JPH01261832A - 半導体製造装置清浄管理用のダストカウンター - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造装置から発生し、ウェハーに付着す
る微粒子を測定する装置に関する。

〔従来の技術〕

従来のこの種のダストカウンターの構造を第３図に示す
。

第３図において、１は微粒子計測部、３はエアフィルタ
、８はエアロダイナミックフォーカスノズル、９は吸引
ノズル、１０はＨａ　−Ｎｏレーザ、１１は検出セル、
１２はリザーバ、１３はポンプ、１４はフローメータ、
１５はバルブである。

例えばレーザダストカウンターＴＳ−１４００を使用す
る場合、半導体製造装置より微粒子が発生し、ウェハー
清浄度に影響を与えそうな箇所に吸入口５を近づけ、微
粒子を６Ｑ／ｗａｉｎの吸引量で吸い込む。

そして微粒子計測部１で一定時間に吸入された微粒子の
数を微粒子のサイズ別（０，１３〜２．０−の６チヤン
ネル別）に測定していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のレーザダストカウンターは吸入量を多く
するほど、検出能力が低下し、微粒子カウント数の精度
が悪くなるので、吸入量を６Ｑ／履ｉｎ以上にすること
ができない、吸入量を６１／ｗｉｎ以上にできないため
、吸入口を被測定部に近づける必要がある。つまり、吸
入口５と被測定部との距離により計測値が大きく変化す
るという欠点がある。

また半導体製造装置の中で特にドライエツチング装置な
どは真空系の装置であり、ガスの噴出時及びベントを行
なったときにチャンバー内に舞い上がる微粒子がウェハ
ーに付着してウェハーの清浄度を悪くする。従来のレー
ザダストカウンターではチャンバー内の局部に吸入口５
を近づけ、吸入される微粒子を測定する能力しか保有し
ていないため、チャンバー内のベント時に舞い上がる微
粒子の発生状況を全てモニターする能力は有していない
という欠点がある。

本発明の目的は前記課題を解決したダストカウンターを
提供することにある。

〔発明の従来技術に対する相違点〕

上述した従来のダストカウンターに対し、本発明はエア
フィルタでクリーニングしたドライエアーを被測定部に
吹き付けて半導体製造装置に付着した微粒子を舞い上が
らせ、舞い上がった微粒子を吸入口５からサンプリング
して計測する機能をもつという相違点を有する。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本発明のダストカウンターに
おいては、エアフィルタでクリーニングしたドライエア
ーを半導体製造装置被測定部に吹き付けて半導体製造装
置に付着した微粒子を舞い上がらせる手段と、噴出する
ドライエアーの噴出量を調整する手段と、舞い上がった
微粒子をサンプリングして計測する手段とを有するもの
である。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

（実施例１） 第１図は本発明の実施例１の構成図である。吸入口５よ
り吸入されたサンプルエアーはエアロダイナミックフォ
ーカスノズル８により検出セル１１に導入される。エア
ロダイナミックフォーカスノズル８は二重になっており
、外側をエアフィルタ３によってクリーニングされたク
リーンエアーが流れ、内側ノズルにサンプルエアーが流
れる。検出領域内ではサンプルエアーはクリーンエアー
にシースされているため、検出セル１１内は汚染される
ことなく、また流れは層流を保っている。検出流域を通
過したエアーは吸引ノズル９により排出され、リザーバ
１２とポンプ１３を通過した後にエアフィルタ３によっ
てろ過され、一部はクリーンエアー及びパージ用エアー
として循環する検出セル内を通過するサンプルエアー中
の微粒子はＨｅ　−Ｎａレーザ１０によりアクティブキ
ャビティ内にて光散乱を発生し、これを検出セル１１内
部で側方散乱方式で検出することによりサンプルエアー
中の微粒子の粒径と個数を微粒子計測部１がカウントす
る。

ドライエアー供給ライン６より供給されたドライエアー
とドライエアーコントローラ２内のニードルバルブ７で
噴出量を制御し、フィルタ３を通してドライエアーをク
リーニングしてから噴出口４よりＩ　Ｑ／ｗｉｎ−１０
０Ｑ／ｗｉｎ任意の量で噴出する。噴出口４は吸入口５
と一定間隔をあけて固定されている。

真空系の半導体製造装置を例にとると、最初に吸入口５
と噴出口４を微粒子測定を行なう箇所に設置する。最初
はドライエアーは流さず、微粒子計測部１のカウント数
が一定時間Ｘ（例えば１分）内に特定値ａを超えない場
合は、ドライエアーコントローラ２が作動し、一定時間
ｙ（例えば３０秒）毎にドライエアーの流量をニードル
バルブで増加してゆく。これにより、微粒子計測部１の
カウント数をチエツクすることにより、測定箇所の微粒
子数、つまり真空に引くとき及びベント時に発生するウ
ェハー清浄度に影響を与える微粒子の数を相対的に判断
することができ、真空系の半導体装置の清浄度をリアル
タイムで管理することが可能となる５Ｘｙｙは１０秒〜
２分まで設定変更可能であり、ａは１コ〜１００コまで
設定変更可能である。

（実施例２） 第２図は本発明の実施例２の構成図である。実施例１と
同様に吸入口５より吸入された微粒子を微粒子計測部１
でカウントする。ドライエアー供給ライン６より供給さ
れたドライエアーの流量を、ドライエアーコントローラ
２内のニードルバルブ７の開閉により制御し、エアフィ
ルタ３を通してクリーニングしてから噴出口４より噴出
する。掃除機吸引部１７で多量の微粒子を吸引し、掃除
機本体１６内に吸引した微粒子を蓄積する。噴出口４、
吸入口５、及び掃除機吸引部１７は一定間隔をあけて固
定されている。真空系の半導体装置を例にとると、最初
に吸入口５、噴出口４、及び掃除機吸引部１７を微粒子
測定を行ないたい箇所に設置する。

最初はドライエアーは流さず、微粒子計測部１のカウン
ト数が一定時間Ｘ内に特定値ａを超えない場合はドライ
エアーコントローラ２が作動し、−定時間ｙ毎にニード
ルバルブ７を徐々に開くことによりドライエアーの流量
を増加させる。微粒子計測部１のカウント数が特定値す
を超えた時点でニードルバルブ７を閉じてドライエアー
の供給をストップし、掃除機本体１６が動作し、微粒子
を掃除機吸引部１７より吸引する。微粒子計測部１のカ
ウント数が特定値Ｃ以下になった時点で掃除機本体１６
が停止し、ニードルバルブ７を徐々に開けてドライエア
ーを噴出させる。これを繰返し、ニードルバルブ７が全
開となり、ドライエアーを１００Ｑ／ｍｉｎ流したとき
に微粒子計測部１のカウント数が特定値ａ未満になるま
で続ける（ａ＜ｃ（ｂ：Ｂは１コ〜１００コ、ｃ、ｂは
１００〜１０００まで設定変更可）ａこれにより半導体
製造装置内の微粒子を最適時間で除去することができる
利点がある。

以上、第１及び第２の実施例によれば、第４図＜り、（
ｂ）に示すように、従来装置に対してダストカウント能
力を向上できることが分かる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、クリーニングしたドライ
エアーを吹き付けて微粒子の数をカウントするため、真
空系の半導体製造装置内でのベント時のガス噴出時等の
微粒子の発生状況を擬似的にモニタリングできる効果が
ある。またドライエアーによって舞い上がらせた微粒子
を吸入口から吸入するため、吸入力を強くする必要がな
く、弱い吸入力のまま微粒子測定を行なうことができ、
測定精度の高い状態を維持できる効果がある。また、半
導体製造装置に本発明を使用することにより、装置の清
浄度を正確にチエツクすることが可能となり、適度に装
置の清掃を行なうことにより、安定した半導体素子の製
造を行なえるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１の構成図、第２図は実施例２
の構成図、第３図は従来のダストカウンターの構成図、
第４図（ａ）、　（ｂ）はクリーンエアーを吹き付ける
ことによるダストカウント能力向上の実例を示す図であ
る。 １・・・微粒子計測部 ２・・・ドライエアーコントローラ ３・・・エアフィルタ　　　　４・・・噴出口５・・・
吸入口　　　　６・・・ドライエアー供給ライン７・・
・ニードルバルブ ８・・・エアロダイナミックフォーカスノズル９・・・
吸引ノズル　　　　　１０・・・Ｈｅ−Ｎｅレーザ１１
・・・検出セル　　　　　１２・・・リザーバ１３・・
・ポンプ　　　　　　　１４・・・フローメータ１５・
・・バルブ　　　　　　１６・・・掃除機本体１７・・
・掃除機吸引部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）エアフィルタでクリーニングしたドライエアーを
   半導体製造装置被測定部に吹き付けて半導体製造装置に
   付着した微粒子を舞い上がらせる手段と、噴出するドラ
   イエアーの噴出量を調整する手段と、舞い上がった微粒
   子をサンプリングして計測する手段とを有することを特
   徴とする半導体製造装置清浄管理用のダストカウンター
   。