JPH01290309A - Filter circuit - Google Patents

Filter circuit

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JPH01290309A
JPH01290309A JP12090588A JP12090588A JPH01290309A JP H01290309 A JPH01290309 A JP H01290309A JP 12090588 A JP12090588 A JP 12090588A JP 12090588 A JP12090588 A JP 12090588A JP H01290309 A JPH01290309 A JP H01290309A
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Japan
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transistor
emitter
collector
base
circuit
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JP12090588A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideyuki Nakanishi
英行 中西
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PURPOSE:To facilitate the characteristic adjustment even if the resistance is dispersed in an IC by varying the resistance of a resistor mounted externally to the IC so as to change the inductance of an equivalent inductance circuit. CONSTITUTION:An equivalent inductance is formed by a transconductance gm2 of a differential two-stage amplifier circuit 61, a transconductance gm1 of a differential amplifier circuit 62, a capacitance CL of a load 36 of the said amplifier circuit 61 and sum R12 of emitter dynamic resistances of two transistors (TRs) 39, 40, and an RLC filter is constituted by the equivalent inductance and a capacitor 42 connected to an output terminal and the entire circuit is constituted by an IC except a variable resistor 56. Since the said conductances gm1, gm2 are varied by varying the current of the absolute temperature proportional variable constant current circuit 60 through the adjustment of the resistance of the said variable resistor 56, then the inductance is varied equivalently and the cut-off frequency of the filter circuit is varied at the same time.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 この発明は、半導体集積回路に好適なRLCローパスフ
ィルタ回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an RLC low-pass filter circuit suitable for semiconductor integrated circuits.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

民生用、AV商品等の普及に伴い、数M Hz程度のビ
デオ信号処理の可能なアナログフィルタの集積回路(以
下、rIcJという)化が強く望まれている。アナログ
フィルタの1つとしてRLCフィルタがあるが、現在の
IC技術ではインダクタンス素子を回路素子として利用
することはできない、そこでRLCフィルタをIC化す
る場合はインダクタンス素子以外の受動素子や能動素子
を用いて等価インダクタンス回路を合成し、RLCフィ
ルタ回路を設計する方法がある。しかし、この構成では
、等価インダクタンス回路を構成するために多くの素子
を必要とし、かつ回路の消費電力が大きくなるという問
題点があり、従来から実用化には実際的でないとされて
きた。
With the spread of consumer and AV products, there is a strong desire for analog filter integrated circuits (hereinafter referred to as rIcJ) capable of processing video signals of approximately several MHz. An RLC filter is one type of analog filter, but current IC technology does not allow the use of inductance elements as circuit elements. Therefore, when converting an RLC filter into an IC, it is necessary to use passive or active elements other than inductance elements. There is a method of synthesizing equivalent inductance circuits and designing an RLC filter circuit. However, this configuration has the problems of requiring many elements to configure the equivalent inductance circuit and increasing the power consumption of the circuit, and has traditionally been considered impractical for practical use.

上記問題点を解決するために考案された従来のRLCフ
ィルタ回路としては、例えば(1984IEEE In
ternational S2mposium on 
にIRCUI↑ANDSYSTEMS Proceed
ings VOLIJME 20F3 pθ38〜p8
41”VIDEOFREQUENII;Y ACTIV
E FILTERS)” ニ示さレタ負性インピーダン
ス変換器(Negative fpedancec。
Conventional RLC filter circuits devised to solve the above problems include, for example, (1984 IEEE In
international S2mposium on
IRCUI↑ANDSYSTEMS Proceed
ings VOLIJME 20F3 pθ38~p8
41”VIDEOFREQUENII;Y ACTIV
Negative impedance converter (Negative impedance converter).

舘verter) (以下、rNIcJという)を用い
た第6図に示すようなRLCフィルタ回路が挙げられる
An example of this is an RLC filter circuit as shown in FIG. 6, which uses an RLC filter (rNIcJ) (hereinafter referred to as rNIcJ).

第7図は2次のRLCローパスフィルタ回路の例であり
、図において(1)は入力信号源で、この入力信号源(
1)の一端を電池(2)を介して接地するとともに、こ
の入力信号源(1)の他端をJlpn形トランジスタ(
3)のベースに接続し、このトランジスタ(3)のエミ
ッタを抵抗器(0の一端に接続し、この抵抗器(4)の
他端を定電流源(5)を介して接地するとともに、この
抵抗器(0の他端を抵抗器(8)の一端に接続し、この
抵抗器(6)の他端をnpn形トランジスタ(7)のエ
ミッタに接続し、このトランジスタ(7)のベースを電
池(8)を介して接地する。また、トランジスタ(3)
のコレクタを容量値Cのコンデンサ(9)を介してトラ
ンジスタ(7)のコレクタに接続すると共に、トランジ
スタ(3)のコレクタを抵抗値RGIの抵抗器(10)
の一端に接続し、この抵抗器(10)の他端をnpn形
hランジスタ(11)のエミッタに接続し、このトラン
ジスタ(11)のベースを定電流源(12)を介して接
地すると共に、このトランジスタ(11)のベースをn
pn形トランジスタ(13)のエミッタに接続し、この
トランジスタ(13)のコレクタを電源端子(14)に
接続し、このトランジスタ(13)のベースをnpn形
トランジスタ(IS)のコレクタに接続すると共にこの
トランジスタ(13)のベースをnpn形トランジスタ
(1B)のエミッタに接続する。また、トランジスタ(
15)のエミッタを抵抗値RGIの抵抗器(17)を介
してトランジスタ(7)のコレクタに接続し、トランジ
スタ(15)のベースを定電流源(18)を介して接地
すると共に、このトランジスタ(IS)のベースをnp
n形トランジスタ(18)のエミッタに接続し、このト
ランジスタ(IS)のコレクタを電源端子(14)に接
続し、このトランジスタ(18)のベースをトランジス
タ(11)のコレクタに接続すると共に、npn形トラ
ンジスタ(20)のエミッタに接続し、このトランジス
タ(20)のベースをこのトランジスタ(2Q)のコレ
クタに接続し、このトランジスタ(20)のベースとコ
レクタの接続点を抵抗値RG2の抵抗器(21)を介し
て′rL源端子端子4)に接続すると共に、このトラン
ジスタ(20)のベースとコレクタの接続点を容量値C
Lのコンデンサ(22)の一端に接続し、このコンデン
サ(22)の他端を抵抗値RG2の抵抗器(23)を介
して電源端子(14)に接続すると共に、このコンデン
サ(22)の他端をトランジスタ(1B)のコレクタに
接続し、このトランジスタ(16)のコレクタをトラン
ジスタ(16)のベースに接続し、トランジスタ(20
)のコレクタとベースの接続点より端子(24)を導出
し、トランジスタ(1B)のコレクタとベースの接続点
より端子(25)を導出し、端子(25)に取り出され
た電圧と端子(24)に取り出された電圧の差電圧を出
力電圧として導出するように構成されている。
FIG. 7 shows an example of a second-order RLC low-pass filter circuit. In the figure, (1) is an input signal source, and this input signal source (
1) is grounded via a battery (2), and the other end of this input signal source (1) is connected to a Jlpn type transistor (
3), the emitter of this transistor (3) is connected to one end of a resistor (0), the other end of this resistor (4) is grounded via a constant current source (5), and this The other end of the resistor (0) is connected to one end of the resistor (8), the other end of this resistor (6) is connected to the emitter of the npn transistor (7), and the base of this transistor (7) is connected to the battery. (8) to ground.Also, transistor (3)
The collector of the transistor (3) is connected to the collector of the transistor (7) via a capacitor (9) with a capacitance of C, and the collector of the transistor (3) is connected to a resistor (10) with a resistance of RGI.
The other end of this resistor (10) is connected to the emitter of an NPN type H transistor (11), and the base of this transistor (11) is grounded via a constant current source (12). The base of this transistor (11) is n
Connect the emitter of the pn type transistor (13), connect the collector of this transistor (13) to the power supply terminal (14), connect the base of this transistor (13) to the collector of the npn type transistor (IS), and connect the collector of this transistor (13) to the power supply terminal (14). The base of the transistor (13) is connected to the emitter of the npn transistor (1B). Also, the transistor (
The emitter of the transistor (15) is connected to the collector of the transistor (7) via a resistor (17) with a resistance value RGI, and the base of the transistor (15) is grounded via a constant current source (18). IS) based on np
It is connected to the emitter of an n-type transistor (18), the collector of this transistor (IS) is connected to the power supply terminal (14), the base of this transistor (18) is connected to the collector of the transistor (11), and the npn-type The base of this transistor (20) is connected to the collector of this transistor (2Q), and the connection point between the base and collector of this transistor (20) is connected to the resistor (21) with a resistance value RG2. ) to the 'rL source terminal 4), and connect the connection point between the base and collector of this transistor (20) to the capacitance C
The other end of this capacitor (22) is connected to the power supply terminal (14) via a resistor (23) with a resistance value RG2, and the other end of this capacitor (22) is connected to one end of a capacitor (22) of L. The end of the transistor (1B) is connected to the collector of the transistor (16), the collector of this transistor (16) is connected to the base of the transistor (16), and the transistor (20
) is derived from the connection point between the collector and base of the transistor (1B), and a terminal (25) is derived from the connection point between the collector and base of the transistor (1B), and the voltage taken out to the terminal (25) and the terminal (24 ) is configured to derive the difference voltage between the voltages taken out as the output voltage.

次に動作について説明する。第7図において、入力信号
源(1)の入力信号電圧をV in、入力信号によって
トランジスタ(3)から抵抗器(4)および(8)を介
してトランジスタ(7)に流れる信号電流をi、抵抗器
(4)および(6)の抵抗値をそれぞれREとし、定電
流源(5)による吸い込み電流が十分大きく、トランジ
スタ(3)および(7)のエミッタ動抵抗が抵抗器(4
)および(6)の抵抗値REに比べ、十分小さいとすれ
ば、 が成立する。
Next, the operation will be explained. In FIG. 7, the input signal voltage of the input signal source (1) is V in, and the signal current flowing from the transistor (3) to the transistor (7) via the resistors (4) and (8) due to the input signal is i, Let RE be the resistance values of resistors (4) and (6), respectively, and the sink current by constant current source (5) is sufficiently large, and the emitter dynamic resistance of transistors (3) and (7) is equal to that of resistor (4).
) and (6), the following holds true.

また、信号電流iのうち、抵抗値RGIの抵抗器(17
)からトランジスタ(15) 、 (1B)、抵抗器R
G2の抵抗器(23) 、 (21)および−容量値C
Lのコンデンサ(22)を介してトランジス゛り(20
)、(11’)および抵抗値RGIの抵抗器(lO)に
流れる信号電流を11とし、端子(24)から取り出さ
れる信号電圧をVl、端子(25)から取り出される信
号電圧をV2、出力電圧をVout、信号の角周波数を
ωとすれば、Vout =V2−Vl が成立する。
Also, among the signal current i, a resistor (17
) to transistor (15), (1B), resistor R
G2 resistors (23), (21) and - capacitance value C
The transistor (20
), (11') and the signal current flowing through the resistor (lO) with resistance value RGI is 11, the signal voltage taken out from the terminal (24) is Vl, the signal voltage taken out from the terminal (25) is V2, and the output voltage If Vout is the angular frequency of the signal and ω is the angular frequency of the signal, then Vout=V2−Vl holds true.

他方、信号電流iのうち容量値Cのコンデンサ(9)に
流れる信号電流を12とすれば、1=il++2   
        ・・・(3)ここで、Zin;信号電
流i1が流れる回路網をコンデンサ(9)の両端から見
た ときの入力インピーダンス が成立する。ここで、信号電流i1によりコンデンサ(
9)と抵抗器(10)の接続点に現れる信号電圧をV3
.同じく信号電流11によりコンデンサ(9)と抵抗器
(17)の接続点に現れる信号電圧を■4とすれば、信
号電流i1が流れる回路網をコンデンサ(9)の両端か
ら見たときの入力インピーダンスZinは で与えられる。ここで、信号電流11によりトランジス
タ(18)および(13)のベースに現れる信号電圧を
それぞれV 5.V 8とし、トランジスタ(16)お
よび(20)のエミッタ動抵抗をそれぞれtelとすれ
ば V6 −V5 =V2 −Vi  +2  a  rel@ il  
 ・・・(6)となり、さらにトランジスタ(11)お
よび(15)のベースに現れる信号電圧をそれぞれV 
7.V Bとすれば、トランジスタ(13)および(1
9)はエミツタフオ07回路を構成し、V5 =V8 
 、 VEI =V7 、!:なるから VB  −V7  = −(VB  −V5  )  
    ・−(7)となる。さらに信号電圧11により
トランジスタ(11)および(15)のエミッタに現れ
る信号電圧をそれぞれVB、VIOとし、トランジスタ
(11)および(15)のエミッタ動抵抗をそれぞれr
 e2= (r el)とすれば、 V 10− V 9 =V8−V7 +2 Φre2−i1  −(8)とな
り、 4−V3 = V 10− VB + 2− RGIlli 1 
 −(9)となる、したがって、(6)、(7)、(8
)および(9)式%式% が得られる。また、(2)式より(lO)式はV4−V
3 = (2・RGI となるから、信号電流11が流れる回路網をコンデンサ
(3)の両端から見たときの入力インピーダンスZin
は(5)、(8)式から が成立する。
On the other hand, if the signal current flowing through the capacitor (9) with a capacitance value C out of the signal current i is 12, then 1=il++2
(3) Here, Zin is the input impedance when the circuit network through which the signal current i1 flows is viewed from both ends of the capacitor (9). Here, the capacitor (
The signal voltage appearing at the connection point between 9) and resistor (10) is V3.
.. Similarly, if the signal voltage appearing at the connection point of the capacitor (9) and resistor (17) due to the signal current 11 is 4, then the input impedance when the circuit network through which the signal current i1 flows is viewed from both ends of the capacitor (9). Zin is given by. Here, the signal voltage appearing at the bases of transistors (18) and (13) due to signal current 11 is V5. If V 8 and the emitter dynamic resistance of transistors (16) and (20) are each tel, then V6 -V5 =V2 -Vi +2 a rel@il
...(6), and furthermore, the signal voltages appearing at the bases of transistors (11) and (15) are respectively V.
7. V B, transistors (13) and (1
9) constitutes the emitter pho 07 circuit, V5 = V8
, VEI = V7 ,! :VB −V7 = −(VB −V5 )
・-(7). Further, the signal voltages appearing at the emitters of transistors (11) and (15) due to signal voltage 11 are respectively VB and VIO, and the emitter dynamic resistances of transistors (11) and (15) are r, respectively.
If e2= (r el), then V 10- V 9 = V8-V7 +2 Φre2-i1 - (8), and 4-V3 = V 10- VB + 2- RGIlli 1
−(9), therefore (6), (7), (8
) and (9) formula % formula % are obtained. Also, from equation (2), equation (lO) is V4-V
3 = (2・RGI), so the input impedance Zin when the circuit network through which the signal current 11 flows is viewed from both ends of the capacitor (3)
is established from equations (5) and (8).

よって、(3) 、(4)、(12)式から、+1= ・ RG2 木□ @ i    ・・・(13) @ (RGI−RG2) したがって、(1) 、(2) 、(13)式からこの
回路の伝達関数H(ω)を求めると V out  RG2 H(ω) = −= − Vin   RE ・・・(14) となる、ここで、2・RG1=2・RG2=RGとなる
ように抵抗値を決めれば (14)式は G H(ω)=□ 2・RE 木□           ・・・(15)+1 となり、これはカットオフωCが ■ 0°゛罰璽孕ロー、       −(18)Qが の2次ローパスフィルタであることを示している。
Therefore, from equations (3), (4), and (12), +1= ・RG2 Tree□ @i...(13) @(RGI-RG2) Therefore, equations (1), (2), and (13) Find the transfer function H(ω) of this circuit from If the resistance value is determined, equation (14) becomes G H(ω)=□ 2・RE 木□ ...(15)+1, which means that the cutoff ωC is ■ 0° ) indicates that Q is a second-order low-pass filter.

:57図に示すローパスフィルタ回路は原理的には第8
図に示すNICを利用して等価的にインダクタンスを合
成しフィルタ回路を構成した例である。すなわちこの第
8図に示すNICを用いて第9図のように回路を構成し
、抵抗器(10)、(17)。
:The low-pass filter circuit shown in Figure 57 is in principle the 8th filter circuit.
This is an example in which a filter circuit is constructed by equivalently synthesizing inductance using the NIC shown in the figure. That is, using the NIC shown in FIG. 8, a circuit is constructed as shown in FIG. 9, and resistors (10) and (17) are connected.

(2+)、(22)の抵抗値をそれぞれRG/2とすれ
ば、第9図の回路は第10図に示す等価回路で置き換え
られ、この第10図において端子TI、72間を容量値
CLのコンデンサで終端すれば、端子T 5.T [1
から見込んだときの入力インピーダンスは、等価的に抵
抗値RGの抵抗器(2θ)とインダクタンス値CL−R
G2のインダクタを並列接続したときのインピーダンス
値に等しくなるというものである。
If the resistance values of (2+) and (22) are respectively RG/2, the circuit in FIG. 9 can be replaced with the equivalent circuit shown in FIG. 10, and in this FIG. If it is terminated with a capacitor, the terminal T5. T [1
The input impedance when expected from is equivalently a resistor (2θ) with a resistance value RG and an inductance value CL-R.
It is equal to the impedance value when the G2 inductors are connected in parallel.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来の第7図に示したRLCローパスフィルタ回路は、
少ない素子数で等価インダクタンスを合成して、フィル
タ回路を構成したものであるが、これをIC化した場合
、IC内では抵抗値や容量値の精度が悪いのでフィルタ
のカットオフ周波数がばらつき、また、抵抗値の温度特
性が悪いので、カットオフ周波数の温度特性も悪くなっ
てしまうなどの問題点があった。
The conventional RLC low-pass filter circuit shown in FIG.
A filter circuit is constructed by synthesizing the equivalent inductance with a small number of elements, but when this is integrated into an IC, the accuracy of the resistance and capacitance values within the IC is poor, so the cutoff frequency of the filter varies, and However, since the temperature characteristics of the resistance value are poor, the temperature characteristics of the cutoff frequency are also poor.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、IC内で抵抗値や容量値がばらついてもIC
外部からカットオフ周波数を制御することができ、かつ
温度特性が良好なRLCローパスフィルタ回路を得るこ
とを目的とする。
This invention was made to solve the above problems, and even if the resistance value and capacitance value vary within the IC, the IC
An object of the present invention is to obtain an RLC low-pass filter circuit whose cutoff frequency can be externally controlled and which has good temperature characteristics.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明に係るフィルタ回路は、当該フィルタ回路を構
成する差動2段増幅回路のトランスコンダクタンスおよ
び差動増幅回路のトランスコンタクタンスの値で定まる
ように構成するとともに、これらのトランスコンダクタ
ンスの値を定電流源に流れる電流の大きさを調節するこ
とによって入力インピーダンスの値が可変できるように
構成した等価インダクタンス回路と、コンデンサとによ
ってフィルタ特性を得るように構成したものである。
The filter circuit according to the present invention is configured to be determined by the values of the transconductance of the differential two-stage amplifier circuit and the transconductance of the differential amplifier circuit constituting the filter circuit, and the values of these transconductances are determined. This device is configured to obtain filter characteristics using an equivalent inductance circuit configured so that the value of input impedance can be varied by adjusting the magnitude of the current flowing through the current source, and a capacitor.

〔作用〕[Effect]

この発明におけるフィルタ回路は、差動2段増幅回路の
トランスコンダクタンスをg鵬2.差動増幅回路トラン
スコンダクタンスをgl、上記差動2段増幅回路の負荷
を構成する第1のコンデンサの容量値をCL、2つのト
ランジスタのエミッタ動抵抗の和をR1としたときの入
出力端から見込んだときの入力インピーダンス の等価インダクタンスと、出力端に接続された第2のコ
ンデンサにより2次のRLCフィルタとして作用し、ま
た上記g■1およびg+i2は、定電流電源の電流値に
比例して変えることができるので、定電流源の電流値を
変えることにより等測的にインダクタンス値を変えるこ
とができ、同時にフィルタ回路のカットオフ周波数を変
えることができる。
The filter circuit according to the present invention has a transconductance of a differential two-stage amplifier circuit that is 2. From the input and output terminals, where gl is the differential amplifier circuit transconductance, CL is the capacitance value of the first capacitor that constitutes the load of the differential two-stage amplifier circuit, and R1 is the sum of the emitter dynamic resistances of the two transistors. The equivalent inductance of the expected input impedance and the second capacitor connected to the output terminal act as a second-order RLC filter, and the above g1 and g+i2 are proportional to the current value of the constant current power supply. Therefore, by changing the current value of the constant current source, the inductance value can be changed isometrically, and at the same time, the cutoff frequency of the filter circuit can be changed.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、この発明の一実施例を図に基いて説明する。第1
図は等価インダクタンスを合成し、2次のRLCローパ
スフィルタを構成したこの発明の一実施例の回路図であ
る0図において入力信号源(1)の一端をnpn形トラ
ンジスタ(27)のベースに接続すると共に、この入力
信号源(1)の他端を電池(2)を介して接地し、この
トランジスタ(27)のコレクタを電源端子(14)に
接続し、このトランジスタ(27)のエミッタをダイオ
ード接続されたnpn形トランジスタ(28)のベース
とコレクタの接続点に接続し、このトランジスタ(28
)のエミッタをpnp形トランジスタ(29)のエミッ
タに接続し、このトランジスタ(29)のコレクタを接
地し、このトランジスタ(29)のベースをpnp形ト
ランジスタ(30)のベースに接続すると共に、このト
ランジスタ(29)のベースを電池(31)を介して接
地しこのトランジスタ(30)のコレクタを接地し、こ
のトランジスタ(30)のエミッタをnpn形トランジ
スタ(32)のエミッタに接続し、このトランジスタ(
32)のベースとコレクタの接続点をnpn形トランジ
スタ(33)のエミッタに接続し、このトランジスタ(
33)のコレクタを電源端子(14)に接続する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
The figure is a circuit diagram of an embodiment of this invention in which equivalent inductances are synthesized to form a second-order RLC low-pass filter. In figure 0, one end of the input signal source (1) is connected to the base of the npn transistor (27). At the same time, the other end of this input signal source (1) is grounded via a battery (2), the collector of this transistor (27) is connected to the power supply terminal (14), and the emitter of this transistor (27) is connected to a diode. It is connected to the connection point between the base and collector of the connected npn transistor (28), and this transistor (28
) is connected to the emitter of a pnp transistor (29), the collector of this transistor (29) is grounded, the base of this transistor (29) is connected to the base of a pnp transistor (30), and this transistor (29) is grounded via a battery (31), the collector of this transistor (30) is grounded, the emitter of this transistor (30) is connected to the emitter of an npn transistor (32), and this transistor (
Connect the connection point between the base and collector of the transistor (32) to the emitter of the npn transistor (33).
33) is connected to the power supply terminal (14).

またトランジスタ(28)のエミッタとトランジスタ(
2B)のエミッタの接続点をnpn形トランジスタ(3
4)のベースに接続し、このトランジスタ(34)のエ
ミッタをnpn形トランジスタ(35)のエミッタに接
続し、このトランジスタ(35)のベースをトランジス
タ(32)のエミッタとトランジスタ(30)のエミッ
タとの接続点に接続し、このトランジスタ(35)のコ
レクタを容量値がCLのコンデンサ(38)を介してト
ランジスタ(34)のコレクタに接続すると共に、この
トランジスタ(35)のコレクタをnpn形トランジス
タ(37)のベースに接続し、このトランジスタ(37
)のエミッタをnpn形トランジスタ(38)のエミッ
タに接続し、このトランジスタ(3B)(7)ベースを
トランジスタ(34)のコレクタに11i続すると共に
、このトランジスタ(38)のベースをnpn形トラン
ジスタ(39)のエミッタに接続し、このトランジスタ
(33)のベースをnpn形トランジスタ(40)のベ
ースに接続すると共に、このトランジスタ(39)のベ
ースを電池(41)を介して接地し、このトランジスタ
(39)とトランジスタ(40)のコレクタを共に電源
端子(14)に接続する。また、トランジスタ(38)
のコレクタをトランジスタ(33)のベースに接続し、
トランジスタ(38)のコレクタとトランジスタ(33
)のベースとの接続点を容量値がCのコンデンサ(42
)を介して接地すると共に、トランジスタ(33)のベ
ースより出力端子(43)を導出する。またトランジス
タ(37)のコレクタをトランジスタ(27)のベース
に接続すると共に、このトランジスタ(37)のコレク
タをpnp形トランジスタ(44)のコレクタに接続し
、このトランジスタ(44)のエミッタを電源端子(1
0に接続し、このトランジスタ(44)のベースをPn
P形トランジスタ(45)のベースに接続し、トランジ
スタ(45)のエミッタを電源端子(14)に接続し、
このトランジスタ(45)のコレクタをトランジスタ(
38)のコレクタに接続する。またトランジスタ(34
)のエミツタトトランジスタ(35)のエミッタとの接
続点をnpn形トランジスタ(46)のコレクタに接続
し、このトランジスタ(46)のエミッタを接地する。
Also, the emitter of the transistor (28) and the transistor (
The connection point of the emitter of 2B) is connected to the npn transistor (3B).
4), the emitter of this transistor (34) is connected to the emitter of an npn transistor (35), and the base of this transistor (35) is connected to the emitter of transistor (32) and the emitter of transistor (30). The collector of this transistor (35) is connected to the collector of a transistor (34) via a capacitor (38) with a capacitance value of CL, and the collector of this transistor (35) is connected to an npn type transistor ( This transistor (37) is connected to the base of the transistor (37).
) is connected to the emitter of the npn transistor (38), the base of this transistor (3B) (7) is connected to the collector of the transistor (34) by 11i, and the base of this transistor (38) is connected to the emitter of the npn transistor (38). The base of this transistor (33) is connected to the base of an npn transistor (40), and the base of this transistor (39) is grounded via a battery (41). 39) and the collectors of the transistor (40) are both connected to the power supply terminal (14). Also, transistor (38)
Connect the collector of to the base of the transistor (33),
Collector of transistor (38) and transistor (33)
) with a capacitor (42
), and an output terminal (43) is led out from the base of the transistor (33). Further, the collector of the transistor (37) is connected to the base of the transistor (27), the collector of this transistor (37) is connected to the collector of a pnp transistor (44), and the emitter of this transistor (44) is connected to the power supply terminal ( 1
0 and connect the base of this transistor (44) to Pn
Connect to the base of the P-type transistor (45), connect the emitter of the transistor (45) to the power supply terminal (14),
Connect the collector of this transistor (45) to the transistor (
38) collector. Also, a transistor (34
) is connected to the emitter of the emitter transistor (35) to the collector of an npn transistor (46), and the emitter of this transistor (46) is grounded.

また、トランジスタ(37)のエミッタとトランジスタ
(38)のエミッタの接続点をnpn形トランジスタ(
47)のコレクタに接続し、このトランジスタ(47)
のエミッタを接地し、このトランジスタ(47)のベー
スをトランジスタ(4B)のベースに接続する。またト
ランジスタ(44)のベースとトランジスタ(45)の
ベースとの接続点をnpn形トランジスタ(48)のベ
ースに接続し、このトランジスタ(48)のコレクタを
電源端子(14)に接続し、このトランジスタ(48)
のエミッタを抵抗器(48)を介して接地すると共に、
このトランジスタ(48)のエミッタをpnp形トラン
ジスタ(50)のベースに接続し、このトランジスタ(
50)のコレクタをトランジスタ(4B)のベースとト
ランジスタ(47)のベースとの接続点に接続し、この
トランジスタ(50)のエミッタをエミッタベースおよ
びコレクタがそれぞれ共通接続された2つのpnp形ト
ランジスタ(51)および(51a)のコレクタにそれ
ぞれ接続すると共に、このトランジスタ(50)のエミ
ッタをnpn形トランジスタ(52)のコレクタに接続
し、トランジスタ(51)および(51a)の共通エミ
ッタを電源端子(14)に接続し、このトランジスタ(
51)および(51a)の共通ベースをトランジスタ(
4日)のベースに接続すると共に、このトランジスタ(
51)および(51a)の共通ベースをpnP形トラン
ジスタ(53)のエミッタに接続し、このトランジスタ
(53)のコレクタを接地し、このトランジスタ(53
)のベースをpnp形トランジスタ(54)のコレクタ
に接続し、このトランジスタ(54)のエミッタを電源
端子(14)に接続し、このトランジスタ(54)のベ
ースをトランジスタ(51)および(51a)のベース
とトランジスタ(53)のエミッタの接続点に接続する
。またトランジスタ(52)のエミッタを接地し、この
トランジスタ(52)のベースをトランジスタ(50)
のコレクタとトランジスタ(47)のベースとの接続点
に接続すると共に、このトランジスタ(52)のベース
を、エミッタ、ベースおよびコレクタがそれぞれ共通接
続された2つのnpn形トランジスタ(55)、および
(55a)のベースにそれぞれ接続し、このトランジス
タ(55)および(55a)の共通コレクタをトランジ
スタ(53)のベースとトランジスタ(54)のコレク
タの接続点に接続し、このトランジスタ(55)および
(55a)の共通エミッタを抵抗値Hの抵抗器(5B)
を介して接地したものである。この回路構成において、
トランジスタ(40〜(48) 、(50)〜(55a
)および抵抗m (413)および(56)で4つの出
力端をもつ特開昭56−180597号公報に示された
絶対温度比例定電流発生回路を構成し、抵抗器(5B)
を可変抵抗器とすることにより、トランジスタ(44)
〜(47)を4つの出力端として同一電流値を保ちなが
ら調節できる絶対温度比例可変定電流回路(以下、「定
電流回路」という) (60)を構成している。
Also, connect the connection point between the emitter of the transistor (37) and the emitter of the transistor (38) to the npn transistor (
47), and this transistor (47)
The emitter of the transistor (47) is grounded, and the base of the transistor (47) is connected to the base of the transistor (4B). In addition, the connection point between the base of the transistor (44) and the base of the transistor (45) is connected to the base of an npn transistor (48), the collector of this transistor (48) is connected to the power supply terminal (14), and this transistor (48)
While grounding the emitter of via the resistor (48),
The emitter of this transistor (48) is connected to the base of a pnp transistor (50), and this transistor (
The collector of the transistor (50) is connected to the connection point between the base of the transistor (4B) and the base of the transistor (47), and the emitter of this transistor (50) is connected to two pnp transistors (50) whose emitter bases and collectors are connected in common. 51) and (51a), the emitter of this transistor (50) is connected to the collector of an npn transistor (52), and the common emitter of transistors (51) and (51a) is connected to the power supply terminal (14). ) and connect this transistor (
51) and (51a) is connected to the transistor (
4) and the base of this transistor (
51) and (51a) are connected to the emitter of a pnP transistor (53), the collector of this transistor (53) is grounded, and the
) is connected to the collector of the pnp transistor (54), the emitter of this transistor (54) is connected to the power supply terminal (14), and the base of this transistor (54) is connected to the collector of the transistor (51) and (51a). Connect to the connection point between the base and the emitter of the transistor (53). Also, the emitter of the transistor (52) is grounded, and the base of this transistor (52) is connected to the transistor (50).
and the base of the transistor (52) are connected to the connection point between the collector of the transistor (55) and the base of the transistor (47), and the base of the transistor (52) is connected to two npn transistors (55) and (55a) whose emitters, bases, and collectors are respectively commonly connected. ), and the common collectors of these transistors (55) and (55a) are connected to the connection point between the base of transistor (53) and the collector of transistor (54), and the transistors (55) and (55a) Connect the common emitter of the resistor (5B) with resistance value H.
It is grounded through. In this circuit configuration,
Transistors (40-(48), (50)-(55a)
) and resistors m (413) and (56) constitute an absolute temperature proportional constant current generating circuit shown in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 180597/1983 which has four output terminals, and resistor (5B)
By using a variable resistor, the transistor (44)
- (47) constitute an absolute temperature proportional variable constant current circuit (hereinafter referred to as "constant current circuit") (60) which can be adjusted while maintaining the same current value by using four output terminals.

また、トランジスタ(27)〜(30)、 (32)〜
(35)。
Also, transistors (27) to (30), (32) to
(35).

(39)および(40)で差動2段増幅回路(61)を
構成し、さらにトランジスタ(37)、 (38)、(
44)および(45)で差動増幅回路(82)を構成し
ているや次に動作について説明する。tjl、 1図に
おいて、入力信号源(1)の入力電圧をVin、出方端
子(43)から導出される出力電圧をVout、)ラン
ジスタ(27) 、 (28) 、 (29) 、 (
30) 、 (32)および(33)のエミッタ動抵抗
をそれぞれr e27. r e28. r e29.
 r e30゜r e32およびr e33とし、入力
信号によってトランジスタ(27)のエミッタからトラ
ンジスタ(2B)、(29)、(30) (32)を介
しトラン信号によってトランジスタ(27)のエミッタ
からトランジスタ(2B) 、(2θ)、(30) 、
(32)を介しトランジスタ(33)のベースに流れ込
む信号電流をil とすればが成立する。ここで、トラ
ンジスタ(27) 、(28)、(29) 、 (30
) 、 (32)および(33)のエミッタに流れる電
流のうち直流分の電流を11とし、トランジスタのエミ
ッタ電流工とエミッタ動抵抗reの関係ここで、k:ポ
ルッマン定数 T:絶対温度 q:電子の電荷 を利用すれば re27  + re28  + re29  + r
e30  + re32+re33 となり、(20)式を(18)式に代入すれ!fq−I
+  、   ・・・(21) (Vin−Vout)°6. k、 T= s 1とな
る。また、トランジスタ(29) 、 (30) 、 
(34)および(35)のベース−エミッタ間の電圧を
それぞれVBE29. VBE30. VBE34t−
JヨびVBE35トすしif、V BE29− V B
E34= V BE30− V BE35  −(22
)が成立する。
(39) and (40) constitute a differential two-stage amplifier circuit (61), and further transistors (37), (38), (
44) and (45) form the differential amplifier circuit (82). Next, the operation will be explained. In Figure 1, the input voltage of the input signal source (1) is Vin, the output voltage derived from the output terminal (43) is Vout,) transistors (27), (28), (29), (
30), (32) and (33), respectively, as r e27. r e28. r e29.
r e30° r e32 and r e33, and the input signal causes the signal to flow from the emitter of the transistor (27) through the transistors (2B), (29), (30) and (32), and from the emitter of the transistor (27) to the transistor (2B) by the trans signal. ) , (2θ), (30) ,
If the signal current flowing into the base of the transistor (33) through (32) is il, then the following holds true. Here, transistors (27), (28), (29), (30
), (32) and (33), the DC component of the current flowing through the emitter is assumed to be 11, and the relationship between the emitter current of the transistor and the emitter dynamic resistance re, where k: Pollmann's constant T: absolute temperature q: electron If you use the charge of re27 + re28 + re29 + r
e30 + re32+re33 So, substitute equation (20) into equation (18)! fq-I
+, ...(21) (Vin-Vout)°6. k, T=s 1. Also, transistors (29), (30),
The base-emitter voltage of (34) and (35) is set to VBE29. VBE30. VBE34t-
J Yobi VBE35 to sushi if, V BE29- V B
E34=VBE30-VBE35-(22
) holds true.

ここで、トランジスタ(34)のエミッタからトランジ
スタ(35)のベースに流れ込む信号電流を12、定電
流回路(SO)を構成するトランジスタ(4B)による
吸い込み電流を2I2とすれif、トランジスタ(34
)およびトランジスタ(35)に流れるエミッタ電流は
それぞれI2++2および工2−i2となり、トランジ
スタのエミッタ1ik I eとベース−エミッタ間の
電圧VBEの関係ここで、工S:飽和電流を利用すれば
、(22)式は(23)式の関係を用いて ・・・(24) ココニ、I s29. I s34. I s30. 
I s35はそれぞれトランジスタ(29)、(34)
 、(30)(35)の飽和電流 となる。
Here, the signal current flowing from the emitter of the transistor (34) to the base of the transistor (35) is 12, the current sucked by the transistor (4B) forming the constant current circuit (SO) is 2I2, if the transistor (34)
) and the emitter current flowing through the transistor (35) are I2++2 and 2-i2, respectively, and the relationship between the emitter 1ikIe of the transistor and the base-emitter voltage VBE is: Here, if S: saturation current is used, ( Formula 22) uses the relationship of formula (23)...(24) Coconi, I s29. I s34. I s30.
I s35 are transistors (29) and (34), respectively.
, (30) and (35).

ところで、同−ICチップ内においては、l529 =
 l534− l530 = l535とおけるから、
(24)式は となり(21)式を(25)式に代入すればとなる。
By the way, in the same IC chip, l529 =
Since l534- l530 = l535,
The equation (24) becomes the following by substituting the equation (21) into the equation (25).

ところで、この信号電流12がトランジスタ(39)お
よび(40)のエミッタ動抵抗と容量値CLのコンデン
サ(3B)の並列回路に流れ込むことによってトランジ
スタ(37)のベースと、トランジスタ(38)のベー
スとの間に生じる信号電圧V1は、トランジスタ(38
)および(40)のエミッタ動抵抗をそれぞれr e3
9およびre40とし、信号の角周波数をωとすれば となるが、(19)式の関より であるから、(28)式より(27)式は2−に−T となる。
By the way, this signal current 12 flows into the parallel circuit of the emitter dynamic resistance of the transistors (39) and (40) and the capacitor (3B) with a capacitance value CL, so that the base of the transistor (37) and the base of the transistor (38) are connected to each other. The signal voltage V1 generated between the transistors (38
) and (40), respectively r e3
9 and re40, and the angular frequency of the signal is ω. However, since it is a relation of equation (19), equation (27) becomes 2− to −T from equation (28).

この信号電圧■1によりトランジスタ(37)のエミッ
タからトランジスタ(38)を介し容量値Cのコンデン
サ(42)に流れ込む信号型f&i 3は、トランジス
タ(37)および(38)のエミッタ動抵抗をそれぞれ
r e37およびr e38とすればとなり、ここで定
電流回路(60)を構成するトランジスタ(47)によ
る吸い込み電流を2I3とすれば、(30)式は(19
)式の関係よりとなる。この信号電流i3が容量値Cの
コンデンサ(42)に流れ込むことによって信号電圧が
生じ、出力端子(43)から取り出されるのであるから
、容量値Cのコンデンサ(42)によって生じる信号電
圧は出力電圧V outである。したがってが成立する
Signal voltage (f&i) 3, which flows from the emitter of the transistor (37) through the transistor (38) to the capacitor (42) with a capacitance value C due to this signal voltage ■1, increases the emitter dynamic resistance of the transistors (37) and (38), respectively. e37 and r e38, and here, if the sink current by the transistor (47) that constitutes the constant current circuit (60) is 2I3, then equation (30) becomes (19
) from the relationship of the equation. When this signal current i3 flows into the capacitor (42) with a capacitance value C, a signal voltage is generated and taken out from the output terminal (43). Therefore, the signal voltage generated by the capacitor (42) with a capacitance value C is the output voltage V It is out. Therefore, holds true.

ここで、Vlは(26)式、 (24)式より2・に・
T ・・・(33) であるので、(33)式を(32)式に代入してこの回
路の伝達関数H(ω)を求めると。
Here, Vl is 2. from equations (26) and (24).
T...(33) Therefore, by substituting equation (33) into equation (32), we find the transfer function H(ω) of this circuit.

となる。becomes.

一方、定電流回路(60)を構成するトランジスタ(4
8) 、 (47)および(52)のベース−エミッタ
間電圧をソn −P しV BE4Ei、 V BE4
7t−3J:びVBE52.!l:すれば、V BE4
B= V BE47= V BE52であるので、(2
3)式の関係から I e4G = I e4? = I e52    
 −−−  (35)ここでIe48:)ランジスタ(
46)のエミツ・り電流Ie47:トランジスタ(47
)のエミッタ電流Ie52:トランジスタ(52)のエ
ミッタ電流が成立し、またトランジスタのベース接地の
電流増幅率は十分1に近い値であるので Ie4G =Ie47 =21112 =2・I3 =
(38)が成立とする。
On the other hand, the transistor (4) constituting the constant current circuit (60)
8) The base-emitter voltages of (47) and (52) are expressed as V BE4Ei, V BE4
7t-3J: and VBE52. ! l: Then, V BE4
Since B = V BE47 = V BE52, (2
3) From the relationship of the formula, I e4G = I e4? = I e52
--- (35) Here Ie48:) transistor (
46) Emitsuri current Ie47: Transistor (47
) emitter current Ie52: The emitter current of transistor (52) is established, and the current amplification factor of the common base of the transistor is sufficiently close to 1, so Ie4G = Ie47 = 21112 = 2・I3 =
(38) is established.

同様にトランジスタ(51)と(51a)のエミッタ電
流の和はトランジスタ(52)のエミッタ電流I e5
2に等しく、かつ、トランジスタ(51)、(51a)
および(54)のエミッタ電流はそれぞれ等しく、かつ
、トランジスタ(55)と(55a)のエミッタ電流の
和はトランジスタ(54)のエミッタ電流に等しい、す
なわち Ie52 =2 m Ie51 =2 e Ie51a
=2 * Ie54= 4 ・I e55 = 411
T e55a  ・・・(37)ここにIe51:)ラ
ンジスタ(51)のエミッタ電流Ie51a:)ランジ
スタ(51a)のエミッタ電流 Ie54:)ランジスタ(54)のエミッタ電流Ie5
5:)ランジスタ(55)のエミッタ電流Ie55a:
)ランジスタ(55a)のエミッタ電流 が成立する。
Similarly, the sum of the emitter currents of transistors (51) and (51a) is the emitter current of transistor (52) I e5
2 and transistors (51), (51a)
The emitter currents of and (54) are equal, and the sum of the emitter currents of transistors (55) and (55a) is equal to the emitter current of transistor (54), that is, Ie52 = 2 m Ie51 = 2 e Ie51a
=2 * Ie54= 4 ・Ie55 = 411
T e55a ... (37) Here Ie51:) Emitter current of transistor (51) Ie51a:) Emitter current of transistor (51a) Ie54:) Emitter current of transistor (54) Ie5
5:) Emitter current Ie55a of transistor (55):
) The emitter current of the transistor (55a) is established.

またトランジスタ(55)および(55a)のエミッタ
電流I e55およびI e55aが抵抗値R(7)抵
抗器(58)に流れ込むことによって生じる電圧と、ト
ランジスタ(55)のベース−エミッタ間電圧V BE
55の和は、トランジスタ(46)および(47)のベ
ース−エミッタ間電圧V BE4BおよびV BE4?
に等しいからV BE48= V BE47= V B
E55+ R(I e55 + I e55a)   
−(38)が成立する。
In addition, the voltage generated when the emitter currents I e55 and I e55a of the transistors (55) and (55a) flow into the resistor (58) with a resistance value R (7) and the base-emitter voltage V BE of the transistor (55)
The sum of 55 is the base-emitter voltages VBE4B and VBE4? of transistors (46) and (47).
Since it is equal to V BE48= V BE47= V B
E55+R (I e55 + I e55a)
-(38) holds true.

ここで、I e4B = I e47 = I e52
 = 2弓2;2・l3=Iとおけば、 (33)式は(37)式および(23)式の関係を用い
て、■ ここにl548:)ランジスタ(46)の飽和電波1s
55:)ランジスタ(55)の飽和電流となる。したが
って工は(34)式より、となり、絶対温度に比例した
電澄値となる。
Here, I e4B = I e47 = I e52
= 2 bow 2; 2・l3=I, equation (33) uses the relationship of equations (37) and (23), ■ Here, l548:) Saturation radio wave 1s of transistor (46)
55:) This becomes the saturation current of the transistor (55). Therefore, from equation (34), the temperature becomes as follows, and the electrolytic value is proportional to the absolute temperature.

(34)式は(4o)式より となり、これはカットオフ周波数ωCがで、Qが の2次ローパスフィルタであることを示している。Equation (34) is from equation (4o) This means that the cutoff frequency ωC is and Q is This shows that it is a second-order low-pass filter.

そしてまた、これは抵抗値Rの抵抗器(5B)をIC外
付は可変抵抗器とすれば、IC内でコンデンサ(36)
の容量値CLやコンデンサ(42)の容量値Cの値がば
らついても、カットオフ周波数ωCは抵抗器(56)の
抵抗値Rの値を制御することにより補正でき、また各I
C間ではCLやCの絶対値はばらつくが、CL、!−C
の比は一定と考えることができるので、各IC間でのQ
のばらつきは無視できる。
Also, if the resistor (5B) with a resistance value of R is used as a variable resistor external to the IC, the capacitor (36) inside the IC
Even if the capacitance value CL of the capacitor (42) and the capacitance value C of the capacitor (42) vary, the cutoff frequency ωC can be corrected by controlling the resistance value R of the resistor (56).
Although the absolute values of CL and C vary among C, CL,! -C
The ratio of Q between each IC can be considered to be constant.
The variation in can be ignored.

さらに、CLやCの値は温度により変化しないので温度
特性の良好なフィルタ回路となる。
Furthermore, since the values of CL and C do not change with temperature, the filter circuit has good temperature characteristics.

第1図に示すローパスフィルタ回路は、原理的には、第
2図に示すように等価インダクタンス回路を構成し、等
両市にRLCフィルタ回路を構成した例である。この第
2図において、 (Ia)は入力端子を示し、(44a
)、(45a)は共に流れる電流の大きさがI/2の可
変定電流源を示し、(48a)。
The low-pass filter circuit shown in FIG. 1 is, in principle, an example in which an equivalent inductance circuit is constructed as shown in FIG. 2, and an RLC filter circuit is constructed on both sides. In this Figure 2, (Ia) indicates the input terminal, (44a
) and (45a) both represent variable constant current sources whose flowing current is I/2, and (48a).

(47a)は共に流れる電流の大きさが■の可変定電流
源を示す。さらにこの第2図に示す回路は、第3図に示
す等価回路で表現することができる。
(47a) shows a variable constant current source in which the magnitude of the current flowing together is ■. Further, the circuit shown in FIG. 2 can be expressed by an equivalent circuit shown in FIG.

第3図において、抵抗器(57)は第2図中のトランジ
スタ(39)のエミッタ動抵抗とトランジスタ(40)
のエミッタ動抵抗の和を示し、 (58)は端子T7 
、端子18間の電圧v1に対しgml倍の電流が流れる
電圧制御電波源を示し、ここにgmlは第2図中のトラ
ンジスタ(37)および(38)から成る差動増幅回路
(62)のトランスコンダクタンスを示す。さらに(5
9)は入力端子(Ia)と出力端子(43)間の電圧V
L+−Vautに対しgm2倍の′fI!、流が滝れる
電子制御電流源を示し、ここにgm2は第2図中のトラ
ンジスタ(27)、(28)、(29) 、(30) 
、(32)、(33) 。
In Figure 3, the resistor (57) is the emitter dynamic resistance of the transistor (39) in Figure 2 and the transistor (40).
(58) is the sum of emitter dynamic resistance of terminal T7
, represents a voltage-controlled radio wave source in which a current gml times the voltage v1 between the terminals 18 flows, where gml is the transformer of the differential amplifier circuit (62) consisting of transistors (37) and (38) in FIG. Indicates conductance. Furthermore (5
9) is the voltage V between the input terminal (Ia) and the output terminal (43)
'fI which is twice gm for L+-Vout! , shows an electronically controlled current source with a falling current, where gm2 is the transistor (27), (28), (29), (30) in FIG.
, (32), (33).

(34)および(35)から成る差動2段増幅回路(6
1)のトランスコンダクタンスを示す、この第3図にお
いて入力端子(1a)と出力端子(43)から見込んだ
ときの入力インピーダンスZinは となるが、抵抗器(57)の抵抗値をR1とすれば・・
・(45) が成立するので、(45)式を(44)式に代入すれば
・・・(46) となり、これは抵抗器RLが g腸!”gm2”RI CL でリアクタンス分XLが□でかつりアクgml・ gr
s2 タンス分XLは誘導性リアクタンスであることを示す、
すなわち第3図においで、入力端子(Ia)と出力端子
(43)間で等両市にインダクタンスとしてふるまうも
のである。
A differential two-stage amplifier circuit (6) consisting of (34) and (35)
In this Figure 3, which shows the transconductance of 1), the input impedance Zin when looking from the input terminal (1a) and the output terminal (43) is, but if the resistance value of the resistor (57) is R1, then・・・
・Since (45) holds true, substituting equation (45) into equation (44) results in...(46), which means that resistor RL is the intestine! "gm2" RI CL, reactance XL is □ and active gml/gr
s2 indicates that the tangent XL is an inductive reactance,
That is, in FIG. 3, it behaves equally as an inductance between the input terminal (Ia) and the output terminal (43).

従って第1図に示すローパスフィルタ回路は等両市に第
4図に示す回路で置き換えることができる。第4図にお
いて、(7o)は抵抗値RLの抵抗器を示し、(71)
はインダクタンス値XLのインダクタを示す、ここでR
LおよびXLの値は(31)式。
Therefore, the low-pass filter circuit shown in FIG. 1 can be equally replaced with the circuit shown in FIG. 4. In FIG. 4, (7o) indicates a resistor with a resistance value RL, and (71)
indicates an inductor with an inductance value XL, where R
The values of L and XL are expressed by formula (31).

(40)式より ・・・(47) (26)式、(40)式より in4    k  −T    !in4gm2=−
一 争 −−*  −= −6・ k ・ TRq6 
 ・ R ・・・(48) さらに、(28)式、(40)式より ・・・(49) であるから となる、すなわち第1図に示すローノくスフイルタ回路
は外付は抵抗器の抵抗値Hの偵を変えることによって、
RLおよびXLの値を変え、フィルりのカットオフ周波
数を制御することカーできる。
From equation (40)...(47) From equations (26) and (40), in4 k -T! in4gm2=-
One dispute −−* −= −6・k・TRq6
・R...(48) Furthermore, from equations (28) and (40),...(49) In other words, in the ronnox filter circuit shown in Figure 1, the external resistor is the resistance of the resistor. By changing the value H,
The fill cutoff frequency can be controlled by changing the values of RL and XL.

なお、第1図に示す実施例において定電流回路(60)
を構成すルトランジスタ(48)、(50) 、8よび
(53)と抵抗器(49)はトランジスタ(51)、(
51a)。
In addition, in the embodiment shown in FIG. 1, the constant current circuit (60)
The transistors (48), (50), 8 and (53) and the resistor (49) constitute the transistors (51), (
51a).

(52)、(54) 、(55)および(55a) c
7) コL/クタ(7)DC動作点を決定づけるための
ものであり、他の構成、たとえば第5図に示す様な構成
にして」二記第1図に示す実施例と同様の効果があげら
れることは述べるまでもない。
(52), (54), (55) and (55a) c
7) The controller L/actuator (7) is for determining the DC operating point, and the same effect as the embodiment shown in FIG. 1 can be obtained by using another configuration, for example, the configuration shown in FIG. 5. There is no need to mention what can be said.

また、第1図に示した実施例では、第1および第2の抵
抗要素としてダイオード接続のトランジスタ(2B) 
、 (32)を用いたが、この変わりに抵抗を用いても
よい。
In the embodiment shown in FIG. 1, diode-connected transistors (2B) are used as the first and second resistance elements.
, (32) was used, but a resistor may be used instead.

第6図は第1.第2の抵抗要素として抵抗器を用いた実
施例のブロック回路図で、(+01)は入力信号と同一
のDC電圧を与える電池を示し、(28a)、(32a
) 、(103)はそれぞれ抵抗値がR2の抵抗器を示
し、(102) 、(105)はnpn形トランジスタ
を示しく104)はpnp形トランジスタを示す。
Figure 6 is 1. In the block circuit diagram of an embodiment using a resistor as the second resistance element, (+01) indicates a battery that provides the same DC voltage as the input signal, (28a), (32a)
) and (103) each indicate a resistor with a resistance value of R2, (102) and (105) indicate an npn transistor, and 104) indicates a pnp transistor.

図に於いて入力信号によってトランジスタ(27)。In the figure, the input signal causes a transistor (27).

(29) 、(30)、(33)および抵抗(28a)
 、 (32a)に流れる信号電流11は Vin−Vout iI=□            ・・・(52)4・
r  e  +  2・R2 となる。
(29), (30), (33) and resistance (28a)
, the signal current 11 flowing through (32a) is Vin-Vout iI=□...(52)4.
It becomes r e + 2・R2.

ここで、 (14)、(25)式より、入力信号によっ
てトランジスタ(34)、(35)に流れる信号電流1
2は ・・・(53) となり、トランジスタ(27) 、(29)、(30)
、(33)、(34)(35)および抵抗(28a) 
、 (32a)から成る差動2段アンプのトランスコン
ダンクタンスg112はg+s2 ・・・(54) となる。
Here, from equations (14) and (25), the signal current 1 flowing through the transistors (34) and (35) due to the input signal
2 becomes...(53), and transistors (27), (29), (30)
, (33), (34) (35) and resistance (28a)
, (32a), the transconductance g112 of the differential two-stage amplifier is g+s2 (54).

一方、トランジスタ(27) 、(29) 、(30)
および(33)のエミッタ電流のうちの直流電流11は
、トランジスタ(102) 、(104) オ、!:び
抵抗(、+03) ニ流aル’1流と等しく、同時に定
電流回路を構成するトランジスタ(+05)による吸い
込み電Q工に等しい。
On the other hand, transistors (27), (29), (30)
The direct current 11 of the emitter current of (33) is the transistor (102), (104), ! : and resistance (, +03) are equal to the second current a'1, and at the same time are equal to the suction current Q by the transistor (+05) that constitutes the constant current circuit.

ゆえに、2・I2 =Il =I     ・・・(5
5)が成立する。
Therefore, 2・I2 =Il =I...(5
5) holds true.

従って、(40) 、 (55)式より(54)式はと
なり、この回路のカットオフ周波数ωCは、第4図に示
す等価回路、および(4B)式から・・・(57) また、Qは となる。
Therefore, from equations (40) and (55), equation (54) becomes, and the cutoff frequency ωC of this circuit is calculated from the equivalent circuit shown in Fig. 4 and equation (4B)...(57) Also, Q Hato becomes.

この場合も第1図の実施例と同様に、ICの外付は抵抗
器(56)の抵抗値Rを変えることによりカットオフ周
波数を変えることができる。また抵抗値R2は温度によ
り変化するが抵抗値RりをHに比べ十分小さくすれば温
度特性はほとんど無視できる。
In this case, as in the embodiment shown in FIG. 1, the cutoff frequency of the external IC can be changed by changing the resistance value R of the resistor (56). Further, the resistance value R2 varies depending on the temperature, but if the resistance value R2 is made sufficiently smaller than H, the temperature characteristics can be almost ignored.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以」−のように、この発明によればIC内で受動LRI
’−の値がばらついても1等価インダクタンス回路のイ
ンダクタンス値をICに外付けした抵抗器の抵抗値を変
えることによって調節することができ、同時にカットオ
フ周波数を補正することができる温度特性の良好なRL
Cフィルタ回路が得られる効果がある。
According to the present invention, passive LRI is implemented within the IC.
Even if the value of '- varies, the inductance value of the 1-equivalent inductance circuit can be adjusted by changing the resistance value of the resistor externally connected to the IC, and at the same time the cutoff frequency can be corrected. Good temperature characteristics. RL
This has the effect of providing a C filter circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例を示す回路図、第2図はこ
の実施例の等価インダクタンス回路を示す図、第3図は
第2図の等価インダクタンス回路原理を示す等価回路図
、第4図は第1図に示した実施例の等価回路図、第5図
は定′Wt流回路の他の構成例を示す回路図、第6図は
この発明の他の実施例の要部を示すブロック回路図、第
7図は従来のNICを利用して等価インダクタンスを合
成して得たRLCローパスフィルタを示す回路図、第8
図はNICを示す回路図、第9図はNICを用いてジア
イレータを構成した回路図、第10図は第9図のジフイ
レータを示す等価回路図である。 (1a)・・・入力端子、(14)・・・第1の基準電
位点である電源端子、(27)・・・第1の極性の第1
のトランジスタ、(28)、 (28a) −第1(7
)抵抗要素、 (:l”l)−・・第2極性の第2のト
ランジスタ、(3o)・・・第2極性の第3のトランジ
スタ、(31)・・・第3の基準位点である電池、 (
32)、 (32a)・・・第2の抵抗要素、(33)
・・・第1極性の第3のトランジスタ、(34)・・・
第1極性の第6のトランジスタ、(35)・・・第1極
性の第8のトランジスタ、 (3B)・・・容量値がC
Lである第1のコンデンサ、(37)・・・第1極性の
第10のトランジスタ、  (38)・・・第1極性の
第9のトランジスタ、(38)・・・第1極性の第5の
トランジスタ、(4o)・・・第1極性の第7のトラン
ジスタ、(41)・・・第4の基準電位点である電池、
(42)・・・容量値がCの第2のコンデンサ、(43
)・・・出方端子、(44a)・・・第3の可変定電流
源、(45a)・・・第2の可変定電流源、(46a)
・・・第1の可変定電流源、 (47a)・・・第4の
可変定電流源、(56)・・・可変抵抗器、(8o)・
・・絶対温度比例可変定電FL回路、(6I〕・・・差
動2段増幅回路、(62)・・・差動増幅回路、(63
)・・・第2の基準電位点である接地点、 (84)・
・・任意の基準電位点。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a diagram showing an equivalent inductance circuit of this embodiment, Fig. 3 is an equivalent circuit diagram showing the principle of the equivalent inductance circuit of Fig. 2, and Fig. 4 is a diagram showing an equivalent inductance circuit of this embodiment. The figure is an equivalent circuit diagram of the embodiment shown in Figure 1, Figure 5 is a circuit diagram showing another example of the configuration of the constant 'Wt flow circuit, and Figure 6 shows the main part of another embodiment of the present invention. Block circuit diagram, Fig. 7 is a circuit diagram showing an RLC low-pass filter obtained by synthesizing equivalent inductance using a conventional NIC, Fig. 8
9 is a circuit diagram showing a NIC, FIG. 9 is a circuit diagram configuring a difilator using the NIC, and FIG. 10 is an equivalent circuit diagram showing the difilator of FIG. 9. (1a)...Input terminal, (14)...Power supply terminal which is the first reference potential point, (27)...First polarity terminal
transistors, (28), (28a) - first (7
) resistance element, (:l”l)--second transistor of second polarity, (3o)...third transistor of second polarity, (31)...at third reference point A certain battery, (
32), (32a)...second resistance element, (33)
...Third transistor of first polarity, (34)...
Sixth transistor of first polarity, (35)... Eighth transistor of first polarity, (3B)... Capacitance value is C
(37)...10th transistor of first polarity, (38)...9th transistor of first polarity, (38)...5th transistor of first polarity transistor, (4o)...a seventh transistor of the first polarity, (41)...a battery serving as a fourth reference potential point,
(42)...Second capacitor with a capacitance value of C, (43
)...Output terminal, (44a)...Third variable constant current source, (45a)...Second variable constant current source, (46a)
...first variable constant current source, (47a)...fourth variable constant current source, (56)...variable resistor, (8o)...
... Absolute temperature proportional variable constant current FL circuit, (6I) ... Differential two-stage amplifier circuit, (62) ... Differential amplifier circuit, (63
)...Grounding point which is the second reference potential point, (84)
...Arbitrary reference potential point. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)入力端子がベースに接続されかつコレクタが第1
の基準電位点に接続された第1極性の第1のトランジス
タのエミッタが第1の抵抗要素を介して第2極性の第2
のトランジスタのエミッタに接続されるとともに当該第
2のトランジスタのコレクタが第2の基準電位点に接続
されかつベースが第3の基準電位点に接続された第1の
直列体と、出力端子がベースに接続されかつコレクタが
上記第1の基準点に接続された第1極性の第3のトラン
ジスタのエミッタが第2の抵抗要素を介して第2極性の
第4のトランジスタのエミッタに接続されるとともに当
該第4のトランジスタのコレクタが上記第2の基準電位
点に接続されかつベースが第3の基準点に接続された第
2の直列体と、ベースが第4の基準電位点に接続されか
つコレクタが上記第1の基準点に接続された第1極性の
第5のトランジスタのエミッタが第1極性の第6のトラ
ンジスタのコレクタに接続されるとともに当該第6のト
ランジスタのエミッタが第1の可変定電流源を介して上
記第2の基準電位点に接続されかつベースが上記第2の
トランジスタのエミッタに接続された第3の直列体と、
ベースが上記第4の基準電位点に接続されかつコレクタ
が上記第1の基準電位点に接続された第1極性の第7の
トランジスタのエミッタが第1極性の第8のトランジス
タのコレクタに接続されるとともに当該第8のトランジ
スタのエミッタが上記第1の可変定電流lに接続されか
つベースが上記第4のトランジスタのエミッタに接続さ
れた第4の直列体とで構成された差動2段増幅回路と、
コレクタが上記出力端子および第2の可変定電流源を介
して上記第1の基準電位点にそれぞれ接続されかつベー
スが上記第6のトランジスタのコレクタに接続された第
1極性の第9のトランジスタのエミッタと、コレクタが
上記入力端子および第3の可変定電流源を介して上記第
1の基準電位点にそれぞれ接続されかつベースが上記第
8のトランジスタのコレクタに接続された第1極性の第
10のトランジスタのエミッタとをそれぞれ第4の可変
定電流源を介して上記第2の基準電位点に接続してなる
差動増幅回路と、上記第6および第8のトランジスタの
両コレクタ間に接続された第1のコンデンサと、上記出
力端子と任意の基準電位点との間に接続された第2のコ
ンデンサとを備え、上記第1ないし第4の可変定電流源
は絶対温度に比例して増減するとともに第1および第4
の可変定電流源は第2および第3の可変定電流源の2倍
の電流値を保ちながら可変に構成されてなるフィルタ回
路。
(1) The input terminal is connected to the base and the collector is the first
The emitter of a first transistor of a first polarity connected to a reference potential point of
A first series body is connected to the emitter of the transistor, and the collector of the second transistor is connected to the second reference potential point, and the base is connected to the third reference potential point, and the output terminal is connected to the base. an emitter of a third transistor of a first polarity connected to and having a collector connected to the first reference point is connected to an emitter of a fourth transistor of a second polarity via a second resistive element; a second series body having a collector connected to the second reference potential point and a base connected to a third reference point of the fourth transistor; and a second series body having a base connected to the fourth reference potential point and the collector is connected to the first reference point, the emitter of the fifth transistor of the first polarity is connected to the collector of the sixth transistor of the first polarity, and the emitter of the sixth transistor is connected to the first variable constant. a third series body connected to the second reference potential point via a current source and whose base is connected to the emitter of the second transistor;
The emitter of a seventh transistor of a first polarity, the base of which is connected to the fourth reference potential point and the collector of which is connected to the first reference potential point, is connected to the collector of an eighth transistor of the first polarity. and a fourth series body in which the emitter of the eighth transistor is connected to the first variable constant current l and the base is connected to the emitter of the fourth transistor. circuit and
a ninth transistor of a first polarity, the collector of which is connected to the first reference potential point via the output terminal and the second variable constant current source, and the base of which is connected to the collector of the sixth transistor; a tenth transistor of a first polarity, whose emitter and collector are respectively connected to the first reference potential point via the input terminal and the third variable constant current source, and whose base is connected to the collector of the eighth transistor; A differential amplifier circuit is connected between the collectors of the sixth and eighth transistors and the emitters of the transistors connected to the second reference potential point via fourth variable constant current sources, respectively. and a second capacitor connected between the output terminal and an arbitrary reference potential point, and the first to fourth variable constant current sources increase and decrease in proportion to the absolute temperature. and the first and fourth
A filter circuit in which the variable constant current source is configured to be variable while maintaining a current value twice that of the second and third variable constant current sources.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015144427A (en) * 2013-12-25 2015-08-06 パナソニック株式会社 Dc off-set cancellation circuit

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