JPH01270370A - ネガテイブブランチ不安定型レーザ共振器 - Google Patents
ネガテイブブランチ不安定型レーザ共振器Info
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
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- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/025—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
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- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/115—Q-switching using intracavity electro-optic devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はＱスイッチパルス発振を安定に行なう固体レ
ーザ装置に関するものである。
ーザ装置に関するものである。
［従来の技術］
第５図はレーザハンドブック（オーム社、昭和５７年刊
）に開示された従来のレーザ装置を示す断面図で、図中
、＜１）はたとえばＹＡＧレーザをとればＹ Ｎｄ
ＡＲ５０ｔ２よりなるロッド状の３−ｘ
ｘ 結晶よりなる固体素子、（２）は全反射ミラー、（３）
はフラッシュランプ、（４）は電源、（５）は集光反射
ミラー、（６）はガラスでできた出口ミラー、（７）は
出口ミラー（６）の内面上にコーティングされたＴｉＯ
２よりなる部分反射膜、（８）は出口ミラー外面および
固体素子両側面にコーティングされたＳ ｉｏ ２より
なる無反射膜、（９）はレーザ共振器内のレーザビーム
、（１０）は外部に取出されたレーザビーム、（１１）
はＫＤＰ結晶よりなるＱスイッチ素子、（１２）は外枠
である。
）に開示された従来のレーザ装置を示す断面図で、図中
、＜１）はたとえばＹＡＧレーザをとればＹ Ｎｄ
ＡＲ５０ｔ２よりなるロッド状の３−ｘ
ｘ 結晶よりなる固体素子、（２）は全反射ミラー、（３）
はフラッシュランプ、（４）は電源、（５）は集光反射
ミラー、（６）はガラスでできた出口ミラー、（７）は
出口ミラー（６）の内面上にコーティングされたＴｉＯ
２よりなる部分反射膜、（８）は出口ミラー外面および
固体素子両側面にコーティングされたＳ ｉｏ ２より
なる無反射膜、（９）はレーザ共振器内のレーザビーム
、（１０）は外部に取出されたレーザビーム、（１１）
はＫＤＰ結晶よりなるＱスイッチ素子、（１２）は外枠
である。
次に動作について説明する。固体素子（１）はフラッシ
ュランプ（３）からの直接光および集光反射ミラー（４
）よりの反射光により励起され、レーザ媒質となってい
る。一方その内面上にコーティングされた部分反射膜（
７）により部分反射率をもった出口ミラー（６）と全反
射ミラー（２）とからなるいわゆる安定型共振器内に閉
じこめられた光（９）は、両ミラー間を往復するごとに
このレーザ媒質により増幅され、ある一定態上の大きさ
になるとその一部が出口ミラー（６）を通して外部にレ
ーザビーム（１０）として出射される。同時にＱスイッ
チ素子（１１）に同期的に電圧を印加してその透過率を
変化させることによりＱパルス発振を行いジャイアント
Ｑパルスを発生させるのである。
ュランプ（３）からの直接光および集光反射ミラー（４
）よりの反射光により励起され、レーザ媒質となってい
る。一方その内面上にコーティングされた部分反射膜（
７）により部分反射率をもった出口ミラー（６）と全反
射ミラー（２）とからなるいわゆる安定型共振器内に閉
じこめられた光（９）は、両ミラー間を往復するごとに
このレーザ媒質により増幅され、ある一定態上の大きさ
になるとその一部が出口ミラー（６）を通して外部にレ
ーザビーム（１０）として出射される。同時にＱスイッ
チ素子（１１）に同期的に電圧を印加してその透過率を
変化させることによりＱパルス発振を行いジャイアント
Ｑパルスを発生させるのである。
［発明が解決しようとする課！］
従来の固体レーザ装置は以上のように安定型共振器を用
いているため発生するレーザビームは発散角の大きいい
わゆる高次モードである。この高次モードの度合いの指
標として、共振器内に発生しうる位相のそろった最低次
モードの断面直径とレーザ媒質の断面直径との比がある
。本例では最低次モードは正規分布をもついわゆるガウ
スビームとなるため、その強度が中心の１／ｅ２となる
をＬル−ザビームの波長をλとし、それぞれにとなる。
いているため発生するレーザビームは発散角の大きいい
わゆる高次モードである。この高次モードの度合いの指
標として、共振器内に発生しうる位相のそろった最低次
モードの断面直径とレーザ媒質の断面直径との比がある
。本例では最低次モードは正規分布をもついわゆるガウ
スビームとなるため、その強度が中心の１／ｅ２となる
をＬル−ザビームの波長をλとし、それぞれにとなる。
一方本例におけるレーザ媒質の断面直径は８ ｍｍであ
るから両者の比は約１５と大変大きく、この値から経験
的に１００次以上の高次モードが発生していると判断さ
れる。レーザビームの集光性能は波長とモード次数との
積にほぼ比例すると考でよいが、従来の固体意レーザ装
置は市販のＣＯ２レーザと比較すると波長は約１／ １
０、モード次数は約１００倍であるから、結局その集光
性能はＣＯ２レーザの１／ １０であるといえる。
るから両者の比は約１５と大変大きく、この値から経験
的に１００次以上の高次モードが発生していると判断さ
れる。レーザビームの集光性能は波長とモード次数との
積にほぼ比例すると考でよいが、従来の固体意レーザ装
置は市販のＣＯ２レーザと比較すると波長は約１／ １
０、モード次数は約１００倍であるから、結局その集光
性能はＣＯ２レーザの１／ １０であるといえる。
また従来の固体レーザ装置では、レーザ出力を増大させ
ようとして固体素子を強く励起すると、固体素子内に著
しい温度勾配が発生してこれが固体素子を凸レンズ化す
るため、共振状態を不安定にすることがある。とくにジ
ャイアントＱパルスを発生させる場合には、Ｑスイッチ
素子（Ｉ２）が著しく凸レンズ化して、共振状態が保て
なくなることもしばしば発生するので、これを打消すた
め共振器ミラーを凸ミラーに変換せねばならなかった。
ようとして固体素子を強く励起すると、固体素子内に著
しい温度勾配が発生してこれが固体素子を凸レンズ化す
るため、共振状態を不安定にすることがある。とくにジ
ャイアントＱパルスを発生させる場合には、Ｑスイッチ
素子（Ｉ２）が著しく凸レンズ化して、共振状態が保て
なくなることもしばしば発生するので、これを打消すた
め共振器ミラーを凸ミラーに変換せねばならなかった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、集光性能の高いレーザビームをＱパルス発振状
態においても安定に発生させることができる固体レーザ
装置を提供しようとするものである。
もので、集光性能の高いレーザビームをＱパルス発振状
態においても安定に発生させることができる固体レーザ
装置を提供しようとするものである。
本発明は内面に部分反射膜をコーティングした出口ミラ
ーと全反射ミラーとを対向配置し、その間に固体素子と
Ｑスイッチ素子とを介在させてなるネガティブブランチ
不安定型レーザ共振器において、上記固体素子とＱスイ
ッチ素子とを上記ミラーの近傍に配置した。また部分反
射膜と無反射部とを有する出口ミラーと全反射ミラーと
を対向配置し、その間に固体素子とＱスイッチ素子とを
介在させてなるネガティブブランチ不安定型レーＱ０．
４ ザ共振器においても、上記固体素子とＱスイッチ素子と
を上記ミラーの近傍に配置した。
ーと全反射ミラーとを対向配置し、その間に固体素子と
Ｑスイッチ素子とを介在させてなるネガティブブランチ
不安定型レーザ共振器において、上記固体素子とＱスイ
ッチ素子とを上記ミラーの近傍に配置した。また部分反
射膜と無反射部とを有する出口ミラーと全反射ミラーと
を対向配置し、その間に固体素子とＱスイッチ素子とを
介在させてなるネガティブブランチ不安定型レーＱ０．
４ ザ共振器においても、上記固体素子とＱスイッチ素子と
を上記ミラーの近傍に配置した。
［作用］
上記のようにミラーの近傍に固体素子とＱスイッチ素子
とを配置したので、固体素子及びＱスイッチ素子はミラ
ーと組合わされて夫々１個の光学系となり、その等価焦
点距離も従来装置に比べて小さくなるので、発生するレ
ーザビームの品質に悪影響を及ぼすことはなくなる。
とを配置したので、固体素子及びＱスイッチ素子はミラ
ーと組合わされて夫々１個の光学系となり、その等価焦
点距離も従来装置に比べて小さくなるので、発生するレ
ーザビームの品質に悪影響を及ぼすことはなくなる。
［発明の実施例］
第１図は本発明の一実施例を示すレーザ装置の断面図で
、図中（１）〜（１２）は従来装置と同一部品、（２０
）はレーザビームである。図において、出口ミラー（６
）の内面は中央部は部分反射膜（７）をコーティングし
ているが、外周部は無反射膜（８）がコーティングされ
ている。また固体素子（１）は全反射ミラー（２）の近
傍に、Ｑスイッチ素子（１１）は出口ミラー（６）の近
傍に配置する。本発明に係るレーザ装置は上記のように
構成されている。
、図中（１）〜（１２）は従来装置と同一部品、（２０
）はレーザビームである。図において、出口ミラー（６
）の内面は中央部は部分反射膜（７）をコーティングし
ているが、外周部は無反射膜（８）がコーティングされ
ている。また固体素子（１）は全反射ミラー（２）の近
傍に、Ｑスイッチ素子（１１）は出口ミラー（６）の近
傍に配置する。本発明に係るレーザ装置は上記のように
構成されている。
次に動作について説明する。固体素子（１）はフラソシ
３１ランプ（３）からの直接光および集光反射−ラー（
５）よりの反射光により励起されレーザ媒質をなすもの
である。−刃出ロミラー（６）と全反射ミラー（２）と
からなるレーザ共振器内に発生したレーザビーム（９）
、 （２（１）はこのレーザ媒質により増幅され、あ
る一定量上の大きさになると、その一部かレーザビーム
（１０）として外部にとり出される。
３１ランプ（３）からの直接光および集光反射−ラー（
５）よりの反射光により励起されレーザ媒質をなすもの
である。−刃出ロミラー（６）と全反射ミラー（２）と
からなるレーザ共振器内に発生したレーザビーム（９）
、 （２（１）はこのレーザ媒質により増幅され、あ
る一定量上の大きさになると、その一部かレーザビーム
（１０）として外部にとり出される。
出口ミラー（６）と全反射ミラー（２）とはいわゆるネ
ガティブブランチの不安定型共振器を構成し′Ｃいる。
ガティブブランチの不安定型共振器を構成し′Ｃいる。
レーザビーム（２１）は固体媒質で増幅されたのち、全
反射ミラー（２）により集光され、固体媒質により増幅
されて、レーザビーム（９）と拡大され、その周囲部は
出口ミラー（６）内面周囲部の無反射膜（８）の作用に
よりそのほとんどが外部に放出される。また中央部はそ
の一部が出口ミラー（６）内面中央部の部分反射膜（７
）の作用により外部に取り出され、残りの部分はレーザ
ビーム（２０）として再びレーザ共振器内を往復する。
反射ミラー（２）により集光され、固体媒質により増幅
されて、レーザビーム（９）と拡大され、その周囲部は
出口ミラー（６）内面周囲部の無反射膜（８）の作用に
よりそのほとんどが外部に放出される。また中央部はそ
の一部が出口ミラー（６）内面中央部の部分反射膜（７
）の作用により外部に取り出され、残りの部分はレーザ
ビーム（２０）として再びレーザ共振器内を往復する。
したがって外部のレーザビーム（ｌＯ）は中づまり状と
なっている。レーザビームはこのように毎往復するご（
ｌ−に拡大されるため、従来の安定型レーザ共振器内の
中央部に発生した高品質ビームがしだいに固体レーザ奴
質内をみたすようになり、通常数１０回′つ往復でレー
ザ媒質とほぼ同径の高品質ビーｊ、が１１″−られる。
なっている。レーザビームはこのように毎往復するご（
ｌ−に拡大されるため、従来の安定型レーザ共振器内の
中央部に発生した高品質ビームがしだいに固体レーザ奴
質内をみたすようになり、通常数１０回′つ往復でレー
ザ媒質とほぼ同径の高品質ビーｊ、が１１″−られる。
次にこの発明の中心であるミラー近傍に配設された固体
素子（１） 、Ｑスイッチ素子（１１）について説明す
る。ネガティブブランチの不安定型共振器は小さい焦点
距離をもつミラーを用いることか特徴である。例えば拡
大率１．５、共振器長０．５ｍの共振器を例にとると、
出口ミラー（６）の焦点距離は０．３ｍｓ全反射ミラー
（２）の焦点距離は０．２ｍである。一方固体素子、Ｑ
スイッチ素子内部の熱分布によるレンズ化の等価焦点距
離は通な２ｍにもなるため、モードを変化させ共振条件
を乱１．レーザ出力を低減させるなど悪影響を与えるこ
ととなる。
素子（１） 、Ｑスイッチ素子（１１）について説明す
る。ネガティブブランチの不安定型共振器は小さい焦点
距離をもつミラーを用いることか特徴である。例えば拡
大率１．５、共振器長０．５ｍの共振器を例にとると、
出口ミラー（６）の焦点距離は０．３ｍｓ全反射ミラー
（２）の焦点距離は０．２ｍである。一方固体素子、Ｑ
スイッチ素子内部の熱分布によるレンズ化の等価焦点距
離は通な２ｍにもなるため、モードを変化させ共振条件
を乱１．レーザ出力を低減させるなど悪影響を与えるこ
ととなる。
これに対し第１図に示すように、Ｑスイッチ素子（１１
）が出口ミラー（６）の近傍に、また固体素子（１）が
全反射ミラー（２）の近傍に配設されているとすれば、
両組合わせはそれぞれ１つの光学素子とみなすことがで
き、それぞれの光学素子の等測的焦点距尊を計算すると
０．２３ｒｎ 、 ０．１６ｍとなる。
）が出口ミラー（６）の近傍に、また固体素子（１）が
全反射ミラー（２）の近傍に配設されているとすれば、
両組合わせはそれぞれ１つの光学素子とみなすことがで
き、それぞれの光学素子の等測的焦点距尊を計算すると
０．２３ｒｎ 、 ０．１６ｍとなる。
また曲率変化率は約２０％におさえられており、この程
度の変化は発生するレーザビームの品質にほとんど影響
を与えない。このように固体素子、Ｑスイッチ素子の熱
レンズ化の影響が小さかったのは、共振器ミラーがもと
もと非常に小さい焦点距離をもつものであったからであ
る。
度の変化は発生するレーザビームの品質にほとんど影響
を与えない。このように固体素子、Ｑスイッチ素子の熱
レンズ化の影響が小さかったのは、共振器ミラーがもと
もと非常に小さい焦点距離をもつものであったからであ
る。
なお、本実施例においては、出口ミラー内面の中央部が
部分反射率を具備するものを示しているか、これは全反
射でもよい。この場合はリング状のレーザビームが発生
し、そのリング形状に起因する回折結果により集光性能
は悪化するが、従来例に比べれば十分に高品質なレーザ
ビームを発生することができる。
部分反射率を具備するものを示しているか、これは全反
射でもよい。この場合はリング状のレーザビームが発生
し、そのリング形状に起因する回折結果により集光性能
は悪化するが、従来例に比べれば十分に高品質なレーザ
ビームを発生することができる。
また本実施例では、出口ミラー内面の中央部の部分反射
膜（７）と周囲の無反射膜（８）とを通過するレーザビ
ーム間の位相差は小さくて問題とならなかったが、部分
反射膜（７）の構成によってはこれが問題となることも
考られる。その場合は両レーザビーム間の位相差を打消
す手段を設ければよく、例えば第２図に示すように出口
ミラー外面に段差（７０）を形成して、出口ミラー（６
）内面の部分反射膜（７）と無反射膜（８）を通過する
レーザビーム間に光路差をもたせるようにしてやればよ
い。
膜（７）と周囲の無反射膜（８）とを通過するレーザビ
ーム間の位相差は小さくて問題とならなかったが、部分
反射膜（７）の構成によってはこれが問題となることも
考られる。その場合は両レーザビーム間の位相差を打消
す手段を設ければよく、例えば第２図に示すように出口
ミラー外面に段差（７０）を形成して、出口ミラー（６
）内面の部分反射膜（７）と無反射膜（８）を通過する
レーザビーム間に光路差をもたせるようにしてやればよ
い。
さらに本実施例ではミラー（２） 、 （８）と固体素
子（１） 、Ｑスイッチ素子（１１）を別に設ける例を
示し。
子（１） 、Ｑスイッチ素子（１１）を別に設ける例を
示し。
でいるが、第３図に示すように固体素子（１）と全反射
ミラー（２）とを一体化すればさらに効果は増すことと
なる。
ミラー（２）とを一体化すればさらに効果は増すことと
なる。
また固体素子（１） 、Ｑスイッチ素子（１１）は同じ
ミラー（２）または（６）側にあってもよく、要は各光
学素子がミラー（２）、（６）の近傍に配設してあれば
よい。
ミラー（２）または（６）側にあってもよく、要は各光
学素子がミラー（２）、（６）の近傍に配設してあれば
よい。
［発明の効果］
本発明は出口ミラーと全反射ミラーとを対向配置し、そ
の間に固体素子とＱスイッチ素子とを介在させてなるネ
ガティブブランチ不安定型共振器において、固体素子及
びＱスイッチ素子を共振器ミラーの近傍に配設したので
、高品質のＱパルスレーザビームを安定して得られるこ
ととなった。
の間に固体素子とＱスイッチ素子とを介在させてなるネ
ガティブブランチ不安定型共振器において、固体素子及
びＱスイッチ素子を共振器ミラーの近傍に配設したので
、高品質のＱパルスレーザビームを安定して得られるこ
ととなった。
第１図は本発明の一実施例を示す固体レーザ装置の断面
図、第２図〜第４図は本発明の他の実施例を示す固体レ
ーザ装置の断面図、第５図は従来の固体レーザ装置を示
す断面図である。 図中（１）は固体素子、（２）は全反射ミラー、（６）
は出口ミラー、（７）は部分反射膜、（８）は無反射膜
、（９）、（１０）はレーザビーム、（１■）はＱスイ
ッチ素子、（２０）はレーザビーム、（３０）は段差、
（４０）は一体化された固体素子と全反射ミラーである
。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示すものであ
る。 代理人 弁理士 佐々木 宗 治 第３図 第４図
図、第２図〜第４図は本発明の他の実施例を示す固体レ
ーザ装置の断面図、第５図は従来の固体レーザ装置を示
す断面図である。 図中（１）は固体素子、（２）は全反射ミラー、（６）
は出口ミラー、（７）は部分反射膜、（８）は無反射膜
、（９）、（１０）はレーザビーム、（１■）はＱスイ
ッチ素子、（２０）はレーザビーム、（３０）は段差、
（４０）は一体化された固体素子と全反射ミラーである
。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示すものであ
る。 代理人 弁理士 佐々木 宗 治 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）内面に部分反射膜をコーティングした出口ミラー
と全反射ミラーとを対向配置し、その間に固体素子とＱ
スイッチ素子とを介在させてなるネガティブブランチ不
安定型レーザ共振器において、上記固体素子とＱスイッ
チ素子とを上記ミラーの近傍に配置した ことを特徴とするレーザ装置。 - （２）部分反射膜と無反射部とを有する出口ミラーと全
反射ミラーとを対向配置し、その間に固体素子とＱスイ
ッチ素子とを介在させてなるネガティブブランチ不安定
型レーザ共振器において、上記固体素子とＱスイッチ素
子とを上記ミラーの近傍に配置した ことを特徴とする請求項１記載のレーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098503A JP2673303B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | ネガテイブブランチ不安定型レーザ共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098503A JP2673303B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | ネガテイブブランチ不安定型レーザ共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270370A true JPH01270370A (ja) | 1989-10-27 |
| JP2673303B2 JP2673303B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=14221445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63098503A Expired - Lifetime JP2673303B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | ネガテイブブランチ不安定型レーザ共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2673303B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118577A (en) * | 1988-03-10 | 1992-06-02 | Magnetic Peripherals Inc. | Plasma treatment for ceramic materials |
| WO2021182619A1 (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | 光発振器、光発振器の設計方法およびレーザー装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5010093A (ja) * | 1973-05-24 | 1975-02-01 | ||
| JPS5287391A (en) * | 1976-01-16 | 1977-07-21 | Nec Corp | Q switch laser equipment |
| JPS5775482A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-12 | Nec Corp | Q switch laser device |
| JPS60111486A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-06-17 | バウツシユ・アンド・ロム・インコーポレイテツド | レーザー装置 |
| JPS60119786A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Nec Corp | Ｑスイッチレ−ザ装置 |
| JPS61199686A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 不安定型レ−ザ共振器 |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP63098503A patent/JP2673303B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5010093A (ja) * | 1973-05-24 | 1975-02-01 | ||
| JPS5287391A (en) * | 1976-01-16 | 1977-07-21 | Nec Corp | Q switch laser equipment |
| JPS5775482A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-12 | Nec Corp | Q switch laser device |
| JPS60111486A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-06-17 | バウツシユ・アンド・ロム・インコーポレイテツド | レーザー装置 |
| JPS60119786A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Nec Corp | Ｑスイッチレ−ザ装置 |
| JPS61199686A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 不安定型レ−ザ共振器 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118577A (en) * | 1988-03-10 | 1992-06-02 | Magnetic Peripherals Inc. | Plasma treatment for ceramic materials |
| WO2021182619A1 (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | 光発振器、光発振器の設計方法およびレーザー装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2673303B2 (ja) | 1997-11-05 |
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