JPH01296487A - アドレス信号のノイズ検出回路 - Google Patents

アドレス信号のノイズ検出回路

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JPH01296487A
JPH01296487A JP63126128A JP12612888A JPH01296487A JP H01296487 A JPH01296487 A JP H01296487A JP 63126128 A JP63126128 A JP 63126128A JP 12612888 A JP12612888 A JP 12612888A JP H01296487 A JPH01296487 A JP H01296487A
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Yuji Kihara
雄治 木原
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、アドレス信号のノイズ検出回路に関し、特
に半導体装置にノイズか人力された場合でも半導体装置
の制御部にノイズが入力したことを伝え、ノイズによる
内部動作の制御を可能にする回路に関する。
[従来の技術] 従来の半導体装置では、ノイズを検出する回路が設けら
れていなかったので、アドレスが正規の変化を行なった
のか、ノイズで変化したのがの識別がつかず、ノイズに
応答して出力か変化するようになっていた。通常、半導
体装置の出力回路は、電流駆動能力の大きなトランジス
タで構成されているため、大きな過渡電流が流れる。こ
れによって、電源電圧あるいは接地電圧が変化するので
、これがまた他のデバイスまたは自らにノイズを供給し
て、システムの動作を不安定にするという現象が発生し
ていた。
上記のような問題を解消するために、たとえば特開昭5
8−270712号公報にノイズ対策回路が示されてい
る。第6図はこの公開公報に示された従来のノイズ対策
回路を示す回路図である。
図示のごとく、従来のノイズ対策回路は、遅延回路1と
、NORゲート2と、NANDケ−1・3と、2つのN
チャネルトランジスタ4および5と、インバータ6およ
び7とから構成されている。
第7図は第6図に示す各部の信号の波形図である。なお
、第7図(a)〜(e)は、第6図に示す信号a −e
とそれぞれ対応している。以下、この第7図を参照して
、第6図に示す従来回路の動作について説明する。まず
、第7図(a)に示すように、入力アドレス信号aのロ
ーレベルの部分にはハイレベルのノイズが、ハイレベル
の部分にはローレベルのノイズか混入されているものと
する。入力アドレス信号aは、遅延回路1によって遅延
されて第7図(b)に示すようなアドレス信号になる。
入力アドレス信号aおよび遅延されたアドレス信号すは
、NORゲート2に与えられるとともに、NANDゲー
ト3に与えられる。したかって、NORゲート2の出力
Cは第7図(C)に示すように、NANDゲート3の出
力dは第7図(d)に示すようになる。ずなわぢ、NO
Rケ=1・2によってハイレベルのノイズか除去され、
NANDゲート3によってローレベルのノイズが除去さ
れる。さらに、これら信号Cおよびdの論理を、トラン
ジスタ4および5.インバータ6および7の回路によっ
て適当に組合わせることにより、最終的に第7図(e)
に示すような出力信号eが得られる。図示のごとく、出
力信号eにおいては、ハイレベルおよびローレベルのい
ずれのノイズも除去されている。
[発明が解決しようとする課題] 前述したごとく、第6図に示す従来回路は、遅延回路1
と複数の論理ゲートを適当に組合わせることにより、遅
延回路1の遅延分程度のノイズを吸収するように構成さ
れている。しかしなから、第7図のタイムチャートから
明らかなように、出力アドレス信号eは入力アドレス信
号aに対して遅延回路]の遅延分だけ遅れた信号となっ
ている。
そのため、第6図のような回路を用いると、遅延回路]
の遅延分だけ動作速度(アクセス速度)が遅れることに
なる。すなわち、第6図の従来回路では、動作速度を犠
牲にしてノイズを抑えるようになっている。ところが、
昨今の半導体装置に関する技術動向は、いかにして動作
速度を向上させるかに向けられており、第6図に示す従
来回路はこのような技術動向に逆行するものである。し
たがって、第6図に示す従来回路はノイズ対策回路の一
例として示されたが、現実にはほとんど使用されていな
いのが実情である。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、動作速度の低下を招くことなく、アドレス
信号に混入されたノイズに対して対策を講じ得るような
アドレス信号のノイズ検出回路を提供することを目的と
する。
[課題を解決するための手段] この発明に係るアドレス信号のノイズ検出回路は、入力
アドレス信号のレベルか変化したことに応答して一定極
性のパルスを発生するパルス発生手段と、入力アドレス
信号を遅延するための遅延手段と、遅延手段によって遅
延されたアドレス信号ともとの入力アドレス信号との論
理を組合わせることにより入力アドレス信号の正規のレ
ベル変化を第1の論理値のパルスでノイズによるレベル
変化を第2の論理値のパルスで示す2確信号を発生する
2値信号発生手段と、パルス発生手段によって発生した
パルスに基づいて2値信号発生手段によって発生された
2確信号から入力アドレス信号のノイズに相当する部分
のパルスのみを抜出す手段とを備えるようにしたもので
ある。
[作用] この発明においては、入力アドレス信号に含まれるノイ
ズパルスを抽出して検出信号を作成しているので、この
検出信号に基づいてノイズ対策を講じれば、半導体装置
の動作速度を低下させることなくノイズによる悪影響を
防止することができる。
[実施例] 第1図はこの発明の一実施例を示す回路図である。図に
おいて、入力アドレス信号aは、アトレス変化検出回路
(以下、ATD回路と称す)8に与えられる。このAT
D回路8は、入力アトレス信号aのレベルか変化し7た
ことに応答して、−電極性(この実施例ではハイレベル
)のパルスを発生するものであり、たとえば内部同期式
のSRAM等で用いられている。ATD回路8の出力g
はNANDゲートA2の一方入力端に与えられる。
また、入力アドレス信号aは、NANDゲー1−A]お
よびNORゲートN1の各一方入力端に与えられるとと
もに、遅延回路D3に与えられる。遅延回路D]の出力
すは、NANDケ−1・A1およびNORゲートNlの
各他方入力端に与えられる。
NANDゲートA1の出力はインバータ11に与えられ
る。このインバータ■]の出力CはNORゲートN2の
一方入力端に与えられる。また、NORゲートN]の出
力dはNORケートN2の他方入力端に与えられる。N
ORゲー)N2の出力eはインバータI2に与えられる
。このインバータI2の出力fはNANDゲートA2の
他方入力端に与えられる。NANDゲー)A2の出力は
インバータ■6に与えられる。このインバータ■6から
ノイズ検出信号りが得られる。
ここで、上記ATD回路8は、遅延回路D2と3つのイ
ンバータ13〜■5と、2つのトランスファゲートT1
およびT2とで構成されている。
トランスフアゲ−1・T1およびT2は、それぞれNチ
ャネルトランジスタとPチャネルトランジスタとで構成
されるCMOSスイッチである。入力アドレス信号aは
遅延回路D2に与えられる。この遅延回路D2の出力は
トランスフアゲ−)・T]およびT2の各一方ゲート電
極に与えられる。また、遅延回路D2の出力はインバー
タ■4を介してトランスファゲートT]およびT2の各
他方ゲート電極に与えられる。また、入力アトレス信号
aはトランスファゲートT1を介してインバータI5に
与えられるとともに、インバータ■3およびトランスフ
アゲ−1−T2を介してインバータI5に与えられる。
インバータI5からは、ATD回路8の出力信号gが得
られる。
第2A図および第2B図は、第1図に示す実施例におけ
る各内部信号の波形を示す図である。なお、第2A図は
入力アドレス信号aが正規の変化を示した場合の波形図
であり、第2B図は入力アドレス信号すにノイズが混入
されている場合の波形図である。また、第2A図(a)
〜(h)および第2B図(a)〜(h)は、それぞれ、
第1図に示す各信号a−hに対応している。以下、これ
ら第2A図および第2B図を参照して、第1図に示す実
施例の動作を説明する。
まず、ATD回路8の動作について説明する。
この、ATD回路8において、インバータ13〜■5お
よびトランスファゲートT1およびT2は排他的論理和
回路を構成しており、この排他的論理和回路によって入
力アドレス信号aと遅延回路D2で遅延されたアドレス
信号との排他的論理和をとることにより第2A図(g)
あるいは第2B図(g)に示すような出力信号gを得て
いる。次に、ATD回路8の詳しい動作を示すが、■入
力アドレス信号aがハイレベルからローレベルへ変化す
る場合と、■入力アドレス信号aがローレベルからハイ
レベルに変化する場合とに分けて動作説明を行なう。
■ 入力アドレス信号aがハイレベルからローレヘルヘ
変化する場合 入力アドレス信号aがハイレベルからローレベルに立下
かった直後では、遅延回路D2の出力はハイレベルであ
り、インバータI4の出力はローレベルである。したか
って、このときトランスファゲートT1がオンしており
、インバータ■5の出力信号gは入力アドレス信号aと
逆に変化する。
すなわち、出力信号gはローレベルからハイレベルにな
る。遅延回路D2の出力は入力アドレス信号aの立下が
りから所定の遅延時間たけ遅れてハイレベルからローレ
ベルに立下がる。これに応答して、インバータ■4の出
力はローレベルからハイレベルに立上がる。これにより
、トランスファゲートT1はオフし、1−ランスフアゲ
−1・T2かオンする。一方、インバータ■3の出力は
遅延回路D2の出力かハイレベルからローレベルに立下
がるよりも早くローレベルからハイレベルに立上がるた
め、遅1回路D2の出力が変化すると出力信号gにはイ
ンバータI3のハイレベルの出力を反転したローレベル
信号が現われる。つまり、入力アドレス信号aかハイレ
ベルからローレベルへ変化すれば、出力信号gには、ロ
ーレヘルーハイレベル→ローレベルのパルス波か現われ
る。
■ 入力アドレス信号aがローレベルからハイレベルに
変化する場合 入力アドレス信号aがローレベルからハイレベルに立上
がった直後においては、遅延回路D2の出力はまだロー
レベルであり、インバータ■4の出力はハイレベルであ
る。したがって、このときトランスファゲートT2がオ
ンしており、出力信号gはインバータ■3の出力かハイ
レベルからローレベルへ反転すると同時にローレベルか
らハイレベルに立上がる。一方、遅延回路D2の出力は
入力アドレス信号aの立上がりから所定遅延時間だけ遅
れてハイレベルからローレベルに立下がり、これに応答
してインバータ■4の出力はローレベルからハイレベル
に立上がる。これにより、トランスファゲートT2はオ
フし、トランスファゲルトT]がオンする。そのため、
出力仏号gには人力アドレス信号aを反転したローレベ
ルの信号か現われる。つまり、入力アドレス信号aがロ
ーレベルからハイレベルへと変化すれば、出力信号gに
は、ローレベル→ハイレベル→ローレベルのパルス波が
現れる。
以上■■の場合を総合すれば、入力アドレス信号aがハ
イレベルからローレベルへ変化しても、ローレベルから
ハイレベルへ変化しても、出力信号gには、ローレベル
→ハイレベル→ローレベルのパルス波が現われ、このパ
ルス幅は遅延回路D2の遅延時間の大きさによって決定
される。
次に、第1図に示す実施例の全体の動作について説明す
るが、まず第2A図を参照して、入力アドレス信号aの
レベルか正規に変化した場合の動作を説明する。入力ア
ドレス信号aか正規にハイレベルからローレベルまたは
ローレベルからハイレベルへと変化した場合、遅延回路
D1の出力すは入力アドレス信号aから遅延回路D]の
遅延時−12〜 聞分だけ遅れた波形となる(第2A図(b)参照)。イ
ンバータ11の出力Cは、もとの入力アドレス信号aと
遅延回路D1によって遅延されたアドレス信号すとの論
理積であるから、第2A図(c)に示すような波形とな
る。また、NORゲートN1の出力dはもとの入力アド
レス信号aと遅延回路D1によって遅延されたアドレス
信号すとのNORであるから、第2A図(d)に示すよ
うな波形となる。信号eは信号CとdのNORであるか
ら、入力アドレス信号aと遅延されたアドレス信号すと
の位相差を示すパルスとなる(第2A図(e)参照)。
信号fは第2A図(f)示すように、信号eの逆相波で
ある。一方、信号gは入力アドレス信号aの正規の変化
を受けてのATDパルスであるから、第2A図(g)に
示すような波形となる。こて、第2A図(f)と(g)
の波形を対比してみると、両方の信号が同時にハイレベ
ルとなる部分がないので、信号fとgとのANDである
検出信号りはオール“L” (ローレベル)となり、何
ら検出パルスを出力しない。
次に、第2B図を参照して、入力アドレス信号aにノイ
ズが混入された場合の動作について説明する。入力アド
レス信号aに第2B図(a)に示すようなノイズか混入
した場合、遅延回路D1の出力すは、第2B図(b)に
示すようにノイズ分がそのまま遅延された波形となる。
したがって、アドレス信号aおよびbのANDとNOR
である信号c、dは、それぞれ、第2B図(c)、  
(d)に示すような波形となる。ここで、信号Cは入力
アドレス信号aのローレベルのノイズパルスをハイレベ
ルのパルスで表現した信号となっており、信号dは入力
アドレス信号aのハイレベルのノイズパルスをハイレベ
ルのパルスで表現した信号となっている。信号eは信号
CおよびdのNORであるから、その波形は第2B図(
e)に示すものとなる。信号fはこの信号eの逆相波で
ある(第2B図(f)参照)。ここで、信号fを入力ア
ドレス信号aと対比してみると、信号fは人力アドレス
信号aに含まれるローレベルのノイズパルスおよびハイ
レベルのノイズパルスのいずれをもハイレベルのパルス
で表現した信号となっている。
一方、ATD回路8は、入力アドレス信号aの正規の変
化に対しては第2A図(g)に示すパルスと同一の波形
のパルスを出力する(第2B図(g)の波形の真中のパ
ルス)。これに対し、ATD回路8は、入力アドレス信
号aに混入されたノイズに対して応答するときは、ノイ
ズはアドレスか短い時間に2度変化したものであるから
、そのATDパルスは正規のアドレス変化時よりも長い
幅のパルス(ノイズパルスの幅により異なるが、最大2
倍の幅のパルス)となる。したがって、ATD回路8が
ノイズに対して応答するときは、その出力信号gは第2
B図(g)の左側あるいは右側に示されたようなパルス
を出力する。このようなATDパルスgと上記の信号f
とのANDをNANDゲートA2とインバータ■6とて
とると、その出力りは第2B図(h)に示すような波形
となる。
この第2B図(h)に示された波形を入力アドレス信号
aの波形と対比してみると、出力信号りは入力アドレス
信号aのノイズパルスを示した信号となっている。した
がって、この出力信号りをノイズパルスの検出信号とし
て用いることができる。
第3図は、第1図の回路から得られるノイズ検出回路を
用いて半導体装置の出力を制御する回路の一例を示して
いる。ところで、第1図に示すノイズ検出回路は、複数
ビットで構成されるアドレスデータの各ビットごとに設
けられている。そして、ノイズがアドレスデータのどの
ビットに混入しても出力制御がおこなえるように、全ア
ドレスの検出信号h1〜h、がNORゲー1− N 3
に与えられる。さらに、半導体チップ内部のアウトプッ
トイネーブル信号(以下、OE倍信号称す)もNORゲ
ー)N3に入力される。これによって、各検出信号h1
〜h、を従来のOE倍信号差替えて使用することができ
る。NORゲートN3の出力はNANDゲートA3の一
方入力端に与えられるとともに、インバータI7を介し
てNORゲートN4の一方入力端に与えられる。これら
NANDゲートA3およびNORゲートN4の各他方入
力端には、リードデータバスRDを介して図示しないメ
モリから読出されたデータか与えられる。NANDゲー
トA3の出力はPチャネル型MOSトランジスタP]の
ゲート端子に与えられる。NORゲートN4の出力はN
チャネル型MOSトランジスタR1のゲート端子に与え
られる。これらトランジスタP1およびR1は電源と接
地との間に直列に接続されており、いわゆる出力バッフ
ァを構成している。トランジスタP1とR1との接続点
からは出力データDOが取出される。
上記第3図の出力制御回路において、トランジスタP]
とR1−とで構成された出力バッファは、一般に″H″
続出(Pl、:ON、R1+0FF)。
“L″読出Pl : OFF、R1: ON)、出力禁
止(PI :OFF、R1+0FF)の3状態をとり得
るようになっている。つまり、続出状態ではトランジス
タP1またはR1のいずれかがオンし、出力禁止状態で
はトランジスタP1とR1の両方がオフすることになる
。そして、第3図の出力制御回路では、トランジスタP
1またはR1かオンしている続出状態において、入力ア
ドレス他= 17− 号にノイズが混入した場合に一時的に出力を禁止して、
出力が反転するのを回避するように構成されている。具
体的には、トランジスタP1およびR]は下記のような
動作を行なう。
従来 Pl:ON    Pl:OFF   Pa、:ON−
〉            □−〉 R1:OFF   R1:ON    R1:OFF本
実施例 Pl:ON    Pl:OFF   Pl:ONなお
、上記において、→の部分でノイズが発生している。こ
のように、ノイズ部分では出力の反転が禁止される結果
、ノイズ部分で大きな過渡電流が流れることがなくなり
、ノイズの影響が他のデバイスに伝達されるのを防止す
ることかできる。
また、第1図および第3図の実施例では、図示しないメ
モリに与えられるアドレスそのものに対しては何らの処
理も加えていないため、第6図に示すような従来回路の
ようにアドレス伝号の遅延による動作速度の遅れを招く
ことかない。
−]R8− 第4図は第1図の回路から得られるノイズ検出信号を利
用した他のノイズ対策回路を示す回路図である。なお、
この第4図において第3図と同様の参照符号を(=Iし
た部分は同一の構成であり、その説明を省略する。第4
図の実施例では、出力ハッファを構成するトランジスタ
P1およびR1のオンオフは、OE倍信号みによって制
御される。
各ノイズ検出信号り、〜h、は、NORゲートN3とイ
ンバータI8とによってそのORがとられ、ゲートトラ
ンジスタT3のゲート端子に与えられる。このゲート端
子T3は、リードデータバスRDとラッチ回路9との間
の開閉を制御するトランジスタである。ラッチ回路9は
、インバータ■9〜I 1.1によって構成されており
、リードデータバスRDを介して与えられるメモリ(図
示せず)からの続出データを一時的に保持するものであ
る。
通常、SRAMにおいては、消費電力の節減のために、
メモリからのデータの続出後一定時間経過すれば自動的
に電源をオフするようなオートパワーオフ回路か設けら
れている。そのため、続出デー 1つ − −タを一時的に保持するためのラッチ回路9か必要とな
る。ところで、入力アドレス信号に前述のようなノイズ
が混入すると、アドレスデータが変化1〜、それによっ
てラッチ回路9の保持データか書換えられてしまう。と
ころが、通常ノイズパルスはそのパルス幅が極めて狭い
ため、ノイズ終了後もラッチ回路9のラッチデータが書
換えられず、誤ったデータがそのまま保持されてしまう
場合かある。この場合、システムは誤動作を生じる。こ
のような問題を解消するために、アドレスデータの各ビ
ットのノイズ検出信号り、〜hoのOR出力により、い
ずれかのビットにノイズが混入した場合は、ゲートトラ
ンジスタT3をオフ状態にし、ランチ回路9の保持デー
タか書換えられないようにする。これによって、ラッチ
回路9には常に正規のデータが保持されることになる。
したがって、半導体装置の誤動作を防止することができ
る。
第5図は第3図に示す出力制御回路の他の例を示す回路
図である。この実施例では、ノイズ検出信号で出力禁止
の制御か行なわれる出カドランジー 2〇 − スタP1およびR1に加えて、OE倍信号みてそのオン
オフが制御される出力トランジスタP2およびR2がも
う1組設けられている。さらに、インバータI7.NA
NDゲートA3およびNORゲートN4に対応してイン
バータ112.NANDゲートA4.NORゲートN5
が設けられている。このような構成において、出力トラ
ンジスタP1およびR1の電流駆動能力は出力トランジ
スタP2およびR2の電流駆動能力に比べてかなり大き
く選ばれている。通常、出力データDoが送出される出
力データパスの浮遊容量はかなり大きいので、ノイズパ
ルス発生時においてたとえ出力トランジスタP2および
R2のいずれかがオンしていても、出力データDoのレ
ベル変化が少なく、ノイズによる他のデバイスへの影響
を防止することができる。そして、この第5図の実施例
では、ノイズパルス発生時においても出力データDoが
フローティング状態にならない。そのため、出力データ
がフローティング状態になると不都合のあるようなアプ
リケーションに好適するものとなる。
以上説明したことく、本発明の趣旨は、たとえば第1図
に示すような回路によって入力アドレス信号からノイズ
部分を抜出したノイズ検出信号を得ることにある。そし
て、このようなノイズ検出信号を利用すれば、たとえば
第3図〜第5図に示すような回路によって種々のノイズ
対策か可能となる。すなわち、本発明では、第6図に示
す従来回路のようにアドレス信号から直接ノイズパルス
を除去するのではなく、そのノイズを検■した信号に基
づいて間接的にノイズ対策を行なうことにその要点があ
る。
[発明の効果コ 以上のように、この発明によれば、入力アトレス信号に
含まれる第1の極性のノイズパルスおよび第2の極性の
ノイズパルスのいずれをも有効に検出することができる
。そして、この検出信号を用いてノイズ対策を施せば、
従来回路のように動作速度の遅延を生じることなくノイ
ズによる悪影響を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
= 22− 第1図はこの発明の一実施例のノイズ検圧回路を示す図
である。 第2A図および第2B図は第1図に示すノイズ検圧回路
の各部の信号の波形図である。 第3図は第1図に示す回路から得られるノイズ検出信号
を用いてノイズ対策を行なう回路の一例を示す図である
。 第4図は第1図に示す回路から得られるノイズ検出信号
を用いてノイズ対策を行なう回路の他の例を示す図であ
る。 第5図は第1図に示す回路から得られるノイズ検出信号
を用いてノイズ対策を行なう回路のさらに他の例を示す
図である。 第6図は従来のノイズ対策回路を示す図である。 第7図は第6図の回路の各部の信号の波形図である。 図において、8はATD回路、DlおよびD2は遅延回
路、■1〜112はインバータ、T1およびT2はトラ
ンスファゲート、T3はゲートトランジスタ、A1−A
4はNANDゲート、N1−23 = 〜N5はNORゲート、PI、 P2. R1,R2は
出力バッファを構成するトランジスタを示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 入力アドレス信号のレベルが変化したことに応答して、
    一定極性のパルスを発生するパルス発生手段、 入力アドレス信号を遅延するための遅延手段、前記遅延
    手段によって遅延されたアドレス信号ともとの入力アド
    レス信号との論理を組合わせることにより、入力アドレ
    ス信号の正規のレベル変化を第1の論理値のパルスで、
    ノイズによるレベル変化を第2の論理値のパルスで示す
    2値信号を発生する2値信号発生手段、および 前記パルス発生手段によって発生されたパルスに基づい
    て、前記2値信号発生手段によって発生された2値信号
    から入力アドレス信号のノイズに相当する部分のパルス
    のみを抜出す手段を備える、アドレス信号のノイズ検出
    回路。
JP63126128A 1988-05-23 1988-05-23 アドレス信号のノイズ検出回路 Expired - Lifetime JPH0736271B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0401521A2 (en) * 1989-06-08 1990-12-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
KR100254470B1 (ko) * 1996-12-31 2000-05-01 김영환 데이타 버스 센스앰프 구동장치

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