JPH012786A - Ion beam processing machine - Google Patents

Ion beam processing machine

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Publication number
JPH012786A
JPH012786A JP62-155358A JP15535887A JPH012786A JP H012786 A JPH012786 A JP H012786A JP 15535887 A JP15535887 A JP 15535887A JP H012786 A JPH012786 A JP H012786A
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JP
Japan
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blanking
ion beam
ion
processing machine
mass
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Application number
JP62-155358A
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JPS642786A (en
Inventor
主原 昭
靖 久岡
茂雄 佐々木
Original Assignee
三菱電機株式会社
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱電機株式会社 filed Critical 三菱電機株式会社
Priority to JP62-155358A priority Critical patent/JPH012786A/en
Publication of JPS642786A publication Critical patent/JPS642786A/en
Publication of JPH012786A publication Critical patent/JPH012786A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、イオンビーム加工機に関し、さらに詳しく
いうと、イオン注入あるいはイオンビームj リングなどをXうもので、特に質鈑分離手段を備えたイ
オンビーム加工機に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an ion beam processing machine, and more specifically, an ion beam processing machine that performs ion implantation or ion beam processing, and is particularly equipped with a blank separation means. The present invention relates to an ion beam processing machine.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第9図は従来のイオンビーム加工機であり、例えば液体
金属イオン源などの高輝度なイオン源(1)から出射し
たイオンビーム(2)は、第1の集束レン。
FIG. 9 shows a conventional ion beam processing machine, in which an ion beam (2) emitted from a high-brightness ion source (1) such as a liquid metal ion source is sent to a first focusing lens.

ンズ(3)、ブラフキング装置(4)、質量分離器(5
)、分離用アパチャ(6)、第2の集束レンズ(7)お
よび偏向器(幻を経て試料(9)に至る。イオン源(1
)から放出されたイオンビーム(2) +!i 1 ノ
集束し/ンズ(3)で質量分離器(5)の中心に結像さ
れ、イオンビームの集束点であるクロスオーバ(lo)
が形成される。さらに第2の集束レンズ(7)で縮小さ
れて、試料(9)上に照射される。試料(9)に照射さ
れたイオンビーム(2)は、試料(9)に注入されたり
あるいは試料(9)をスパッタする。
lenses (3), bluffing device (4), mass separator (5)
), separation aperture (6), second focusing lens (7) and deflector (reaches the sample (9) through the ion source (1)
) ion beam emitted from (2) +! i 1 is focused at the center of the mass separator (5) by the ion beam (3), and the crossover (lo) is the focal point of the ion beam.
is formed. The light is further reduced by a second focusing lens (7) and irradiated onto the sample (9). The ion beam (2) irradiated onto the sample (9) is injected into the sample (9) or sputters the sample (9).

質量分離器(5)は、イオンビーム(2)を形成する質
量数(m/e)が異なる数種類のイオン種から、希望す
るイオン種を選択する役割を果たす。例えば、Au−8
iという共晶合金を用いた場合には、Au” 、 Si
+、 Au”、 Si2+などが放出されるので、これ
らのイオン種からAu+あるいはSi+のみを取り出す
役割を果たす。また、Gaなとの単一金属を用いる場合
には、 Ga  、  Ga  なとの同位体を分離す
るのに使われる。
The mass separator (5) plays the role of selecting a desired ion species from several types of ion species having different mass numbers (m/e) that form the ion beam (2). For example, Au-8
When a eutectic alloy called i is used, Au'', Si
+, Au", Si2+, etc. are released, so it plays the role of extracting only Au+ or Si+ from these ion species. Also, when using a single metal such as Ga, it Used to separate bodies.

次に、質量分離器(5)の構成を第10図に示す。Next, the configuration of the mass separator (5) is shown in FIG.

この質量分離器(5)は、gXBマスフィルタト呼ばれ
るもので、希望するイオン種は直進する。
This mass separator (5) is called a gXB mass filter, and the desired ion species travel straight through.

(Lla)、(llb)はポールピース、(12a)、
(12b)はE電極である。いま、ビーム軌道軸(2軸
)に対して直交し、かつ、互いに直交する磁界B0(x
方向)と電界E0(y方向)が存在するとする。中心軸
(2軸)上を直進する荷電粒子(質ffim)に作用す
る力は次式で与えられる。
(Lla), (llb) are pole pieces, (12a),
(12b) is the E electrode. Now, the magnetic field B0(x
direction) and an electric field E0 (y direction). The force acting on a charged particle (quality ffim) traveling straight on the central axis (two axes) is given by the following equation.

m餐=0     ・・・・・・(1)my=q(Eo
−2Bo)・・!・・・(2)mz=qyBo   ・
・・・・・(3)(2)式より、z =Eo/ Bo 
 の条件な満たす荷電粒子は直進し、この条件を満たさ
ない粒子は分離用アパチャ(6)にあたシフィルタアウ
トされる。第10図において、(2)は質量分離される
前のトータルイオンビーム、  (13)は上記の直進
条件を満たすイオンビーム、(14)はフィルタアウト
されたイオンビームな示す。質量分離器(5)の中心に
クロスオーバ(10)が位置しているのは、イオン源の
有するエネルギ分散によって、質量分離器通過後発生す
る非点状の分散を見掛上ゼロにするためである。
m meal = 0 ...... (1) my = q (Eo
-2Bo)...! ...(2) mz=qyBo ・
...From equations (3) and (2), z = Eo/Bo
Charged particles that satisfy the condition travel straight ahead, and particles that do not meet this condition are filtered out by the separation aperture (6). In FIG. 10, (2) shows the total ion beam before mass separation, (13) shows the ion beam that satisfies the above straight forward condition, and (14) shows the filtered ion beam. The reason why the crossover (10) is located at the center of the mass separator (5) is to make astigmatic dispersion that occurs after passing through the mass separator appear to be zero due to the energy dispersion of the ion source. It is.

この発明は、このEXBマスフィルタの設iユされたイ
オンビーム加工機におけるブランキングに関するもので
あるので、従来のブランキング装置を説明する前に、ブ
ランキングの一般論を述べる。
Since this invention relates to blanking in an ion beam processing machine equipped with this EXB mass filter, the general theory of blanking will be described before explaining a conventional blanking device.

第9図において、(4)は最も一般的なブランキング装
置であり、その構造を第11図に示す。(lSa)。
In FIG. 9, (4) is the most common blanking device, and its structure is shown in FIG. 11. (lSa).

(1sb)はイオンビーム(2)の軸に平行におかれた
ブランキング電極、(tsd) 、 (tab)はブラ
ンキング電源である。
(1sb) is a blanking electrode placed parallel to the axis of the ion beam (2), (tsd) and (tab) are blanking power supplies.

ブランキング電源(16a) 、 (tab)に電圧が
発生していないと、ビーム(2)は直進するので、ビー
ム(2)のONの゛状態となシ、電圧が発生するとビー
ム(2)はあたかもブランキング電極(4sa) 、 
(tab)の中心で折シ曲げられたように偏向されるの
でフィルタアクトされ、ビームOFFの状態がそれぞれ
つくりだされる。このとき、必要なブランキング電圧(
VB)は1寸法A、B、C,Dを図示ノヨうKとると、
次式で与えられる。
If no voltage is generated in the blanking power supplies (16a) and (tab), the beam (2) will travel straight, so if the beam (2) is in the ON state, if a voltage is generated, the beam (2) will move straight. As if it were a blanking electrode (4sa),
Since the beam is deflected as if bent at the center of (tab), it is filtered and a beam OFF state is created. At this time, the required blanking voltage (
VB) takes dimensions A, B, C, and D as shown in the diagram, and then
It is given by the following formula.

この式かられかるように、■、を小さくするためには寸
iAを大きくすればよい。ところで、ブランキング装置
ではON・OFFを切り換える際、ビームの試料上での
位置変動が問題になることが多い。
As can be seen from this equation, in order to reduce ■, it is sufficient to increase the dimension iA. By the way, when switching ON/OFF in a blanking device, the positional fluctuation of the beam on the sample often becomes a problem.

第12図はこの状況を示している。図中↓はブランキン
グ電極の中心、0はクロスオーバ(10)の位置、<0
.は試料(9)の位置、実線はビーム軌道軸のビーム軌
道、点線は切り換え時のビーム軌道を示す。ブランキン
グをかけるとビームは↓で示された点から折れ曲がるの
で、クロスオーバ(10)が中心軸から離れる。このた
めクロスオーバ(lO)の結像点は、同図(a)のよう
に、中心軸上から離れた点に移る。ところがこの現象は
、クロスオーバ(lO)の位置とブランキングの中心が
一致する場合にはみられない。この理由は、同図(bl
に示されているように、ブランキングをかげても、クロ
スオーバ(ro)は常に中心軸上に存在するからである
。したがってビームの位置変動を防止するためにはクロ
スオーバ(lO)の位置とブランキングの中心とを一致
させる必要がある。
Figure 12 shows this situation. In the figure, ↓ is the center of the blanking electrode, 0 is the position of the crossover (10), <0
.. indicates the position of the sample (9), the solid line indicates the beam trajectory on the beam trajectory axis, and the dotted line indicates the beam trajectory at the time of switching. When blanking is applied, the beam bends from the point indicated by ↓, so the crossover (10) moves away from the central axis. Therefore, the imaging point of the crossover (lO) moves to a point away from the central axis, as shown in FIG. 2(a). However, this phenomenon is not observed when the position of the crossover (lO) and the center of blanking coincide. The reason for this is shown in the same figure (bl
This is because the crossover (ro) always exists on the central axis even if blanking is hidden, as shown in FIG. Therefore, in order to prevent the beam position from changing, it is necessary to match the position of the crossover (lO) with the center of blanking.

そこでクロスオーバの位置とブランキングの中心とを一
致させることのできる、従来のブランキング装置を第1
3図について説明する。第13図において、 (15a
) 〜(tsd)はポールピース(ha)。
Therefore, a conventional blanking device that can match the crossover position and the center of blanking is used as the first method.
Figure 3 will be explained. In Figure 13, (15a
) ~ (tsd) is the pole piece (ha).

(llb)の前後に設けられた2組の平行平板からなる
ブランキング電極である。図中にはビームOFFのとき
のビーム軌道のみ示されている。この装[aでは2度偏
向されるため、図中実線で示されたような軌道を通る。
This is a blanking electrode consisting of two sets of parallel flat plates provided before and after (llb). In the figure, only the beam trajectory when the beam is OFF is shown. Since this device is deflected twice, it follows a trajectory as shown by the solid line in the figure.

この軌道は、仮想的に、a、tJで示されるように、ポ
ールピース(1ta) 、 (t tb)の中心で一度
だけ偏向された軌道と同等だと考えることができる。し
たがってこの装置によればビームの位置変動を発生させ
ることなくブランキングすることが可能である。
This trajectory can be virtually considered to be equivalent to a trajectory deflected only once at the center of the pole pieces (1ta) and (ttb), as indicated by a, tJ. Therefore, according to this device, blanking can be performed without causing a change in the beam position.

しかしこの装置は構成部品が多いため、製作。However, this device has many components, so we had to manufacture it.

調整(軸合せ)が繁雑である。さらに第1のレンズ(3
)から分離用アパチャ(6)までの距離は制約されてい
るため、ブランキング電極(lSa)〜(15d)の長
さも制限される。このため、ブランキング電圧(vB)
を低くすることは雛かしく1例えば、100〜200v
程度必要である。このため、電圧発生あるいは消滅に要
する時間は、例えば、200m5も要するので、非常に
高速度なブランキングが要求されるイオンビーム加工機
には適用しにくい。
Adjustment (alignment) is complicated. Furthermore, the first lens (3
) to the separation aperture (6) is restricted, so the lengths of the blanking electrodes (lSa) to (15d) are also restricted. Therefore, the blanking voltage (vB)
For example, 100 to 200v
degree is necessary. Therefore, the time required to generate or eliminate the voltage is, for example, 200 m5, making it difficult to apply it to an ion beam processing machine that requires extremely high-speed blanking.

また、例えば、FETなとの高電圧用半導体を使用しな
ければならないため、ブランキング電源は高価になる。
Furthermore, since a high voltage semiconductor such as a FET must be used, the blanking power supply becomes expensive.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

以上のような従来のイオンビーム加工機は、ブランキン
グ装置が以上のように構成されているので、構成が複雑
なため、製作、調整が繁雑で、また、ブランキング電圧
が高いためにブランキングの高速化に対応できないなど
の問題点があった。
The conventional ion beam processing machine as described above has a blanking device configured as described above, so the configuration is complicated, making manufacturing and adjustment complicated, and the blanking voltage is high, making blanking difficult. There were problems such as the inability to cope with faster speeds.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、製作・調整が容易で、ブランキングの高速化
に対応できるブランキング装置を備えたイオンビーム加
工機を得ることを目的とする。
This invention was made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to provide an ion beam processing machine that is easy to manufacture and adjust and is equipped with a blanking device that can handle high-speed blanking. do.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係るイオンビーム加工機は、希望するイオン
種を直交する磁界と電界を用いて質量分離する手段が、
ブランキングする機能を兼ねている。
The ion beam processing machine according to the present invention has a means for mass-separating desired ion species using orthogonal magnetic fields and electric fields.
It also has a blanking function.

〔作用〕[Effect]

この発明においては、ブランキング電源がブランキング
電圧を発生、消滅することにより、質量分離する機能に
何ら障害を生むことなくブランキングする機能を果たす
In this invention, the blanking power supply generates and extinguishes the blanking voltage, thereby performing the blanking function without causing any disturbance to the mass separation function.

〔実施例〕〔Example〕

第1図はこの発明の一実施例における質、!5+離手段
を示し1図妬おいて平行に対峙して設けられたBfi極
(12a)、(12b)に対して垂直に1例えば純鉄な
どの透磁率の大きな材料でな□るポールピース(xta
)、(ob)が配設され、同じく透磁率の大きな材料で
なシ磁路な形成するヨーク(17)が設けられている。
FIG. 1 shows the quality of one embodiment of this invention. 5+ A pole piece (1) made of a material with high magnetic permeability, such as pure iron, is placed perpendicularly to the Bfi poles (12a) and (12b) provided in parallel and facing each other. xta
), (ob), and a yoke (17) formed of a material with high magnetic permeability to form a magnetic path.

ポールピース(lta)、(ttb)にはコイル(te
a)、(tab) カ巻かれている。
The pole pieces (lta) and (ttb) have coils (te).
a), (tab) It is rolled up.

ヨーク(17)は、磁場の対称性および機械的強度を重
視して所謂H型のものとしたが、第2図に示すような、
所謂、C型のものでもよい。
The yoke (17) was made into a so-called H-type with emphasis on the symmetry of the magnetic field and mechanical strength, but as shown in Fig. 2,
A so-called C type may also be used.

また、漏洩磁束を考慮してポールピース(lla)。Also, consider the leakage magnetic flux with the pole piece (lla).

(lxb)にコイル(tea)、(tab)を巻きつけ
たものを示したが、第3図(a) 、 (b)にそれぞ
れ示すように、E−り(17) K :2イ# (te
a)、(tab)または(工8)を巻きつけたものであ
っても、この発明の効果に全く差違はない。
(lxb) is shown with coils (tea) and (tab) wound around it. te
There is no difference in the effect of this invention even if a), (tab) or (step 8) is wound around.

第4図はE電極(12a)、(tzb)に関連する部分
を示したもので、(zoa)、 (2ob) ハE [
Rテh F)、ブランキング電極(16)がE電源(2
0b)に直列に接続されている。
Figure 4 shows the parts related to the E electrodes (12a) and (tzb).
Rteh F), the blanking electrode (16) is connected to the E power supply (2
0b) in series.

またこの実施例では、ブランキング電極が存在しないた
め、調整(軸合せ)を行う必要がない。
Further, in this embodiment, since there is no blanking electrode, there is no need for adjustment (alignment).

次に動作について説明する。例えば69Ga+と71 
Ga+を分離することを考える。69 Ga+を直進さ
せ?IGa+をフィルタアウトするのに必要な磁束密度
(Bo)と電界強度(Eo)は、加速電圧が100kV
ノとき、例えば8000ガウスと4.4kV/cmであ
る。このような磁界および電界を与えると、第4図(a
)のように、ビームONの状態がつくシだされ、ビーム
(13)が69 Ga +、ビーム(14)が71Ga
+に相当する。同図(b)のビームOFFの状態をつく
るには、E電極(rzb)にE電圧(−5上−)の他に
、ブランキング電圧(VB)を加えればよい。ビームは
E電極の中心で折り曲げられたように偏向され。
Next, the operation will be explained. For example, 69Ga+ and 71
Consider separating Ga+. 69 Make Ga+ go straight? The magnetic flux density (Bo) and electric field strength (Eo) required to filter out IGa+ are as follows when the accelerating voltage is 100 kV.
For example, the voltage is 8000 Gauss and 4.4 kV/cm. When such a magnetic field and electric field are applied, Fig. 4 (a
), the beam is ON, beam (13) is 69 Ga +, beam (14) is 71 Ga
Corresponds to +. In order to create the beam OFF state as shown in FIG. 6(b), a blanking voltage (VB) may be applied to the E electrode (rzb) in addition to the E voltage (-5 above-). The beam is deflected so that it is bent at the center of the E electrode.

この偏向はフィルタアウトされたビーム(14)が中心
軸より離れる方向に行う必要がある。逆方向に行うとビ
ーム(14)が分離用アパチャ(6)を通過することが
ある。
This deflection must be performed in a direction in which the filtered out beam (14) is away from the central axis. If done in the opposite direction, the beam (14) may pass through the separation aperture (6).

E電極(tza) 、 (tzb)の中心にはクロスオ
ーパ(10)が形成されているため、0N−OFFを切
り換えても、試料上でビームの位置変動はみられない。
Since a cross opper (10) is formed at the center of the E electrodes (tza) and (tzb), no change in the position of the beam on the sample is observed even when switching ON-OFF.

この装置で、ブランキング電極の長さ(A) K相当す
るのは、E電極(12a)、(t2b)の長さであるが
In this device, the length of the blanking electrode (A) K corresponds to the length of the E electrodes (12a) and (t2b).

この長さはブランキング電極を設ける必要がないため長
くできる。このため、ブランキング電圧VBは例えば2
0〜30ボルトで済む。このように電圧が低くなると1
例えばオペアンプなどの低電圧動作に向き、スルーレー
トの速い半導体が使用できるため、ブランキング速度を
上げることができる。またこのような半導体を供給でき
るメーカは多いので、電源設計をする際の制約が少なく
、電源を安価にすることが可能である。
This length can be increased since there is no need to provide a blanking electrode. Therefore, the blanking voltage VB is, for example, 2
0 to 30 volts is sufficient. When the voltage decreases like this, 1
For example, it is suitable for low voltage operation such as operational amplifiers and can use semiconductors with a fast slew rate, so the blanking speed can be increased. Furthermore, since there are many manufacturers that can supply such semiconductors, there are fewer restrictions when designing a power supply, and it is possible to make the power supply cheaper.

なお、上記実施例ではブランキング電源(16)をET
II源のプラス側に乗せたものを示したが、ブランキン
グ電源(16)+7)極性を換え、第5図(a)に示す
ように、マイナス側に乗せてもよいことはいうまでもな
い。また、第5開山)のように、極性の異なるブランキ
ング電源(16)を2つ使用しても同様の効果を奏する
。こうすれば、1つの電源に必要なブランキング電圧が
半分になるので、よシ高速なブランキングが可能となる
In addition, in the above embodiment, the blanking power supply (16) is
Although the one placed on the positive side of the II source is shown, it goes without saying that it is also possible to change the polarity of the blanking power supply (16) + 7) and place it on the negative side as shown in Figure 5(a). . Furthermore, the same effect can be obtained even if two blanking power supplies (16) with different polarities are used as in the fifth embodiment. In this way, the blanking voltage required for one power supply is halved, allowing for faster blanking.

さらに、第5図(C) 、 (d)および(elに示す
ように、ブランキング電源(16)の片端を接地し、そ
の上にE電源を乗せるようにしてもよい。こうすれば、
ブランキング電源(16)の制御をすべて接地側で行う
ことができるので、電源の設計が容易になる。
Furthermore, as shown in FIGS. 5(C), (d), and (el), one end of the blanking power supply (16) may be grounded, and the E power supply may be placed on top of it.In this way,
Since all control of the blanking power supply (16) can be performed on the ground side, design of the power supply becomes easy.

また、第6図に他の実施例として示すように、絶縁物(
19)をはさみ、ポールピース(1ta) 、 (ub
)を絶縁すれば、ポールピース(Ha)、(ttb)に
ブランキング機能を兼ねさせることもできる。こうすれ
ば、ブランキングは同図(a)のX軸方向に行われるの
で、フィルタアウトされたビームがON状態になること
がなくなる。
In addition, as shown in FIG. 6 as another embodiment, an insulator (
19), pole piece (1ta), (ub
), the pole pieces (Ha) and (ttb) can also serve as a blanking function. In this way, since blanking is performed in the X-axis direction in FIG. 2(a), the filtered out beam will not be in the ON state.

なお、この発明は、クロスオーバ(10)が質量分離器
の真中に位置している場合のみに限るものではない。エ
ネルギ分散の見掛上ゼロにすることはできないが、質量
分離に必要な磁界および電界を最小にするため、第7図
に示すように、クロスオーバ(10)は、分離用アパチ
ャ(6)の位置に結ばれることも多い。また、第1のレ
ンズ(3)の倍率を無限大にして、第8図に示すように
、クロスオーバを形成しない方式もとられる。このよう
な場合でも、この発°明は同様な効果を奏する。
Note that the present invention is not limited to the case where the crossover (10) is located in the middle of the mass separator. In order to minimize the magnetic and electric fields required for mass separation, although it is not possible to achieve an apparent zero energy dispersion, a crossover (10) is inserted between the separation apertures (6) as shown in FIG. It is often tied to a position. Alternatively, a method may be used in which the magnification of the first lens (3) is made infinite and no crossover is formed, as shown in FIG. Even in such a case, the present invention produces similar effects.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のようK、この発明によれば、質量分離手段がブラ
ンキングする機能も兼ねるようにしたので、構造を簡単
にでき、また、ブランキング電圧を低くすることができ
るので、ブランキング速度を上げたシ、ブランキング電
源を安価にすることができる効果がある。
As described above, according to this invention, the mass separation means also has a blanking function, so the structure can be simplified, and the blanking voltage can be lowered, so the blanking speed can be increased. Additionally, it has the effect of making blanking power supplies cheaper.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例で、同図(a)は要部平面
図、同図(b)は同図(a)のb−b線K rr3う平
面での断面図、第2図は第1図のヨークの変形を示す平
面図、第3図(a) 、 (b)はそれぞれ第1図のコ
イルの変形を示す平面図、第4図は第1図のものの動作
を説明するための要部概略正面図、第5図は第1図のも
のにおけるブランキング?!tI2@の種々の接続を示
す部分結線図、第6図(a)および(b)は他の実施例
の平面図および正断面図、第7図、第8図はそれぞれ第
1図のものの他の動作を説明するための要部正面図であ
る。 第9図は従来のイオンビーム加工機の要部概略正面図、
第10図は第9図のものにおけるEXBマスフィルタの
原理を説明するための要部斜視図、第11図(a)およ
び(b)は第9図のものの動作を説明するための一部平
面図および一部正面図、第12図(a) 、 (b)は
それぞれ第9図のものの動作を説明するための一部概略
正面図、第13図は従来装置におけるブランキング機能
を説明するための要部概略正面図である。 (1)・・イオン源、(3)、(7)・・第1.第2の
集束レンズ(イオン集束手段)、(5)・・質量分離器
(質量分離手段)、(lO)・・クロスオーバ。 (xxa)、(txb) 、 、ポールピース(磁界発
生手段)、(12a)、(12b) −−E電極(電界
発生手段’) 、 (16)・・ブランキング電源、(
20a) 、 (20b)・・E電源。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
FIG. 1 shows one embodiment of the present invention, in which FIG. 1(a) is a plan view of the main part, FIG. The figure is a plan view showing the deformation of the yoke shown in Fig. 1, Figs. 3 (a) and (b) are plan views showing the deformation of the coil shown in Fig. 1, respectively, and Fig. 4 explains the operation of the one shown in Fig. 1. Is the front view of the main parts schematically shown in Figure 5 a blanking of the one in Figure 1? ! Partial wiring diagrams showing various connections of tI2@, FIGS. 6(a) and (b) are plan views and front cross-sectional views of other embodiments, and FIGS. 7 and 8 are diagrams other than those shown in FIG. 1, respectively. FIG. 3 is a front view of main parts for explaining the operation of the apparatus. Figure 9 is a schematic front view of the main parts of a conventional ion beam processing machine.
Fig. 10 is a perspective view of the main part to explain the principle of the EXB mass filter in Fig. 9, and Figs. 11 (a) and (b) are partial plane views to explain the operation of the EXB mass filter in Fig. 9. 12(a) and 12(b) are partially schematic front views for explaining the operation of the device shown in FIG. 9, and FIG. 13 is a partial front view for explaining the blanking function of the conventional device. FIG. (1)...Ion source, (3), (7)...1st. Second focusing lens (ion focusing means), (5)...mass separator (mass separation means), (lO)...crossover. (xxa), (txb), , pole piece (magnetic field generating means), (12a), (12b) --E electrode (electric field generating means'), (16)...blanking power supply, (
20a), (20b)...E power supply. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)イオン源と、このイオン源から放出されるイオン
を集束するイオン集束手段と、質量数の異なるイオン種
から所定のイオン種を直交する磁界と電界を用いて質量
分離する手段を備えてなり、しかも前記質量分離する手
段はブランキングする機能も兼ねているイオンビーム加
工機。
(1) An ion source, an ion focusing means for focusing ions emitted from the ion source, and a means for mass-separating a predetermined ion species from ion species having different mass numbers using perpendicular magnetic and electric fields. Moreover, the mass separation means also has a blanking function.
(2)ブランキングする機能は電界発生手段が兼ねてい
る特許請求の範囲第1項記載のイオンビーム加工機。
(2) The ion beam processing machine according to claim 1, wherein the blanking function is also performed by the electric field generating means.
(3)ブランキングする機能は磁界発生手段が兼ねてい
る特許請求の範囲第1項記載のイオンビーム加工機。
(3) The ion beam processing machine according to claim 1, wherein the blanking function is also performed by the magnetic field generating means.
(4)質量分離する手段の中心にイオンビームの集束点
が形成されている特許請求の範囲第1項記載のイオンビ
ーム加工機。
(4) The ion beam processing machine according to claim 1, wherein a focal point of the ion beam is formed at the center of the mass separating means.
JP62-155358A 1987-06-24 Ion beam processing machine Pending JPH012786A (en)

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JP62-155358A JPH012786A (en) 1987-06-24 Ion beam processing machine

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JPS642786A JPS642786A (en) 1989-01-06
JPH012786A true JPH012786A (en) 1989-01-06

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