JPH01281435A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH01281435A JPH01281435A JP63111015A JP11101588A JPH01281435A JP H01281435 A JPH01281435 A JP H01281435A JP 63111015 A JP63111015 A JP 63111015A JP 11101588 A JP11101588 A JP 11101588A JP H01281435 A JPH01281435 A JP H01281435A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置のスイッチング用非線形抵抗２端
子素子に関する。
子素子に関する。
アクティブマトリックス型液晶表示装置におけるスイッ
チング用非線形抵抗２端子素子であるＭＩＭは、それぞ
れ２つの電極に挾まれた絶縁層が高電界で電流を流す性
質を利用しており非線形な電流−電圧特性のメカニズム
は８ｃｈｏｔｔｋｙやＰｏｏｌθ−Ｆｒｅｎｋｅ１機構
等によって説明されている。これらの素子構造例の断面
図を第２図に示す。
チング用非線形抵抗２端子素子であるＭＩＭは、それぞ
れ２つの電極に挾まれた絶縁層が高電界で電流を流す性
質を利用しており非線形な電流−電圧特性のメカニズム
は８ｃｈｏｔｔｋｙやＰｏｏｌθ−Ｆｒｅｎｋｅ１機構
等によって説明されている。これらの素子構造例の断面
図を第２図に示す。
−香簡便で通常実施されているのは、ガラス基板上に、
必２に応じて下地の絶縁層が形成される。これは素子の
静電破壊を防止する目的で形成する。次にＴａ層をスパ
ッタリングで形成し、フォトリソグラフィでバターニン
グする。このパターニングされたＴａ１ｌｊを熱酸化も
しくは＠極酸化にてＴａの酸化膜を形成する。この酸化
膜がＭ工Ｍの上、すなわち絶縁層となる。この後、スパ
ッタリングでＯｒの層を形成、フォ） ＩＪソグラフイ
で必要形状にバターニングする。これでＭＩＭ素子部が
形成され、次に画素の電極となる６明導電膜、一般的に
は工ＴＯ（工ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ ）
がスパッタリングされ、これもフォトリソグラフィで必
要形状にバターニングされる。これらの素子基板を用い
液晶パネルに組みたて使用されている。
必２に応じて下地の絶縁層が形成される。これは素子の
静電破壊を防止する目的で形成する。次にＴａ層をスパ
ッタリングで形成し、フォトリソグラフィでバターニン
グする。このパターニングされたＴａ１ｌｊを熱酸化も
しくは＠極酸化にてＴａの酸化膜を形成する。この酸化
膜がＭ工Ｍの上、すなわち絶縁層となる。この後、スパ
ッタリングでＯｒの層を形成、フォ） ＩＪソグラフイ
で必要形状にバターニングする。これでＭＩＭ素子部が
形成され、次に画素の電極となる６明導電膜、一般的に
は工ＴＯ（工ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ ）
がスパッタリングされ、これもフォトリソグラフィで必
要形状にバターニングされる。これらの素子基板を用い
液晶パネルに組みたて使用されている。
しかし、従来の技術ではＭ工Ｍの重要な特性である′１
流、電圧特性が満足するものが得られていない。第１図
に示す如く、低電圧側での抵抗が若干低い値となってお
り、画質的にはクロストークによる画像ムラが生じ、ま
たスイッチングの場合、電圧保持特性が悪いことからノ
モリー的な機構が弱く高いコントラストを保持すること
が出来なかった。
流、電圧特性が満足するものが得られていない。第１図
に示す如く、低電圧側での抵抗が若干低い値となってお
り、画質的にはクロストークによる画像ムラが生じ、ま
たスイッチングの場合、電圧保持特性が悪いことからノ
モリー的な機構が弱く高いコントラストを保持すること
が出来なかった。
本発明は上記問題点を解決することを目的とし、具体的
にはＭＩＭ素子の電流、電圧特性を充分に急峻な、しか
も低電圧側での抵抗を高め、クロストークによる画像ム
ラや、コントラスト等を高め画質の向上をはかることに
ある。
にはＭＩＭ素子の電流、電圧特性を充分に急峻な、しか
も低電圧側での抵抗を高め、クロストークによる画像ム
ラや、コントラスト等を高め画質の向上をはかることに
ある。
複数の行電極と対向基板上にこれに交差して配置された
複数の列電極を備え、これら画電極の交差部にマトリッ
クス状に形成された画素部にスイッチング用非線形抵抗
素子と液晶を電気的に直列に接続して配置したアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置において前記スイッチン
グ用非線形抵抗素子がＭ工Ｍの２端子素子であり、どち
らか−方の接続金属層ＭがＴｉを１〜５ｗｔ％を含んだ
Ｔａからなり、且つ絶縁層は上記接続金属層Ｍを酸化し
て得ることにより、上述の問題点を解決する。
複数の列電極を備え、これら画電極の交差部にマトリッ
クス状に形成された画素部にスイッチング用非線形抵抗
素子と液晶を電気的に直列に接続して配置したアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置において前記スイッチン
グ用非線形抵抗素子がＭ工Ｍの２端子素子であり、どち
らか−方の接続金属層ＭがＴｉを１〜５ｗｔ％を含んだ
Ｔａからなり、且つ絶縁層は上記接続金属層Ｍを酸化し
て得ることにより、上述の問題点を解決する。
まず、ガラス基板上に、Ｔａを５００Ｘスパツタする。
このガラス基板材質はフーニング社製７０５９＃Ｂａホ
ウケイ酸ガラスを使用した。他の透明基板でも本発明で
は使用可能である。
ウケイ酸ガラスを使用した。他の透明基板でも本発明で
は使用可能である。
このＴａを５００℃大気中にて熱酸し、ＴａｔＯ。
を得た。この酸化膜は透明となる。
次に、Ｔｉを含むＴａをスパッタリングした。
厚みは３０００Ｘとした。Ａｒガス圧１０ｍＴｏｒｒ、
入力電力２ＫＷのＲ？スパッタの条件下で実施した。Ｔ
ａターゲットはＴ１を、それぞれ０％（従来例）１％、
２％、５％、（以上本発明例）１５％、７％（比較例）
を含んだものを用いた。
入力電力２ＫＷのＲ？スパッタの条件下で実施した。Ｔ
ａターゲットはＴ１を、それぞれ０％（従来例）１％、
２％、５％、（以上本発明例）１５％、７％（比較例）
を含んだものを用いた。
次）て、レジストを所定の寸法に露光現像しＴ１を含む
Ｔａをドライエツチング装置を用いエツチングした。ド
ライエツチングガスは０Ｆ４（６０％）＋０ｔ（４０％
）で５５０８００Ｍの流量でエツチングした。このＴ１
を含むＴａのＭ工Ｍ素子部は５μｍの線巾とした。この
所定の寸法にバターニングしたＴ１を含むＴａを１％ク
エン酸中に浸漬し陽極酸化法により酸化した。最終電圧
は３５ Ｖとした。Ｏｆ）酸化膜の厚みは、エリプリメ
ータで測定した結果約５ｏｏＸであった。次にクロムな
スパッタリングした。厚みは１ｓｏｏＸとした。
Ｔａをドライエツチング装置を用いエツチングした。ド
ライエツチングガスは０Ｆ４（６０％）＋０ｔ（４０％
）で５５０８００Ｍの流量でエツチングした。このＴ１
を含むＴａのＭ工Ｍ素子部は５μｍの線巾とした。この
所定の寸法にバターニングしたＴ１を含むＴａを１％ク
エン酸中に浸漬し陽極酸化法により酸化した。最終電圧
は３５ Ｖとした。Ｏｆ）酸化膜の厚みは、エリプリメ
ータで測定した結果約５ｏｏＸであった。次にクロムな
スパッタリングした。厚みは１ｓｏｏＸとした。
このクロムを所定の寸法にレジストでバターニングしエ
ツチングした。Ｍ工Ｍ素子部の線中は５μｍとした。エ
ツチング液は諸星インク製ＭＰＭ−Ｅ３０を用いた。次
に画素電極の１ＴＯをスパッタリングで形成し、フォト
リングラフィで画素電極を形成した。
ツチングした。Ｍ工Ｍ素子部の線中は５μｍとした。エ
ツチング液は諸星インク製ＭＰＭ−Ｅ３０を用いた。次
に画素電極の１ＴＯをスパッタリングで形成し、フォト
リングラフィで画素電極を形成した。
ここで本発明と従来の比較を行なう。第１図に電流−電
圧曲線図を示す。図中の記号１，２．５は本発明の膜で
ある。従来の膜は記号４とし、またＴ１の含有の限定理
由のため、比較例として５．６を示す。それぞれのＴ１
の含有を下表１ＶＣ示す。
圧曲線図を示す。図中の記号１，２．５は本発明の膜で
ある。従来の膜は記号４とし、またＴ１の含有の限定理
由のため、比較例として５．６を示す。それぞれのＴ１
の含有を下表１ＶＣ示す。
第′Ｉ図から明らかの様に％従来技術である記号４より
も本発明例は傾きが急峻であり、低電圧側で高抵抗にな
っている。これは、となりＯＷｉ極からのクロストーク
を受けにくくすることであり、クロストークによる画質
の低下はなくなることを意味する。さらには、信号が切
れた時にも、電圧保持が大きくなるため、画質は向上す
る。
も本発明例は傾きが急峻であり、低電圧側で高抵抗にな
っている。これは、となりＯＷｉ極からのクロストーク
を受けにくくすることであり、クロストークによる画質
の低下はなくなることを意味する。さらには、信号が切
れた時にも、電圧保持が大きくなるため、画質は向上す
る。
次にＴ１の含有量の限定理由を述べる。これも図からあ
きらかの様に記号５のＴ１が０．５ｗｔ％以下では従来
と同じ様な特性を示し、また、記号６のｒｉが７ｗｔ％
では、全体の抵抗が高くなり、液晶へのフこ圧印加が遅
れ、レスポンスが悪くすってしまうことになる。したが
って、Ｔａの含有量は１ｗｔ％から５ｗｔ％とじた。
きらかの様に記号５のＴ１が０．５ｗｔ％以下では従来
と同じ様な特性を示し、また、記号６のｒｉが７ｗｔ％
では、全体の抵抗が高くなり、液晶へのフこ圧印加が遅
れ、レスポンスが悪くすってしまうことになる。したが
って、Ｔａの含有量は１ｗｔ％から５ｗｔ％とじた。
なお、本発明は一方の金４がＴ１を１ｗｔ％から５ｗｔ
％を含むＴａであり、かつ絶縁膜がこのＴａｇを酸化し
て得られたものであればもう一方の金属は、Ｏｒ以外で
も良い。また、酸化方法も実施例で示した陽極酸化法に
限るものではなく、熱酸化法でも良い。
％を含むＴａであり、かつ絶縁膜がこのＴａｇを酸化し
て得られたものであればもう一方の金属は、Ｏｒ以外で
も良い。また、酸化方法も実施例で示した陽極酸化法に
限るものではなく、熱酸化法でも良い。
以上述べた様に、本発明によれば、急峻な電流、電圧特
性を持つＭ工Ｍ素子を得ることが出来、クロストークに
よる画質の低下がなくなり、画質の向上がはかられる。
性を持つＭ工Ｍ素子を得ることが出来、クロストークに
よる画質の低下がなくなり、画質の向上がはかられる。
ざら＆で、信号無印加時の液晶からの電圧放電も少なく
なり、メモリー機能を有し、画質の向上がはかられた。
なり、メモリー機能を有し、画質の向上がはかられた。
また、コントラストも向上し ７００７エーテイで液晶
パネルを駆動してもクロストークを生じないという効果
を有する。
パネルを駆動してもクロストークを生じないという効果
を有する。
第１図は本発明の特徴を明らかにした電流−電圧曲線図
である。 １・・・・・・・・・本発明例（Ｔ１１ｗｔ％＋Ｔａ）
２・・・・・・・・・本発明例（Ｔｉ２ｗｔ％＋Ｔａ）
３・・・・・・・・・本発明例（’ｒｉｓｗｔ％＋Ｔａ
）４・・・・・・・・・従来例（’ｒｉｏｗｔ％＋’ｒ
ａ）５・・・・・・・・・比較例（Ｔ ｉ ｌ１５ｗｔ
％＋’ｒａ）６・・・・・・・・・比較例（Ｔ １７ｗ
ｔ％＋Ｔａ）である。 第２図は、ＭＩＲＡＬｙ）素子部の断面色の例示である
。 ２１・・・・・・基 板 ２２・・・・・・下地保護膜 ２５・・・・・・下部電極 ２４・・・・・・絶縁層 ２５・・・・・・上部電極 ２６・・・・・・画素電極 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 銘木喜三部（他１名）発 圧（７） 名 １１あ 茗 ２１コ
である。 １・・・・・・・・・本発明例（Ｔ１１ｗｔ％＋Ｔａ）
２・・・・・・・・・本発明例（Ｔｉ２ｗｔ％＋Ｔａ）
３・・・・・・・・・本発明例（’ｒｉｓｗｔ％＋Ｔａ
）４・・・・・・・・・従来例（’ｒｉｏｗｔ％＋’ｒ
ａ）５・・・・・・・・・比較例（Ｔ ｉ ｌ１５ｗｔ
％＋’ｒａ）６・・・・・・・・・比較例（Ｔ １７ｗ
ｔ％＋Ｔａ）である。 第２図は、ＭＩＲＡＬｙ）素子部の断面色の例示である
。 ２１・・・・・・基 板 ２２・・・・・・下地保護膜 ２５・・・・・・下部電極 ２４・・・・・・絶縁層 ２５・・・・・・上部電極 ２６・・・・・・画素電極 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 銘木喜三部（他１名）発 圧（７） 名 １１あ 茗 ２１コ
Claims (1)
- 複数の行電極と対向基板上にこれに交差して配置され
た複数の列電極を備え、これら両電極の交差部にマトリ
ックス状に形成された画素部にスイッチング用非線形抵
抗素子と液晶を電気的に直列に接続して配置したアクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置において前記スイッチ
ング用非線形抵抗素子がＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕ
ｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）の２端子素子であり、どちら
か一方の接続金属層ＭがＴｉを１〜５ｗｔ％を含んだＴ
ａからなり、且つ絶縁層は上記接続金属層Ｍを酸化して
得たことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111015A JPH01281435A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111015A JPH01281435A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01281435A true JPH01281435A (ja) | 1989-11-13 |
Family
ID=14550235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63111015A Pending JPH01281435A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01281435A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100277024B1 (ko) * | 1997-10-31 | 2001-01-15 | 구본준 | 선택적 식각기술을 이용한 액정표시장치 제조방법 |
| US6335781B2 (en) | 1998-12-17 | 2002-01-01 | Lg Electronics, Inc. | Method for manufacturing an LCD in which a photoresist layer is at least 1.2 times thicker than the passivation layer |
-
1988
- 1988-05-07 JP JP63111015A patent/JPH01281435A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100277024B1 (ko) * | 1997-10-31 | 2001-01-15 | 구본준 | 선택적 식각기술을 이용한 액정표시장치 제조방법 |
| US6458613B1 (en) | 1997-10-31 | 2002-10-01 | Lg Electronics, Inc. | Method for manufacturing a liquid crystal display using a selective etching method |
| US6335781B2 (en) | 1998-12-17 | 2002-01-01 | Lg Electronics, Inc. | Method for manufacturing an LCD in which a photoresist layer is at least 1.2 times thicker than the passivation layer |
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