JPH01283377A - 無電解メッキ装置 - Google Patents
無電解メッキ装置Info
- Publication number
- JPH01283377A JPH01283377A JP11223588A JP11223588A JPH01283377A JP H01283377 A JPH01283377 A JP H01283377A JP 11223588 A JP11223588 A JP 11223588A JP 11223588 A JP11223588 A JP 11223588A JP H01283377 A JPH01283377 A JP H01283377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- plating
- anode
- plated
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 title claims description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、無電解メッキ装置に関するものである。
し従来技術]
従来一般に知られる無電解メッキ装置では、メッキ浴組
成、メッキ浴温度は管理されている。
成、メッキ浴温度は管理されている。
[発明か解決しようとする課題]
しかしなから、メッキ浴組成、浴温をコントロールして
いるたりでは、一定の膜厚・性状のメッキ被膜を得るこ
とは困難でおる。例えば、メッキ浴中のロードファクタ
ー及び浴中の液流速はメッキ速度に大ぎく影響を与え、
膜厚や性状の変動要因どなっている。しかるに従来の無
電解メッキ装置ではこれらの変動ファクターに対する対
処かなされていないためメッキ速度か変動し、メッキ被
膜性状のコントロールか不十分となる欠点かあった。ま
た、ロードファクター、液流速がメッキ浴中て局在的に
異なるため、メッキムラ等の欠陥が生じるという問題点
があった。
いるたりでは、一定の膜厚・性状のメッキ被膜を得るこ
とは困難でおる。例えば、メッキ浴中のロードファクタ
ー及び浴中の液流速はメッキ速度に大ぎく影響を与え、
膜厚や性状の変動要因どなっている。しかるに従来の無
電解メッキ装置ではこれらの変動ファクターに対する対
処かなされていないためメッキ速度か変動し、メッキ被
膜性状のコントロールか不十分となる欠点かあった。ま
た、ロードファクター、液流速がメッキ浴中て局在的に
異なるため、メッキムラ等の欠陥が生じるという問題点
があった。
本発明は、無電解メッキ浴中でのメッキ速度を一定にす
ることにより一定の膜厚・性状のメッキ処理品を得よう
とするものである。
ることにより一定の膜厚・性状のメッキ処理品を得よう
とするものである。
[課題を解決するための手段」
この目的を達成するために本発明の無電解メッキ装置は
、被メッキ材が浸漬される無電解メッキ浴中に陽極、陰
極及び被メッキ材の表面電位検知用のリファレンス電極
か配置されると共に、前記陽極又は陰極近傍に水圧セン
サか配置され、該水圧センサの検知信号に基づいて前記
陰極・リファレンス電極間の電位差が制御されるように
構成したものでおる。
、被メッキ材が浸漬される無電解メッキ浴中に陽極、陰
極及び被メッキ材の表面電位検知用のリファレンス電極
か配置されると共に、前記陽極又は陰極近傍に水圧セン
サか配置され、該水圧センサの検知信号に基づいて前記
陰極・リファレンス電極間の電位差が制御されるように
構成したものでおる。
[作用]
上記の構成を有するものであるから、水圧ゼンーリ−の
検知信号が変動すると、メッキ速度V=に/−[(ト〉
・q (P)の式より実際のメッキ速度が求められる1
、ここに「はメッキ浴中のロードファクターを示し、単
位メッキ液最当りの被メッキ付表i”i’rj積で表さ
れる。また、Pは水圧セン−りにより検知されるメッキ
浴の水圧を示す。なお、kはメッキ浴の液組成、液温等
により決定される定数を示す。そこで実際のメッキ速度
か求められると、所期のメッキ速度との差(メッキ速1
宴変動値)か判るので、第4図に示される無電解メッキ
浴の分(!す曲線から陽極・陰極間の電圧(若しくは電
流)の補正値が求められる。すなわらこの第4図に示さ
れる分極曲線はメッキ浴中に被メッキ材を浸漬したたり
の状態(陽極・陰極間に電流を流さない状態)では被メ
ッキ(Δの電極電位がEmix(1)を示し、陽(へ・
陰極間に電圧を印加して電流を流した状態では被メッキ
月の表面電位モニタ用のリファレンス電極の電位か例え
ば「m1x(2)に変化することを示J−もので、この
電極電位の変化量か無電解メツ−1−の電流の変化(i
P+ −)iP2)に対応り−るものて必るから、この
電流の変化を制御することによりメッキ速度の変動分が
補正されることと4【る。
検知信号が変動すると、メッキ速度V=に/−[(ト〉
・q (P)の式より実際のメッキ速度が求められる1
、ここに「はメッキ浴中のロードファクターを示し、単
位メッキ液最当りの被メッキ付表i”i’rj積で表さ
れる。また、Pは水圧セン−りにより検知されるメッキ
浴の水圧を示す。なお、kはメッキ浴の液組成、液温等
により決定される定数を示す。そこで実際のメッキ速度
か求められると、所期のメッキ速度との差(メッキ速1
宴変動値)か判るので、第4図に示される無電解メッキ
浴の分(!す曲線から陽極・陰極間の電圧(若しくは電
流)の補正値が求められる。すなわらこの第4図に示さ
れる分極曲線はメッキ浴中に被メッキ材を浸漬したたり
の状態(陽極・陰極間に電流を流さない状態)では被メ
ッキ(Δの電極電位がEmix(1)を示し、陽(へ・
陰極間に電圧を印加して電流を流した状態では被メッキ
月の表面電位モニタ用のリファレンス電極の電位か例え
ば「m1x(2)に変化することを示J−もので、この
電極電位の変化量か無電解メツ−1−の電流の変化(i
P+ −)iP2)に対応り−るものて必るから、この
電流の変化を制御することによりメッキ速度の変動分が
補正されることと4【る。
[実施例]
以下、本発明を具体化した−・実施例を図面を参照しノ
て説明りる。
て説明りる。
第1図及び第2図に示す無電解メッキ装置1は、メッキ
(曹12白休が陽極となっており、該メッキ槽」2の内
側壁或いは内底壁に少し間隔をありで陰(Φ仮2〜]]
か配設される。そして第3図はその両市(保間近傍を拡
大して示したものでおるが、陽極型]2と各陰極板2〜
11との間には、該メッキ浴中に浸漬される被メッキ4
A(図示−1す)の表面電位をモニタ的に検知するため
のリファレンス電極13が配置されている。また、各陰
極2〜11の近傍に静水圧計測用のピ1−−管が水圧レ
ンザ20〜35として配置される。
(曹12白休が陽極となっており、該メッキ槽」2の内
側壁或いは内底壁に少し間隔をありで陰(Φ仮2〜]]
か配設される。そして第3図はその両市(保間近傍を拡
大して示したものでおるが、陽極型]2と各陰極板2〜
11との間には、該メッキ浴中に浸漬される被メッキ4
A(図示−1す)の表面電位をモニタ的に検知するため
のリファレンス電極13が配置されている。また、各陰
極2〜11の近傍に静水圧計測用のピ1−−管が水圧レ
ンザ20〜35として配置される。
しかしてこのような構成の無電解メッキ装置によれば、
各水圧センリー20〜35にJ:り各陰極2〜]1の近
傍の静水圧の変動が検知されると、次の(])式より各
陰極近傍におりる被メッキ材へのメッキ速度Viが求め
られる。そして更にその実際のメッキ速度■iと所期の
メッキ速度との差/\■iが明らかとなるから、(2)
式より各陰極電位の補正量△Fiか求められることとな
る。
各水圧センリー20〜35にJ:り各陰極2〜]1の近
傍の静水圧の変動が検知されると、次の(])式より各
陰極近傍におりる被メッキ材へのメッキ速度Viが求め
られる。そして更にその実際のメッキ速度■iと所期の
メッキ速度との差/\■iが明らかとなるから、(2)
式より各陰極電位の補正量△Fiか求められることとな
る。
\1i)=に/f(l−i)・g(Pi)・・(1)式
%式%() ・・・(2)式 ここに\/(i):各測定点の実測メッキ速度r(li
): !ノ のロードファクタ〜Q ’(P’i
) : n の静水圧△E(i):各陰極電位の
補正量 「miX:混成電位 △(()−メッキ速度の変動量 に、 k’ :定数 ここてf(+−i)2g(pi)はロードファクター1
−及び静水圧1つのどららか一方を固定して使方の変数
をふり、経験的に求める。
%式%() ・・・(2)式 ここに\/(i):各測定点の実測メッキ速度r(li
): !ノ のロードファクタ〜Q ’(P’i
) : n の静水圧△E(i):各陰極電位の
補正量 「miX:混成電位 △(()−メッキ速度の変動量 に、 k’ :定数 ここてf(+−i)2g(pi)はロードファクター1
−及び静水圧1つのどららか一方を固定して使方の変数
をふり、経験的に求める。
そこ−C△「Iに兄合う電圧補正を、ポテンシコスクッ
[・15により対応する陰極・陽極間になけば、それに
伴い陰(へ・リファ・レンス電(へ間の電位差が補正さ
れ、被メッキ(1表面のメッキ速度(、:J、修正され
て−・定に保持されることとなる。
[・15により対応する陰極・陽極間になけば、それに
伴い陰(へ・リファ・レンス電(へ間の電位差が補正さ
れ、被メッキ(1表面のメッキ速度(、:J、修正され
て−・定に保持されることとなる。
なお、この実施例のように、メッキ浴内の各所に陰4枢
、リファレンス電極及び水圧レンジ−を配置して各所的
に制御づ−るようにすれば、−層液メッキ祠の膜厚や性
状の均vf化か保たれることは言うまでもない。
、リファレンス電極及び水圧レンジ−を配置して各所的
に制御づ−るようにすれば、−層液メッキ祠の膜厚や性
状の均vf化か保たれることは言うまでもない。
(発明の効宋]
以上詳述したことから明らかイアように、本発明にJ、
れば、無電解メッキ浴中−(のロードフ7・フタ−及σ
液流)木の変動に伴うメッキ速度の変動を低下さぜるこ
とか−Cきる3、その結果、メッキ被膜の性状を一定に
することができ、欠陥等の少ない無電イメメッー■被膜
を得ることか−(−きる。。
れば、無電解メッキ浴中−(のロードフ7・フタ−及σ
液流)木の変動に伴うメッキ速度の変動を低下さぜるこ
とか−Cきる3、その結果、メッキ被膜の性状を一定に
することができ、欠陥等の少ない無電イメメッー■被膜
を得ることか−(−きる。。
第1図は、本発明の一実施例に係る無電解メッキ装置の
断面図、第2図は、第1図に示す装置を別方向からみた
断面図、第3図はこの装置の要部の拡大図、第4図は、
このメッキ浴の電極電位変化を示す図である。 図中、2〜11は陰極、12は陽極、13はリファレン
ス電極、20〜35は水圧センサである。
断面図、第2図は、第1図に示す装置を別方向からみた
断面図、第3図はこの装置の要部の拡大図、第4図は、
このメッキ浴の電極電位変化を示す図である。 図中、2〜11は陰極、12は陽極、13はリファレン
ス電極、20〜35は水圧センサである。
Claims (1)
- 1、被メッキ材が浸漬される無電解メッキ浴中に陽極、
陰極及び被メッキ材の表面電位検知用のリファレンス電
極が配置されると共に、前記陽極又は陰極近傍に水圧セ
ンサが配置され、該水圧センサの検知信号に基づいて前
記陰極・リファレンス電極間の電位差が制御されるよう
に構成されることを特徴とする無電解メッキ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11223588A JPH01283377A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 無電解メッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11223588A JPH01283377A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 無電解メッキ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01283377A true JPH01283377A (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=14581626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11223588A Pending JPH01283377A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 無電解メッキ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01283377A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001073163A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Onera (Office National D'etudes Et De Recherches Aerospatiales) | Procede pour former sur un substrat metallique un revetement metallique protecteur exempt de soufre |
-
1988
- 1988-05-09 JP JP11223588A patent/JPH01283377A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001073163A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Onera (Office National D'etudes Et De Recherches Aerospatiales) | Procede pour former sur un substrat metallique un revetement metallique protecteur exempt de soufre |
FR2807073A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-05 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Procede pour former sur un substrat metallique un revetement metallique protecteur exempt de soufre |
US7160582B2 (en) | 2000-03-29 | 2007-01-09 | Office National D'etudes Et De Recherches Aerospatiales | Method for forming on a metallic substrate a sulphur-free metallic coating |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4033830A (en) | On-line amperometric analysis system and method incorporating automatic flow compensation | |
US2851655A (en) | Amperometric continuous measurement system | |
FI91997C (fi) | Elektrodijärjestelmän, johon kuuluu mittauselektrodi, vertailuelektrodi ja vastaelektrodi, käyttö vetyperoksidin pitoisuuden mittaamisessa | |
Lingane et al. | Fundamental Studies with the Dropping Mercury Electrode. 1 III. Influence of Capillary Characteristics on the Diffusion Current and Residual Current | |
JPS638423B2 (ja) | ||
JPH01283377A (ja) | 無電解メッキ装置 | |
CA2124113C (en) | Oxygen analyzer | |
CA1037561A (en) | System for automatically and continuously measuring zinc and sulfuric acid concentration in circulating electrolyte | |
Garreau et al. | Resistance conpensation and faradaic instability in diffusion controlled processes | |
EP2495357B1 (de) | Einrichtung und Verfahren zur Messung der Geschwindigkeit oder der Stromausbeute bei der Abscheidung oder beim Abtrag von Oberflächen und zur darauf basierenden Prozesssteuerung | |
EP0625592B1 (en) | Method and device for the electrolytic recovery of silver in two film processing machines | |
KR100236175B1 (ko) | 이온선택성 전극을 사용한 탈지공정의 알카리농도 자동측정및 제어방법 | |
JP2738527B2 (ja) | 陶磁器の施釉方法及び施釉装置 | |
JP2002286678A (ja) | 金属材質の腐食管理支援装置 | |
JPS6396296A (ja) | 電着塗装における塗料固形成分制御装置 | |
JPH1128474A (ja) | 紙パルプ製造工程のスライム発生状況を評価する方法およびスライムコントロール方法 | |
JPH046452A (ja) | 残留塩素計 | |
JPS6136377B2 (ja) | ||
JP3300327B2 (ja) | 腐食速度測定用電極構造および腐食速度測定方法 | |
JP2835530B2 (ja) | 走査型トンネル顕微鏡 | |
JP2000171432A (ja) | 酸化・還元物質濃度測定装置及びその測定方法 | |
JPH03247799A (ja) | 添加剤濃度の検出装置 | |
JPH0219900B2 (ja) | ||
CN118549501A (zh) | 在线电化学测量水分析物的方法和装置 | |
Dubois et al. | Couloamperometry, a high-performance stationary technique for following very fast reactions |