JPH01276078A - 半導体発行素子用通電試験装置 - Google Patents
半導体発行素子用通電試験装置Info
- Publication number
- JPH01276078A JPH01276078A JP10695788A JP10695788A JPH01276078A JP H01276078 A JPH01276078 A JP H01276078A JP 10695788 A JP10695788 A JP 10695788A JP 10695788 A JP10695788 A JP 10695788A JP H01276078 A JPH01276078 A JP H01276078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- receiving element
- light emitting
- optical output
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体発光素子用通電試験装置に関するもの
である。
である。
第2図は従来のレーザーダイオード用通電試験装置を示
す構成図であり、図において、(1)は所定の高温に保
持されている通電槽、(2)は室温等に保持され電源・
計器類を内蔵する恒温槽、(3)は通電槽(1)内にセ
ットされたレーザーダイオード(L、D)、(4)はL
D (31の光を検出する受光素子、(5)はL D
(,31よプ発射した光を恒温槽(2)内におる受光
素子(4)に導く石英ロッド、(6)は受光素子(4)
の出力電流を一定に保持する様にL D (3)の動作
電流を調整するAPC(Auto Power 0on
tro1)電源、(7)はL D (3)の動作電流を
観測する電流計である。
す構成図であり、図において、(1)は所定の高温に保
持されている通電槽、(2)は室温等に保持され電源・
計器類を内蔵する恒温槽、(3)は通電槽(1)内にセ
ットされたレーザーダイオード(L、D)、(4)はL
D (31の光を検出する受光素子、(5)はL D
(,31よプ発射した光を恒温槽(2)内におる受光
素子(4)に導く石英ロッド、(6)は受光素子(4)
の出力電流を一定に保持する様にL D (3)の動作
電流を調整するAPC(Auto Power 0on
tro1)電源、(7)はL D (3)の動作電流を
観測する電流計である。
次に動作について説明する。通電槽(1)内の所定の各
位置にL D (3)をセットし通電槽の温度を上げる
。APC電源(6)によシL D (3)に電流(動作
電流)を流すとL D (3)は発光する。この時、L
D(310発光出力は石英ロッド(5)を介して恒温槽
(2)内にある受光素子(4)によシ検出され、受光素
子(4)はLD(3)よりの光を入力し、電流に変換し
て出力する。AP(3電源(6)は前記受光素子(4)
の出力電流がある一定の値となる様に、すなわち、LD
(31の光出力がある一定の値となる様にL D (3
1に動作電流を流し、この後もLD(31の光出力を一
定に保持する様に動作電流を調節する。
位置にL D (3)をセットし通電槽の温度を上げる
。APC電源(6)によシL D (3)に電流(動作
電流)を流すとL D (3)は発光する。この時、L
D(310発光出力は石英ロッド(5)を介して恒温槽
(2)内にある受光素子(4)によシ検出され、受光素
子(4)はLD(3)よりの光を入力し、電流に変換し
て出力する。AP(3電源(6)は前記受光素子(4)
の出力電流がある一定の値となる様に、すなわち、LD
(31の光出力がある一定の値となる様にL D (3
1に動作電流を流し、この後もLD(31の光出力を一
定に保持する様に動作電流を調節する。
この様にして、高温下LD光出力を一定に保持した状態
で長時間通電試験を行い、電流計(7)を用いて定時間
毎に一定光出力を与える動作電流を測定し、その経時変
化を観」りする。
で長時間通電試験を行い、電流計(7)を用いて定時間
毎に一定光出力を与える動作電流を測定し、その経時変
化を観」りする。
従来の通電試験装置は以上のように構成されているので
、1個の試験用LDに対して1個の受光素子が心安であ
り大食のLDを同時に通電できる装置を構成する場合、
装置が非常に高価となるといった課題があった。
、1個の試験用LDに対して1個の受光素子が心安であ
り大食のLDを同時に通電できる装置を構成する場合、
装置が非常に高価となるといった課題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、受光素子の使用数を減らすことにより安価な装
置を得ることを目的とする。
もので、受光素子の使用数を減らすことにより安価な装
置を得ることを目的とする。
この発明に係るLD用通イd試験装置は、1個の受光素
子を機械的に移動させ、複数個のLDの光出力を検出す
ることによって、断続的にAPC動作を行うものであり
、また光出力を測定するようにしたものである。
子を機械的に移動させ、複数個のLDの光出力を検出す
ることによって、断続的にAPC動作を行うものであり
、また光出力を測定するようにしたものである。
この発明におけるLD用通電装置は、複数個のLDの光
出力検出を1個の受光素子を用いて行うことにより、必
要な受光素子数が低減され、装置が安価となる。
出力検出を1個の受光素子を用いて行うことにより、必
要な受光素子数が低減され、装置が安価となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において(1) a通電槽、(2)は恒温槽、(3)
はLD、+41は移動可能に装着されている受光素子、
(5)は石英ロッド、(6)はAPC電源、(7)は電
流計である。
図において(1) a通電槽、(2)は恒温槽、(3)
はLD、+41は移動可能に装着されている受光素子、
(5)は石英ロッド、(6)はAPC電源、(7)は電
流計である。
通電槽11)内の所定の各位置にL D 13)をセッ
トし、槽内の温度を上げる。槽内温度が目的の温度にな
れば、その後温度は一定に保つ。受光素子(4)を試験
をしようとするLDの前方に置き、光出力を観測しなが
ら、APC′rv、源によってLDに所定の光出力値を
与える動作電流を流す。次に、別のLDがセットされて
いる前方位置へ受光素子(4)を移動させ、前記同様に
所定の光出力となるよう電流を流すO 以上のように、1個の受光素子を逐次移動させ、各LD
に一定光出力を与える電流を流す。1個のLDが受光素
子によって一定光出力KvI41nされた後、他のLD
間を受光素子が移動し、再度同一のLDの位置に来るま
での間は、当該LDは定電流値で動作させられる。そし
て再度受光素子が当該LDの位置に移動して来た時、初
期に設定した一定光出力を与える電流値に調整される。
トし、槽内の温度を上げる。槽内温度が目的の温度にな
れば、その後温度は一定に保つ。受光素子(4)を試験
をしようとするLDの前方に置き、光出力を観測しなが
ら、APC′rv、源によってLDに所定の光出力値を
与える動作電流を流す。次に、別のLDがセットされて
いる前方位置へ受光素子(4)を移動させ、前記同様に
所定の光出力となるよう電流を流すO 以上のように、1個の受光素子を逐次移動させ、各LD
に一定光出力を与える電流を流す。1個のLDが受光素
子によって一定光出力KvI41nされた後、他のLD
間を受光素子が移動し、再度同一のLDの位置に来るま
での間は、当該LDは定電流値で動作させられる。そし
て再度受光素子が当該LDの位置に移動して来た時、初
期に設定した一定光出力を与える電流値に調整される。
以上のように、この発明によれば1個の受光素子を機械
的に移動させる事によって、複数個の発光素子の光出力
保持動作及び光出力測定を行うように構成したので、製
置が安価にできるという効果がある。
的に移動させる事によって、複数個の発光素子の光出力
保持動作及び光出力測定を行うように構成したので、製
置が安価にできるという効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるLD用通雪試験装檗
を示す構成図、第2図は従来のLD用通電試験装置を示
す構成図である。 図において、+41は受光素子である0なお、図中、同
一符号は同一、又は相当部分を示す。
を示す構成図、第2図は従来のLD用通電試験装置を示
す構成図である。 図において、+41は受光素子である0なお、図中、同
一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体発光素子を所定の温度の下で連続動作させ、光出
力や動作電流を測定するあるいはAPCを行う機能を有
する通電試験装置において、1個の受光素子を機械的に
移動させることにより複数個の発光素子の特性を測定す
るあるいはAPCを行うことを特徴とする半導体発光素
子用通電試験装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10695788A JPH01276078A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体発行素子用通電試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10695788A JPH01276078A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体発行素子用通電試験装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01276078A true JPH01276078A (ja) | 1989-11-06 |
Family
ID=14446825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10695788A Pending JPH01276078A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体発行素子用通電試験装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01276078A (ja) |
-
1988
- 1988-04-27 JP JP10695788A patent/JPH01276078A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5334916A (en) | Apparatus and method for LED emission spectrum control | |
US4730112A (en) | Oxygen measurement using visible radiation | |
EP0203992A4 (en) | Optical temperature measurement techniques | |
US20150316411A1 (en) | Method and System for Intrinsic LED Heating for Measurement | |
CN100470232C (zh) | 基于平均辐射强度的气候老化装置uv辐射源的控制 | |
JPH11508352A (ja) | ルミネッセンスを高速にディジタル信号処理するモジュール化された計測システム | |
JP2008505342A (ja) | 赤外線放射源調整法及びその調整法を使用する装置 | |
CN102305663B (zh) | 一种中红外探测器响应率随温度变化的标定装置 | |
TWI451101B (zh) | 檢測系統及檢測方法 | |
KR20120130568A (ko) | 엘이디 실시간 수명평가 장치 | |
KR100754010B1 (ko) | 발광다이오드 어레이의 광학 및 열 특성 측정 시스템과 이를 이용한 제어방법 | |
CN202255839U (zh) | 一种半导体激光器偏振测试系统 | |
US4930134A (en) | Precision temperature sensor | |
JPH01276078A (ja) | 半導体発行素子用通電試験装置 | |
Barton et al. | Degradation mechanisms in GaN/AlaN/InGaN LEDs and LDs | |
JPH01235390A (ja) | 半導体レーザの温度制御方式 | |
JPH0617292Y2 (ja) | 半導体受光素子の検査装置 | |
JPS6222036A (ja) | 光フアイバ放射温度計の校正方法 | |
JPS5922172B2 (ja) | フラツシユホウネツカクサンリツソクテイソウチ | |
US6590690B2 (en) | Electronically modulating an optical light source | |
RU63536U1 (ru) | Установка для измерения относительной концентрации микроорганизмов | |
JPH04332841A (ja) | 半導体発光装置の検査方法 | |
JP3256257B2 (ja) | Ledボンディング試験装置 | |
CN117433664A (zh) | 薄膜热电堆热流传感器静态标定装置 | |
SU1499283A1 (ru) | Способ определени потока излучени полупроводникового излучател |