JPH01251544A - 陰極線管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は陰極線管に係り、特にターゲット上のビームス
ポット径を小さくすることにより画像性能が向上された
陰極線管に関する。

（従来の技術） 代表的な陰極線管であるカラー受像管のうち、シャドウ
マスク形カラー受像管の水平断面を第７図に示す。

同図において、カラー受像管装置１は、スクリーン面２
をもつフェースプレート３゛と、このフェースプレート
３の側壁部３ａにファンネル４を介し連結されたネック
５と、このネック５に内装された電子銃６と、ファンネ
ル４からネック５にかけてこの外壁に装着された偏向装
置７と、前記スクリーン面２と所定間隔をもって対設さ
れた多数のアパーチャ８を有するシャドウマスク９と、
前記ファンネル４の内壁から前記ネック５の一部にかけ
て一様に塗布された内部導電膜１０と、ファンネル４の
外部に塗布された外部導電膜１１と、ファンネル４の一
部に設けられた陽極端子（図示せず）とを具備している
。

そして、スクリーン面２には赤色発光蛍光体、緑色発光
蛍光体および青色発光蛍光体がストライブ状に多数塗布
されており、電子銃６から出た３本の電子ビームＢＲ％
ＢにおよびＢｅはシャドウマスク９により選択されてそ
れぞれの蛍光体を衝撃し、これを発光させる。

また、電子銃６はインライン配列の平行な３本の電子ビ
ームＢｇＳＢｃおよびＢｅを発生、加速ならびに制御す
るための電子ビーム形成部ＧＥと、これらの電子ビーム
を集束させるための主電子レンズ部ＭＬと、集束された
電子ビームを集中させるための集中電極１２を有してい
る。そして、３本の電子ビームＢＲＳＢＣおよびＢｅを
前記偏向装置７によりスクリーン全面に偏向走査するこ
とにより、ラスタを形成する。

他に、シャドウマスクを使用しないで、１本の電子ビー
ムを切換えて使用する形式のカラー受像管等もある。

このような陰極線管の画像性能を向上させるには、電子
銃の性能を向上させてスクリーン上のビームスポット径
を小さくする必要がある。電子銃の性能を向上させる有
効な方法の一つとして、ブリフォーカスレンズにより生
じる物点、すなわち仮想クロスオーバを小さくする方法
がある。

この方法によりビームスポット径が小さくなる原理を、
第８図を用いて説明する。第８図は、第７図に示したカ
ラー受像管の電子銃からスクリーンにかけての電子ビー
ムの変化を模式的に示す垂直断面図である。

第８図に示すように、カソードＫから発生した電子ビー
ムＥＢは、カソードに１第１グリッドＧ１および第２グ
リッドＧ２によって形成されるカソードレンズＫＬによ
り、第１グリッドＧ１から第２グリッドＧ２付近におい
て中心軸（Ｚ軸）と交叉してクロスオーバＣＯを形成す
る。その後、発散して進行しながら第２グリッドＧ２と
第３グリッドＧ３によって形成されるブリフォーカスレ
ンズＰＬにより予備集束されて、第３グリッドＧ３内へ
入射する。この第３グリッドＧ３内へ入射した電子ビー
ムＥＢをカソードに方向に延ばして中心軸（Ｚ軸）と交
叉させると、クロスオーバＣＯよりカソードに側に仮想
クロスオーバＶＣＯが形成されている。すなわち、ブリ
フォーカスレンズによって、物点としての仮想クロスオ
ーバ　′ｖＣＯが生じたことになる。

第３グリッドＧ３内へ入射した電子ビームＥＢは、第３
グリッドＧ３から最終グリッドまでの間に形成される主
電子レンズＬＥＮにより主集束作用を受け、スクリーン
ＳＣＮ上にビームスポットＳＰを形成する。これは、物
点としての仮想クロスオーバｖＣＯ像を、主電子レンズ
ＬＥＮによりスクリーンＳＣＮ上に像点として結像させ
、ビームスポットＳＰを形成したとみなすことができる
。

したがって、ブリフォーカスレンズによって生じる物点
が小さいもの程、スクリーン上のビームスポット径は小
さくなり、画像性能は向上する。

しかしながら、スクリーン上のビームスポット径が劣化
する現象として、ブルーミングと呼ばれる現象がある。

ブルーミング現象とは、ビーム電流値が小さい領域（低
電流域）では電子ビームが最適集束状態にあるため最適
状態にあったビームスポットが、ビーム電流値が大きい
領域（高電流域）では電子ビームが最適集束状態からず
れるために径大となる現象である。

このブルーミング現象を、カソードの動作領域の変化と
いう観点から説明する。

第９図（ａ）は、カットオフ状態（スクリーン上に電子
ビームが到達しない状態）におけるカソード付近の等電
位線（図中の破線）と電子ビーム（図中の実線）の状態
を示す断面図であり、第９図（ｂ）は、このときのカソ
ード表面を第１グリッド側から見た図である。なお、第
１グリッド側から見たカソード表面は、全面が電子放射
部ＡＥとなっている。

第９図（ａ）に示すように、カットオフ状態では高電位
線２０がカソードに表面すなわち電子放射部ＡＥに達す
る寸前であり、電子放射部ＡＥから発生した電子は第１
グリッドＧ１の開口２１を通過して進むことはない。し
たがって、電子ビームは形成されない。また、第９図（
ｂ）に示すように、このときの電子放射部ＡＥには動作
領域は存在しない。

この状態から相対的にカソードにの電位Ｅｋをｆげてい
くと、カソードに付近の等電位線と電子ビームの状態お
よびカソードに表面は、第１０図（ａ）および第１０図
（ｂ）に示すように変化する。

すなわち、第１０図（ａ）に示すように、高電位線２０
は第１グリッドＧ１の開口２１からさらに浸透して、電
子放射部ＡＥの中央部に到達する。

この部分を動作領域ＡＬといい、この動作領域ＡＬから
放射された電子は、カソードレンズにより束状に集めら
れて電子ビームとなり、第２グリッドＧ２近傍にクロス
オーバＣＯＬを形成する。

この後第２グリッドＧ２の開口２２を通過した電子ビー
ムは、ブリフォーカスレンズにより発散が抑制されて第
３グリッドＧ３の開口２３を通過するため、クロスオー
バＣＯＬよりカソードに側に仮想クロスオーバＶＣＯＬ
を生じる。このときの電子放射部ＡＥの中央部には、第
１０図（ｂ）に示すように、動作領域ＡＬが存在してい
る。

このように、低電流域での電子放射部ＡＥの動作領域Ａ
Ｌはカソードにの中央部のみであるため、ここからの電
子ビームの軌跡は動作領域ＡＬの中央部と周縁部とで大
きく異なることはない。このため、仮想クロスオーバＶ
ＣＯＬを小さく抑えることができ、スクリーン上に径小
のビームスポットを形成することができる。

第１０図に示した状態よりさらにカソードにの電位Ｅｋ
を相対的に下げていくと、カソードに付近の等電位線と
電子ビームの状態およびカソードに表面は、第１１図（
ａ）および第１１図（ｂ）に示すように変化する。

すなわち、第１１図（ａ）に示すように、高電位線２０
は第１グリッドＧ１の開口２１からさらに浸透してきて
、電子放射部ＡＥの周辺部まで到達する。したがって、
このときの動作領域ＡＨは前述の動作領域ＡＬより広が
り、電子放射部ＡＥの中央部のみならず周辺部からの放
射電子もカソードレンズにより束状に集められて電子ビ
ームとなり、第２グリッドＧ２近傍にクロスオーバＣＯ
Ｈを形成する。また、クロスオーバＣＯＨよりカソード
に側に仮想クロスオーバＶＣＯＨを生じる。このときの
電子放射部ＡＥの中央部には、第１１図（ｂ）に示すよ
うに、前述した動作領域ＡＬより広い動作領域ＡＨが存
在している。

このとき、動作領域ＡＨの周縁部から放射された電子に
より形成される電子ビームの軌跡と、中央部から放射さ
れた電子により形成される電子ビームの軌跡とは大きく
異なり、動作領域ＡＨの周縁部からの電子ビームはカソ
ードレンズにより強い収差を受ける。このため、クロス
オーバＣＯＨならびに仮想クロスオーバＶＣＯＨが大き
くなるとともに、主電子レンズＬＥＮでの収差を受は易
いビーム状態となる。したがって、高電流域ではスクリ
ーン上のビームスポット径が大きくなる。

すなわち、ブルーミング現象が生じる。

なお、第１０図および第１１図において第９図と共通す
る部分については、第９図と同じ符号を付しである。

このようなブルーミング現象の発生を抑制する手段とし
ては、高電流域において外側電子ビームのみを少し強く
集束させて主電子レンズの手前で電子ビーム軸と交差さ
せることにより、主電子レンズ部での電子ビームの広が
りを小さくして収差を受は難いようにする方法（特開昭
５７−８０２４７号公報）や、前記方法において低電流
域と高電流域でフォーカス電圧を調整するいわゆるダイ
ナミック補正方法（昭５７−４４９４４号公報）がある
。

しかしながら、外側電子ビームのみを主電子レンズの手
前で電子ビーム軸と交差させる方法では、第１グリッド
から主電子レンズの間に電子レンズを形成させる以上、
高電流域での外側電子ビームだけを集束させることはで
きず、高電流域での中央部の電子ビームも集束作用を受
けるため、物点（仮想クロスオーバ）はかえって大きく
なる。また、低電流域でも同様に物点が大きくなる。し
たがって、この方法でスクリーン上のビームスポット径
を小さくすることは困難である。

また、ダイナミック補正方法を用いた場合には、調整回
路が高周波、高電圧を扱わなければならないため極めて
高価となり、経済性に劣る。さらに、高電流域では物点
が大きくなっているため、ダイナミック補正方法で調整
してもその効果は顕著ではない。

（発明が解決しようとする課題） このように、陰極線管の画像性能を向上させるには、ブ
リフォーカスレンズにより生じる物点を小さくすること
によりビームスポット径を小さくする方法が有効である
が、従来技術では高電流域におけるブルーミング現象の
発生を充分に抑制することができず、高電流域において
もビームスポット径を小さくして陰極線管の画像性能を
向上させることは困難であった。

したがって、電子ビーム形成部により形成される物点を
小さくすることによりビームスポット径を小さくして陰
極線管の画像性能を向上させるには、高電流域において
も物点の大きさを小さく抑えるとともに物点からの電子
ビームの拡がりも小さく抑えて、高電流域におけるブル
ーミング現象の発生を充分に抑制することのできる陰極
線管を得ることが望ましい。

本発明はかかる従来技術の課題を解決すべくなされたも
ので、低電流域のみならず高電流域においても物点の大
きさを小さく抑えるとともに、物点からの電子ビームの
拡がりも小さく抑えて、高電流域におけるブルーミング
現象の発生を充分に抑制することのできる陰極線管を提
供することを目的とする。

［発明の構成コ （課題を解決するための手段） すなわち、本発明の陰極線管は、カソード、第１グリッ
ドおよび第２グリッドを有する電子ビーム形成部と、こ
の電子ビーム形成部から発生した電子ビームをターゲッ
ト上に集束させるための主電子レンズ部とを少なくとも
具備する電子銃部を備え、電子銃部から発、射された少
なくとも　１本の電子ビームを偏向部によりターゲット
部に偏向走査する陰極線管において、カソードの第１グ
リッドに対向する面には、第１グリッドに穿設されたビ
ーム通過孔の中央部に対応する領域およびその近傍に貧
電子放射部が形成されていることを特徴としている。

（作　用） 本発明の陰極線管では、電子銃部を構成するカソードの
第１グリッドに対向する面には、第１グリッドに穿設さ
れたビーム通過孔の中央部に対応する領域およびその近
傍に貧電子放射部が形成されている。

このため、低電流域における電子ビームは、貧電子放射
部の周辺部に生じる動作領域から発生した電子により形
成される。また、高電流域における電子ビームは、低電
流域における動作領域とこの外側に生じる動作領域とか
ら発生した電子により形成される。

このとき、高電流域における動作領域の外縁部から発生
した電子により形成される電子ビームの軌跡と、内縁部
から発生した電子により形成される電子ビームの軌跡は
、従来径異ならないため、低電流域において径小の仮想
クロスオーバが形成されるようにすれば、高電流域にお
いても仮想クロスオーバ径を小さく抑えることができる
。

また、低電流域におけるクロスオーバ形成後の電子ビー
ムの広がり具合と、高電流域におけるクロスオーバ形成
後の電子ビームの広がり具合との差も減少するため、高
電流域における主電子レンズによる収差の影響が軽減さ
れる。

したがって、高電流域におけるブルーミング現象の発生
が抑制され、低電流域から高電流域にかけてターゲット
上のビームスポット径を小さくすることができ、画像性
能の向上された陰極線管を得ることができる。

（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。

第１図は、本発明に係る陰極線管に用いるカソードの第
１グリッドと対向する面を示す斜視図である。

第１図に示すように、カソードに１の第１グリッドに対
向する面には、第１グリッドに穿設されたビーム通過孔
の中央部に対応する領域およびその近傍に貧電子放射部
３０が形成されている。

貧電子放射部３０は、カソードに１を構成する基体金属
が露出している部分であり、第１グリッドに対向する面
の貧電子放射部３０以外の表面には、電子放射部ＡＥ、
が形成されている。

このカソードに１を用いた電子銃の、カットオフ状態、
低電流域および高電流域におけるカソードに１付近の等
電位線と電子ビームの状態、ならびにこのときのカソー
ドに１表面の状態について、図面を用いて説明する。

第２図（ａ）は、カットオフ状態におけるカソード付近
の等電位線（図中の破線）と電子ビーム（図中の実線）
の状態を示す断面図であり、第２図（ｂ）は、このとき
のカソードに１表面を第１グリッド側から見た図である
。

第２図（ａ）に示すように、カットオフ状態では高電位
線４０はカソードに１の表面中央部に到達しているが、
この部分は貧電子放射部３０であり電子放射部ＡＥ、は
形成されていないため、第１グリッドＧ１の開口２１ま
で進む電子はなく、電子ビームは形成されない。すなわ
ち、カソードに１の表面に動作領域は存在しない。

この状態から相対的にカソードの電位Ｅｋを下げて低電
流域とすると、第３図（ａ）に示すように、高電位線４
０は第１グリッドＧ１の開口２１から浸透して、カソー
ドに１の電子放射部ＡＥ。

まで広がる。このため、カソードに１の表面には、第３
図（ｂ）に示すように、貧電子放射部３０の外側の電子
放射部ＡＥ、に動作領域ＢＬが形成される。この動作領
域ＢＬから放射された電子は、カソードに１と第１グリ
ッドＧ１との間に形成されるカソードレンズにより束状
に集められて電子ビームとなり、第２グリッドＧ２近傍
にクロスオーバＣＯＬ　１を形成する。この後第２グリ
ッドＧ２の開口２２を通過した電子ビームは、ブリフォ
ーカスレンズにより発散が抑制されて第３グリッドＧ３
の開口２３を通過するため、クロスオーバＣＯＬ　＋よ
りカソードに１側に仮想クロスオーバＶＣＯＬ　＋を生
じる。

ここで、電子ビームを形成する電子はカソードに１の中
央部から放射された電子ではないため、クロスオーバＣ
０Ｌ１形成時には既にカソードレンズによる収差を受け
ている。しかしながら、電子銃はこの低電流域における
仮想クロスオーバＶＣＯＬ　１が最良となるようにグリ
ッド厚さや間隔を設計するため、仮想クロスオーバＶＣ
ＯＬ　＋が従来より大きくなったり、電子ビームの広が
りが大きくなったりすることはない。

低電・流域からさらにカソードに１の電位Ｅｋを相対的
に下げて高電流域とすると、第４図（ａ）に示すように
、高電位線４０はさらに浸透してきて電子放射部ＡＥ、
の周辺部まで到達する。このため、電子放射部ＡＥ、に
は、第４図（ｂ）に示すように、前述の動作領域ＢＬよ
り広い動作領域ＢＨが形成される。この領域ＢＨから放
射された電子はカソードレンズにより束状に集められて
電子ビームとなり、第２グリッドＧ２近傍にクロスオー
バＣＯＨ＋を形成する。このとき、動作領域ＢＨの周縁
部から放射された電子により形成される電子ビームは、
カソードレンズにより強い収差を受けるが、動作領域Ｂ
Ｈの内縁部から放射された電子により形成される電子ビ
ーム、すなわち、前述の動作領域ＢＬに含まれる領域か
ら放射された電子により形成される電子ビームもカソー
ドレンズの収差を受けているため、これらの電子ビーム
の軌道が大きく異なることはない。

したがって、高電流域においても仮想クロスオーバＶＣ
ＯＨ＋　、すなわち主電子レンズに対する物点を小さく
することができ、低電流域の物点を劣化させることなく
高電流域の物点を大幅に改善することができる。これに
より、高電流域におけるブルーミング現象の発生が抑制
され、画像性能が向上する。

なお、第２図ないし第４図において第９図と共通する部
材については、第９図と同じ符号を付しである。

さらに本発明の効果を理解するためには、ビーム電流値
とカソードの動作領域の関係を理解することが重要であ
る。

ビーム電流値を大きくするには、基本的にはカソードの
動作領域を増やせばよいので、説明を簡単にするために
ビーム電流Ｉｋの値がカソードの動作面積に比例するも
のとする。

このとき、従来のカソードのように、カソードの第１グ
リッド、と対向する面金域に電子放射部を形成した場合
のＩｋ値は、動作領域半径をＲ１比例定数をｋとすれば
、 Ｉｋ−に−Ｒ２・・・・・・（１） となる。したがって、低電流を３ｍＡとし、その１０倍
の電流３Ｉ＾を高電流とすると、高電流時の動作領域半
径は低電流時の動作領域半径の汀（÷３．２）倍となる
。

一方、本発明のように、カソードの第１グリッドと対向
する面に貧電子放射部が設けられている場合のｈ値は、
貧電子放射部の半径をＲＯとすれば、 Ｉｋ−ｋ　（Ｒ２−Ｒｏ　２）・・・・・・（２）とな
る。だだし、このとき貧電子放射部から放射される電子
は無視できるものとする。

したがって、貧電子放射部の半径Ｒｏが低電流時の動作
領域半径の９０％であるとき、低電流を３１＾とし、そ
の１０倍の電流３ｍＡを高電流とすると、高電流時の動
作領域半径は低電流時の動作領域半径のｌゴで：１１了
丁「１−（÷１．６）倍となり、従来に比べ動作領域の
拡大が大幅に抑えられる。

このように、低電流時の動作領域と高電流時の動作領域
があまり変らないということは、これらの動作領域から
放射された電子により形成される電子ビームの軌跡も、
基本的にあまり変わらないことを意味する。したがって
、低電流域における物点を小さく抑えることにより、高
電流域における物点も小さく抑えることができる。

本実施例の詳細な仕様は、たとえば以下のようにするこ
とができる。なお、各電極の電位以外の単位は［ａｍ］
である。

各電極のビーム通過孔径φ Ｇ　１−　Ｇ　２　＝　０．６０　ｓ Ｇ、−Ｇ、−Ｇ５−Ｇ６−４．５２ 各電極の厚さ Ｇ１＝　０．１０　、Ｇ２−０．１８ 各電極の長さ Ｇ３−１．１、Ｇ、−２，０、Ｇ５−１８．０、Ｇ６霧
　７，５ 最終電極からのスクリーンまでの距離−約３５０カソー
ドの径φ−１，６ 貧電子放射部の径φ−０，３ 各電極の電位［単位：■］ Ｅｋ■０〜１５０、ＥＣ，−０゜ Ｅｃ　２−ＥＣ４÷７００ Ｅ　ｃ　３−　Ｅ　ｃ　５　＊　７０００〜８０００Ｅ
　Ｃｓ　＊　　２５０００〜３００００本発明における
貧電子放射部の直径は、第１グリッドＧ１に穿設したビ
ーム通過孔の直径以下であり、第１グリッドＧ１に穿設
したビーム通過孔の直径の５〜９０％であることが好ま
しい。

なお、本実施例ではカソードの第１グリ・ソドに対向す
る面の中央部に貧電子放射部が形成されているが、貧電
子放射部の位置にかかわらず、このようなカソードの製
作は電子放射部が通常の酸化物であれ、含浸形であれ極
めて容易に行うことができる。

また、本実施例では貧電子放射部を電子放射部と略同−
平面上に形成しているが、本発明はこれに限らず、第５
図に円筒状カソードの断面を示すように、カソードに２
の第１グリッドに対向する面の中央部に凹部５０を設け
ることにより貧電子放射部を形成してもよい。さらには
第６図に円筒状カソードの断面を示すように、カソード
に３の第１グリッドに対向する面の中央部に開口５１を
設けることにより貧電子放射部を形成してもよい。

このような場合には、電子銃の製作上、以下のような利
点がある。

すなわち、カソードと第１グリッドの間隔を設定すると
き、先端に小径の突起を有するセンター棒を第３グリッ
ド側から挿入し、この突起をカソードの四部５０もしく
は開口部５１に合致させることにより、カソードの中心
を電子銃の中心軸と合せるとともに、カソードと第１グ
リッドの間隔を設定することが容易に行える。また、カ
ソードの中央部に開口５１を設けることは、カソード全
体の小形化になり、カソードの温度を素早く上昇させる
ことができるようになるため、陰極線管の出画時間を短
縮化することができる。

なお、本実施例では貧電子放射部および電子放射部をＺ
軸に関して垂直な平面上に形成したが、本発明はこれに
限らず、いわゆるピアス形電子銃として公知の所定曲率
をもつカソードに適用することもできる。

［発明の効果］ 以上述べたように、本発明の陰極線管では、ビーム電流
値が小さい低電流域のみならず、ビーム電流値が大きい
高電流域においても物点（仮想クロスオーバ径）の大き
さを小さく抑えることができるとともに、電子ビームの
発散角を小さく抑えて主電子レンズ部での収差の影響を
軽減することができるため、ターゲット上でのビームス
ポット径を小さくすることができる。

したがって、高電流域におけるブルーミンブ現象の発生
を抑制して、画像性能に優れた陰極線管を得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る陰極線管に用いるカソードの一実
施例を示す斜視図、第２図（ａ）はカットオフ状態にお
ける本発明の陰極線管のカソード付近の等電位線と電子
ビームの状態を示す断面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ
）に示したカソードの第１グリッドに対向する面を第１
グリッド側から見た図、第３図（ａ）は低電流域におけ
る本発明の陰極線管のカソード付近の等電位線と電子ビ
ームの状態を示す断面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）
に示したカソードの第１グリッドに対向する面を第１グ
リッド側から見た図、第４図（ａ）は高電流域における
本発明の陰極線管のカソード付近の等電位線と電子ビー
ムの状態を示す断面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）に
示したカソードの第１グリッドに対向する面を第１グリ
ッド側から見た図、第５図および第６図は本発明に係る
陰極線管に用いるカソードの他の実施例を示す垂直断面
図、第７図は本発明を適用するカラー受像管の一例を示
す水平断面図、第８図は第７図に示したカラー受像管の
電子銃からスクリーンにかけての電子ビームの変化を模
式的に示す垂直断面図、第９図（ａ）はカットオフ状態
における従来の陰極線管のカソード付近の等電位線と電
子ビームの状態を示す断面図、第９図（ｂ）は第９図（
ａ）に示したカソードの第１グリッドに対向する面を第
１グリッド側から見た図、第１０図（ａ）は低電流域に
おける従来の陰極線管のカソード付近の等電位線と電子
ビームの状態を示す断面図、第１０図（ｂ）は第１０図
（ａ）に示したカソードの第１グリッドに対向する面を
第１グリッド側から見た図、第１１図（ａ）は高電流域
における従来の陰極線管のカソード付近の等電位線と電
子ビームの状態を示す断面図、第１１図（ｂ）は第１１
図（ａ）に示したカソードの第１グリッドに対向する面
を第１グリッド側から見た図である。 Ｋ１・・・・・・・・・カソード Ｇ１・・・・・・・・・第１グリッド ３０・・・・・・・・・貧電子放射部 第５図 に３ に３ 第６図 ｒｏ　　　　　　０）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）カソード、第１グリッドおよび第２グリッドを有
   する電子ビーム形成部と、前記電子ビーム形成部から発
   生した電子ビームをターゲット上に集束させるための主
   電子レンズ部とを少なくとも具備する電子銃部を備え、
   前記電子銃部から発射された少なくとも１本の電子ビー
   ムを偏向部により前記ターゲット上に偏向走査する陰極
   線管において、 前記カソードの前記第１グリッドに対向する面には、前
   記第１グリッドに穿設されたビーム通過孔の中央部に対
   応する領域およびその近傍に貧電子放射部が形成されて
   いることを特徴とする陰極線管。