JPH01292282A - 二次電子検出器 - Google Patents
二次電子検出器Info
- Publication number
- JPH01292282A JPH01292282A JP63122589A JP12258988A JPH01292282A JP H01292282 A JPH01292282 A JP H01292282A JP 63122589 A JP63122589 A JP 63122589A JP 12258988 A JP12258988 A JP 12258988A JP H01292282 A JPH01292282 A JP H01292282A
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- JP
- Japan
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- scintillator
- charged particle
- secondary electron
- electron detector
- primary charged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 8
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
荷電粒子線装置の二次電子検出器に関する。
荷電粒子を試料に照射し、生じた二次電子を対物レンズ
を通過させて後、検出する様にした荷電粒子線装置の二
次電子検出器において、該二次電子検出器を、軸対称形
状のシンチレータ−及び、負電位の部材で構成すること
により、軸ズレ及び非点収差を防止すると共に、効率よ
く二次電子を検出する様にしたものである。
を通過させて後、検出する様にした荷電粒子線装置の二
次電子検出器において、該二次電子検出器を、軸対称形
状のシンチレータ−及び、負電位の部材で構成すること
により、軸ズレ及び非点収差を防止すると共に、効率よ
く二次電子を検出する様にしたものである。
荷電粒子線装置、例えは、走査型電子顕微鏡における二
次電子検出方法の従来例を第3図に示す。
次電子検出方法の従来例を第3図に示す。
対物レンズ2の磁界内に設置された試料3に、電子ビー
ム1が照射されることにより生じた二次電子4は、対物
レンズ2の上方にとりだされ、二次電子検出器により検
出される。二次電子検出器は、シンチレータ−5、ライ
トガイド6及び光電子増倍管7より構成されている。シ
ンチレータ−5には、通常+1Qkv程度の高電圧9が
印加され、その周囲には接地電位のシールド筒8が設け
られている。近年、試料の帯電・損傷を避けるため5に
V以下の低加速電圧が特に要求されている。第3図に示
した構成では、電子ビーム1の加速電圧が、5kv程度
以下になると、高圧が印加された二次電子検出器による
非対称電界により、電子ビーム1は偏向され、軸ズレ、
非点収差が生じる。その結果、分解能、操作性が低下す
る。
ム1が照射されることにより生じた二次電子4は、対物
レンズ2の上方にとりだされ、二次電子検出器により検
出される。二次電子検出器は、シンチレータ−5、ライ
トガイド6及び光電子増倍管7より構成されている。シ
ンチレータ−5には、通常+1Qkv程度の高電圧9が
印加され、その周囲には接地電位のシールド筒8が設け
られている。近年、試料の帯電・損傷を避けるため5に
V以下の低加速電圧が特に要求されている。第3図に示
した構成では、電子ビーム1の加速電圧が、5kv程度
以下になると、高圧が印加された二次電子検出器による
非対称電界により、電子ビーム1は偏向され、軸ズレ、
非点収差が生じる。その結果、分解能、操作性が低下す
る。
この点を解決する為に、種々提案がなされている。その
−例を第4図に示す(時開59−9843)。これは、
複数の二次荷電粒子検出器5a。
−例を第4図に示す(時開59−9843)。これは、
複数の二次荷電粒子検出器5a。
5b等が設けられると共に、これらの検出器相互間を通
過した二次荷電粒子の逸出分4Cを戻して、上記検出器
へ導くべく、上記二次荷電粒子の逸出分の進行の向きを
変更させる電界発生機構10が設けられているものであ
る。これにより、軸ズレ。
過した二次荷電粒子の逸出分4Cを戻して、上記検出器
へ導くべく、上記二次荷電粒子の逸出分の進行の向きを
変更させる電界発生機構10が設けられているものであ
る。これにより、軸ズレ。
非点収差の発生を防止し、かつ効率よく二次電子を検出
することを企図したものである。
することを企図したものである。
しかしながら、例えば第4図に示す例において、2ケの
検出器を対向させて設置する場合は、非点収差の発生は
避けられず、また十分な精度で光軸より等距離に設置す
ることは困難であり、軸ズレの発生は避けられない。ま
た、二次荷電粒子の逸出分の一部は、再び検出器間を通
過してしまうものもあり、検出効率は十分とはいえない
。
検出器を対向させて設置する場合は、非点収差の発生は
避けられず、また十分な精度で光軸より等距離に設置す
ることは困難であり、軸ズレの発生は避けられない。ま
た、二次荷電粒子の逸出分の一部は、再び検出器間を通
過してしまうものもあり、検出効率は十分とはいえない
。
さらに、複数の検出器を設けることにより、構成が複雑
になる問題もある。
になる問題もある。
本発明の目的は、軸ズレ及び非点収差の発生を大幅に低
減し、かつ、二次電子の検出効率を向上させて、分解能
及び操作性を向上させることである。
減し、かつ、二次電子の検出効率を向上させて、分解能
及び操作性を向上させることである。
上記目的を達成するために本発明が採用する主たる手段
は、軸対称形状の一次荷電粒子通過孔を有し、正の高電
圧が印加されるシンチレータ−と、軸対称形状の一次荷
電粒子通過孔を有し、試料に対し負の電圧が印加された
部材とを、具備し、各々が一次街電粒子光軸を軸として
、軸対称に配置され、該部材の端部は、該シンチレータ
−よりも、試料側につきでる様に配置されるか(図22
)、該シンチレータ−の内側に配置されるか(図2b)
、あるいは、シンチレータ−の上方に近接して配置され
る(図20)様にした事を特徴とする二次電子検出器で
ある。
は、軸対称形状の一次荷電粒子通過孔を有し、正の高電
圧が印加されるシンチレータ−と、軸対称形状の一次荷
電粒子通過孔を有し、試料に対し負の電圧が印加された
部材とを、具備し、各々が一次街電粒子光軸を軸として
、軸対称に配置され、該部材の端部は、該シンチレータ
−よりも、試料側につきでる様に配置されるか(図22
)、該シンチレータ−の内側に配置されるか(図2b)
、あるいは、シンチレータ−の上方に近接して配置され
る(図20)様にした事を特徴とする二次電子検出器で
ある。
上記の構成により、二次電子検出器から生ずる電界は、
−次荷電粒子光軸を軸として軸対称に分布するため、−
次荷電粒子線の軸ズレ、非点収差は極めて小さくおさえ
られる。また、試料からの二次電子は効率よく検出され
る。
−次荷電粒子光軸を軸として軸対称に分布するため、−
次荷電粒子線の軸ズレ、非点収差は極めて小さくおさえ
られる。また、試料からの二次電子は効率よく検出され
る。
第1図に、走査型電子顕微鏡における、本発明の実施例
を示す。−吹型子線1は、対物レンズ2の磁界内に設置
された試料3を照射し、生じた二次電子4a、4b、4
cは、該磁界に拘束されて、対物レンズ2の上方にとり
だされる。対物レンズ上方には、+10kv程度の高電
圧9が印加されている。軸対称形状のシンチレータ−5
と、数10V程度の負電圧11が印加されている、軸対
称形状の部材10とが、互いに十分な耐電圧を保つ間隙
、あるいは、沿面をへだてかつ、該部材が該シンチレー
タ−の内側で光軸lを同軸として、配置されている。シ
ンチレータ−5は、軸対称なガラス部材6に塗布された
蛍光体及びその上に蒸着された金属膜により構成されて
いる。ガラス部材6の周囲には、シンチレータ−と同じ
高電圧が印加されたライトガイド6′のために一部開放
された金属円筒12が形成されており、碍子(図示して
いない)により、接地部分と絶縁されている。ガラス部
材6の金属円筒12との境界面には、金属膜が蒸着され
ており、光が反射するようにしである。
を示す。−吹型子線1は、対物レンズ2の磁界内に設置
された試料3を照射し、生じた二次電子4a、4b、4
cは、該磁界に拘束されて、対物レンズ2の上方にとり
だされる。対物レンズ上方には、+10kv程度の高電
圧9が印加されている。軸対称形状のシンチレータ−5
と、数10V程度の負電圧11が印加されている、軸対
称形状の部材10とが、互いに十分な耐電圧を保つ間隙
、あるいは、沿面をへだてかつ、該部材が該シンチレー
タ−の内側で光軸lを同軸として、配置されている。シ
ンチレータ−5は、軸対称なガラス部材6に塗布された
蛍光体及びその上に蒸着された金属膜により構成されて
いる。ガラス部材6の周囲には、シンチレータ−と同じ
高電圧が印加されたライトガイド6′のために一部開放
された金属円筒12が形成されており、碍子(図示して
いない)により、接地部分と絶縁されている。ガラス部
材6の金属円筒12との境界面には、金属膜が蒸着され
ており、光が反射するようにしである。
対物レンズ上方にとりだされた二次電子4a。
4b、4cは、シンチレータ−5と、部材10の形成す
る電界により軌道を変更され、シンチレータ−5に入射
する。シンチレータ−にて発した光は、ガラス部材6と
その側壁に接続されているライトガイド6′を介して、
光電子増倍管7に導かれ電気信号に変換される。
る電界により軌道を変更され、シンチレータ−5に入射
する。シンチレータ−にて発した光は、ガラス部材6と
その側壁に接続されているライトガイド6′を介して、
光電子増倍管7に導かれ電気信号に変換される。
なお、負電位の部材10は第2図で示す様にその端部が
シンチレータ−よりも、試料側につきでる様に配置され
るか(図2a)、シンチレータ−孔の内側に配置される
ようにするか(図2b、図1)あるいはシンチレータ−
の上方にある場合は、これに近接して配置される様にし
なければならない。さもないと、−吹型子ビームがシン
チレータ−の電界により加速電圧とともに変化する集束
作用をうけ光学系が変化したり、あるいは二次電子が集
束され、効率よく検出されない等、好ましくない結果を
生ずる。
シンチレータ−よりも、試料側につきでる様に配置され
るか(図2a)、シンチレータ−孔の内側に配置される
ようにするか(図2b、図1)あるいはシンチレータ−
の上方にある場合は、これに近接して配置される様にし
なければならない。さもないと、−吹型子ビームがシン
チレータ−の電界により加速電圧とともに変化する集束
作用をうけ光学系が変化したり、あるいは二次電子が集
束され、効率よく検出されない等、好ましくない結果を
生ずる。
また、ガラス部材6の部分を空間とし、金属円筒12の
内面を金属膜蒸着してもよい。
内面を金属膜蒸着してもよい。
なお、本実施例では走査型電子顕微鏡の場合を示したが
、イオンビーム装置等においても同様に適用できる。
、イオンビーム装置等においても同様に適用できる。
シンチレータ−及び負電位の部材は、軸対称に形成され
ており、かつ、荷電粒子線光軸に対し良い精度で軸対称
に配置できるため、光軸ズレ、非点収差が大幅に低減さ
れる。
ており、かつ、荷電粒子線光軸に対し良い精度で軸対称
に配置できるため、光軸ズレ、非点収差が大幅に低減さ
れる。
また、シンチレータ−と負電位の部材との適切な配置に
より、二次電子を効率良く検出できる。
より、二次電子を効率良く検出できる。
以上により、荷電粒子線装置の分解能、操作性を大幅に
向上させることができる。
向上させることができる。
また複数の検出器を設ける必要がなく、構成が簡単にな
る効果もある。
る効果もある。
第1図は、本発明の一実施例を示す走査型電子顕微鏡の
概略図、第2図fa)〜[C1は、第1図の部分拡大図
であって、シンチレータ−5と負電位の部材10との位
置関係を示す図である。第3図は、対物レンズ上方に設
置された1ケの二次電子検出器にて、二次電子を検出す
る様にした従来の走査型電子顕微鏡の概略図、第4図は
、複数の二次電子検出器及び二次電子反射部材を有する
ようにした従来の走査型電子顕微鏡の概略図である。 1・・・−吹型子線 2・・・対物レンズ 3・・・試料 4a、4b、4c・・・二次電子線 5・・・シンチレータ 10・・・部材 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
概略図、第2図fa)〜[C1は、第1図の部分拡大図
であって、シンチレータ−5と負電位の部材10との位
置関係を示す図である。第3図は、対物レンズ上方に設
置された1ケの二次電子検出器にて、二次電子を検出す
る様にした従来の走査型電子顕微鏡の概略図、第4図は
、複数の二次電子検出器及び二次電子反射部材を有する
ようにした従来の走査型電子顕微鏡の概略図である。 1・・・−吹型子線 2・・・対物レンズ 3・・・試料 4a、4b、4c・・・二次電子線 5・・・シンチレータ 10・・・部材 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 軸対称形状の一次荷電粒子通過孔を有し、正の高電圧が
印加されるシンチレーターと、軸対称形状の一次荷電粒
子通過孔を有し、試料に対し負の電圧が印加された部材
とを、具備し、 各々が一次荷電粒子光軸を軸として、軸対称に配置され
、 該部材の端部は、該シンチレーターよりも、試料側につ
きでる様に配置されるか、該シンチレーターの内側に配
置されるか、あるいは、シンチレーターの上方に近接し
て配置される様にした事を特徴とする二次電子検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63122589A JPH01292282A (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 二次電子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63122589A JPH01292282A (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 二次電子検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01292282A true JPH01292282A (ja) | 1989-11-24 |
Family
ID=14839664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63122589A Pending JPH01292282A (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 二次電子検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01292282A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01319240A (ja) * | 1988-06-16 | 1989-12-25 | Jeol Ltd | 2次電子検出器 |
JP2015026596A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-02-05 | 日本電子株式会社 | 検出器および荷電粒子線装置 |
-
1988
- 1988-05-19 JP JP63122589A patent/JPH01292282A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01319240A (ja) * | 1988-06-16 | 1989-12-25 | Jeol Ltd | 2次電子検出器 |
JP2015026596A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-02-05 | 日本電子株式会社 | 検出器および荷電粒子線装置 |
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