JPH01255192A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
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- JPH01255192A JPH01255192A JP8264888A JP8264888A JPH01255192A JP H01255192 A JPH01255192 A JP H01255192A JP 8264888 A JP8264888 A JP 8264888A JP 8264888 A JP8264888 A JP 8264888A JP H01255192 A JPH01255192 A JP H01255192A
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Landscapes
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は食品を載置して回転する受皿を保持する回転台
の回転軸からの電波漏洩防止を計った高周波加熱装置に
関するものである。
の回転軸からの電波漏洩防止を計った高周波加熱装置に
関するものである。
従来の技術
従来のこの種の高周波加熱装置は、加熱室底面を貫通す
る金属性の回転軸をプラスチック製の上部軸受と焼結合
金による下部軸受で保持し、軸受保持具とパイプとで作
られる空洞部によっていわゆる同軸形のチョーク空洞を
形成して外部への′電波漏洩を防止している。また加熱
室底面と回転軸との間にシリコーンゴム等で成形したパ
ツキンを介在せしめて加熱室内からの水滴等の浸みを防
止している。(例えば実開昭61−178296号公報
)発明が解決しようとする課題 上記構成によると、外部への電波漏洩を防止することは
できるが、上部軸受やパツキンが大きなマイクロ波電力
に常に晒されている点については配慮がされていない6
回転軸と加熱室底面は逆相線路を形成しているからマイ
クロ波は回転軸に沿って容易に漏出する。漏出したマイ
クロ波はチョーク空洞によって反射されて再び加熱室内
に戻されるので、外部への漏洩は防げるが、上部軸受と
パツキン内をマイクロ波が通過することは避けられない
。特に、チョーク空洞の入口がこれらの近くにあるため
に反射による定在波の最大電界の位置に極めて近い場所
となる。上部軸受とパツキンは誘電体であるから大電界
内に置かれると誘電体損失によって発熱することは周知
の通りである。
る金属性の回転軸をプラスチック製の上部軸受と焼結合
金による下部軸受で保持し、軸受保持具とパイプとで作
られる空洞部によっていわゆる同軸形のチョーク空洞を
形成して外部への′電波漏洩を防止している。また加熱
室底面と回転軸との間にシリコーンゴム等で成形したパ
ツキンを介在せしめて加熱室内からの水滴等の浸みを防
止している。(例えば実開昭61−178296号公報
)発明が解決しようとする課題 上記構成によると、外部への電波漏洩を防止することは
できるが、上部軸受やパツキンが大きなマイクロ波電力
に常に晒されている点については配慮がされていない6
回転軸と加熱室底面は逆相線路を形成しているからマイ
クロ波は回転軸に沿って容易に漏出する。漏出したマイ
クロ波はチョーク空洞によって反射されて再び加熱室内
に戻されるので、外部への漏洩は防げるが、上部軸受と
パツキン内をマイクロ波が通過することは避けられない
。特に、チョーク空洞の入口がこれらの近くにあるため
に反射による定在波の最大電界の位置に極めて近い場所
となる。上部軸受とパツキンは誘電体であるから大電界
内に置かれると誘電体損失によって発熱することは周知
の通りである。
また、パツキン付近に食品カスが付着したり、煮汁が固
化した場合、さらに回転摩耗によってパツキンと回転軸
の間に生じた隙間にこれらが入り込むと一層発熱は促進
されたり、スパークの発生原因ともなる。これらはいず
れも重大な危険をはらむものであるから十分な配慮が必
要である。
化した場合、さらに回転摩耗によってパツキンと回転軸
の間に生じた隙間にこれらが入り込むと一層発熱は促進
されたり、スパークの発生原因ともなる。これらはいず
れも重大な危険をはらむものであるから十分な配慮が必
要である。
課題を解決するための手段
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
、チョーク空洞の入口に浸入するマイクロ波電力を小さ
くし、入口付近での発熱やスパークの発生を抑止した安
全な高周波加熱装置を提供することを目的としている。
、チョーク空洞の入口に浸入するマイクロ波電力を小さ
くし、入口付近での発熱やスパークの発生を抑止した安
全な高周波加熱装置を提供することを目的としている。
そこで、被加熱物を回転自在に載置する受皿と、この受
皿を着脱自在に保持する回転台と、この回転台に軸受を
連結するだめの連結板と、加熱室底面の貫通穴を介して
上記軸受に着脱自在に係合し、回転台に回転駆動力を伝
える回転軸とを備え、上記回転台と加熱室底面の隙間を
通って上記貫通穴に達するマイクロ波電力を低減する金
属板から成る抑止板を上記軸受の下部に固着したもので
ある。また、抑止板と加熱室底面との間隔を抑止板と回
転台との間隔よりも小さくしている。
皿を着脱自在に保持する回転台と、この回転台に軸受を
連結するだめの連結板と、加熱室底面の貫通穴を介して
上記軸受に着脱自在に係合し、回転台に回転駆動力を伝
える回転軸とを備え、上記回転台と加熱室底面の隙間を
通って上記貫通穴に達するマイクロ波電力を低減する金
属板から成る抑止板を上記軸受の下部に固着したもので
ある。また、抑止板と加熱室底面との間隔を抑止板と回
転台との間隔よりも小さくしている。
作用
上記のように構成したことにより、軸受の下部に固着し
た金属板から成る抑止板は回転台と加熱室底面の隙間に
入り込んだマイクロ波電力を上下に分割し、抑止板と加
熱室底面との間隔を小さくすればするほど抑止板と加熱
室底面の隙間を通って加熱室底面の貫通穴に達するマイ
クロ波電力を低減する。
た金属板から成る抑止板は回転台と加熱室底面の隙間に
入り込んだマイクロ波電力を上下に分割し、抑止板と加
熱室底面との間隔を小さくすればするほど抑止板と加熱
室底面の隙間を通って加熱室底面の貫通穴に達するマイ
クロ波電力を低減する。
実施例
以下本発明の一実施例を第1図乃至第5図により説明す
る。
る。
図において、1は加熱室であり、そのほぼ中央に設けら
れた貫通穴2を金属製の回転軸3が貫通している。回転
軸3は連結板4を介して回転台7に取付けられた金属製
の軸受8に係合して、回転駆動源6の回転力を回転台7
に伝達し、かつ、回転台7を着脱自在に支承するもので
ある。回転台7は被加熱物を回転自在に載置する受皿5
を着脱自在に保持している。軸受8に取付けられた抑止
板9が本発明の実施例である。抑止板9は第2図に示す
ように金属製の円板で、加熱室底面1と一定間隔を保っ
て対面する形となっている。10はチョーク構造体でそ
の内側にはパイプ11があり、この部分は回転軸3を内
導体、パイプ11を外導体とする同軸線路を形成してい
る。また、その外側は2aをチョーク入口とし、使用マ
イクロ波のIll!II/4波長の長さLを持つチョー
ク空洞12を形成している。
れた貫通穴2を金属製の回転軸3が貫通している。回転
軸3は連結板4を介して回転台7に取付けられた金属製
の軸受8に係合して、回転駆動源6の回転力を回転台7
に伝達し、かつ、回転台7を着脱自在に支承するもので
ある。回転台7は被加熱物を回転自在に載置する受皿5
を着脱自在に保持している。軸受8に取付けられた抑止
板9が本発明の実施例である。抑止板9は第2図に示す
ように金属製の円板で、加熱室底面1と一定間隔を保っ
て対面する形となっている。10はチョーク構造体でそ
の内側にはパイプ11があり、この部分は回転軸3を内
導体、パイプ11を外導体とする同軸線路を形成してい
る。また、その外側は2aをチョーク入口とし、使用マ
イクロ波のIll!II/4波長の長さLを持つチョー
ク空洞12を形成している。
上記構成からなる本実施例の作用について説明する。
このような構造にすると漏洩しようとするマイクロ波の
経路は、まず抑止板9と加熱室底面1の隙間から入り込
み、貫通穴2を通り、パイプ11の内側の同軸線路を伝
播しようとするが、チョーク空洞12のためにこの同軸
線路を伝播できず、チョーク人口2aで反射されて逆の
経路をたどって加熱室内に戻される。すなわち、経路は
従来と変らない。しかしながら、加熱室底面1と回転台
7の隙間に入り込んだマイクロ波電力は抑止板9の上下
に分離され、抑止板9と加熱室底面1との間隔h1を回
転台7との間隔h2よりも小さくすればするほど、抑止
板9と加熱室底面1の間に侵入するマイクロ波電力は低
減することが実験的に確認されている。この電力が小さ
ければ貫通穴2やパイプ11の上端11a付近に固着し
た食品カス等による発熱とスパークを抑止できる。
経路は、まず抑止板9と加熱室底面1の隙間から入り込
み、貫通穴2を通り、パイプ11の内側の同軸線路を伝
播しようとするが、チョーク空洞12のためにこの同軸
線路を伝播できず、チョーク人口2aで反射されて逆の
経路をたどって加熱室内に戻される。すなわち、経路は
従来と変らない。しかしながら、加熱室底面1と回転台
7の隙間に入り込んだマイクロ波電力は抑止板9の上下
に分離され、抑止板9と加熱室底面1との間隔h1を回
転台7との間隔h2よりも小さくすればするほど、抑止
板9と加熱室底面1の間に侵入するマイクロ波電力は低
減することが実験的に確認されている。この電力が小さ
ければ貫通穴2やパイプ11の上端11a付近に固着し
た食品カス等による発熱とスパークを抑止できる。
次に、抑止板9が無い場合に加熱室内の電波の一部が回
転軸3を介して貫通穴2から外部方向(下方)へ漏洩す
る様子について説明する。第3図は説明のため簡略化し
た回転台7付近を示す図である。13は回転台7に相当
する上部導体であり、14は回転軸3に相当する導体棒
である。また、15は加熱室底面1に対する下部導体で
、同軸入口16から下は導体棒14を内導体とする同軸
線路となっている。金弟3図右方から磁界17と電界1
8で示すマイクロ波が到来したものとする。このような
マイクロ波の形状も概念的に簡略化して示したにすぎな
いが、上部導体13と下部導体15の間隔が使用マイク
ロ波の波長の半分以下であれば、電界18は図のように
上下の導体13.15に対して垂直な成分しか存在しな
いことは事実であり、したがって、磁界17はこれを取
り巻いて上下の導体13.15に対して平行゛な成分し
か存在しないこととなる。その結果、両導体には20.
20aおよび21.21aの矢印で示すような向きで電
界18を中心とする放射状に表面電流が流れることとな
る。このようなマイクロ波がさらに進行して、導体棒1
4に到達し、磁界17が導体棒14と交差したときの様
子を第4図に示す。
転軸3を介して貫通穴2から外部方向(下方)へ漏洩す
る様子について説明する。第3図は説明のため簡略化し
た回転台7付近を示す図である。13は回転台7に相当
する上部導体であり、14は回転軸3に相当する導体棒
である。また、15は加熱室底面1に対する下部導体で
、同軸入口16から下は導体棒14を内導体とする同軸
線路となっている。金弟3図右方から磁界17と電界1
8で示すマイクロ波が到来したものとする。このような
マイクロ波の形状も概念的に簡略化して示したにすぎな
いが、上部導体13と下部導体15の間隔が使用マイク
ロ波の波長の半分以下であれば、電界18は図のように
上下の導体13.15に対して垂直な成分しか存在しな
いことは事実であり、したがって、磁界17はこれを取
り巻いて上下の導体13.15に対して平行゛な成分し
か存在しないこととなる。その結果、両導体には20.
20aおよび21.21aの矢印で示すような向きで電
界18を中心とする放射状に表面電流が流れることとな
る。このようなマイクロ波がさらに進行して、導体棒1
4に到達し、磁界17が導体棒14と交差したときの様
子を第4図に示す。
導体棒14を磁界17が取り巻くと電界18は消滅して
、その代りに導体棒14には22.22aで示すような
表面電流が流れる。導体棒14と上部導体13は電気的
に接続されているので、表面電流22.22aは導体棒
14の軸を中心とする放射状に流れるのでその電流密度
iは半径方向の距雛Rが増すに従って急激に低下し、導
体棒14の近傍が最も太きい。同様に、下部導体15か
ら導体棒14に向かって表面電流が流れようとするが、
上部導体13の場合と異なり、同軸入口16の部分は導
体ではないから表面電流は流れず、その代り変位電流、
すなわち電界23.23aが発生して同軸線路を下方に
伝播していく。この下方に伝播して行くマイクロ波電力
が第1図で述べた貫通穴2を通って下方に伝播しようと
するマイクロ波である。そして、その電力の大きさは第
4図で示したように、表面電流の電流密度iが最も大き
い所に同軸入口16があるのでかなり大きな電力である
。なお第4゛図の下方の同軸線路内には図示しないが電
界23.23aに対応する磁界が導体棒14を取り巻く
形で存在することと、内導体と外導体の軸方向に表面電
流が各々流れることは言うまでもない。このように左右
から到来したマイクロ波電力の一部は下方へ伝播するが
残りの電力は導体棒14に損失が無ければ一部は左方に
通過し、一部は反射して右方に戻され、残りは導体棒1
4から再輻射して放射状に電力が放射される。
、その代りに導体棒14には22.22aで示すような
表面電流が流れる。導体棒14と上部導体13は電気的
に接続されているので、表面電流22.22aは導体棒
14の軸を中心とする放射状に流れるのでその電流密度
iは半径方向の距雛Rが増すに従って急激に低下し、導
体棒14の近傍が最も太きい。同様に、下部導体15か
ら導体棒14に向かって表面電流が流れようとするが、
上部導体13の場合と異なり、同軸入口16の部分は導
体ではないから表面電流は流れず、その代り変位電流、
すなわち電界23.23aが発生して同軸線路を下方に
伝播していく。この下方に伝播して行くマイクロ波電力
が第1図で述べた貫通穴2を通って下方に伝播しようと
するマイクロ波である。そして、その電力の大きさは第
4図で示したように、表面電流の電流密度iが最も大き
い所に同軸入口16があるのでかなり大きな電力である
。なお第4゛図の下方の同軸線路内には図示しないが電
界23.23aに対応する磁界が導体棒14を取り巻く
形で存在することと、内導体と外導体の軸方向に表面電
流が各々流れることは言うまでもない。このように左右
から到来したマイクロ波電力の一部は下方へ伝播するが
残りの電力は導体棒14に損失が無ければ一部は左方に
通過し、一部は反射して右方に戻され、残りは導体棒1
4から再輻射して放射状に電力が放射される。
次に本発明の抑止板9がある場合の漏洩について詳しく
説明する。第5図は第3図と同様に簡略化して示した図
で、抑止板9が下部導体15から間隔h□を保って導体
棒14に取付けられている。第3図と同様に右方から磁
界17、電界18(第5図には示していない)が到来す
ると抑止板9で上下に2分割されて領域25と領域26
に分けられて進行し、各々導体棒14に到達する。到達
した磁界27.28は導体棒14と交差して表面電流2
9.29aおよび30.30aが各々流れる。領域26
側の表面電流30.30aによって、第4図で述べた如
く、その電力の一部は電界31.31aで示すように下
方の同軸線路へ伝播するが、領域25側の表面電流29
.29aは下方の同軸線路には影響を与えず到達したマ
イクロ波電力は左方への通過、右方への反射および放射
状の再輻射が行われるだけである。従って領域26内に
進入するマイクロ波電力が小さければ下方へ伝播する電
力も小さくすることができる。抑止板9と上部導体13
との間隔をhl、下部導体15との間隔をh2とし、上
部導体13と下部導体15の間隔をHとすれば、到来し
たマイクロ波は電磁界の形状から。
説明する。第5図は第3図と同様に簡略化して示した図
で、抑止板9が下部導体15から間隔h□を保って導体
棒14に取付けられている。第3図と同様に右方から磁
界17、電界18(第5図には示していない)が到来す
ると抑止板9で上下に2分割されて領域25と領域26
に分けられて進行し、各々導体棒14に到達する。到達
した磁界27.28は導体棒14と交差して表面電流2
9.29aおよび30.30aが各々流れる。領域26
側の表面電流30.30aによって、第4図で述べた如
く、その電力の一部は電界31.31aで示すように下
方の同軸線路へ伝播するが、領域25側の表面電流29
.29aは下方の同軸線路には影響を与えず到達したマ
イクロ波電力は左方への通過、右方への反射および放射
状の再輻射が行われるだけである。従って領域26内に
進入するマイクロ波電力が小さければ下方へ伝播する電
力も小さくすることができる。抑止板9と上部導体13
との間隔をhl、下部導体15との間隔をh2とし、上
部導体13と下部導体15の間隔をHとすれば、到来し
たマイクロ波は電磁界の形状から。
その電力のh 、/Hが領域26側に進行し、残りが2
5側に進行することがわかる。すなわちり、/h2が小
さいほど下方へ伝播する電力は小さくなる。
5側に進行することがわかる。すなわちり、/h2が小
さいほど下方へ伝播する電力は小さくなる。
これまで貫通穴2を貫通するものは金属に限って説明し
てきたが、本発明の効果は金属の場合にのみ限定される
ものではない。例えば、第1図の回転軸3が誘電体(例
えばセラミックス)の場合でも全く同様な効果が得られ
る。
てきたが、本発明の効果は金属の場合にのみ限定される
ものではない。例えば、第1図の回転軸3が誘電体(例
えばセラミックス)の場合でも全く同様な効果が得られ
る。
発明の効果
以上本発明によれば、金属板からなる抑止板を回転台の
軸受に固着し、抑止板と加熱室底面との間隔を小さくし
たから、回転台に回転駆動力を伝える回転軸が貫通して
いる貫通穴に入り込むマイクロ波電力が少なくなり貫通
穴に設けたチョーク空洞入口付近での異常加熱やスパー
クの発生を長1tl1間にわたって抑止する効果が有る
。
軸受に固着し、抑止板と加熱室底面との間隔を小さくし
たから、回転台に回転駆動力を伝える回転軸が貫通して
いる貫通穴に入り込むマイクロ波電力が少なくなり貫通
穴に設けたチョーク空洞入口付近での異常加熱やスパー
クの発生を長1tl1間にわたって抑止する効果が有る
。
第1図は本発明の一実施例を示す高周波加熱装置の要部
断面図、第2図は同抑止板の平面図、第3図、第4図、
第5図は同作用説明用概略図である。 1・・・加熱室底面、 2・・・貫通穴、 3・・・
回転軸、4・・・連結板、 5・・・受皿、
7・・・回転台、8・・・軸受、 9・・・抑止
板。
断面図、第2図は同抑止板の平面図、第3図、第4図、
第5図は同作用説明用概略図である。 1・・・加熱室底面、 2・・・貫通穴、 3・・・
回転軸、4・・・連結板、 5・・・受皿、
7・・・回転台、8・・・軸受、 9・・・抑止
板。
Claims (2)
- (1)、被加熱物を回転自在に載置する受皿(5)と、
この受皿(5)を着脱自在に保持する回転台(7)と、
この回転台(7)に軸受(8)を連結するための連結板
(4)と、加熱室底面(1)の貫通穴(2)を介して上
記軸受(8)に着脱自在に係合し、回転台(7)に回転
駆動力を伝える回転軸(3)とを備え、上記回転台(7
)と加熱室底面(1)の隙間を通って上記貫通穴(2)
に達するマイクロ波電力を低減する金属板から成る抑止
板(9)を上記軸受(8)に固着したことを特徴とする
高周波加熱装置。 - (2)、抑止板(9)と加熱室底面(1)との間隔(h
_1)を抑止板(9)と回転台(7)との間隔(h_2
)よりも小さくした請求項(1)記載の高周波加熱装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8264888A JPH01255192A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8264888A JPH01255192A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 高周波加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01255192A true JPH01255192A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13780250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8264888A Pending JPH01255192A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01255192A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6335299B2 (ja) * | 1983-08-09 | 1988-07-14 | Alsthom Atlantique |
-
1988
- 1988-04-04 JP JP8264888A patent/JPH01255192A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6335299B2 (ja) * | 1983-08-09 | 1988-07-14 | Alsthom Atlantique |
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