＳに結合させる。

この出力線ＤＶＳは、特に制限されないが、端子ＲＶに
結合される。これによって必要なら上記ダミー出力線Ｄ
ＶＳの信号を外部端子ＲＶから送出できるようにしてい
る。

この実施例では、特に制限されないが、上記各行の水平
信号線Ｈ８ＩないしＨ３４には、端子ＲＰから水平帰線
期間において供給されるリセット信号によってオン状態
にされるスイッチＭＯ８ＦＥＴＱ２７．Ｑ２９等が設け
られる。これらのＭＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　Ｑ　２７、Ｑ２
９等のオン状態によって、外部端子ＲＶから上記ダミー
出力線ＤＶＳを介して一定のバイアス電圧（図示せず）
が各水平信号線ＨＳＩないしＨＳ４に与えられる。上記
のようなリセット用ＭＯ８ＦＥＴＱ２７、Ｑ２９等が設
けられる理由は、次の通りである。上記水平信号線Ｈ３
ＩないしＨ８４に結合されるスイッチＭＯ８ＦＥＴのド
レイン等の半導体領域も感光性を持つことがあり、この
ような寄生フォトダイオードにより形成される偽信号（
スメア、ブルーミング）が、非選択時にフローティング
状態にされる水平信号線に蓄積される。そこでこの実施
例では、上述のように水平帰線期間を利用して、全ての
水平信号線Ｈ８Ｉ’ないしＨＳ４を上記所定のバイアス
電圧にリセットするものである。これにより１選択され
る水平信号線に関しては、常に上記偽信号をリセットし
た状態から画素信号を取り出すものであるため、出力さ
れる画素信号に含まれる偽信号を大幅に低減できる。な
お、上記偽信号（スメア、ブルーミング）に関しては、
例え【（、特開昭５７−１７２７６号公報に詳細に述べ
られている。

上記水平走査線ＨＬＩないしＨＬ２等には、水平シフト
レジスタＨＳＲにより形成された水平走査信号が供給さ
れる。

上記画素アレイＰＤにおける垂直選択動作（水平走査動
作）を行う走査回路は、次の各回路により構成される。

この実施例では、上記画素アレイＰＤの水平信号線Ｈ８
ＩないしＨ８４等の両端に、一対のスインｆ　Ｍ　ＯＳ
　Ｆ　Ｅ　Ｔ　Ｑ　８、Ｑ９等及びスイッチＭＯ８ＦＥ
ＴＱ２６、Ｑ２８等が設けられることに対応して一対の
走査回路が設けられる。

この実施例では、産業用途にも適用可能とするため、イ
ンタレースモードの他に選択的な２行同時走査、ノンイ
ンクレースモードでの走査を可能にしている。画素アレ
イＰＤの右側には、次のような走査回路が設けられる。

垂直シフトレジスタＶＳＲは、読み出し用に用いられる
出力信号Ｓ■１、ＳＶ２等を形成する。これらの出力信
号ＳＶ１、ＳＶ２等は、インクレースゲート回路ＩＴＧ
及び駆動回路ＶＤを介して上記垂直走査ｆｉＶＬ１ない
しＶＬ４及びスイッチＭＯ８ＦＥＴＱ８、Ｑ９等のゲー
トに供給される。

上記インタレースゲート回路ＩＴＧは、インクレースモ
ードでの垂直選択動作（水平走査動作）を行うため、第
１（奇数）フィールドでは、垂直走査線ＶＬＩないしＶ
Ｌ４には、隣接する垂直走査線ＶＬＩ、ＶＬ２とＶＬ３
の組み合わせで同時選択される。すなわち、奇数フィー
ルド信号ＦＡによって制御されるスイッチＭＯ５ＦＥＴ
Ｑ１８により、垂直シフトレジスタＶＳＲの出力信号Ｓ
ｖ１は、水平信号線Ｈ８Ｉを選択する垂直走査線ＶＬＩ
に出力される。同様に、信号ＦＡによって制御されるス
イッチＭｏ５ＦＥＴＱ２０とＱ２２によって、垂直シフ
トレジスタＶＳＲの出力信号ＳＶ２は、水平信号線Ｈ８
２とＨ８３を同時選択するよう垂直走査線ＶＬ２とＶＬ
３に出力される。

以下同様な順序の組み合わせからなる一対の水平信号線
の選択信号が形成される。

また、第２（偶数）フィールドでは、垂直走査線ＶＬＩ
ないしＶＬ４には、隣接する垂直走査線ＶＬ１とＶＬ２
及びＶＬ３とＶＬ４の組み合わせで同時選択される。す
なわち、偶数フィールド信号ＦＢによって制御されるス
イッチＭＯ８ＦＥＴＱ１９とＱ２１により、垂直シフト
レジスタｖＳＲの出力信号ＳＶＩは、水平信号線Ｈ８Ｉ
とＨ８２を選択する垂直走査線ＶＬＩとＶＬ２に出力さ
れる。同様に、信号ＦＢによって制御されるスイッチＭ
Ｏ８ＦＥＴＱ２３とＱ２５によって、垂直シフトレジス
タＶＳＲの出力信号ＳＶ２は、水平信号線Ｈ３３とＨ８
４を同時選択するよう垂直走査線ＶＬ３とＶＬ４に出力
される。以下同様な順序の組み合わせからなる一対の水
平信号線の選択信号が形成される。

上記のようなインタレースゲート回路ＩＴＧと、次の駆
動回路ＤＶとによって、以下に説明するような複数種類
の水平走査動作が実現される。

上記１つの垂直走査線ＶＬＩに対応されたインタレース
ゲート回路ＩＴＧからの出力信号は、スイッチＭＯ５Ｆ
ＥＴＱ１４とＱ１５のゲートに供給される。これらのス
イッチＭＯ８ＦＥＴＱ１４とＱ１５の共通化されたドレ
イン電極は、端子Ｖ３に結合される。上記スイッチＭＯ
ＳＦＥＴＱＩ４は、端子ｖ３から供給される信号を上記
垂直走査、１ＶＬ１に供給する。　マタ、　スイッチＭ
ＯＳ　ＦＥＴＱ１５は、上記端子Ｖ３から供給される信
号を水平信号線Ｈ８Ｉを出力線ｖＳに結合させるスイッ
チＭＯ８ＦＥＴＱ８のゲートに供給される。

また、出力信号のハイレベルがスイッチＭＯ８ＦＥＴＱ
１４、Ｑ１５によるしきい値電圧分だけ低下してしまう
のを防止するため、特に制限されないが、ＭＯ８ＦＥＴ
Ｑ１４のゲートと、ＭＯ８ＦＥＴＱ１５の出力側（ソー
ス側）との間にキャパシタＣ１が設けられる。これによ
って、インタレースゲート回路ＩＴＧからの出力信号が
ハイレベルにされるとき、端子ｖ３の電位をロウレベル
にしておいてキャパシタＣ１にプリチャージを行う。

この後、端子ｖ３の電位をハイレベルにすると。

キャパシタＣ１によるブートストラップ作用によって上
記ＭＯ８ＦＥＴＱ１４及びＱ１５のゲート電圧を昇圧さ
せることができる。

上記垂直走査線ＶＬＩに隣接する垂直走査線ＶＬ２に対
応されたインタレースゲート回路Ｉ　Ｔ　Ｇからの出力
信号は、スイッチＭＯ５ＦＥＴＱ１６とＱ１７のゲート
に供給される。これらのスイッチＭＯ８ＦＥＴＱ１６と
Ｑ１７の共通化されたドレイン電極は、端子ｖ４に結合
される。上記スイッチＭＯ８ＦＥＴＱ１６は、端子ｖ４
から供給される信号を上記垂直走査線ＶＬ２に供給する
。また、スイッチＭＯ８ＦＥＴＱＩ　７は、上記端子Ｖ
４から供給される信号を水平信号線Ｈ３２を出力線ｖＳ
に結合させるスイッチＭＯ３ＦＥＴＱ９のゲートに供給
される。また、出力信号のハイレベルがスイッチＭＯ３
ＦＥＴＱＩ６、Ｑ１７によるしきＣ）値電圧分だけ低下
してしまうのを防止するため、特に制限されないが、Ｍ
　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　Ｑ　ｌ　６のゲートと、ＭＯ８Ｆ
ＥＴＱ１７の出力側（ソース側）との間にキャパシタＣ
２が設けられる。これによって、上記同様なタイミング
で端子■４の電位を変化させることによりキャパシタＣ
２によるブートストラップ作用によって上記ＭＯ８ＦＥ
ＴＱ１６及びＱ１７のゲート電圧を昇圧させることがで
きる。

上記端子ｖ３は、奇数番目の垂直走査線（水平信号線）
に対応した駆動用のスイッチＭＯ５ＦＥＴに対して共通
に設けられ、端子■４は偶数番目の垂直走査線（水平信
号線）に対して共通に設けられる。

以上のことから理解されるように、端子ｖ３とｖ４に択
一的にタイミング信号を供給すること及び上記インタレ
ースゲート回路ＩＴＧによる２行同時選択動作との組み
合わせによって、インクレースモードによる読み出し動
作が可能になる。例えば、奇数フィーフドＦＡのとき、
端子Ｖ４をロウレベルにしておいて、端子ｖ３に上記垂
直シフトレジスタＶＳＲの動作と同期したタイミング信
号を供給することによって、垂直走査線（水平信号線）
をＶＬＩ　（Ｈ８Ｉ）、ＶＬ３　（Ｈ３３）の順に選択
することができる。また、偶数フィールドＦＢのとき、
端子ｖ３をロウレベルにしておいて、端子ｖ４に上記垂
直シフトレジスタＶＳＲの動作と同期したタイミング信
号を供給することによって、垂直走査線（水平信号線）
をＶＬ２（Ｈ８２）、ＶＬ４　（Ｈ３４）　の順に選択
することができる。

一方、上記端子■３と■４を同時に上記同様にハイレベ
ルにすれば、上記インタレースゲート回路ＩＴＧからの
出力信号に応じて、２行同時走査を行うことができる。

この場合、上記のように２つのフィールド信号ＦＡとＦ
Ｂによる２つの画面毎に出力される２つの行の組み合わ
せが１行分上下にシフ１−されることにより、空間的重
心の上下シフト、言い換えるならば１等価的なインタレ
ースモードが実現される。

さらに、例えばＦＢ信号のみをハイレベルにして、１つ
の垂直走査タイミングで、水平シフトレジスタＨ５Ｒを
２回動作させて、それに同期して端子ｖ３と■４をハイ
レベルにさせることによって、ＶＬＩ、ＶＬ２．ＶＬ３
．ＶＬ４（７）順のようにノンインタレースモードでの
選択動作を実現できる。この場合、より高画質とするた
めに、水平シフトレジスタＨ８Ｒ及び垂直シフトレジス
タ■ＳＲに供給されるクロックが２倍の周波数にされる
ことが望ましい。すなわち、端子Ｈ１とＨ２及び端子■
１とｖ２から水平シフトレジスタＨＳ　Ｒ及び垂直シフ
トレジスタｖＳＲに供給されるクロック信号の周波数を
２倍の高い周波数にすることによって、１秒間に６０枚
の画像をノンインタレース方式により読み出すことがで
きる。なお、端子ＨＩＮ及びＶＩＮは、上記シフトレジ
スタＨＳＲ，ＶＳＲによってそれぞれシフトされる入力
信号を供給する端子であり、入力信号が供給された時点
からシフト動作が開始される。このため、上記インタレ
ースゲート回路ＩＴＧ及び入力端子Ｖ３、ｖ４に供給さ
れる入力信号の組み合わせによって、上記２行同時読み
出し、インタレース走査。

ノンインタレース走査等を行う場合には、出力信号の垂
直方向の上下関係が逆転せぬよう、上記シフトレジスタ
ＶＳＲの入力信号の供給の際に、タイミング的な配慮が
必要である。

また、上記各垂直走査線ＶＬＩ及びそれに対応したスイ
ッチＭＯ５ＦＥＴＱ８のゲートと回路の接地電位点との
間には、リセット用ＭＯ８ＦＥＴＱＩＯとＱｌｌが設け
られる。これらのリセット用ＭＯ８ＦＥＴＱＩＯとＱｌ
ｌは、他の垂直走査線及びスイッチＭＯ８ＦＥＴに対応
して設けられるリセット用ＭＯ８ＦＥＴと共通に端子ｖ
２から供給されるクロック信号を受けて、上記選択状態
の垂直走査線及びスイッチＭＯ８ＦＥＴのゲート電位を
高速にロウレベルに引き抜くものである。

この実施例では、前述のように感度可変機能を付加する
ために、感度制御用の垂直シフトレジスタＶＳＲＥ、イ
ンタレ−スゲ−１−回路ＩＴＧＥ及び駆動回路ＤＶＥが
設けられる。これらの感度制御用の各回路は、特に制限
されないが、上記画素アレイＰＤに対して、左側に配置
される。これらの垂直シフトレジスタＶＳＲＥ、インタ
レースゲート回路ＩＴＧ及び駆動回路ＤＶＥは、上記読
み出し用の垂直シフトレジスタＶＳＲ、インタレースゲ
ート回路ＩＴＧ及び駆動回路ＤＶと同様な回路により構
成される。端子ＶＩＥないしＶ４Ｅ及びＶＩＮＥ並びに
ＦＡＥ、ＡＢＥからそれぞれ上記同様なタイミング信号
が供給される。この場合。

上記読み出し用の垂直シフトレジスタＶＳＲと上記感度
可変用の垂直シフトレジストＶＳＲＥとを同期したタイ
ミングでのシフト動作を行わせるため、特に制限されな
いが、端子ＶＩＥとｖｌ及びＶ２Ｅとｖ２には、同じク
ロック信号が供給される。したがって、上記端子ＶＩＥ
とｖｌ及び■２Ｅとｖ２とは、内部回路により共通化す
るものであってもよい。上記のように独自の端子ＶＩＥ
及びＶ２Ｅを設けた理由は、この固体撮像装置を手動絞
りや従来の機械的絞り機能を持つテシビジョンカメラに
適用可能にするためのものである。このように感度可変
動作を行わない場合、上記端子ＶＩＥ及びＶ２Ｅを回路
の接地電位のようなロウレベルにすること等によって、
上記垂直シフトレジスタＶＳＲＥの無駄な消費電力の発
生をおされるよう配慮されている。

次に、この実施例の固体撮像装置における感度制御動作
を説明する。

説明を簡単にするために、上記ノンインタレースモード
による垂直走査動作を例にして、以下説明する１例えば
、感度制御用の垂直シフトレジスタＶＳＲＥ、インタレ
ースゲート回路Ｉ　Ｔ　Ｇ　Ｅ及び駆動回路ＤＶＥによ
って、読み出し用の垂直シフトレジスタＶＳＲ、インタ
レースゲート回路工ＴＧ及び駆動回路ＤＶによる第１行
目（垂直走査線ＶＬＩ、水平信号線Ｈ３ｌ）の読み出し
に並行して、第４行目（垂直走査線ＶＬ４、水平信号線
Ｈ８４）の選択動作を行わせる。これによって、水平シ
フトレジスタＨＳ　Ｒにより形成される水平走査線ＨＬ
Ｉ、ＨＬ　２等の選択動作に同期して。

出力信号線ｖＳには第１行目におけるフォトダイオード
Ｄ１、Ｄ２等に蓄積された光信号が時系列的に読み出さ
れる。この読み出し動作は、端子Ｓから負荷抵抗を介し
た上記光信号に対応した電流の供給によって行われ、読
み出し動作と同時にプリチャージ（リセット）動作が行
われる。同様な動作が、第４行目におけるフォトダイオ
ードにおいても行われる。この場合、上記のような感度
可変用の走査回路（ＶＳＲＥ、ＩＴＧＥ、ＤＶＥ）によ
って、第４行目の読み出し動作は、ダミー出力線ＤＶＳ
に対して行われる。感度制御動作のみを行う場合、端子
ＲＶには端子Ｓと同じバイアス電圧が与えられている。

これによって、第４行目の各画素セルに既に蓄積された
光信号の掃き出し、言い換えるならば、リセット動作が
行われる。

したがって、上記垂直走査動作によって、読み出し用の
垂直シフトレジスタＶＳＲ，インクレースゲート回路Ｉ
ＴＧ及び駆動回路ＤＶによる第４行目（垂直走査線ＶＬ
４．水平信号線Ｈ８４）の読み出し動作は、上記第１行
ないし第３行の読み出し動作の後に行われるから、第４
行目に配置される画素セルのフォトダイオードの蓄積時
間は、３行分の画素セルの読み出し時間となる。

上記に代えて、感度制御用の垂直シフトレジスタＶＳＲ
Ｅ、インタレースゲート回路ＩＴＧＥ及び駆動回路ＤＶ
Ｅによって、読み出し用の垂直シフトレジスタＶＳＲ、
インタレースゲート回路ＩＴＧ及び駆動回路ＤＶによる
第１行目（垂直走査線ｖＬ１、水平信号線Ｈ８１）の読
み゛出しに並行して、第２行目（垂直走査線ＶＬ２、水
平信号線１１Ｓ２）の選択動作を行わせる。これによっ
て、水平シフトレジスタＨＳ　Ｒにより形成される水平
走査線ＨＬＩ、ＨＬ２等の選択動作に同期して、出力信
号線■Ｓには第１行目におけるフォトダイオードＤ１、
Ｄ２等に蓄積された光信号が時系列的に読み出される。

この読み出し動作は、端子Ｓから負荷抵抗を介した上記
光信号に対応した電流の供給によって行われ、読み出し
動作と同時にプリチャージ（リセット）動作が行われる
。同様な動作が、第２行目におけるフォトダイオードＤ
３、Ｄ４等においても行われる。これによって、上記第
１行目の読み出し動作と並行して第２行目の各画素セル
に既に蓄積された光信号の掃き出し動作が行われる。し
たがって、上記垂直走査動作によって、読み出し用の垂
直シフトレジスタＶＳＲ、インクレースゲート回路ＩＴ
Ｇ及び駆動回路ＤＹによる第２行目（垂直走査線ＶＬ２
．水平信号線Ｈ８２）の読み出し動作は、上記第１行の
読み出し動作の後に行われるから、第２行目に配置され
る画素セルのフォトダイオードの蓄積時間は、１行分の
画素セルの読み出し時間となる。これによって、上記の
場合に比べて、フォトダイオードの実質的な蓄積時間を
１７３に減少させること、言い換えるならば、感度を１
／３に低くできる。

上述のように、感度制御用の走査回路によって行われる
先行する垂直走査動作によってその行の画素セルがリセ
ットされるから、そのリセット動作から上記読み出し用
の走査回路による実際な読み出しが行われるまでの時間
が、フォトダイオードに対する蓄積時間とされる。した
がって、５２５行からなる画素アレイにあっては、上記
両垂直走査回路による異なるアドレス指定と共通の水平
走査回路による画素セルの選択動作によって、１行分の
読み出し時間を単位（最小）として最大５２５までの多
段階にわたる蓄積時間、言い換えるならば、５２５段階
にねたる感度の設定を行うことができる。ただし、受光
面照度の変化が、上記１画面を構成する走査時間に対し
て無視でき、実質的に一定の光がフォトダイオードに入
射しているものとする。なお、最大感度（５２５）は、
上記感度制御用の走査回路は非動作状態のときに得られ
る。

上記のような感度制御動作にあっては、画素信号の読み
出しと先行する垂直走査動作によるリセット動作とが並
行して行われる。このため、リセット動作のための画素
信号が、基板等を介した容量結合によって読み出し信号
に混合してしまう場合が生じる。このような容量結合が
生じると、読み出し画素信号にはテレビジョン受像機に
おけるゴーストのようなノイズが生じて画質を劣化させ
てしまう。

そこで、この実施例では、上記水平走査線ＨＬ１、ＨＬ
２等に対して、ダイオード接続されたＭＯ３ＦＥＴＱ３
０，３１等を介して外部端子ｓｐから強制的に全水平走
査線を選択状態にさせる機能を付加する。すなわち、上
記端子ＳＰをハイレベルにすると、水平シフトレジスタ
ＨＳ　Ｒの動作に無関係に、ダイオード形態のＭＯ８Ｆ
ＥＴＱ３０、Ｑ３１等が全てオン状態になって全水平走
査線ＨＬＩ、ＨＬ２等にハイレベルを供給して選択状態
にさせることができる。また、上記ダイオード形態のＭ
Ｏ８ＦＥＴＱ３０．Ｑ３１等のような一方向性素子を介
して上記選択レベルを供給するものであるため、上記端
子ＳＰをロウレベルにすれば、上記ＭＯ５ＦＥＴＱ３０
．Ｑ３１等はオフ状態を維持する。これによって、上記
のような強制的な同時選択回路を設けても、水平シフト
レジスタＨ８Ｒのシフト動作に従った水平走査線ＨＬｌ
、ＨＬ２等が時系列的に選択レベルにされる動作の妨げ
になることはない、なお、水平シフトレジスタＨ８Ｒが
、ダイナミック型回路により構成される等によって、上
記のような強制的な水平走査線ＨＬＩ、ＨＬ２等の選択
レベルによってそのシフト動作に悪影響が生じるなら、
上記選択レベルが水平シフトレジスタＨ５Ｒの内部に伝
わらないようなスイッチ回路等が付加される。

上記水平走査線ＨＬＩ、ＨＬ２等の同時選択動作を後述
するような水平帰線期間により行われるとともに、上記
先行する垂直走査を開始さ妊る。

これにより、上記リセットさせるべき行の全画素の信号
を予め強制的にリセットさせることができる。したがっ
て、上記水平シフトレジスタＨ８Ｒによる水平走査線の
選択動作に伴い画素信号の読み出しにおいて、先行する
行からは実質的に画素信号が出力されない。これによっ
て、上記基板等を介した容量結合が存在しても読み出し
信号には上述のようなノイズが現れない。

第１０図には、上記固体撮像装置を用いた、自動絞り機
能を持つ撮像装置の一実施例のブロック図が示されてい
る。

固体撮像装置ＭＩＤは、上記第９図に示したような感度
可変機能を持つものである。この固体撮像装置ＭＩＤか
ら出力される読み出し信号は、プリアンプによって増幅
される。この増幅信号Ｖｏｕｔは、一方において図示し
ない信号処理回路に供給され、例えばテレビジョン用の
画像信号とされる。上記増幅信号Ｖｏｕｔは、他方にお
いて自動絞り制御用に利用される。すなわち、上記増幅
信号Ｖ　ｏｕｔは、ロウパスフィルタＬＰＦに供給され
、その平均的な信号レベルに変換される。この信号は、
特に制限されないが、検波回路ＤＥＴに供給され、ここ
で直流信号化される。感度制御回路は、上記検波回路Ｄ
ＥＴの出力信号を受けて、所望の絞り量とを比較して、
最適絞り量に対応した制御信号を形成する。すなわち、
感度制御回路は、固体撮像装置ＭＩＤに前述のような走
査タイミングを制御するクロック信号を供給する駆動回
路からの信号ＶＩＮ、及び■１等を受けて、固体撮像装
置ＭＩＤの読み出しタイミングを参照して、それに実質
的に先行する信号ＶＩＮＥを形成する。すなわち、上記
タイミング信号ＶＩＮを基準にして。

必要な絞り量（感度）に対応した先行するタイミング信
号ＶＩＮＥを形成するものであるため、実際には上記タ
イミング信号ＶＩＮに遅れて信号ＶＩＮＥが形成される
。しかしながら、繰り返し走査が行われるため、上記信
号ＶＩＮＥからみると、次の画面の走査では信号ＶＩＮ
が遅れるものとされる６すなわち、タイミング信号ＶＩ
Ｎに対して１行分遅れてタイミング信号ＶＩＮＥを発生
すると、次の走査画面では、タイミング信号ＶＩＮＥは
、タイミング信号ＶＩＨに対して５２４行分先行するタ
イミング信号とみなされる。上記タイミング信号ＶＩＮ
及びＶＩＮＥによって、各垂直シフトレジスタＶＳＲ及
びＶＳＲＥのシフト動作が開始されるから、前述のよう
な感度可変動作が行われる。

感度制御回路は、例えば電圧比較回路によって所望の絞
り量に相当する基準電圧と、上記検波回路ＤＥＴからの
出力電圧とを比較して、その大小に応じて、１段階づつ
絞り量を変化させる。または、応答性を、高くするため
に、上記５２５段階の絞り量を２値化信号に対応させて
おいて、その最上位ビットから上記電圧比較回路の出力
信号に応じて決定する。例えば、約１７２の絞り量（感
度２５６）を基準にして、検波回路ＤＥＴの信号が基準
電圧より大きいときには１／４（感度１２８）に、小さ
いときには３／４（感度３８４）とし、以下、それぞれ
の半分づつの絞り量を決定する。

これによって、感度５２５段階の中から１つの最適絞り
量を１０回の設定動作によって得ることができる。上記
絞・り量の設定動作、言い換えるならば、感度制御用の
垂直シフトレジスタＶＳＲＥの初期設定動作（ＶＩＮＥ
）を垂直帰線期間において行うものとすると、１０枚分
の画面からの読み出し信号動作に応じて最適絞り量の設
定を行うことができる。

また、特に制限されないが、感度制御回路は、水平帰線
期間において上記強制リセット動作のための信号ＳＰを
発生させる。これに応じて感度制御回路は、水平帰線期
間に入ると先行する行の垂直選択信号を発生させるもの
である。

この実施例の撮像装置では、感度可変機能が固体撮像装
置ｉＷＭＩＤに内蔵されていること、及びその読み出し
出力信号のレベルを判定して、電気的に上記感度を制御
するものであるため、上記感度制御回路も半導体集積回
路等により構成できるから、装置の小型軽量化及び高耐
久性を図ることができ、特に操作する人がいない、また
明るさが経皮で変わる環境におく監視カメラに好適であ
る。

また、監視カメラを超小型とすることができ、その存在
を判らせないようにすることもできる。

第１１図には、上記固体撮像装置の読み出し動作の一実
施例のタイミング図が示されている。

例えば、垂直走査線ＶＬＩがハイレベルのとき、第１行
目の読み出し動作が水平走査線ＨＬＩないしＨＬｍが時
系列的に順次ハイレベルにされることによって行われる
。すなわち、このようにして次々に選択される画素セル
のフォトダイオードに蓄積された光信号に対応した電流
が流れることによって、その画素セルからの読み出し動
作と１次の読み出し動作のためのリセット（プリチャー
ジ）動作とが同時に行われる。上記光電流を負荷抵抗に
流すことによって形成される電圧信号は、第１０図に示
したプリアンプによって増幅されて出力される。上記同
様に、先行する垂直走査線Ｖ　Ｌ　ｎがハイレベルのと
き、第ｎ行目のリセット動作が上記水平走査線ＨＬＩな
いしＨＬｍの時系列的の選択動作に応じて行われる。

上記一対の行（１、ｎ）に対する読み出しとりセット動
作が終了すると、水平帰線期間に入る。

この水平帰線期間において上記垂直走査線ＶＬＩとＶ　
Ｌ　ｎはハイレベルからロウレベルにされ、非選択状態
に切り換えられる。そして、端子ＲＰがハイレベルにさ
れ、第９図の各リセット用ＭＯ８ＦＥＴＱ２７、Ｑ２９
等をオン状態にする。これによって、非選択状態の水平
信号線Ｈ８２等に発生した前述したような偽信号のリセ
ットが行われる。また、端子ＳＰがハイレベルにされ、
全水平走査線ＨＬＩ〜ＨＬ　ｍは強制的に選択レベルに
される。このとき、感度制御のために先行する次の行に
対応した垂直走査線ＶＬｎ＋１もハイレベルの選択状態
にされる。したがって、上記感度設定のための垂直走査
線ＶＬｎ＋１に対応した１行分の全画素の読み出しくリ
セット）が行われる。

これにより、上記水平帰線期間が終了して次の第２行目
の読み出し動作に入ると、水平走査線ＨＬ１ないしＨＬ
ｍが時系列的に順次ハイレベルにされ、水平信号線Ｈ８
２には上記のような読み出し信号が得られる。このとき
、先行する第ｎ＋１行目の水平信号線Ｈ８ｎ＋１には、
上記の強制リセットの直後であることから信号が得られ
ない。

仮に得られたとしても極めて微小な信号であるため無視
することができる。したがって、上記両水平信号線（Ｈ
８１、Ｈ８ｎ　＋　１）間に基板等を介した容量結合が
存在しても、上記リセット動作に伴う掃き出し信号が上
記読み出し信号側にリークすることがない。したがって
、上記のような水平帰線期間での強制的なリセット動作
によって高画質の読み出し信号を得ることができる。

上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りであ
る。

（１）二次元状に配列された複数個の画素セルの信号を
時系列的に出力させる第１の走査回路と、上記第１の走
査回路による垂直走査方向の選択アドレスと独立したア
ドレスにより垂直走査方向の選択動作を行う第２の走査
回路とを設けて、上記第２の走査回路を先行させて動作
させることによって感度可変を可能にするとともに、上
記二次元状に配列された画素セルの水平走査方向の選択
を行う水平走査線に対して全てを強制的に同時選択状態
にさせる外部端子を設け、上記第２の走査回路と外部端
子からの同時選択信号によって、先行する行の全画素信
号を水平帰線期間内にリセット（掃き出させる）させる
ことができる。

これによって、先行する垂直走査線に対応する水平信号
線には実質的な画素信号が生じないようにすることがで
きるから読み出し画素信号に対するカップリングノイズ
を防止できるという効果が得られる。

（２）二次元状に配列された複数個の画素セルの信号を
時系列的に出力させる第１の走査回路に加えて、上記第
１の走査回路による垂直走査方向の選択アドレスと独立
したアドレスにより垂直走査方向の選択動作を行う第２
の走査回路を設け、上記第２の走査回路によって第１の
走査回路による垂直走査に対して先行する垂直走査を行
わせることによって、上記２つの垂直走査の時間差に応
じて光電変゛換素子の蓄積時間を制御することが可能と
なるという効果が得られる。

（３）上記（１）及び（２）により、高画質を維持しつ
つ、感度可変機能を持つ固体撮像装置を得ることができ
るという効果が得られる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。例えば、第９図の実施例
回路において、インタレースゲート回路や駆動回路は、
その走査方式に応じて種々の実施形態を採ることができ
る。また、先行する行の垂直走査線は、水平帰線期間の
み選択状態にするものであってもよい、この場合には、
読み出しを行うべき行に対応した水平信号しか読み出し
信号が出力されないから、前記のような容量結合による
ノイズの発生を完全に防止することができる。

〔発明の効果〕

レンズの小型化、機械的な絞り、シャッタ機構を省くこ
とが可能となり、カメラ全体を著しく小型化でき、特に
監視カメラでは有効である。

合成焦点比ｆｉ　　　　　Ｅ、Ｆ、Ｌ＝１．０明るさ　
　　　　　　ＦＮα　＝２．０画角　　　Ｆ、　Ａ、　
＝８７゜ バック・フォーカス　Ｂ、Ｆ　　＝０．５５γ：レンズ
面の曲率半径 ｄ：レンズ面間距離 ｎ：レンズのｄ−線に対する屈折率 ν：レンズの分散率 Ａ４．Ａ８．Ａｓ、Ａｔｏは非球面Ｇ１３［である。

ザイデル収差係数 ＰＴ：ペッツ・バール係数 ザイデル収差係数

【図面の簡単な説明】

第Ｌｔｄは本発明によるビデオ・カメラ・ユニットの断
面図、第２図はその平面図である。 第３図は第１図及び第５図に示すカメラ・ユニットで使
用されるレンズ部分を説明するための図であり、第４図
はその特性図である。 第５図は本発明の他の実施例を示す断面図であり、第６
図はその平面図である。 第７図は本発明の他の実施例を示す断面図であり、第８
図はそれに用いられるレンズの特性を示す図である。 第９図は、この発明に係る固体撮像チップ内部回路の一
実施例を示す要部回路図である。 第１０図は、上記固体撮像チップを用いた撮像装置の一
実施例を示すブロック図である。 第１１図は、上記固体撮像チップの動作の一例を説明す
るためのタイミング図である。 Ｌ　１　”　Ｌ　４・・・プラスチックレンズ、１・・
・ホルダー、６・・・固体撮像デバイス、６４・・・固
体撮像チップ、１４・・・ふた、ＰＤ・・・画素アレイ
、ＶＳＲ・・・読み出し用垂直シフトレジスタ、ＩＴＧ
・・・読み出し用インタレ−スゲ−１〜回路、ＤＶ・・
・読み出し用駆動回路、ＶＳＲＥ・・・感度設定用垂直
シフトレジスタ、ＩＴＧＥ・・・感度設定用インタレー
スゲート回路。 ＤＶＥ・・・感度設定用駆動回路、Ｈ８Ｒ・・・水平シ
フトレジスタ、ＭＩＤ・・・固体撮像装置、ＬＰＦ・・
・ロウパスフィルタ、ＤＥＴ・−・検第５図 第６図 Ｄ−０１５Ｔ、　　　　　　　　Ｄ−ＡＳＴ歪曲収差　
　　　　　　　非点収差 図 球面収差、正弦条住　　　色収差３球面収差弔１１図 −ｓｐ　　　　　　　　　　　　’Ｈ’ＨＤ−５Ａ、　
ＳＣ，Ｓ、　Ａ。 球面収差６正弦条件　　　色収差、薫回収差Ｄ−ＤＩＳ
Ｔ、　　　　　　　　Ｄ−ＡＳＴ。 歪曲収差　　　　　　　非点収差

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、幾つかのレンズが非球面に形成された複数のプラス
   チックレンズと電気的に感度を可変することのできる固
   体撮像回路とを具備して成ることを特徴とするビデオ・
   カメラ・ユニット。