JPH01242733A - Manufacture of alloy powder for rare earth metal-transition metal target and manufacture of rare earth metal-transition metal target - Google Patents

Manufacture of alloy powder for rare earth metal-transition metal target and manufacture of rare earth metal-transition metal target

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JPH01242733A
JPH01242733A JP6883088A JP6883088A JPH01242733A JP H01242733 A JPH01242733 A JP H01242733A JP 6883088 A JP6883088 A JP 6883088A JP 6883088 A JP6883088 A JP 6883088A JP H01242733 A JPH01242733 A JP H01242733A
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transition metal
earth metal
target
alloy
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俊一郎 松本
Tsutomu Inui
乾 勉
Mutsuo Kazuyasu
一安 六夫
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Abstract

PURPOSE:To reduce the oxygen content in a target or the like in the manufacture of subjecting the mixture of rapidly solidified alloy powder and rare earth metal to pressure sintering under a nonoxidizing atmosphere in the specific temp. by specifying the oxygen content in the above alloy material. CONSTITUTION:The mixture of each alloy powder constituted of rare earth metal and transition metal in the compositional range where eutectic structure is revealed and subjected to rapid solidifying treatment and transition metal powder less than the objective compsn. of the target is prepd. The mixture is subjected to pressure sintering in a vacuum or under the atmosphere of an inert gas in the temp. range less than the liquid-phase revealing temp. of the mixture. In the manufacture of the rare earth metal-transition metal target, the oxygen content of the molten material in the alloy to be subjected to rapid solidifying treatment is regulated to <=500ppm. By this method, the oxygen content in the target can regulatively be reduced, and, as the result, the magnetic anisotropy of a sputter film can be relieved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体として用いられる希土類金属
−遷移金属ターゲット用合金粉末の製造方法および希土
類金属−遷移金属ターゲットの製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for producing an alloy powder for a rare earth metal-transition metal target used as a magneto-optical recording medium, and a method for producing a rare earth metal-transition metal target.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

最近、ガラスあるいは樹脂基板上にスパッタリング法を
用いて所望組成の希土類金属−遷移金属系の薄膜を形成
し、これを記録媒体として用いた置き換え可能で高密度
記録が可能な光磁気ディスクの開発が行なわれている。
Recently, magneto-optical disks have been developed that are replaceable and capable of high-density recording by forming a rare earth metal-transition metal thin film of a desired composition on a glass or resin substrate using a sputtering method and using this as a recording medium. It is being done.

このスパッタリングに用いられるターゲットの製造方法
としては、従来以下のようなものが提案されていた。
Conventionally, the following methods have been proposed as methods for manufacturing targets used in this sputtering.

(1)所望組成の希土類金属−遷移金属合金を真空中ま
たは不活性ガス雰囲気中で溶解した後、同じく真空中あ
るいは不活性ガス中で所定の形状に鋳造してターゲット
を製造する方法(日経ニューマテリアル1986年11
月24日−号P61)。
(1) A method of manufacturing a target by melting a rare earth metal-transition metal alloy with a desired composition in a vacuum or an inert gas atmosphere, and then casting it into a predetermined shape in a vacuum or an inert gas atmosphere (Nikkei News). Material 1986 11
Month 24th - Issue P61).

(2)所望組成の合金を真空中または、不活性ガス雰囲
気中で、溶解、鋳造してインゴットを作成し、このイン
ゴットを粉砕して得られた粉末を加圧焼結する方法(特
開昭61−91336号)。
(2) A method in which an ingot is created by melting and casting an alloy with a desired composition in a vacuum or an inert gas atmosphere, and the ingot is crushed and the resulting powder is pressure sintered (Japanese Patent Application Laid-open No. No. 61-91336).

(3)希土類金属粉末と遷移金属粉末を所望組成に混合
し、この混合粉末を液相発現温度未満の温度範囲で加圧
焼結する方法(特開昭61−99640号)。
(3) A method in which rare earth metal powder and transition metal powder are mixed to a desired composition, and the mixed powder is sintered under pressure in a temperature range below the liquid phase development temperature (Japanese Patent Laid-Open No. 61-99640).

(4)  目標成分よりも遷移金属量が少ない遷移金属
−希土類金属粉末を溶解・粉砕法により製造し、前記合
金粉末と遷移金属粉末とを所望組成に混合した後、成形
し、焼結する方法(特開昭60−230903号)。
(4) A method of producing transition metal-rare earth metal powder with a smaller amount of transition metal than the target component by a melting and pulverizing method, mixing the alloy powder and transition metal powder to a desired composition, then molding and sintering. (Unexamined Japanese Patent Publication No. 60-230903).

しかしながら、前記(1)の製造方法でターゲットを作
成した場合。
However, when the target is created using the manufacturing method described in (1) above.

(a)  U造時に添加元素の偏析が生じやすく均質な
ターゲットを得にくい。
(a) Segregation of added elements tends to occur during U manufacturing, making it difficult to obtain a homogeneous target.

(b)  希土類金属−遷移金属系合金は非常に脆性な
金属間化合物を形成するため、鍛造などの組織均均質化
プロセスがとりにくい、このため、鋳造時に生じた巣な
どの欠陥を除fすること力゛不可能である。
(b) Rare earth metal-transition metal alloys form extremely brittle intermetallic compounds, making it difficult to undergo structural homogenization processes such as forging. Therefore, defects such as cavities that occur during casting are removed. It is impossible.

(c)  材質的に脆いため、ターゲット形状に加工す
る際、チッピングや割れを生じやすく機械加工が非常に
困難である。またボンディング時およびスパッタ時の熱
応力でターゲットが割れてしまう。
(c) Since the material is brittle, chipping and cracking easily occur when processing into a target shape, making machining very difficult. Furthermore, the target may crack due to thermal stress during bonding and sputtering.

(d)  本製造方法によるターゲットをスパッタして
作成した薄膜の組成は、ターゲット組成から7〜10a
t%近く遷移金属合金にずれを生じ、薄膜組成の制御が
難しい。
(d) The composition of the thin film created by sputtering the target according to this manufacturing method is 7 to 10% from the target composition.
A shift of nearly t% occurs in the transition metal alloy, making it difficult to control the thin film composition.

などの問題点がある。There are other problems.

前記(2)の製造方法でターゲットを作成した場合、均
質なターゲットは製造可能であるが粉末の構成粒子自体
が脆い金属間化合物より成るため前記(1)のプロセス
で製造したターゲットと同様の問題点がある。
When a target is manufactured using the manufacturing method described in (2) above, it is possible to manufacture a homogeneous target, but since the constituent particles of the powder themselves are made of a brittle intermetallic compound, the same problem as that of the target manufactured using the process described in (1) above occurs. There is a point.

前記(3)の製造方法で作成した場合、(a)  希土
類金属は酸素との親和力が強いため、粉末作成時、粉体
の取扱い時および加圧焼結時に希土類金属が酸化し、低
酸素の成形体を得られない場合がある。このような成形
体をスパッタリング用ターゲットとして使用した場合、
ターゲット中の含有酸素が薄膜の内部にとり込まれて、
希土類金属を選択的に酸化するため薄膜の磁気特性、特
に保磁力Hcが大きく変動する。
When produced using the manufacturing method described in (3) above, (a) Rare earth metals have a strong affinity for oxygen, so the rare earth metals are oxidized during powder production, powder handling, and pressure sintering, resulting in low oxygen It may not be possible to obtain a molded body. When such a molded body is used as a sputtering target,
The oxygen contained in the target is taken into the thin film,
Since the rare earth metal is selectively oxidized, the magnetic properties of the thin film, especially the coercive force Hc, vary greatly.

(b)  スパッタリングの初期において、遷移金属相
より希土類金属相の部分が優先的にスパッタされ、その
後に遷移金属相および希土類金属相のスパッタリング速
度が平衡に達するという挙動を示    □す。このた
め薄膜の組成が安定するまでに長時間のプリスパッタを
行なう必要があり、ターゲットの使用効率が悪い。
(b) At the initial stage of sputtering, the rare earth metal phase is sputtered preferentially than the transition metal phase, and thereafter the sputtering rates of the transition metal phase and the rare earth metal phase reach equilibrium. For this reason, it is necessary to perform pre-sputtering for a long time until the composition of the thin film becomes stable, resulting in poor target usage efficiency.

という問題点がある。There is a problem.

前記(4)の製造方法、具体的には(4)の公開特許公
報で実施例として開示されている、遷移金属−希土類金
属系の合金粉末に1〜IO重量2程度の遷移金属を所望
組成になるよう混合し、前記混合粉末を圧粉成形し、次
いで焼結を行なった場合、(、、)  薄膜組成が安定
するまでのブリスパッタに要する時間は前記(3)の製
造方法によるターゲットと比較して短時間となるが、タ
ーゲット組成と薄膜組成間のずれが大きく、また薄膜面
内で組成変化量も大きい。
The manufacturing method of (4) above, specifically, as disclosed as an example in the published patent publication of (4), a transition metal-rare earth metal alloy powder is mixed with a transition metal of about 1 to 2 IO weight in a desired composition. When the mixed powder is mixed so that Although it takes a short time, the difference between the target composition and the thin film composition is large, and the amount of composition change within the thin film plane is also large.

(b)  混合粉を圧粉成形後、不活性ガス中または、
真空中で、焼結するだけでは、成形体の密度があがらず
、ターゲット中に空孔が残存した状態となり、これがス
パッタリング時の異常放電の原因となること。
(b) After compacting the mixed powder, in an inert gas or
Simply sintering in a vacuum does not increase the density of the compact, and pores remain in the target, which can cause abnormal discharge during sputtering.

(c)  機械加工の点から見ると、前記(1)、(2
)の製造方法によるターゲットと比較して改善されては
いるが、材料中に含有している希土類金属は全て遷移金
属との金属間化合物として存在するため、旋盤などで機
械加工する際、割れやチッピングを生じやすい。
(c) From the viewpoint of machining, the above (1) and (2)
), but since all the rare earth metals contained in the material exist as intermetallic compounds with transition metals, cracks and cracks may occur when machining with a lathe etc. Easy to cause chipping.

などの問題点がある。There are other problems.

以上説明した従来技術の問題点を解決しようとしたター
ゲラ1−として特開昭62−70550号に、希土類金
属とFe、Co、Niの一種以上(鉄族金属と記す)と
の金属間化合物と、鉄族金属単体とが焼結によって結合
した微細な混合組織を有するターゲットが開示されてい
る。
JP-A No. 62-70550 discloses an intermetallic compound of a rare earth metal and one or more of Fe, Co, and Ni (referred to as iron group metals) as Targera 1-, which attempts to solve the problems of the prior art described above. , a target having a fine mixed structure in which an elemental iron group metal is bonded by sintering is disclosed.

すなわち、希土類金属粉末と鉄族金J1M粉末とを所望
組成に混合し、次いで液相発現温度未満の温度で加圧焼
結し希土類金属と鉄族金属からなる成形体を形成し、そ
の後液相発現温度以上の温度で成形体を短時間加熱する
ことにより成形体中の希土類金属を金属間化合物に変換
し、上記組織のターゲットを得るものである。
That is, rare earth metal powder and iron group metal J1M powder are mixed to a desired composition, and then pressure sintered at a temperature below the liquid phase development temperature to form a compact made of rare earth metal and iron group metal. The rare earth metal in the compact is converted into an intermetallic compound by heating the compact for a short time at a temperature equal to or higher than the onset temperature, thereby obtaining a target with the above-mentioned structure.

このターゲットによると、金属間化合物に変換された希
土類金属は、単体の場合よりもスパッタリング速度が低
下して鉄族金属単体のスパッタリング速度に近づき、こ
の結果従来から提起されていた薄膜組成の不安定という
問題が解決され、かつターゲット中に存在している鉄族
金属によって。
According to this target, the rare earth metal converted into an intermetallic compound has a sputtering rate that is lower than that of a single element and approaches the sputtering rate of a single iron group metal, resulting in unstable thin film composition, which has been proposed in the past. This problem is solved by the iron group metals present in the target.

加工性が十分に保証される強度をも具備することが可能
である。
It is also possible to have strength that sufficiently guarantees workability.

しかるに本発明者の検討によると、特開昭62−705
50号に開示された技術においても以下の問題点を有し
、より一層の改善が望まれるところである。
However, according to the inventor's study, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-705
The technique disclosed in No. 50 also has the following problems, and further improvements are desired.

すなわち、 (a)  第10回口本応用磁気学会誌学術講演概要集
(1,986,I)128〜P129)によれば、ター
ゲットと薄膜間の組成ずれは、希土類金属、遷移金属、
希土類金属−遷移金属金属間化合物の量比を適正に制御
することで改善可能なことが報告されている。
That is, (a) According to the 10th Academic Conference Abstracts of the Journal of Applied Magnetics (1,986, I) 128-129), the compositional deviation between the target and the thin film is due to rare earth metals, transition metals,
It has been reported that improvements can be made by appropriately controlling the ratio of rare earth metal-transition metal intermetallic compounds.

しかるに特開昭62−70550号のように熱処理によ
って組織制御する方法では、 l)鉄族金属単体周辺の金属間化合物層が異常成長する
、 1i)特開昭62−70550号公報の第6図のCによ
ると鉄族金属単体相、金属間化合物相の他に、希土類金
属のα相と希土類金属−鉄族金属金属間化合物相とから
なる共晶合金相が存在しているが、この共晶合金相内の
希土類金属のα相と希土類金属−鉄族金属台Jバ間化合
物の晶出址および形状を制御することが非常に困難であ
る、 iii )組織にムラを生じやすい、 などの欠点がある。したがって、上記のターゲットを用
いてスパッタリングを行なった場合、i)スパッタ時間
が長時間になると膜組成や特性が変動する、 5X)ターゲット組成が全く同じものでも、熱処理のロ
ットが異なれば膜組成、特性が異なる。いわゆるロット
間のばらつきが大きいという問題点がある。
However, in the method of controlling the structure by heat treatment as in JP-A No. 62-70550, l) the intermetallic compound layer around the single iron group metal grows abnormally; 1i) Fig. 6 of JP-A No. 62-70550. According to C, in addition to the iron group metal elemental phase and the intermetallic compound phase, there is a eutectic alloy phase consisting of the alpha phase of the rare earth metal and the rare earth metal-iron group metal intermetallic compound phase. It is very difficult to control the crystallization site and shape of the α phase of the rare earth metal in the crystal alloy phase and the rare earth metal-iron group metal interlayer compound, iii) It is easy to cause unevenness in the structure, etc. There are drawbacks. Therefore, when sputtering is performed using the above target, i) the film composition and characteristics will change as the sputtering time becomes longer; Different characteristics. There is a problem that so-called lot-to-lot variation is large.

(b)  機械的強度の面からすると、鉄族金属周辺に
存在する脆弱な希土類金属−鉄族金属金属間化合物を薄
くする必要があるが、前述のように異常成長により層厚
が厚くなり好ましくない。
(b) From the viewpoint of mechanical strength, it is necessary to thin the fragile rare earth metal-iron group metal intermetallic compound that exists around the iron group metal, but as mentioned above, it is preferable because the layer thickness becomes thick due to abnormal growth. do not have.

(c)、希土類金属粉末と鉄族金属粉末の混合物を焼結
したターゲットは、酸素含有量がもともと高くなりやす
い上、熱処理を行なうので最終製品は高酸素になり易く
、薄膜特性に悪影響を及ぼす。
(c) A target made by sintering a mixture of rare earth metal powder and iron group metal powder tends to have a high oxygen content, and since it undergoes heat treatment, the final product tends to have a high oxygen content, which has a negative effect on thin film properties. .

(d)  熱処理温度から室温まで冷却する際、成形体
にそりや曲がりが発生し易い。
(d) When cooling from the heat treatment temperature to room temperature, the molded product is likely to warp or bend.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

本発明者等は、以上の問題点を解決する手段として、ガ
スアトマイズ法等の急冷凝固処理によって得られた希土
類金属のα相と金属間化合物相とが均一かつ微細に晶出
した希土類金属−遷移金属合金粉末と遷移金属粉末との
混合物を液相発現温度未満で加圧焼結する手法を先に提
案している。
As a means to solve the above problems, the present inventors have developed a rare earth metal-transition system in which the alpha phase and intermetallic compound phase of a rare earth metal obtained by a rapid solidification process such as a gas atomization method are uniformly and finely crystallized. We have previously proposed a method in which a mixture of metal alloy powder and transition metal powder is sintered under pressure at a temperature below the liquid phase onset temperature.

該手法により得られたターゲットは、希土類金属のα相
および該希土類金属と遷移金属との金属間化合物とが均
一微細に分散した共晶合金層と遷移金属単体相とが金属
間化合物を主体とする固相接合層により結合した組織を
有し、ターゲットと薄膜との組成ずれの低減、長時間ス
パッタにおける薄膜組成の安定化を達成した。
The target obtained by this method has a eutectic alloy layer in which the α phase of the rare earth metal and an intermetallic compound of the rare earth metal and a transition metal are uniformly and finely dispersed, and a transition metal elemental phase mainly composed of the intermetallic compound. The structure is bonded by a solid-phase bonding layer, which reduces the compositional deviation between the target and the thin film and stabilizes the thin film composition during long-term sputtering.

ところで、希土類金属−遷移金属ターゲットによりスパ
ッタリングして得られる薄膜を考慮した場合、ターゲッ
ト中に含まれる酸素量を低く抑える必要がある。
By the way, when considering a thin film obtained by sputtering using a rare earth metal-transition metal target, it is necessary to suppress the amount of oxygen contained in the target.

すなわち、光磁気記録媒体では垂直磁化膜であることが
必要条件となるが、ターゲット中に含まれる酸素量が多
い場合には安定した垂直磁化膜を得ることができず、い
わゆる面内磁化膜に近い挙動を示すことがある。
In other words, a perpendicularly magnetized film is a necessary condition for magneto-optical recording media, but if the target contains a large amount of oxygen, a stable perpendicularly magnetized film cannot be obtained, and a so-called in-plane magnetized film cannot be obtained. It may show similar behavior.

本発明は以上の事実に鑑み、低酸素含有量の希土類金属
−遷移金属ターゲット等の製造方法を提供せんとするも
のである。
In view of the above facts, the present invention aims to provide a method for producing a rare earth metal-transition metal target with a low oxygen content.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明者等は種々検討した結果、希土類金属−遷移金属
系共晶合金を溶解原料の主体とし、次いでガスアトマイ
ズ法等の急冷凝固処理を施して得られた希土類金属のα
相と金属間化合物相とが均一かつ微細に晶出した希土類
金属−遷移金属合金粉末と遷移金属との混合物を真空ま
たは不活性ガス雰囲気下において前記混合物の液相発現
温度未満で加圧焼結することにより前記課題を解決する
に至った。
As a result of various studies, the present inventors found that rare earth metal α obtained by using a rare earth metal-transition metal eutectic alloy as the main melting raw material and then performing a rapid solidification process such as gas atomization.
A mixture of a rare earth metal-transition metal alloy powder and a transition metal in which a phase and an intermetallic compound phase are uniformly and finely crystallized is sintered under pressure at a temperature below the liquid phase manifestation temperature of the mixture in a vacuum or an inert gas atmosphere. By doing so, we were able to solve the above problem.

以下本発明を詳述する。The present invention will be explained in detail below.

本発明の特徴は、急冷凝固処理に先立つ溶解用の原料と
して希土類金属−遷移金属共晶合金を主体とする点であ
る。
A feature of the present invention is that a rare earth metal-transition metal eutectic alloy is mainly used as a raw material for melting prior to rapid solidification treatment.

すなわち、溶解原料としては純希土類金属、純遷移金属
を所定量秤量して用いることも可能であるが1例えば市
販の高純度Tbの含有酸素量が900〜1200ppm
であること、原料が完全に溶解する温度が高く溶解時間
が長時間となることから、急冷凝固処理して得られた粉
末の酸素含有量を低く制限することが鑑しい。
That is, it is possible to weigh and use a predetermined amount of pure rare earth metals or pure transition metals as the raw material for melting.1 For example, if the amount of oxygen contained in commercially available high-purity Tb is 900 to 1200 ppm.
Since the temperature at which the raw materials are completely dissolved is high and the dissolution time is long, it is difficult to limit the oxygen content of the powder obtained by rapid solidification treatment to a low level.

これに対し、本発明のように希土類金属−遷移金属共晶
合金を溶解原料の主体とすれば。
On the other hand, if a rare earth metal-transition metal eutectic alloy is used as the main melting raw material as in the present invention.

■ たとえば溶融塩電解法によれば、酸素含有量100
〜500ppmという低酸素の希土類金属−遷移金属共
晶合金の製造が可能である。
■ For example, according to the molten salt electrolysis method, the oxygen content is 100
It is possible to produce rare earth metal-transition metal eutectic alloys with low oxygen levels of ~500 ppm.

■ 原料が完全に溶解する温度が、純希土類金属、純遷
移金属を混合した場合に比べ低下するため、溶解時間の
短縮化が可能となり、酸素含有量の抑制に寄与する。
■ The temperature at which the raw materials completely melt is lower than when pure rare earth metals and pure transition metals are mixed, making it possible to shorten the melting time and contributing to suppressing the oxygen content.

したがって、最終的にターゲットとした場合にも低酸素
化が可能となる。
Therefore, even when it is finally used as a target, it is possible to achieve low oxygen levels.

なお1本発明においては溶解原料を希土類金属−遷移金
属共晶合金のみとする場合の他、上記の趣旨に反しない
範囲で若干量の純希土類金属又は[遷移金属を添加せし
めて良い。希土類金属−遷移金属共晶合金の組成を、所
望するターゲット組成に合致させるために添加が必要と
なる場合がある。
Note that in the present invention, in addition to the case where the melting raw material is only the rare earth metal-transition metal eutectic alloy, a small amount of pure rare earth metal or transition metal may be added as long as it does not contradict the above spirit. Additions may be necessary to match the composition of the rare earth metal-transition metal eutectic alloy to the desired target composition.

以上の原料を用い溶解した後急冷凝固処理が実施される
。この急冷凝固処理により粉末レベルで希土類金属のα
相と金属間化合物との均一、微細化を達成する。したが
って、組成面からみれば、希土類金属と遷移金属との組
成が共晶組織を発現する組成範囲内にある必要がある。
After melting the above raw materials, a rapid solidification process is performed. Through this rapid solidification process, α of rare earth metals can be obtained at the powder level.
Achieve uniformity and refinement of phases and intermetallic compounds. Therefore, from a compositional standpoint, the composition of the rare earth metal and transition metal needs to be within a composition range that produces a eutectic structure.

急冷凝固処理の手法としては、合金溶湯から製造する不
活性ガスアトマイズ法、真空アトマイズ法、回転ロール
法等、および合金溶湯から一旦電極を作製し、この電極
を用いる回転電極法等が適用できる。水冷ロール法、回
転電極法等においても合金の酸化防止のために雰囲気は
真空、あるいは不活性ガス雰囲気とする必要がある。
As a method for the rapid solidification treatment, an inert gas atomization method, a vacuum atomization method, a rotating roll method, etc., which are produced from a molten alloy, and a rotating electrode method, which uses an electrode that is once produced from the molten alloy, can be applied. Even in the water-cooled roll method, rotating electrode method, etc., the atmosphere must be a vacuum or an inert gas atmosphere to prevent oxidation of the alloy.

また希土類金属−遷移金属合金粉末は、純希土類金属粉
と比較して格段に耐酸化性に優れているため、ターゲッ
ト中の含有酸素量を希土類金属粉末と遷移金属粉末の混
合物を焼結したものと比較して500〜11000pp
以上も減らすことが可能である。
In addition, rare earth metal-transition metal alloy powder has much better oxidation resistance than pure rare earth metal powder, so the oxygen content in the target can be reduced by sintering a mixture of rare earth metal powder and transition metal powder. 500-11000pp compared to
It is possible to reduce even more than that.

原料粉末の平均粒径は1mm以下であることが望ましい
、これは、平均粒径が1rrnを越えると成形体中に不
均一を生じ、これをターゲットして用いた場合、得られ
る薄膜の組成が部分的に不均一となるからである。
It is desirable that the average particle size of the raw material powder is 1 mm or less. This is because if the average particle size exceeds 1 rrn, non-uniformity will occur in the compact, and if this is used as a target, the composition of the obtained thin film will be This is because it becomes partially non-uniform.

以上の原料粉末を混合した後、真空または不活性ガス雰
囲気下において液相発現温度未満の温度で加圧焼結を行
なう。
After mixing the above raw material powders, pressure sintering is performed at a temperature below the liquid phase development temperature in a vacuum or an inert gas atmosphere.

加圧焼結の温度を液相発現温度未満とするのは、液相発
現温度以上の温度にすると、遷移金属相と希土類金属−
遷移金属共晶合金相との間の接合層が異常に成長し、成
形体の機械的強度が低下すること、および希土類金属−
遷移金属からなる共晶合金相に品出している希土類金属
のα相が遷移金属と反応し晶出してしまうことによる。
The reason why the pressure sintering temperature is lower than the liquid phase temperature is because if the temperature is higher than the liquid phase temperature, the transition metal phase and the rare earth metal -
The bonding layer between the transition metal eutectic alloy phase grows abnormally and the mechanical strength of the compact decreases, and the rare earth metal
This is because the alpha phase of the rare earth metal contained in the eutectic alloy phase consisting of the transition metal reacts with the transition metal and crystallizes.

望ましくは液相発現温度未満の温度から(液相発現温度
′未満−100℃)の範囲内、更に望ましくは液相発現
温度未満の温度から(液相発現温度未満−30℃)の範
囲内である。なお液相発現温度の一例を上げると、Tb
−Feの場合840℃、Tb−Fe−Coの場合、69
5℃、Tb−Gd−Feの場合630℃である。
Preferably within the range from a temperature below the liquid phase onset temperature (below the liquid phase onset temperature -100°C), more preferably within the range from a temperature below the liquid phase onset temperature (below the liquid phase onset temperature -30°C). be. In addition, to give an example of the liquid phase development temperature, Tb
-840℃ for Fe, 69℃ for Tb-Fe-Co
5°C, and 630°C for Tb-Gd-Fe.

加圧焼結の手法としては、熱間静水圧プレス(HIP)
、ホットプレス、熱間パック圧延、熱間パック鍛造等を
適用できる。具体的な条件としては熱間静水圧プレスの
場合、液相発現温度未満から(液相発現温度未満−30
℃)の範囲内かつ不活性ガス圧1000〜1500気圧
で、2〜3時間保持すると、遷移金属単体相と希土類金
属−遷移金属共晶合金相との間の拡散接合層のJりさを
、10〜30μm以内に抑えることが可能で、成形体の
密度も97%以上に達する。
Hot isostatic pressing (HIP) is a method of pressure sintering.
, hot pressing, hot pack rolling, hot pack forging, etc. can be applied. In the case of hot isostatic pressing, the specific conditions are from below the liquid phase development temperature (below the liquid phase development temperature -30
℃) and an inert gas pressure of 1000 to 1500 atm for 2 to 3 hours, the J risa of the diffusion bonding layer between the transition metal simple phase and the rare earth metal-transition metal eutectic alloy phase increases to 10 It is possible to suppress the thickness to within 30 μm, and the density of the molded product reaches 97% or more.

ホットプレスの場合、密度95%以上の成形体を得よう
とする場合、加熱温度を液相発現温度未満から(液相発
現温度未満−30℃)以内、成形圧力150kg/−以
上で2時間界度保持することが望ましい。
In the case of hot pressing, when trying to obtain a molded product with a density of 95% or more, the heating temperature must be kept within a range of less than the liquid phase onset temperature (-30°C below the liquid phase onset temperature) and a molding pressure of 150 kg/- or more for 2 hours. It is desirable to maintain the temperature.

熱間パック圧延、熱間パック鍛造の場合は、加熱温度は
HIPと同様で良いが、1パスごとの圧下率を1−0%
以内にして加工する必要がある。
In the case of hot pack rolling and hot pack forging, the heating temperature may be the same as HIP, but the reduction rate for each pass should be 1-0%.
It is necessary to process it within the following range.

以上の製造方法によりターゲット中の酸素含有量を低く
規制することが可能となる。
The above manufacturing method makes it possible to control the oxygen content in the target to a low level.

なお、以下本発明により得られたターゲットの組織につ
いてTb−Fe系を例として説明しておく。
Note that the structure of the target obtained by the present invention will be explained below using a Tb-Fe system as an example.

本発明によるターゲットの組織の第1の特徴はにTb−
Fe共晶合金相が、極めて均一かつ微細に分散したFe
、Tb晶出相とα−Tb晶出相とから構成されているこ
とである。これは、アトマイズ法等の急冷凝固処理によ
って得られたα−Tb晶出相とFe2Tb晶出相とが均
一微細に晶出した組織の粉末を原料として用い、この組
織を保持すべく液相発現温度未満で加圧焼結しているこ
とによる。
The first characteristic of the target tissue according to the present invention is Tb-
The Fe eutectic alloy phase is extremely uniform and finely dispersed Fe.
, is composed of a Tb crystallized phase and an α-Tb crystallized phase. This method uses as a raw material a powder with a structure in which α-Tb crystallization phase and Fe2Tb crystallization phase are uniformly and finely crystallized obtained by a rapid solidification process such as the atomization method, and in order to maintain this structure, a liquid phase is developed. This is due to pressure sintering being performed at a temperature lower than that.

本発明ターゲットは1以上のような均一微細な組織を有
しているため、ターゲットとそれをスパッタリングした
薄膜間の組成ずれを極めて小さくし、さらにスパッタリ
ングに先立って行なわれるプリスパッタリングの時間を
短縮することができる。
Since the target of the present invention has one or more uniform fine structures, the compositional deviation between the target and the thin film sputtered from it can be extremely small, and the time for pre-sputtering performed prior to sputtering can be shortened. be able to.

第10回日本応用磁気学会誌学術講演概要集(1986
、P12g)によれば、複合ターゲラ1−1すなわち希
土類金属単体と遷移金属単体より構成されるターゲット
をスパッタした場合、希土類金属より遷移金属が側方に
スパッタされ易く、その結果、薄膜組成は遷移金属貧に
なる。反対に金属間化合物より構成されるターゲットの
場合は、遷移金属より希土類金属が側方にスパッタされ
易いため、薄膜組成が遷移金属富になると報告されてい
る。これに対し本発明によれば、前述のように希土類金
属のα相と希土類金属−遷移金属金属間化合物からなる
共晶合金相、さらに固相接合用および遷移金属単体相が
均一、かつ微細に分散するため、希土類金属スパッタ粒
子と遷移金属スパッタ粒子の放出方向の異方性が緩和さ
れ、この結果組成ずれが小さくなるものと思われる。
10th Japanese Society of Applied Magnetics Academic Lecture Abstracts (1986
, P12g), when sputtering a composite targeter 1-1, that is, a target composed of an elemental rare earth metal and an elemental transition metal, the transition metal is more likely to be sputtered laterally than the rare earth metal, and as a result, the thin film composition is transitional. become metal poor. On the other hand, in the case of a target composed of an intermetallic compound, rare earth metals are more easily sputtered laterally than transition metals, so it has been reported that the thin film composition becomes rich in transition metals. In contrast, according to the present invention, as described above, the α phase of the rare earth metal and the eutectic alloy phase consisting of the rare earth metal-transition metal intermetallic compound, as well as the solid phase bonding and transition metal elemental phases are uniform and fine. Because of the dispersion, the anisotropy in the emission direction of the rare earth metal sputtered particles and the transition metal sputtered particles is relaxed, and as a result, it is thought that the composition deviation becomes smaller.

ブリスパッタ時間が短縮される理由としては、(1) 
 特開昭62−70550号に述べられているような遷
移金属と希土類金属の間のスパッタリング速度の差と比
較して、遷移金属と希土類金属−遷移金属金属間化合物
の間のスパッタリング速度の差の方が小さい、 (2)急冷処理により希土類金属−遷移金属合金粉末を
作成するため、希土類金属のα相と金属間化合物相が均
一かつ微細に分散している、つまり希土類金属相は細か
く分断された形で晶出しているため、微視的に見ると希
土類金属のスパッタ速度は変わらないにもかかわらず、
希土類金属のα相のスパッタリング速度が金属間化合物
相のスパッタリング速度と等しくなるような効果が得ら
れる、 ことにあるものと考えられる。
The reasons why the bliss sputtering time is shortened are (1)
The sputtering rate difference between transition metals and rare earth metal-transition metal intermetallic compounds compared to the sputtering rate difference between transition metals and rare earth metals as described in JP-A-62-70550. (2) Because the rare earth metal-transition metal alloy powder is created by rapid cooling, the alpha phase of the rare earth metal and the intermetallic compound phase are uniformly and finely dispersed. In other words, the rare earth metal phase is finely divided. Although the sputtering speed of rare earth metals does not change microscopically,
This is thought to be due to the fact that the sputtering rate of the α phase of the rare earth metal becomes equal to the sputtering rate of the intermetallic compound phase.

本発明ターゲットの組織の第2の特徴は、希土類金属と
遷移金属との金属間化合物を主体とする拡散接合層が極
めて薄いことである。
A second feature of the structure of the target of the present invention is that the diffusion bonding layer mainly composed of an intermetallic compound of a rare earth metal and a transition metal is extremely thin.

これは、接合層が液相発現温度未満の加圧焼結による同
相拡散接合層によるものだからである。
This is because the bonding layer is an in-phase diffusion bonding layer formed by pressure sintering at a temperature below the liquid phase development temperature.

このように拡散接合層が薄く、組織にむらを生ずること
がないために、スパッタ時間が長時間となっても安定し
た薄IE3特性を得ることができ、かつ機械的強度を劣
化させることがないのである。
Since the diffusion bonding layer is thin and does not cause unevenness in the structure, stable thin IE3 characteristics can be obtained even if the sputtering time is long, and the mechanical strength does not deteriorate. It is.

このような組織を有し、かつ酸素含有量を低減せしめる
ことにより、ターゲットと薄膜との組成ずれの低減、長
時間スパッタにおける薄膜組成の安定化を達成し、更に
良好な垂直磁気異方性を示すスパッタ1漠が得られるよ
うになる。
By having such a structure and reducing the oxygen content, it is possible to reduce the compositional deviation between the target and the thin film, stabilize the thin film composition during long-time sputtering, and achieve even better perpendicular magnetic anisotropy. A large amount of spatter can now be obtained.

本発明において、希土類金属には従来から公知のT’b
、Gd、DY、Nd、Sm、Ha、Tm等の1種または
2種以上を用いることができる。その含有量は15at
%未満および45a t%を越えると光磁気記録媒体と
しての機能を有する薄膜を得ることが困難になるので、
 15〜45at%とする必要がある。
In the present invention, the rare earth metal has a conventionally known T'b
, Gd, DY, Nd, Sm, Ha, Tm, etc., or two or more thereof can be used. Its content is 15at
If it is less than 45at% or more than 45at%, it will be difficult to obtain a thin film that functions as a magneto-optical recording medium.
It is necessary to set it to 15-45 at%.

一方、遷移金属についても従来から用いられているFe
、GoおよびNiの1種または2種以上を適用すること
ができる。
On the other hand, regarding transition metals, Fe
, Go, and Ni or two or more thereof can be applied.

以上より本発明における金属間化合物とは、たとえばF
e、Tbのみならず、F e Co T b等のように
異種の遷移金属と希土類金属との化合物を含む概念であ
ることは言うまでもない。
From the above, the intermetallic compound in the present invention is, for example, F
It goes without saying that the concept includes not only compounds of e and Tb, but also compounds of different types of transition metals and rare earth metals, such as FeCoTb and the like.

〔実施例〕〔Example〕

第1表に実施例に用いた希土類金属−遷移金属合金原料
および遷移金属の組成および含有酸素量と前記原料を用
いて作成したガスアトマイズ粉の組成と含有酸素量を示
す。次に本発明の粉末の製造方法について述べる1本発
明では、溶融塩電解法で製造した低酸素希土類金属−遷
移金属合金(酸素量100〜300ppm)に対し、目
標組成になるよう希土類金属または遷移金属合金えて、
底部に溶湯噴射用ノズルの付いたルツボに装入した。そ
して、前記ルツボをガスアトマイズ装置内に設置した後
装置内を10−2〜10−’ torr台まで真空に引
き、高周波誘導で加熱を行なってルツボ内のアトマイズ
原料を溶解した。原料が完全に溶解した段階で、溶湯に
A「ガスで圧力を印加すると同時に噴射用ノズルの弁を
開いてガスアトマイズを行なった。
Table 1 shows the composition and oxygen content of the rare earth metal-transition metal alloy raw materials and transition metals used in the examples, and the composition and oxygen content of the gas atomized powder prepared using the raw materials. Next, the method for producing the powder of the present invention will be described.1 In the present invention, a low-oxygen rare earth metal-transition metal alloy (oxygen content 100 to 300 ppm) produced by molten salt electrolysis is mixed with rare earth metal or transition metal to achieve the target composition. Metal alloy,
It was placed in a crucible with a nozzle for spraying molten metal at the bottom. After the crucible was placed in a gas atomization device, the inside of the device was evacuated to a level of 10-2 to 10-' torr and heated by high-frequency induction to melt the atomized raw material in the crucible. When the raw materials were completely dissolved, pressure was applied to the molten metal using gas A and at the same time the valve of the injection nozzle was opened to perform gas atomization.

上記の方法で作成した希土類金属−遷移金属合金粉末の
平均酸素量は、希土類金属単体、遷移金属単体を原料と
して用いた場合に比して11000pp以上も低下でき
ることが判明した。第1表に示した希土類金属−遷移金
属合金粉末を使用して製造したターゲツト材の含有酸宏
量を第2表に示す。
It has been found that the average oxygen content of the rare earth metal-transition metal alloy powder prepared by the above method can be reduced by more than 11,000 pp compared to the case where a rare earth metal or transition metal alone is used as a raw material. Table 2 shows the acid content of target materials produced using the rare earth metal-transition metal alloy powders shown in Table 1.

第1表 第2表 粉末の焼結には、熱間静水圧プレス(I−IIP)を用
いた。焼結温度は液相出現温度より20℃低く設定し、
圧力1200気圧で加圧焼結した。
Table 1 Table 2 A hot isostatic press (I-IIP) was used to sinter the powder. The sintering temperature is set 20℃ lower than the liquid phase appearance temperature.
Pressure sintering was performed at a pressure of 1200 atm.

第2表より本発明の希土類金属−遷移全屈合金粉末を使
用して製造したターゲツト材の含有酸素量は1500p
pm以下と低酸素であるのに対し、比較例では2000
ppm以上と高酸素になることがわかる。
From Table 2, the amount of oxygen contained in the target material manufactured using the rare earth metal-transition total bending alloy powder of the present invention is 1500p.
pm or less, which is low oxygen, whereas in the comparative example it is 2000 pm or less.
It can be seen that when the concentration exceeds ppm, the oxygen level becomes high.

次に本発明および比較例の粉末を用いて製造した焼結体
をターゲットとじてスパッタリングを行ない、薄膜評価
を行なった。
Next, sputtering was performed using the sintered bodies manufactured using the powders of the present invention and the comparative example as targets, and thin film evaluation was performed.

評価では、いずれのターゲットも高周波電源を有するマ
グネトロンタイプのスパッタ装置を用いて、−0,15
+nmの板厚を有するコーニング社製の7059ガラス
上に成膜を行なった。成膜条件は、高周波電力2.54
W/a&、 Arガス圧5 X 1O−3torr、タ
ーゲットとガラス基板間の距離は70ffnで、成膜時
にはガラス基板を回転せず、ターゲットとガラス基板を
対向させである。作成した簿膜は、トルクメーターで磁
気異方性定数Ku(J/rn’)を測定した後、EPM
Aで組成を分析した。第1図に第2表に示した試料4(
本発明)を用いて成膜した薄膜のTb量および磁気異方
性定数Kuとスパッタ時間の関係、第2図に試料11(
比較例)を用いた場合の薄膜中のTbiおよびKuとス
パッタ時間の関係を示す。
In the evaluation, all targets were used with a magnetron type sputtering device equipped with a high frequency power source.
The film was formed on Corning 7059 glass having a thickness of +nm. The film forming conditions are high frequency power 2.54
W/a&Ar gas pressure was 5 x 1O-3 torr, the distance between the target and the glass substrate was 70 ffn, and the glass substrate was not rotated during film formation, but the target and the glass substrate were opposed to each other. After measuring the magnetic anisotropy constant Ku (J/rn') of the prepared film with a torque meter, it was subjected to EPM.
The composition was analyzed in A. Figure 1 shows sample 4 shown in Table 2 (
Figure 2 shows the relationship between the amount of Tb, the magnetic anisotropy constant Ku, and the sputtering time of the thin film formed using the sample 11 (of the present invention).
The relationship between Tbi and Ku in the thin film and sputtering time when using Comparative Example) is shown.

本発明、比較例の両試料とも薄膜中のTb量は約26a
t%を示しており、スパッタリング時間が長時間になっ
ても安定していることがわかる。しかし、磁気異方性定
数Kuの挙動は、本発明が積算スパッタ時間411r以
降安定し、Ku=1.25J/rn’の良好な垂直磁気
異方性を示すのに対し、比較例では全く不安定であり、
Kuが著しく低下して面内磁化膜に近い挙動を示すこと
がわかった。
The amount of Tb in the thin film for both samples of the present invention and comparative example is approximately 26a.
t%, and it can be seen that the sputtering time is stable even when the sputtering time becomes long. However, the behavior of the magnetic anisotropy constant Ku is stable after the cumulative sputtering time of 411r in the present invention and shows good perpendicular magnetic anisotropy of Ku = 1.25 J/rn', whereas in the comparative example it is completely unstable. It is stable;
It was found that Ku was significantly reduced and the film exhibited behavior similar to that of an in-plane magnetized film.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によればターゲラ1−の酸
素含有量を低く規制することができ、その結果スパン、
り膜の磁気異方性が良好なものとなり、工業上非常に有
益である。
As explained above, according to the present invention, the oxygen content of Targera 1- can be regulated low, and as a result, the span,
The resulting film has good magnetic anisotropy, which is very useful industrially.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明により得られたターゲットをスパッタ
リングした際の積算スパッタ時間と薄膜中のTb量およ
び磁気異方性定数との関係を示すグラフ、第2図は比較
例により得られたターゲットをスパッタリングした際の
積算スパッタ時間と薄膜中のTb量および磁気異方性定
数との関係を示すグラフである。
Figure 1 is a graph showing the relationship between the cumulative sputtering time, the amount of Tb in the thin film, and the magnetic anisotropy constant when sputtering the target obtained according to the present invention, and Figure 2 is a graph showing the relationship between the cumulative sputtering time and the amount of Tb in the thin film and the magnetic anisotropy constant when sputtering the target obtained according to the present invention. 2 is a graph showing the relationship between the cumulative sputtering time, the amount of Tb in the thin film, and the magnetic anisotropy constant when sputtering.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 共晶組織を発現する組成範囲内にある希土類金属と
遷移金属とからなり急冷凝固処理された合金粉末と、タ
ーゲット目標組成に対し不足分の遷移金属粉末との混合
物を、真空または不活性ガス雰囲気下で該混合物の液相
発現温度未満の温度域で加圧焼結する希土類金属−遷移
金属ターゲットの製造方法において、急冷凝固処理に供
される合金の溶解原料を酸素含有量500ppm以下の
希土類金属−遷移金属共晶合金を主体とすることを特徴
とする希土類金属−遷移金属ターゲットの製造方法。 2 共晶組織を発現する組成範囲内にある希土類金属と
遷移金属とからなり急冷凝固処理された合金粉末と、タ
ーゲット目標組成に対し不足分の遷移金属粉末との混合
物を、真空または不活性ガス雰囲気下で該混合物の液相
発現温度未満の温度域で加圧焼結する希土類金属−遷移
金属ターゲットの製造方法において、急冷凝固処理に供
される合金の溶解原料を溶融塩電解法により得られた希
土類金属−遷移金属共晶合金を主体とすることを特徴と
する希土類金属−遷移金属ターゲットの製造方法。 3 共晶組織を発現する組成範囲内にある希土類金属と
遷移金属からなる合金溶湯を急冷凝固処理する希土類金
属−遷移金属ターゲット用合金粉末の製造方法において
、急冷凝固処理に供される合金の溶解原料を酸素含有量
500ppm以下の希土類金属−遷移金属共晶合金を本
体とすることを特徴とする希土類金属−遷移金属ターゲ
ット用合金粉末の製造方法。 4 共晶組織を発現する組成範囲内にある希土類金属と
遷移金属からなる合金溶湯を急冷凝固処理する希土類金
属−遷移金属ターゲット用合金粉末の製造方法において
、急冷凝固処理に供される合金の溶解原料を溶融塩電解
法により得られた希土類金属−遷移金属共晶合金を主体
とすることを特徴とする希土類金属−遷移金属ターゲッ
ト用合金粉末の製造方法。
[Claims] 1. A mixture of a rapidly solidified alloy powder consisting of a rare earth metal and a transition metal within a composition range that exhibits a eutectic structure, and a transition metal powder that is insufficient to the target composition. , in a method for producing a rare earth metal-transition metal target in which pressure sintering is performed in a temperature range below the liquid phase development temperature of the mixture in a vacuum or an inert gas atmosphere, the melted raw material of the alloy to be subjected to the rapid solidification treatment is oxygenated. A method for producing a rare earth metal-transition metal target, characterized in that the target is mainly a rare earth metal-transition metal eutectic alloy having a content of 500 ppm or less. 2. A mixture of a rapidly solidified alloy powder consisting of a rare earth metal and a transition metal within the composition range that produces a eutectic structure, and a transition metal powder that is insufficient to the target composition, is heated in a vacuum or inert gas. In a method for producing a rare earth metal-transition metal target in which pressure sintering is performed in an atmosphere in a temperature range below the liquid phase development temperature of the mixture, the melted raw material of the alloy to be subjected to the rapid solidification treatment is obtained by a molten salt electrolysis method. A method for producing a rare earth metal-transition metal target, characterized in that the target is mainly a rare earth metal-transition metal eutectic alloy. 3. In a method for producing an alloy powder for a rare earth metal-transition metal target, in which a molten alloy consisting of a rare earth metal and a transition metal within a composition range that exhibits a eutectic structure is rapidly solidified, the alloy to be subjected to the rapid solidification treatment is melted. A method for producing an alloy powder for a rare earth metal-transition metal target, characterized in that the raw material is a rare earth metal-transition metal eutectic alloy having an oxygen content of 500 ppm or less. 4. In a method for producing an alloy powder for a rare earth metal-transition metal target in which a molten alloy consisting of a rare earth metal and a transition metal within a composition range that exhibits a eutectic structure is rapidly solidified, melting of the alloy to be subjected to the rapid solidification treatment is performed. A method for producing an alloy powder for a rare earth metal-transition metal target, characterized in that the raw material is mainly a rare earth metal-transition metal eutectic alloy obtained by a molten salt electrolysis method.
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