JPH0129784Y2 - - Google Patents
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- JPH0129784Y2 JPH0129784Y2 JP1982165379U JP16537982U JPH0129784Y2 JP H0129784 Y2 JPH0129784 Y2 JP H0129784Y2 JP 1982165379 U JP1982165379 U JP 1982165379U JP 16537982 U JP16537982 U JP 16537982U JP H0129784 Y2 JPH0129784 Y2 JP H0129784Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体ウエフアのようなエツチング
されるべきウエフアに、その片面においてのみ、
エツチング液によつて、エツチングを施すことが
できる、エツチング装置の改良に関する。[Detailed description of the invention] The invention provides a method for etching a wafer to be etched, such as a semiconductor wafer, on only one side of the wafer.
The present invention relates to an improvement in an etching device capable of performing etching using an etching liquid.
従来、第1図を伴つて次に述べるエツチング装
置が提案されている。 Conventionally, an etching apparatus described below with reference to FIG. 1 has been proposed.
すなわち、エツチング液1を収容させる、有底
筒状体でなるエツチング液収容部2を有する。 That is, it has an etching liquid storage section 2 which is a cylindrical body with a bottom and which stores the etching liquid 1 therein.
また、エツチング液収容部2内に、後述するよ
うにして配される、エツチングされるべきウエフ
ア3を載置させるための、円柱状体でなるウエフ
ア載置用部4を有する。 Further, the etching liquid storage section 2 includes a cylindrical wafer mounting section 4, which is arranged in a manner described later and on which a wafer 3 to be etched is placed.
この場合、ウエフア載置用部4は、その上面外
周部からこれと一体に上方に突出している円環状
鍔5と、外周部に付されたねじ6と、下部外周部
からこれと一体に外方に突出している円環状鍔7
と、上面と外周面との間に延長している通気孔8
とを有している。 In this case, the wafer mounting part 4 includes an annular collar 5 integrally projecting upward from the outer periphery of its upper surface, a screw 6 attached to the outer periphery, and a screw 6 integrally extending from the lower outer periphery. An annular guard 7 that protrudes in the direction
and a ventilation hole 8 extending between the top surface and the outer peripheral surface.
It has
しかして、ウエフア3が、その下面外周部を円
環状鍔5の上端面に接触させた状態で、ウエフア
載置用部4上に載置されるようになされている。 Thus, the wafer 3 is placed on the wafer placement part 4 with the outer periphery of its lower surface in contact with the upper end surface of the annular collar 5.
また、上述したようにウエフア載置用部4上に
載置されているウエフア3を、その上面外周部に
おいて、液密に、ウエフア載置用部4側に抑え
る、筒状体でなるウエフア抑え用部11を有す
る。 Further, as described above, a wafer restrainer made of a cylindrical body is used to hold the wafer 3 placed on the wafer mounting part 4 liquid-tightly on the wafer mounting part 4 side at the outer periphery of the upper surface thereof. It has a use part 11.
この場合、ウエフア抑え用部11は、その内面
上部からこれと一体に内方に延長している円環状
鍔12と、内面下部に付されたねじ13と上面か
ら穿された後述する通気用管23を植立させるた
めの凹部14と、その凹部14と内周面との間に
延長している通気孔15とを有している。 In this case, the wafer holding part 11 includes an annular collar 12 integrally extending inward from the upper part of the inner surface, a screw 13 attached to the lower part of the inner face, and a ventilation pipe (described later) bored from the upper surface. It has a recessed part 14 for planting 23, and a ventilation hole 15 extending between the recessed part 14 and the inner circumferential surface.
しかして、ウエフア3を、上述したように、ウ
エフア載置用部4上に載置させ、そして、そのウ
エフア3の上面外周部上に、予め得られている封
止用Oリング20を載置させ、またウエフア載置
用部4の円環状鍔7上に、同様に予め得られてい
る封止用Oリング21を載置させている状態で、
ウエフア抑え用部11を、上方から、そのねじ1
3と上述したウエフア載置用部4のねじ6とを螺
合させることによつて、ウエフア抑え用部11
が、その円環状鍔12によつて、封止用Oリング
20を介して、ウエフア3を、その上面外周部に
おいて、液密に、ウエフア載置用部4側に抑え、
また、封止用Oリング21をウエフア載置用部4
側に抑えるようになされている。 As described above, the wafer 3 is placed on the wafer placement part 4, and the sealing O-ring 20 obtained in advance is placed on the outer periphery of the upper surface of the wafer 3. and with the sealing O-ring 21 previously obtained in the same manner placed on the annular collar 7 of the wafer placement part 4,
From above, insert the wafer holding part 11 into its screw 1.
3 and the screw 6 of the wafer mounting part 4 described above, the wafer holding part 11 is screwed together.
However, the annular collar 12 liquid-tightly holds the wafer 3 to the wafer mounting portion 4 side at the outer peripheral portion of the upper surface via the sealing O-ring 20.
Also, attach the sealing O-ring 21 to the wafer mounting section 4.
It is held down to the side.
さらに、エツチング液収容部2内にエツチング
液1が収容されている状態で、上述したウエフア
抑え用部11に、その上述した凹部14の位置に
おいて、上方に位置している通気用管22が植立
されている。 Further, while the etching solution 1 is stored in the etching solution storage section 2, a ventilation tube 22 located above is implanted in the wafer holding section 11 at the position of the above-mentioned recess 14. It is erected.
しかして、ウエフア3が、上述したように、ウ
エフア載置用部4上に載置され、また、ウエフア
3が、上述しように、ウエフア抑え用部11によ
つて、上面外周部において、液密に、ウエフア載
置用部4側に抑えられ、そして、エツチング液収
容部2内にエツチング液1が収容されている状態
で、ウエフア載置用部4の上面と、円環状鍔5
と、ウエフア3とで形成されている空間24が、
通気用管22と、通気孔8及び15とを介して、
エツチング液1の上面外部に連通されるようにな
されている。 Thus, the wafer 3 is placed on the wafer placement part 4 as described above, and the wafer 3 is held in a liquid-tight manner at the outer peripheral part of the upper surface by the wafer holding part 11 as described above. The upper surface of the wafer mounting part 4 and the annular flange 5 are pressed against the side of the wafer mounting part 4, and the etching liquid 1 is contained in the etching liquid storage part 2.
The space 24 formed by the wafer 3 and the wafer 3 is
Via the ventilation pipe 22 and the ventilation holes 8 and 15,
The etching liquid 1 is connected to the outside of the upper surface thereof.
以上が、従来提案されているエツチング装置の
構成である。 The above is the configuration of the conventionally proposed etching apparatus.
このような構成を有する従来のエツチング装置
によれば、上述したように、ウエフア載置用部4
上にウエフア3を載置し、そしてそのウエフア3
を、ウエフア抑え用部11によつて抑えた状態
で、ウエフア3を、エツチング液1を収容してい
るエツチング液収容部2内に配置すれば、ウエフ
ア3の上面が、エツチング液1に接触する。 According to the conventional etching apparatus having such a configuration, as described above, the wafer mounting section 4
Place wafer 3 on top, and then
If the wafer 3 is placed in the etching liquid storage part 2 containing the etching liquid 1 while being held down by the wafer holding part 11, the upper surface of the wafer 3 will come into contact with the etching liquid 1. .
しかしながら、ウエフア3が、その上面外周部
において、液密に、封止用Oリング20を介し
て、ウエフア載置用部4側に抑えられており、ま
た、ウエフア抑え用部11が、封止用Oリング2
1を、ウエフア載置用部4側に抑えているので、
ウエフア3の下面は、エツチング液1に接触しな
い。 However, the wafer 3 is liquid-tightly held down on the wafer mounting part 4 side via the sealing O-ring 20 at the outer peripheral part of its upper surface, and the wafer holding part 11 is O-ring 2
1 is held on the side of the wafer mounting section 4, so
The lower surface of the wafer 3 does not come into contact with the etching liquid 1.
このため、ウエフア3に、その片面においての
みに、エツチングを施すことができる。 Therefore, the wafer 3 can be etched only on one side thereof.
また、この場合、ウエフア載置用部4の上面
と、円環状鍔5と、ウエフア3とによつて形成さ
れている空間24が、通気用管22と、通気孔8
及び15とを介して、エツチング液1の上面外部
に連通しているので、エツチング液1の温度によ
つて空間24の気体が熱膨脹することで、ウエフ
ア3に、内部歪が生じたり、ウエフア3が破損し
たりする、というおそれを有しない。 Further, in this case, the space 24 formed by the upper surface of the wafer mounting part 4, the annular collar 5, and the wafer 3 is connected to the ventilation pipe 22 and the ventilation hole 8.
Since the etching liquid 1 is in communication with the outside of the upper surface of the etching liquid 1 through There is no risk that the product will be damaged.
しかしながら、上述した従来のエツチング装置
による場合、ウエフア載置用部4及びウエフア抑
え用部11が、ともに、エツチング液1を収容し
ているエツチング液収容部2内に配されるので、
エツチング液1が、封止用Oリング21とウエフ
ア載置用部4の円環状鍔7及びウエフア抑え用部
11の下端面との間、及びウエフア載置用部4の
円環状鍔5とウエフア3との間を通つて、ウエフ
ア3の下面に接触するおそれを有していた。 However, in the case of the conventional etching apparatus described above, both the wafer mounting part 4 and the wafer holding part 11 are arranged in the etching liquid storage part 2 which contains the etching liquid 1.
The etching liquid 1 is applied between the sealing O-ring 21 and the annular flange 7 of the wafer placement part 4 and the lower end surface of the wafer holding part 11, and between the annular flange 5 of the wafer placement part 4 and the wafer. There was a risk that the wafer 3 would pass between the wafer 3 and come into contact with the lower surface of the wafer 3.
また、上述した従来のエツチング装置の場合、
ウエフア載置用部4及びウエフア抑え用部11が
エツチング液収容部2内に配されるので、ウエフ
ア載置用部4とウエフア抑え用部11との間の封
止用Oリング21を必要とするという欠点を有し
ていた。 Furthermore, in the case of the conventional etching apparatus mentioned above,
Since the wafer placing part 4 and the wafer holding part 11 are arranged in the etching liquid storage part 2, a sealing O-ring 21 between the wafer placing part 4 and the wafer holding part 11 is not required. It had the disadvantage of
また、このため、ウエフア3として厚い厚さの
ものを用いる場合、これに対処することが困難で
あつた。 Moreover, for this reason, when using a thick wafer 3, it has been difficult to deal with this problem.
さらに、上述した従来のエツチング装置の場
合、ウエフア載置用部4及びウエフア抑え用部1
1がエツチング液収容部2内に配されるので、ウ
エフア抑え用部11がその外周面もエツチング液
1によつて汚染されるとともに、ウエフア載置用
部4がエツチング液1によつて汚染される。この
ため、再度エツチング液1の種類を変えて、ウエ
フア3に対するエツチングを施す場合に、それに
先立ち必要とされるエツチング装置の洗浄に、多
くの手間と、時間とを必要とするなどの欠点を有
していた。 Furthermore, in the case of the conventional etching apparatus described above, the wafer mounting part 4 and the wafer holding part 1 are
1 is placed in the etching liquid storage part 2, the outer peripheral surface of the wafer holding part 11 is also contaminated with the etching liquid 1, and the wafer mounting part 4 is also contaminated with the etching liquid 1. Ru. For this reason, when etching the wafer 3 by changing the type of etching liquid 1 again, there is a drawback that it requires a lot of effort and time to clean the etching equipment beforehand. Was.
よつて、本考案は、上述した欠点のない、新規
なエツチング装置を提供せんとするものである。 Therefore, the present invention seeks to provide a novel etching device that does not have the above-mentioned drawbacks.
第2図は、本考案によるエツチング装置の一例
を示し、以下述べる構成を有する。 FIG. 2 shows an example of an etching apparatus according to the present invention, which has the configuration described below.
エツチングされるべきウエフア30を載置させ
るウエフア載置用部31を有する。 It has a wafer mounting section 31 on which a wafer 30 to be etched is mounted.
この場合、ウエフア載置用部31は、円環状部
32と、その下端寄りの外周部からこれと一体に
輻方向に外方に延長している円環状鍔33とを有
する。 In this case, the wafer mounting portion 31 has an annular portion 32 and an annular collar 33 extending outward in the radial direction integrally with the annular portion 32 from the outer peripheral portion near the lower end thereof.
また、円環状部32は、その上面外周部から内
部に延長している、封止用Oリング34を受ける
Oリング受け用溝35と、上面外周部のOリング
受け用溝35の外側から内部に延長している環状
溝36と、環状溝36の底面から下面に貫通して
いる液導出口37とを有する。 Further, the annular portion 32 has an O-ring receiving groove 35 for receiving the sealing O-ring 34 extending inward from the outer periphery of the upper surface thereof, and an O-ring receiving groove 35 extending inward from the outer periphery of the upper surface from the outside of the O-ring receiving groove 35. The annular groove 36 has an annular groove 36 extending thereinto, and a liquid outlet 37 that penetrates from the bottom surface of the annular groove 36 to the lower surface.
さらに、円環状鍔33は、その上面及び下面間
に延長しているめねじ38と、上面から上方に突
出延長している位置決め用ピン39とを有する。 Furthermore, the annular collar 33 has a female thread 38 extending between its upper and lower surfaces, and a positioning pin 39 extending upwardly from the upper surface.
しかして、Oリング受け用溝35内に、封止用
Oリング34を配した状態で、ウエフア30が、
その下面外周部を、封止用Oリング34に接触さ
せた状態で、その封止用Oリング34を介して、
ウエフア載置用部31上に載置されるようになさ
れている。 Thus, with the sealing O-ring 34 placed in the O-ring receiving groove 35, the wafer 30 is
With the outer periphery of the lower surface in contact with the sealing O-ring 34,
It is arranged to be placed on a wafer placement section 31.
また、ウエフア載置用部31上に載置されてい
るウエフア30を、その上面外周部において、液
密に、ウエフア載置用部31側に抑え、且つウエ
フア載置用部31上に載置されているウエフア3
0と共働して、そのウエフア30の上面に接触さ
せるエツチング液41を収容させるエツチング液
収容部42を構成する、筒状体でなるウエフア抑
え用兼エツチング液収容用部43を有する。 Further, the wafer 30 placed on the wafer placement part 31 is held liquid-tightly on the wafer placement part 31 side at the outer circumferential portion of the upper surface thereof, and is placed on the wafer placement part 31. Wafer 3
The wafer 30 has a wafer holding/etching liquid accommodating part 43 made of a cylindrical body, which cooperates with the wafer 30 to form an etching liquid accommodating part 42 for accommodating an etching liquid 41 to be brought into contact with the upper surface of the wafer 30.
この場合、ウエフア抑え用兼エツチング液収容
用部43は、筒状部45と、その下端部内周面か
らこれと一体に内方に延長している円環状鍔46
と、筒状部45の下端部外周面からこれと一体に
外方に延長している円環状鍔47とを有する。 In this case, the wafer holding and etching liquid storage portion 43 includes a cylindrical portion 45 and an annular flange 46 integrally extending inward from the inner circumferential surface of the lower end thereof.
and an annular collar 47 extending outward from the outer peripheral surface of the lower end portion of the cylindrical portion 45 integrally therewith.
また、筒状部45は、その上部において、エツ
チング液導入口48を有し、また、下部におい
て、エツチング液導出口49を有している。 Further, the cylindrical portion 45 has an etching liquid inlet 48 at its upper portion, and an etching liquid outlet 49 at its lower portion.
さらに、円環状鍔46は、その下面外周部から
内部に延長している、封止用Oリング50を受け
るOリング受け用溝51を有する。 Furthermore, the annular collar 46 has an O-ring receiving groove 51 for receiving the sealing O-ring 50, which extends inward from the outer peripheral portion of the lower surface thereof.
また、円環状鍔47は、その上面及び下面間に
延長しているボルト貫通孔52と、下面から内方
に延長している、上述したウエフア載置用部31
の位置決め用ピン39を受ける位置決め用孔53
とを有している。 Further, the annular collar 47 has a bolt through hole 52 extending between its upper and lower surfaces, and the above-mentioned wafer mounting portion 31 extending inward from the lower surface.
Positioning hole 53 for receiving positioning pin 39
It has
しかして、ウエフア30を、上述したように、
ウエフア載置用部31上に載置させ、また、ウエ
フア載置用部31の円環状鍔33上に、環状スペ
ーサ54を配し、さらに、ウエフア抑え用兼エツ
チング液収容用部43のOリング受け用溝51内
に封止用Oリング50を配している状態で、ウエ
フア抑え用兼エツチング液収容用部43を、ウエ
フア載置用部31上に、位置決め用孔53内にウ
エフア載置用部31の位置決め用ピン39を挿入
させながら、封止用Oリング50をウエフア30
の上面外周部に接触させて配し、次に、その状態
で、締付用ボルト55をボルト挿通孔52を通つ
て、ウエフア載置用部31のめねじ38に螺合さ
せて締付けることによつて、ウエフア抑え用兼エ
ツチング液収容用部43が、ウエフア載置用部3
1上に載置されているウエフア30を、その上面
外周部において、液密に、ウエフア載置用部31
側に抑え、且つウエフア載置用部31上に載置さ
れているウエフア30と共働して、その上面に接
触させるエツチング液41を収容させるエツチン
グ液収容部42を構成するようになされている。 Therefore, as described above, the wafer 30 is
The wafer is placed on the wafer placement part 31, and an annular spacer 54 is arranged on the annular collar 33 of the wafer placement part 31, and an O-ring of the wafer holding and etching liquid storage part 43 is placed on the wafer placement part 31. With the sealing O-ring 50 placed in the receiving groove 51, the wafer holding part 43 is placed on the wafer placement part 31, and the wafer is placed in the positioning hole 53. While inserting the positioning pin 39 of the use part 31, insert the sealing O-ring 50 onto the wafer 30.
It is placed in contact with the outer periphery of the upper surface, and then, in that state, the tightening bolt 55 is passed through the bolt insertion hole 52 and screwed into the female thread 38 of the wafer mounting part 31 to tighten it. Therefore, the wafer holding part 43 and the etching liquid storage part 43 are the same as the wafer mounting part 3.
The wafer 30 placed on the wafer mounting portion 31 is placed on the wafer mounting portion 31 in a liquid-tight manner at the outer peripheral portion of the upper surface thereof.
The wafer 30 is pressed to the side and cooperates with the wafer 30 placed on the wafer placement part 31 to form an etching liquid storage part 42 for storing an etching liquid 41 to be brought into contact with the upper surface of the wafer 30. .
以上が、本考案によるエツチング装置の一例構
成である。 The above is an example of the configuration of the etching apparatus according to the present invention.
このような構成を有する本考案によるエツチン
グ装置によれば、上述したように、ウエフア載置
用部31上にウエフア30を載置し、そして、そ
のウエフア30を、上述したように、その上面外
周部において、液密に抑え、またエツチング液収
容部42を構成している状態で、そのエツチング
液収容部42内に、エツチング液導入口48を用
いて、エツチング液41を収容させれば、ウエフ
ア30の上面が、エツチング液41に接触する。 According to the etching apparatus according to the present invention having such a configuration, as described above, the wafer 30 is placed on the wafer placement part 31, and the wafer 30 is placed on the outer periphery of the upper surface as described above. If the etching liquid 41 is contained in the etching liquid storage part 42 using the etching liquid inlet 48, the etching liquid storage part 42 can be kept liquid-tight. The upper surface of 30 contacts etching liquid 41.
しかしながら、ウエフア30が、その上面外周
部において、液密に、封止用Oリング50を介し
て、ウエフア載置用部31側に抑えられており、
また、このとき、ウエフア30とウエフア載置用
部31との間が、ウエフア30の下面外周部にお
いて、封止用Oリング50によつて液密を保つて
いるので、ウエフア30の下面は、エツチング液
41に接触しない。 However, the wafer 30 is liquid-tightly held at the outer peripheral portion of the upper surface of the wafer 30 through the sealing O-ring 50 toward the wafer mounting portion 31 side.
Moreover, at this time, since the sealing O-ring 50 maintains liquid tightness between the wafer 30 and the wafer mounting part 31 at the outer peripheral part of the lower surface of the wafer 30, the lower surface of the wafer 30 is It does not come into contact with the etching liquid 41.
このため、ウエフア30に、その片面において
のみ、エツチングを施すことができる。 Therefore, the wafer 30 can be etched only on one side thereof.
このように、上述した本考案によるエツチング
装置によれば、ウエフア30に、その片面におい
てのみ、エツチングを施すことができるが、この
場合、ウエフア載置用部31及びウエフア抑え用
兼エツチング液収容用部43が、第1図で上述し
たエツチング装置におけるウエフア載置用部4及
びウエフア抑え用部11のように、エツチング液
を収容しているエツチング液収容部内に配されな
いので、エツチング液41が、ウエフア30の下
面に接触するおそれを有しない。 As described above, according to the etching apparatus according to the present invention described above, the wafer 30 can be etched only on one side thereof. Since the portion 43 is not disposed in the etching solution storage section that stores the etching solution like the wafer mounting section 4 and the wafer holding section 11 in the etching apparatus described above in FIG. 1, the etching solution 41 is There is no risk of contact with the lower surface of the wafer 30.
また、上述した本考案によるエツチング装置に
よれば、ウエフア載置用部31及びウエフア抑え
用兼エツチング液収容用部43が、第1図で上述
したエツチング装置におけるウエフア載置用部4
及びウエフア抑え用部11のように、エツチング
液を収容しているエツチング液収容部内に配され
ないので、第1図で上述した従来のエツチング装
置における、封止用Oリング21のような封止用
Oリングを必要としない。 Further, according to the etching apparatus according to the present invention described above, the wafer mounting part 31 and the wafer holding part 43 and the etching liquid storage part 43 are the same as the wafer mounting part 4 in the etching apparatus described above in FIG.
Since the wafer holding part 11 is not disposed in the etching liquid storage part that contains the etching liquid, a sealing part such as the sealing O-ring 21 in the conventional etching apparatus described above in FIG. No O-ring required.
さらに、上述した本考案によるエツチング装置
の場合、ウエフア載置用部31及びウエフア抑え
用兼エツチング液収容用部43が、第1図で上述
したエツチング装置におけるウエフア載置用部4
及びウエフア抑え用部11のように、エツチング
液を収容しているエツチング液収容部内に配され
ないので、ウエフア抑え用兼エツチング液収容用
部43の内面が、エツチング液41によつて汚染
されるとしても、ウエフア抑え用兼エツチング液
収容用部43の外面、及びウエフア載置用部31
の内外面が、エツチング液41によつて汚染され
ない。 Furthermore, in the case of the etching apparatus according to the present invention described above, the wafer mounting part 31 and the wafer holding and etching liquid storage part 43 are the same as the wafer mounting part 4 in the etching apparatus described above in FIG.
Since the wafer holding part 11 is not disposed in the etching liquid storage part that contains the etching liquid, the inner surface of the wafer holding and etching liquid storage part 43 may be contaminated by the etching liquid 41. Also, the outer surface of the wafer holding and etching solution storage portion 43 and the wafer mounting portion 31
The inner and outer surfaces of the etching liquid 41 are not contaminated by the etching liquid 41.
このため、再度、エツチング液41の種類を変
えて、ウエフア30に対するエツチングを施す場
合に、それに先立ち必要とされるエツチング装置
の洗浄に、多くの手間と、時間とを必要としな
い。 Therefore, when etching the wafer 30 by changing the type of etching liquid 41 again, it does not require much effort and time to clean the etching apparatus, which is required beforehand.
また、上述した本考案によるエツチング装置の
場合、ウエフア載置用部31及びウエフア抑え用
兼エツチング液収容用部43が、第1図で上述し
たエツチング装置におけるウエフア載置用部4及
びウエフア抑え用部11のように、エツチング液
を収容しているエツチング液収容部内に配されな
いので、エツチング液を収容するためのエツチン
グ液収容部を用意する必要がないとともに、エツ
チング液の量が、第1図で上述した従来のエツチ
ング装置を用いる場合に比し少くてすむ。 Further, in the case of the etching apparatus according to the present invention described above, the wafer mounting part 31 and the wafer holding part 43 and the wafer holding part 43 in the etching apparatus described above in FIG. Since it is not disposed in the etching liquid storage part that stores the etching liquid like the part 11, there is no need to prepare an etching liquid storage part for storing the etching liquid, and the amount of the etching liquid is smaller than that shown in FIG. This requires less etching than when using the conventional etching apparatus described above.
さらに、上述した本考案によるエツチング装置
によれば、ウエフア載置用部31及びウエフア抑
え用兼エツチング液収容用部43が、第1図で上
述したエツチング装置におけるウエフア載置用部
4及びウエフア抑え用部11のように、エツチン
グ液を収容しているエツチング液収容部内に配さ
れないので、第1図で上述した従来のエツチング
装置における、封止用Oリング21のような封止
用Oリングを設ける必要がなく、このため、ウエ
フア30の厚さを厚くしても、ウエフア30に、
その片面においてのみ、エツチング液を接触させ
るように、容易に対処することができる。 Further, according to the etching apparatus according to the present invention described above, the wafer mounting part 31 and the wafer holding part 43 are the same as the wafer holding part 4 and the wafer holding part 4 in the etching apparatus described above in FIG. Since the etching part 11 is not disposed in the etching liquid storage part that stores the etching liquid, the sealing O-ring such as the sealing O-ring 21 in the conventional etching apparatus described above in FIG. Therefore, even if the thickness of the wafer 30 is increased, there is no need to provide the wafer 30 with
It can easily be arranged that only one side thereof is in contact with the etching liquid.
さらに、上述した本考案によるエツチング装置
によれば、ウエフア30に対する抑えを、締付用
ボルト55を用いて、ウエフア抑え用兼エツチン
グ液収容用部43を、ウエフア載置用部31に締
付けて行うようにしており、そして、このとき、
環状スペーサ54を用いているので、ウエフア抑
え用兼エツチング液収容用部43のウエフア30
に対する抑え力を精密に制御することができ、よ
つて、ウエフア30を、その上面外周部におい
て、液密に、ウエフア載置用部31側に抑えると
きに、その抑え力を適切なものとすることがで
き、また、ウエフア30の破損を防止することが
できる。 Further, according to the above-described etching apparatus according to the present invention, the wafer 30 is held down by tightening the wafer holding/etching liquid storage part 43 to the wafer mounting part 31 using the tightening bolt 55. And at this time,
Since the annular spacer 54 is used, the wafer 30 in the wafer holding and etching liquid storage section 43 is
The holding force against the wafer 30 can be precisely controlled, and the holding force is therefore appropriate when holding the wafer 30 liquid-tightly against the wafer mounting part 31 at the outer circumferential portion of the upper surface thereof. In addition, damage to the wafer 30 can be prevented.
また、上述した本考案によるエツチング装置に
よれば、ウエフア載置用部31に、環状溝36を
有しているので、エツチング液41が、ウエフア
30及びウエフア抑え用兼エツチング液収容用部
43間を通つて、ウエフア30の下面側にまわり
込まんとしても、そのエツチング液が、環状溝3
6内に流れ、次で、液導出口37より外部に導出
させるので、ウエフア30の下面が、エツチング
液によつて汚染させるおそれを有しない。 Further, according to the above-described etching apparatus according to the present invention, since the wafer mounting portion 31 has the annular groove 36, the etching liquid 41 can flow between the wafer 30 and the wafer holding/etching liquid storage portion 43. Even if the etching solution does not reach the bottom side of the wafer 30 through the annular groove 3
Since the etching solution flows into the etching solution 6 and is then led out to the outside through the solution outlet 37, there is no possibility that the lower surface of the wafer 30 will be contaminated by the etching solution.
さらに、上述した本考案によるエツチング装置
によれば、ウエフア載置用部31が、円環状部3
2を有している構成を有するので、ウエフア30
の下面が、外気に連通する構成を有し、このた
め、第1図で上述した従来のエツチング装置にお
ける空間24を、通気用管22を通じて外部に連
通させるのと同じ効果を有する。 Further, according to the above-described etching apparatus according to the present invention, the wafer mounting portion 31 is connected to the annular portion 3.
2, the wafer 30
The lower surface of the etching apparatus is configured to communicate with the outside air, and thus has the same effect as when the space 24 in the conventional etching apparatus described above in FIG. 1 is communicated with the outside through the ventilation pipe 22.
また、上述した本考案によるエツチング装置に
よれば、液導入口48及び液導出口49を有する
ので、それらをそれぞれ洗浄用管56及び排液用
管57に連結させることによつて、エツチング液
収容部42に収容しているエツチング液41を容
易に排出し、そしてウエフア抑え用兼エツチング
液収容用部43の内面を容易に洗浄することがで
きる。 Further, since the etching apparatus according to the present invention described above has the liquid inlet 48 and the liquid outlet 49, by connecting these to the cleaning pipe 56 and the liquid draining pipe 57, respectively, the etching liquid can be stored. The etching liquid 41 contained in the portion 42 can be easily discharged, and the inner surface of the wafer holding and etching liquid storage portion 43 can be easily cleaned.
さらに、上述した本考案によるエツチング装置
によれば、上述のようにして構成されるエツチン
グ液収容部42内に、エツチング液41を加熱さ
せるヒータ48を配することによつて、エツチン
グ液51を適温に保たせることができる。 Further, according to the etching apparatus according to the present invention described above, by disposing the heater 48 for heating the etching liquid 41 in the etching liquid storage section 42 configured as described above, the etching liquid 51 can be kept at an appropriate temperature. can be kept at
なお、上述においては、本考案の一例を示した
に留まり、本考案の精神を脱することなしに、
種々の変形、変更をなし得るであろう。 The above description merely shows an example of the present invention, and without departing from the spirit of the present invention,
Various modifications and changes may be made.
第1図は、従来のエツチング装置を示す略線的
断面図である。第2図は、本考案によるエツチン
グ装置の一例を示す略線的断面図である。
30……ウエフア、31……ウエフア載置用
部、32……円環状部、33……円環状鍔、34
……封止用Oリング、35……Oリング受け用
溝、36……環状溝、37……液導出口、38…
…めねじ、39……位置決め用ピン、41……エ
ツチング液、42……エツチング液収容部、43
……ウエフア抑え用兼エツチング液収容用部、4
5……筒状部、46……円環状鍔、47……円環
状鍔、48……液導入口、49……液導出口、5
0……封止用Oリング、51……Oリング受け用
溝、52……ボルト貫通孔、53……位置決め用
孔、54……スペーサ、55……ボルト。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a conventional etching apparatus. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of an etching apparatus according to the present invention. 30... Wafer, 31... Wafer placement part, 32... Annular part, 33... Annular collar, 34
... O-ring for sealing, 35 ... O-ring receiving groove, 36 ... Annular groove, 37 ... Liquid outlet, 38 ...
... Female thread, 39 ... Positioning pin, 41 ... Etching liquid, 42 ... Etching liquid storage part, 43
...Wafer holding and etching liquid storage section, 4
5... Cylindrical part, 46... Annular flange, 47... Annular flange, 48... Liquid inlet, 49... Liquid outlet, 5
0...Sealing O-ring, 51...O-ring receiving groove, 52...Bolt through hole, 53...Positioning hole, 54...Spacer, 55...Bolt.
Claims (1)
方向に外方に延長している環状鍔33とを有する
ウエフア載置用部31と、 筒状部45と、その下端部内周面からこれと一
体に内方に延長している環状鍔46と、上記筒状
部45の下端部外周面からこれと一体に外方に延
長している環状鍔47とを有するウエフア抑え用
兼エツチング液収容用部43とを有し、 上記ウエフア載置用部31の環状部32は、そ
の上面外周部から内部に延長している第1の封止
用Oリング34を受けるOリング受け用溝35
と、上記上面外周部の上記Oリング受け用溝35
の外側から内部に延長している環状溝36とを有
し、 上記ウエフア抑え用兼エツチング液収容用部4
3の筒状部45は、その上部におけるエツチング
液導入口48と、下部におけるエツチング液導出
口49とを有し、 上記ウエフア抑え用兼エツチング液収容用部4
3の環状鍔46は、その下面外周部から内部に延
長している、第2の封止用Oリング50を受ける
第2のOリング受け用溝51を有し、 上記ウエフア抑え用兼エツチング液収容用部4
3は、上記ウエフア載置用部31の環状部32
の上記第1のOリング受け用溝51内に上記第1
の封止用Oリング34を配し、その第1の封止用
Oリング34上にウエフア30を載置し、上記ウ
エフア載置用部31の環状鍔33上に環状スペー
サ54を配し、上記ウエフア抑え用兼エツチング
液収容用部43の環状鍔46の第2のOリング受
け用溝51内に上記第2の封止用Oリングを配し
ている状態で、締付用ボルト55を用いて、上記
ウエフア30を、上記ウエフア載置用部31側に
抑え、且つ上記ウエフア30と共働して、その
上面に接触させるエツチング液41を収容させる
エツチング液収容部42を構成しているエツチン
グ装置。[Claims for Utility Model Registration] A wafer mounting part 31 having an annular part 32 and an annular collar 33 integrally extending outward in the radial direction from the outer circumferential part of the wafer mounting part 31; , an annular collar 46 extending inwardly from the inner circumferential surface of the lower end thereof, and an annular collar 47 extending outward integrally from the outer circumferential surface of the lower end of the cylindrical portion 45. The annular part 32 of the wafer mounting part 31 has a first sealing O-ring 34 extending inward from the outer periphery of the upper surface thereof. O-ring receiving groove 35
and the O-ring receiving groove 35 on the outer periphery of the upper surface.
and an annular groove 36 extending from the outside to the inside of the wafer holding and etching liquid storage part 4.
The cylindrical part 45 of No. 3 has an etching liquid inlet 48 at the upper part and an etching liquid outlet 49 at the lower part, and the part 4 for holding the wafer and storing the etching liquid.
The annular collar 46 of No. 3 has a second O-ring receiving groove 51 for receiving the second sealing O-ring 50 extending inward from the outer periphery of the lower surface thereof, and the annular collar 46 has a second O-ring receiving groove 51 for receiving the second sealing O-ring 50. Housing section 4
3 is an annular portion 32 of the wafer mounting portion 31;
into the first O-ring receiving groove 51.
A sealing O-ring 34 is disposed, a wafer 30 is placed on the first sealing O-ring 34, an annular spacer 54 is placed on the annular collar 33 of the wafer placement part 31, With the second sealing O-ring placed in the second O-ring receiving groove 51 of the annular collar 46 of the wafer holding and etching liquid storage section 43, tighten the tightening bolt 55. The wafer 30 is held on the side of the wafer mounting section 31, and works together with the wafer 30 to form an etching solution storage section 42 that accommodates an etching solution 41 that is brought into contact with the upper surface of the wafer 30. Etching equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16537982U JPS5970336U (en) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | Etching device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16537982U JPS5970336U (en) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | Etching device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5970336U JPS5970336U (en) | 1984-05-12 |
JPH0129784Y2 true JPH0129784Y2 (en) | 1989-09-11 |
Family
ID=30362338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16537982U Granted JPS5970336U (en) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | Etching device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5970336U (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2857958B2 (en) * | 1992-04-02 | 1999-02-17 | 株式会社デンソー | Etching pot |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5887336U (en) * | 1981-12-09 | 1983-06-14 | 日本電気株式会社 | Etching device |
-
1982
- 1982-10-30 JP JP16537982U patent/JPS5970336U/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5970336U (en) | 1984-05-12 |
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