JPH01260847A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPH01260847A
JPH01260847A JP63089921A JP8992188A JPH01260847A JP H01260847 A JPH01260847 A JP H01260847A JP 63089921 A JP63089921 A JP 63089921A JP 8992188 A JP8992188 A JP 8992188A JP H01260847 A JPH01260847 A JP H01260847A
Authority
JP
Japan
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ground
transistor
section
totem pole
semiconductor integrated
Prior art date
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Pending
Application number
JP63089921A
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Japanese (ja)
Inventor
Hirofumi Irie
入江 浩文
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH01260847A publication Critical patent/JPH01260847A/en
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Abstract

PURPOSE:To ensure stable operation without effects on a TTL gate and other circuits on a semiconductor integrated circuit even if the potential of a ground is fluctuated, by isolating the ground of the totem pole output part of the TTL gate and the ground for an input part and a phase inverting part. CONSTITUTION:The emitter of a transistor 16 and resistors 13 and 14 are connected to a ground 7. The emitter of a transistor 20 and a resistor 15 arc connected to a ground 8. A grounding pad 22 including the ground 7 and a grounding pad 8a including the ground 8 are isolated. The ground 7 for an input part 1 and a phase inverting part 2 and the ground 8 for a totem pole output part 3 are divided into the ground pad 22 and the ground pad 8a. Therefore, even if a through current flows in the totem pole output 3 and the level of the ground 8 is fluctuated, the ground 7 for the input part 1 and the phase inverting part 2 is not fluctuated. Therefore, the operation of a TTL gate does not become unstable.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、入力部と位相反転部及びトーテムポール出力
部より構成されるTTLゲートを有する半導体集積回路
装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device having a TTL gate composed of an input section, a phase inversion section, and a totem pole output section.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

最近の半導体集積回路装置の出力回路においては、入力
部と位相反転部及びトーテムポール出力部より構成され
るTTLゲートが一般に用いられている。
In recent output circuits of semiconductor integrated circuit devices, TTL gates are generally used, which are composed of an input section, a phase inversion section, and a totem pole output section.

第2図(a)に従来のTTLゲートの一例を示す、1は
入力部、2は位相反転部、3はトーテムポール出力部を
示している。TTLゲートの入力4は入力部1のトラン
ジスタ16のベース及び抵抗13に接続されている。ト
ランジスタ16のエミッタ及び抵抗13の一端は、グラ
ンド(最低電位電源)7に接続され、トランジスタ16
のコレクタは抵抗9を介して電源5及び位相反転部2の
トランジスタ17のベースに接続されている。トランジ
スタ17のエミッタは、抵抗14を介してグランド7へ
、またトランジスタ17のコレクタは、抵抗10を介し
て電源5及びトーテムポール出力部2のトランジスタ1
8のベースへ接続されている。トランジスタ18のコレ
クタは、抵抗11を介して電源5及びトランジスタ19
のベースに接続され、また、トランジスタ18のエミッ
タは、抵抗15を介してゲランドア及びトランジスタ2
0のベースに接続されている。トランジスタ19のコレ
クタは抵抗12を介して電源5に接続され、トランジス
タ19のエミッタは、ダイオード21のアノードと接続
されている。トランジスタ20のコレクタはダイオード
21のカソードに接続されトランジスタ20のエミッタ
はグランド7に接続されている。TTLゲートの出力6
は、トランジスタ20のコレクタから引き出される。
FIG. 2(a) shows an example of a conventional TTL gate. 1 indicates an input section, 2 indicates a phase inversion section, and 3 indicates a totem pole output section. The input 4 of the TTL gate is connected to the base of the transistor 16 of the input part 1 and to the resistor 13. The emitter of the transistor 16 and one end of the resistor 13 are connected to the ground (lowest potential power supply) 7.
The collector of is connected to the power supply 5 and the base of the transistor 17 of the phase inverter 2 via the resistor 9. The emitter of the transistor 17 is connected to the ground 7 through the resistor 14, and the collector of the transistor 17 is connected to the power supply 5 and the transistor 1 of the totem pole output section 2 through the resistor 10.
Connected to the base of 8. The collector of the transistor 18 is connected to the power supply 5 and the transistor 19 via the resistor 11.
The emitter of the transistor 18 is connected to the gelandor and the transistor 2 via the resistor 15.
0 base. The collector of the transistor 19 is connected to the power supply 5 via the resistor 12, and the emitter of the transistor 19 is connected to the anode of the diode 21. The collector of the transistor 20 is connected to the cathode of the diode 21, and the emitter of the transistor 20 is connected to the ground 7. TTL gate output 6
is drawn from the collector of transistor 20.

電源5には、定電圧(例えば5V)が供給される。第2
図(b)には半導体集積回路装置のチップ上に設けられ
たグランド7の外部電極(以下、グランドパッドと称す
)22を示す。
A constant voltage (for example, 5V) is supplied to the power supply 5. Second
FIG. 1B shows an external electrode (hereinafter referred to as a ground pad) 22 of a ground 7 provided on a chip of a semiconductor integrated circuit device.

次に動作を説明する。入力4がHレベルのときはトラン
ジスタ16がオンし、トランジスタ17のベースはLレ
ベルとなりトランジスタ17はオフする。そのなめトラ
ンジスタ18のベースはHレベルとなり、トランジスタ
18はオンし、トランジスタ18のエミッタより、トラ
ンジスタ20のベースに電流が供給されトランジスタ2
0はオンする。従って、TTLゲートの出力6は、この
場合Lレベルとなる。入力4がLレベルのときはトラン
ジスタ16はオフし、トランジスタ17のベースはHレ
ベルとなり、トランジスタ17はオンする。そのためト
ランジスタ18のベースはLレベルとなり、トランジス
タ18はオフし、トランジスタ18のエミッタよりトラ
ンジスタ20のベースには、電流が供給されずトランジ
スタ20はオフ状態となる。従ってTTLゲートの出力
6は、この場合Hレベルとなる。
Next, the operation will be explained. When the input 4 is at the H level, the transistor 16 is turned on, and the base of the transistor 17 is at the L level, so that the transistor 17 is turned off. The base of the transistor 18 becomes H level, the transistor 18 is turned on, and current is supplied from the emitter of the transistor 18 to the base of the transistor 20.
0 turns on. Therefore, the output 6 of the TTL gate becomes L level in this case. When input 4 is at L level, transistor 16 is turned off, the base of transistor 17 is at H level, and transistor 17 is turned on. Therefore, the base of the transistor 18 becomes L level, the transistor 18 is turned off, and no current is supplied from the emitter of the transistor 18 to the base of the transistor 20, and the transistor 20 is turned off. Therefore, the output 6 of the TTL gate becomes H level in this case.

このようなTTLゲートは、論理レベルの反転時にトー
テムポール出力部3に大きなスパイク状の貫通電流が流
れる性質がある。この貫通電流が流れると、グランド7
の配線パターン、ボンディングワイヤによる寄生容量及
びインダクタンスにより、過渡的に出力回路部に接続さ
れるグランドの電位が変動する。
Such a TTL gate has the property that a large spike-like through current flows in the totem pole output section 3 when the logic level is inverted. When this through current flows, ground 7
Due to the wiring pattern, the parasitic capacitance and inductance caused by the bonding wires, the potential of the ground connected to the output circuit section changes transiently.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、従来の半導体集積回路装置においては、
TTLゲートの入力部19位相反転部2及びトーテムポ
ール出力部3に対し共通のグランド配線によって接続し
ているため、上記の貫通電流が流れた時に、入力部1及
び位相反転部2に接続されるグランド7が過渡的に変動
し、TTLゲートの動作が不安定になるという問題があ
った。
However, in conventional semiconductor integrated circuit devices,
Since the input section 19 of the TTL gate is connected to the phase inversion section 2 and the totem pole output section 3 by a common ground wiring, it is connected to the input section 1 and the phase inversion section 2 when the above-mentioned through current flows. There was a problem that the ground 7 fluctuated transiently, making the operation of the TTL gate unstable.

また、一般に半導体集積回路装置には複数のTTLゲー
トが設けられ、それらが共通のグランドに接続されてい
るため、1つのTTLゲートに貫通電流が流れた場合、
そのTTLゲートだけでなく他のTTLゲートのグラン
ドも過渡的に変動する。このグランドの変動は同時に切
り替わるTTLゲートの個数が太いほど顕著に現われる
Additionally, semiconductor integrated circuit devices are generally provided with multiple TTL gates, which are connected to a common ground, so if a through current flows through one TTL gate,
The ground of not only that TTL gate but also other TTL gates fluctuates transiently. This ground variation becomes more pronounced as the number of TTL gates that switch simultaneously increases.

上述した従来の半導体集積回路装置のTTLゲートの問
題点に対し、本発明は、TTLゲートのトーテムポール
出力部のグランドと入力部及び位相反転部のグランドと
を分離することにより、トーテムポール出力部に貫通電
流が流れ、そのグランドの電位が変動しても、TTLゲ
ート及び他の半導体集積回路上の回路には影響を及ぼさ
ず、安定な動作を保障できるという独創的内容を有する
In order to solve the above-mentioned problems with the TTL gate of the conventional semiconductor integrated circuit device, the present invention separates the ground of the totem pole output section of the TTL gate from the ground of the input section and phase inversion section. Even if a through current flows through the circuit and its ground potential fluctuates, the TTL gate and other circuits on the semiconductor integrated circuit are not affected, and stable operation can be guaranteed.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明は、入力部と位相反転部及びトーテムポール出力
部より構成されるTTLゲートを有する半導体集積回路
装置において、トーテムポール出力部が接続されるトー
テムポール用グランドと入力部及び位相反転部が接続さ
れる入力部用グランドとを分離して少くとも外部電極の
近傍までは互いに接続していないことを特徴とする。
The present invention provides a semiconductor integrated circuit device having a TTL gate composed of an input section, a phase inverting section, and a totem pole output section, in which the input section and the phase inverting section are connected to a totem pole ground to which the totem pole output section is connected. It is characterized in that it is separated from the ground for the input section and is not connected to at least the vicinity of the external electrode.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図(a)に本発明による半導体集積回路装置の第1
の実施例に用いられるTTLゲートの回路構成の一例を
示す、第1図(a)においてグランド8がグランド7と
分離して設けられているほかは、第2図(a)に示す回
路と同一である。すなわち本実施例ではトランジスタ1
6のエミッタおよび抵抗13.14がグランド7に接続
され、トランジスタ20のエミッタおよび抵抗15はグ
ランド8に接続されている。
FIG. 1(a) shows a first embodiment of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention.
The circuit shown in FIG. 1(a) is the same as the circuit shown in FIG. 2(a), except that the ground 8 is provided separately from the ground 7. It is. In other words, in this embodiment, transistor 1
The emitter of transistor 20 and resistor 13 , 14 are connected to ground 7 , and the emitter of transistor 20 and resistor 15 are connected to ground 8 .

第1図(b)においては、グランド7を含むグランド2
2と、グランド8のグランドパッド8aを分離している
様子を示す。
In FIG. 1(b), the ground 2 including the ground 7
2 and the ground pad 8a of the ground 8 are shown separated.

本実施例では、入力部1及び位相反転部2のグランド7
と、トーテムポール出力部3のグランド8は第1図(b
)に示すように、グランドパッド22とグランドパッド
8aとに分離されているため、トーテムポール出力部3
に貫通電流が流れグランド8のレベルが変動しても、入
力部1及び位相反転部2のグランド7は変動しない、従
って、TTLゲートの動作が不安定になることはない。
In this embodiment, the ground 7 of the input section 1 and the phase inversion section 2 is
And, the ground 8 of the totem pole output section 3 is as shown in Fig. 1 (b
), since the ground pad 22 and the ground pad 8a are separated, the totem pole output section 3
Even if a through current flows and the level of the ground 8 changes, the ground 7 of the input section 1 and the phase inverting section 2 does not change. Therefore, the operation of the TTL gate does not become unstable.

第3図に本発明の第2の実施例のグランドのパッドを示
す。
FIG. 3 shows a ground pad according to a second embodiment of the present invention.

第3図は、第1図(a)の回路において、分離されたグ
ランド配線7とグランド配線8が共通のグランドパッド
22の間近で接続されていることを示す。この第3図に
示す本発明の第2の実施例では、第1図に示す第1の実
施例に比べ、パッドの数が少なくてすむため、チップサ
イズが小さくでき、歩留りが向上するという利点がある
FIG. 3 shows that in the circuit of FIG. 1(a), the separated ground wiring 7 and ground wiring 8 are connected in close proximity to a common ground pad 22. In FIG. The second embodiment of the present invention shown in FIG. 3 requires fewer pads than the first embodiment shown in FIG. 1, which has the advantage of reducing chip size and improving yield. There is.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上述べたように本発明は、トーテムポール出力部に対
するグランドパッドと入力部及び位相反転部のグランド
パッドとを分離することにより、トーテムポール出力部
に貫通電流が生じ、トーテムポール出力部のグランドの
レベルが変動しても、他の入力部及び位相反転部のグラ
ンドのレベルは変動することはなく、安定した回路動作
が得られるという効果がある。
As described above, in the present invention, by separating the ground pad for the totem pole output section from the ground pads for the input section and phase inversion section, a through current is generated in the totem pole output section, and the ground pad for the totem pole output section is separated. Even if the level fluctuates, the ground levels of the other input sections and the phase inversion section do not fluctuate, resulting in the effect that stable circuit operation can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)は、本発明の第1の実施例のTTLゲート
回路を示す回路図、第1図(b)は第1図(a)に示す
グランド7および8が接続されるグランドパッドを示す
平面図、第2図(a)は従来の半導体集積回路のTTL
ゲート回路を示す回路図、第2図(b)は第2図(a)
に示すグランド7が接続されるグランドパッドを示す平
面図、第3図は本発明の第2の実施例のグランドパッド
を示す平面図である。 1・・・入力部、2・・・位相反転部、3・・・トーテ
ムポール出力部、4・・・TTLゲート入力、5・・・
電源、6・・・TTLゲート出力、7,8・・・グラン
ド配線、8a、22・・・グランドパッド、9〜15・
・・抵抗、16〜20・・・トランジスタ、21・・・
ダイオード。
FIG. 1(a) is a circuit diagram showing a TTL gate circuit according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1(b) is a ground pad to which grounds 7 and 8 shown in FIG. 1(a) are connected. 2(a) is a plan view showing the TTL of a conventional semiconductor integrated circuit.
Circuit diagram showing the gate circuit, Fig. 2(b) is similar to Fig. 2(a)
FIG. 3 is a plan view showing a ground pad to which the ground 7 shown in FIG. 1... Input section, 2... Phase inversion section, 3... Totem pole output section, 4... TTL gate input, 5...
Power supply, 6... TTL gate output, 7, 8... Ground wiring, 8a, 22... Ground pad, 9-15.
...Resistance, 16-20...Transistor, 21...
diode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  入力部と位相反転部及びトーテムポール出力部より構
成されるTTLゲートを有する半導体集積回路装置にお
いて、トーテムポール出力部が接続されるトーテムポー
ル用グランドと入力部及び位相反転部が接続される入力
部用グランドとを分離して少くとも外部電極の近傍まで
は互いに接続していないことを特徴とする半導体集積回
路装置。
In a semiconductor integrated circuit device having a TTL gate composed of an input section, a phase inversion section, and a totem pole output section, an input section to which the input section and the phase inversion section are connected to a totem pole ground to which the totem pole output section is connected. 1. A semiconductor integrated circuit device characterized in that the semiconductor integrated circuit device is separated from a ground for external use and is not connected to at least the vicinity of an external electrode.
JP63089921A 1988-04-11 1988-04-11 Semiconductor integrated circuit device Pending JPH01260847A (en)

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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003283267A (en) * 2002-03-27 2003-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Output circuit for controlling gray-scale, its testing device, and method for testing the circuit

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