JPH01251343A - 情報記録媒体 - Google Patents

情報記録媒体

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JPH01251343A
JPH01251343A JP63076113A JP7611388A JPH01251343A JP H01251343 A JPH01251343 A JP H01251343A JP 63076113 A JP63076113 A JP 63076113A JP 7611388 A JP7611388 A JP 7611388A JP H01251343 A JPH01251343 A JP H01251343A
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JP
Japan
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recording medium
recording layer
recording
information recording
atom
Prior art date
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Pending
Application number
JP63076113A
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English (en)
Inventor
Naomasa Nakamura
直正 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は光ビームの照射により記録層に原子配列の変化
に伴う光学的特性の変化を生じさせて、情報の記録、消
去を繰返し行ない、この光学的特性の変化を検出して情
報が再生される情報記録媒体に関する。
(従来の技術) 情報の記録、消去の繰返しが可能な情報記録媒体として
、光ビームの照射による相変化を利用したものが開発さ
れている。
このような情報記録媒体に情報を記録する際には、まず
光ビームを記録媒体全面照射して記録層を結晶性の高い
状態(以下結晶状態とする)とする゛。次に情報を記録
するために、短い強いパルス光を記録層に照射して加熱
し急冷して記録層を原子配列が乱れた状態(以下、非晶
質状態とする)とする。記録された情報を消去する場合
には、長い弱いパルス光を記録層に照射して加熱し徐冷
して非晶質状態から再び結晶状態に戻す。このような結
晶状態と非晶質状態とでは原子配列の変化に伴って反射
率、透過率等の光学的特性が変化するため、この光学的
特性の変化を検出することにより、記録した情報を再生
している。
このような相変化を利用した情報記録媒体としては、特
開昭60−179952号、特開昭60−179953
号、特開昭61−6806号公報等がある。これらの公
報においては、記録層の組成としてAu X Te +
oo−x +  Ag x Te roo−x(10≦
X≦40原子%)等が提案されている。
しかしこれらの材料では、記録状態の安定性は得られる
が、記録に必要なエネルギーが大きいため、記録、消去
特性面で問題点が残った。
(発明が解決しようとする課題) 以上詳述したように従来のAu X Te +00−X
 IAg x Te +oo−x  (10≦8≦40
)を材料として用いた情報記録媒体では、結晶化速度が
遅く消去特性が悪いといった欠点があった。
本発明では、上記欠点を解消し、記録、消去特性に優れ
た情報記録媒体を提供することを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段と作用) 本発明の情報記録媒体は、記録層の平均組成が (Zn  w  Sb  100−1  )  aCh
bMc但しChはSe、Te、Sのうちから選択された
カルコゲン元素 MはPd、Auのうちから選択された 金属 50原子%≦a<100原子% O原子%≦b<  50原子% 0原子%≦cく 30原子% 10原子%≦xく 80原子% であることを特徴とする。
構成成分のうち、Znとsbとからなる合金はパルス光
を吸収し、非晶質から結晶質へ容易に変化し光学的性質
(反射率、透過率)の変化量が非常に大きい合金である
。このときのZnの組成範囲は10原子%〜80原子%
の範囲が好ましく、それ以外の範囲では十分な光学的変
化量が得られない。すなわち結晶質と非晶質との間の反
射率変化を高く得るためには、この組成範囲であること
が必要である。
またZnとsbとからなる合金は、原子配列の変化を生
じさせる記録層にとって主成分となるものであり、この
変化を生じさせるためには50原子%以上含有させるこ
とが望ましい。換言すれば下記のChとMとで示される
元素が、その含有量が50原子%以上であると、Zn 
Sbからなる合金の光学的変化の妨げとなるものである
またChで示されるSe、Te、Sのカルコゲン元素は
、Zn Sbからなる合金と合金化することにより非晶
質状態を安定に保持させることができるものである。
さらにMで示されるPd、Auなどの元素は、結晶化速
度の増加、感度の向上などの効果を持つ。
本発明に用いられる情報記録媒体の構造を示す断面図は
第1図に示す通りである。
本発明の情報記録媒体は、基板12.記録層13および
有機保護層14とから構成されている。
基板12は、ガラスやプラスチック材料(例えば、ポリ
メチルメタクリレート樹脂やポリカーボネート樹脂など
)からなるものである。この基板12上には、光ビーム
の照射により層変化を生じる記録層13が形成される。
この記録層13の平均組成は、(Zn x Sb 10
0−i )  aChbMc s但しChはSe、Te
、Sのうちから選択されたカルコゲン元素、MはPd、
Auのうちから選択された金属、また各々a、b、cは
、50原子%≦aく100原子%、0原子%≦bく50
原子%、0原子%≦c<30原子%、10原子%≦xく
80原子%の範囲である。さらに、この記録層13上に
紫外線硬化樹脂等からなる有機保護層14が形成さ、れ
ている。
また、本発明で用いられる情報記録媒体は第2図及び第
3図に示すような構造であってもよい。
第2図に示す情報記録媒体では、記録層13の経時変化
を防ぐために金属、半金属の酸化物、弗化物、硫化物、
窒化物等からなる無機物保護層15が記録層13を挟ん
だ構造となっている。また第3図に示す情報記録媒体で
は、前記無機物保護層15を形成する材料中に記録層1
3を形成する材料が分散した複合層16を有する構造と
なっている。
次に情報記録媒体の製造方法を第4図及び第5図に沿っ
て説明する。第4図は本発明に用いられる成膜装置の側
面図であり、第5図は第4図に示した成膜装置の底面図
である。
この成膜装置は、真空容器17.排出ボート18、排気
装置19.ガス導入ボート20.アルゴンガスボンベ2
1.支持装置22.スパッタ源24a、24b、24c
およびモータ装置26a。
26b、26cとから構成されている。真空容器17は
排出ボート18を介して排気装置19に接続されており
、また、ガス導入ボート20を介してアルゴンガスボン
ベ21に接続されている。真空容器17中上部には、支
持装置22が設けられ、この支持装置に水平に基板12
が支架されており、基板12は支持装置22を軸に回転
することができる。また、真空容器17中底部には、基
板12に対面してスパッタ源24a、24b、24cが
設けられており、これらスパッタ源には高周波電源が接
続されている。また、スパッタR24a 。
24b、24cの上方にはモニター装置26a。
26b、26cが設置されている。
この装置を用いて基板12に記録層を成膜する場合には
、まず排気装置19により容器内の空気を排気し、続い
てアルゴンガスボンベ21よりアルゴンガスを導入して
容器内を所定の圧力に保持する。そして基板12を回転
させつつ、スパッタ源24 a、24b、24 cに所
定時間電力を印加する。モニタ装置26a、26b、2
6cは各々スパッタ源からの元素のスパッタ量をモニタ
し、このモニタした量が所定の値になるように各スパッ
タ源に投入する電力を調節するようになっている。これ
により基板12に記録層が形成される。
(実施例) 一実験1− 本実験では多元同時スパッタ法により記録膜を形成した
真空容器内に所望のZn g、Sb 45とTeとCr
のスパッタ源を設け、容器内を8 X 10−6Tor
rまで排気した。次にArガスを導入し4X10−3T
 Orrに全体の圧力を調節した。基板として充分洗浄
した外径130 mad、板厚1.2m+nの円板状カ
ーボネート基板を用い、この基板を60 rpmで回転
しつつモニタにより各元素のスパッタ量をモニタして各
スパッタ源に投入する電力を制御し、全体の膜厚が10
00 A ngstromになるまで各元素を堆積させ
て記録層を成膜した。
更にこの記録層上に有機保護層として紫外線硬化樹脂を
約10μDスピンコータによりオーバーコートし、紫外
線を照射して硬化させ所望する組成の情報記録媒体を形
成した。
一実験2− ここでは記録膜の光ビーム照射による原子配列の変化を
確認した。
実験1においてスパッタ源にZn 5sSb 45とT
eとAuを用い記録層組成が (Z n 55S b 45) 5sTe +oAu 
5なる試料を形成した(未照射部)。この試料にビーム
径1μmに絞った5mW10μsのパルス光を照射する
と、照射部の反射率は変化した(未記録部)。次に15
a+W100nsのパルス光を数回光てるとその照射部
の反射率は元に戻ることが確認された(記録部)。次い
でこの未記録部と記録部の結晶状態を比較するため、透
過型電子顕微鏡を用いて回折パターンを観察した。試料
から保護層を剥離して記録層の状態を回折パターンから
観察したところ、レーザー光未照射部では非晶質に特有
のハローパターンが認められた。また、レーザー光照射
部のうち未記録部では結晶構造を示す回折リングとスポ
ットが観察され、記録部では、未照射部に近い非゛晶質
特有のハローパターンが認められた。他の組成の記録層
についても同様の反射率変化1回折パターンの変化が観
察された。
一実験3− 本実験では記録部の消去特性について評価した。記録層
組成が(Z n 5os b 50) 70T e 3
0においてTeにAuを5.10.20原子%の割合で
添加した試料を作成した。
この試料に反射率が一定になるまで5+nW5μsのパ
ルス光を当て記録層を結晶化させた。第6図にAuの添
加量に対して反射率が一定になるまでのパルス先照射回
数をプロットした。Auの添加量が多いほど照射回数が
少なくても変化が起こることが確認できた。すなわちA
uを添加することにより、結晶化速度の増加、および感
度の向上を得ることができることを確認した。
更にAuの代わりにPdを添加した場合でも同様の効果
を得ることができる。
一実験4− 本実験では実用的な試験装置を用いて試験を行なった。
第7図は試験に用いた装置の概略図である。この試験装
置は、スピンドルモータ32゜半導体レーザ源34.コ
リメータレンズ35.ビームスプリッタ36.λ/4板
37.対物レンズ38、検出レンズ39.受光器40.
駆動コイル41、サーボ系42とから構成されている。
試料31はスピンドルモータ32上に固定され、回転す
ることができる。
半導体レーザー源34より出た光はコリメータレンズ3
5を通過して平行光となる。続いて光はビームスプリッ
タ36を透過しλ/4板3板金7過し、対物レンズ38
により試料31上に集光される。試料31から反射した
光は対物レンズ38およびλ/4板3板金7過し、ビー
ムスプリッタ36で反射される。この反射された光は検
出レンズ39により集光され、受光器40に入って検出
信号となる。更に検出信号は、サーボ系42を通って電
流に変えられ、駆動コイル41に流れこの電流により対
物レンズが駆動され、試料31上の情報を記録した溝(
案内溝)上に正確に集光される。
実験1に示した方法を用い、記録層の両側を5i02 
(膜厚1000 A ngstrom )で挾んだ媒体
試料を作成し、前述の装置に実装して実験を行なった。
記録層組成は(Zn 5osb so) toTe s
oにおいてTeにPdを5.11.18原子%と添加さ
せた。この試料をスピンドルモータに固定し900 r
pmで回転させた。
更にこの上から5mW15μsのパルス光を照射し、反
射率の変化量を測定した。第8図に変化量を初期値で割
った値(コントラスト比)とPd添加量とをプロットし
た。Pdを添加することにより、コントラスト比が増加
することが判る。更にPdの代わりにAuを添加した場
合でも同様の効果が得られる。
[発明の効果コ 以上詳述したように本発明によれば記録、消去の特性が
よく充分実用に耐えうる情報記録媒体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は本発明で用いられる情報記録媒体の
層構造を示す断面図、第4図は成膜装置の側面図、第5
図は成膜装置の底面図、第6図はAu添加量と照射回数
を示すグラフ、第7図は実用的記録装置の概略図、第8
図はPd添加量とコントラスト比を示すグラフである。 12・・・基板 13・・・記録層 第1図 第2図 第3図 第4図 zba 第  5  図 第  7  図 A、L添fiLJ量 び宅2) 第6図 Oto     20 7a  添カロメシ−(αt−言) 嘉8図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 光ビームの照射により原子配列の変化が生じる記録層を
    有する情報記録媒体において、前記記録層の平均組成が (Zn_xSb_1_0_0_−_x)aChbMc但
    しChはSe、Te、Sのうちから選択されたカルコゲ
    ン元素 MはPd、Auのうちから選択された金属 50原子%≦a<100原子% 0原子%≦b<50原子% 0原子%≦c<30原子% 10原子%≦x<80原子% であることを特徴とする情報記録媒体。
JP63076113A 1988-03-31 1988-03-31 情報記録媒体 Pending JPH01251343A (ja)

Priority Applications (1)

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JP63076113A JPH01251343A (ja) 1988-03-31 1988-03-31 情報記録媒体

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JP63076113A JPH01251343A (ja) 1988-03-31 1988-03-31 情報記録媒体

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