JPH01242656A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH01242656A JPH01242656A JP6968488A JP6968488A JPH01242656A JP H01242656 A JPH01242656 A JP H01242656A JP 6968488 A JP6968488 A JP 6968488A JP 6968488 A JP6968488 A JP 6968488A JP H01242656 A JPH01242656 A JP H01242656A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は型汚れ、樹脂パリ、成形ボイドの発生が少なく
捺印性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関す
るものである。
捺印性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関す
るものである。
近年IC,LSI、トランジスター、ダイオードなどの
半導体素子や電子回路の樹脂封止には特性、コスト等の
点からエポキシ樹脂組成物が多量にかつ最も一般的に用
いられている。しかし電子部品の量産性指向、軽薄短小
化、集積度の増大等に伴ない封止樹脂に対する要求は厳
しくなって来ており、成形加工性、捺印性、耐湿性、耐
衝撃性の改良が強く望まれている。
半導体素子や電子回路の樹脂封止には特性、コスト等の
点からエポキシ樹脂組成物が多量にかつ最も一般的に用
いられている。しかし電子部品の量産性指向、軽薄短小
化、集積度の増大等に伴ない封止樹脂に対する要求は厳
しくなって来ており、成形加工性、捺印性、耐湿性、耐
衝撃性の改良が強く望まれている。
耐湿性や耐衝撃性の改良のため、シリコーンオイル、シ
リコーンゴム等のシリコーン化合物、合成ゴム、熱可塑
性樹脂等の添加が一般に行われる。
リコーンゴム等のシリコーン化合物、合成ゴム、熱可塑
性樹脂等の添加が一般に行われる。
これ等の添加剤を用いないエポキシ樹脂組成物において
も型汚れ、樹脂パリの発生、ボイドの発生や捺印性不良
が発生し易く、これらの添加剤の使用により型汚れ、樹
脂パリの発生、成形ボイド発生、捺印性不良は更に悪化
する方向にある。
も型汚れ、樹脂パリの発生、ボイドの発生や捺印性不良
が発生し易く、これらの添加剤の使用により型汚れ、樹
脂パリの発生、成形ボイド発生、捺印性不良は更に悪化
する方向にある。
型汚れ、捺印性が悪くなるのは成形加工時これらの成分
が成形品表面に浮き出すためであり、樹脂パリ、成形ボ
イドが増大するのはこれらの成分がエポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂との相溶性が悪いためである。
が成形品表面に浮き出すためであり、樹脂パリ、成形ボ
イドが増大するのはこれらの成分がエポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂との相溶性が悪いためである。
上記の問題点を改良すべく種々の検討が行なわれており
、成形加工性、捺印性等に効果のあるものとしてはシリ
コーンとポリアルキレンオキサイドの共重合体から成る
シリコーンオイルがすでに提案されている(特開昭60
−13841号公報。
、成形加工性、捺印性等に効果のあるものとしてはシリ
コーンとポリアルキレンオキサイドの共重合体から成る
シリコーンオイルがすでに提案されている(特開昭60
−13841号公報。
特公昭62−61215号公報)が、これらは成型加工
性、捺印性の向上に効果は認められるものの、いまだ改
善効果が不充分であり、いまだ有効な手段が見い出され
ていない。
性、捺印性の向上に効果は認められるものの、いまだ改
善効果が不充分であり、いまだ有効な手段が見い出され
ていない。
本発明はこのような事情に鑑みなされたちので、樹脂封
止に用いるエポキシ樹脂組成物として特殊なアルキレン
オキサイドを用いることにより型汚れ、樹脂パリ、成形
ボイドがすくなく、更に捺印性に優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を提供することにある。
止に用いるエポキシ樹脂組成物として特殊なアルキレン
オキサイドを用いることにより型汚れ、樹脂パリ、成形
ボイドがすくなく、更に捺印性に優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を提供することにある。
すなわち本発明は、
(A)エポキシ樹脂
(B)フェノール樹脂
(C)一般式(1)
で表わされるポリアルキレンオキサイド([1)無機充
填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して一般式(1)で表
さされるポリアルキレンオキサイド(C) を0.05
〜5重量%含有することを特徴とする半導体封止用樹脂
組成物に関するものである。
填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して一般式(1)で表
さされるポリアルキレンオキサイド(C) を0.05
〜5重量%含有することを特徴とする半導体封止用樹脂
組成物に関するものである。
本発明で用いられる(A)成分としてエポキシ樹脂は1
分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂で
あればいかなるものでも良く、例えばビスフェノールA
型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、タレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられ
、これらのエポキシ樹脂は1種又は2種以上混合して用
いることが出来る。これらのエポキシ樹脂の中でもエポ
キシ当ff1150〜250、軟化点60〜130″C
でNa”、CI−等のイオン性不純物を出来る限り除い
たものが好ましい。
分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂で
あればいかなるものでも良く、例えばビスフェノールA
型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、タレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられ
、これらのエポキシ樹脂は1種又は2種以上混合して用
いることが出来る。これらのエポキシ樹脂の中でもエポ
キシ当ff1150〜250、軟化点60〜130″C
でNa”、CI−等のイオン性不純物を出来る限り除い
たものが好ましい。
本発明で用いられる(B)成分としてのフェノール樹脂
は上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり
、フェノールノボラック、タレゾールノボラックおよび
これらの変性樹脂等が挙げられ、これらは単独又は2種
以上混合して用いられる。これらのフェノール樹脂の中
でも水酸基当量が80〜150、軟化点が60°C〜1
20 ”CでNa・、cz”等のイオン性不純物を出来
る限り除いたちのが好ましい。
は上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり
、フェノールノボラック、タレゾールノボラックおよび
これらの変性樹脂等が挙げられ、これらは単独又は2種
以上混合して用いられる。これらのフェノール樹脂の中
でも水酸基当量が80〜150、軟化点が60°C〜1
20 ”CでNa・、cz”等のイオン性不純物を出来
る限り除いたちのが好ましい。
本発明で用いられる(C)成分としてのポリアルキレン
オキサイドは成形時の型汚れ、樹脂パリ、成形ボイドの
低減および捺印性の向上のため必須のものである。この
ポリアルキレンオキサイドは一般式R+0(CzLO)
−(CJaO)bLで表わされ、式中Hs R1はCHlCH−CIlz、CHz=C−CHt−、
CHえ−C)I−。
オキサイドは成形時の型汚れ、樹脂パリ、成形ボイドの
低減および捺印性の向上のため必須のものである。この
ポリアルキレンオキサイドは一般式R+0(CzLO)
−(CJaO)bLで表わされ、式中Hs R1はCHlCH−CIlz、CHz=C−CHt−、
CHえ−C)I−。
CI(。
CH!・C−の中から選ばれた不飽和二重結合を有ずる
有機基、hはc、Hffi、、。l−+ C,Hz、、
+C−,C1Hs−の中から選ばれた有機基、aおよび
bは0以上の整数、a+bは1以上の整数、nは1以上
の整数をそれぞれ示す。
有機基、hはc、Hffi、、。l−+ C,Hz、、
+C−,C1Hs−の中から選ばれた有機基、aおよび
bは0以上の整数、a+bは1以上の整数、nは1以上
の整数をそれぞれ示す。
本発明で用いられる(C)成分としてのポリアルキレン
オキづイドは、樹脂組成物に対して0.05〜5重量%
の範囲で配合する必要があるが、その理由は、配合量が
0.05重量%を上堰ると成形時の型汚れ、樹脂パリ、
成形ボイドの低減および捺印性向上の効果が不充分とな
り、又5重量%を1廻ると耐湿性、耐熱衝撃性が低下す
るためである。
オキづイドは、樹脂組成物に対して0.05〜5重量%
の範囲で配合する必要があるが、その理由は、配合量が
0.05重量%を上堰ると成形時の型汚れ、樹脂パリ、
成形ボイドの低減および捺印性向上の効果が不充分とな
り、又5重量%を1廻ると耐湿性、耐熱衝撃性が低下す
るためである。
本発明で(C)成分として用いられる アルキレンオキ
サイドは、成形時の型汚れ、樹脂パリ、成形ボイド、捺
印性の向上に顕著な効果を有するが、その理由は、アル
キレンオキサイドの一方の末端に付いているビニル基、
アリル基等の不飽和二重結合を有する有機基がエポキシ
樹脂、フェノール樹脂のベンゼン環との親和性が良好で
あり、又もう一方の末端のアルコキシ基、フェノキシ基
等の有機基が無機充填剤との親和性が良好であるため、
アルキレンオキサイドが界面活性剤的な働らきをし、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填剤との間の相溶
性を改善するためと考えられる0本発明で用いられるア
ルキレンオキサイドは適宜添加されるワックス類、合成
ゴム、シリコーン化合物等とエポキシ樹脂、フェノール
樹脂、無機充填剤との間の相溶性向上にも顕著な効果が
あるが、これは本発明に用いられるアルキレンオキサイ
ドが極性と非極性の部分を適度に存しているため、界面
活性剤的な働らきをするためと考えられる。
サイドは、成形時の型汚れ、樹脂パリ、成形ボイド、捺
印性の向上に顕著な効果を有するが、その理由は、アル
キレンオキサイドの一方の末端に付いているビニル基、
アリル基等の不飽和二重結合を有する有機基がエポキシ
樹脂、フェノール樹脂のベンゼン環との親和性が良好で
あり、又もう一方の末端のアルコキシ基、フェノキシ基
等の有機基が無機充填剤との親和性が良好であるため、
アルキレンオキサイドが界面活性剤的な働らきをし、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填剤との間の相溶
性を改善するためと考えられる0本発明で用いられるア
ルキレンオキサイドは適宜添加されるワックス類、合成
ゴム、シリコーン化合物等とエポキシ樹脂、フェノール
樹脂、無機充填剤との間の相溶性向上にも顕著な効果が
あるが、これは本発明に用いられるアルキレンオキサイ
ドが極性と非極性の部分を適度に存しているため、界面
活性剤的な働らきをするためと考えられる。
又、本発明で用いられるアルキレンオキサイドHi
の両末端は、CHz−CH−CHt−、CHt=C−C
Ht−CHz・CI+−。
Ht−CHz・CI+−。
L
C)l!・C−の中から選ばれた不飽和二重結合を有す
る1種のをm基オヨびC,Hg−、t−、Cl1)Iz
、、tC−、Ca2(s−の中から選ばれた1種の有機
基に限定されるが、その理由は上記の相溶性改善のため
と耐湿性改善のためであり、末端を機基(C,OZ・・
じ・C,、Hx−+−C−,C*)Is−)の代りに水
素基を有する7置 ルキレンオキサイドでは耐湿性が著しく低下するためで
ある。
る1種のをm基オヨびC,Hg−、t−、Cl1)Iz
、、tC−、Ca2(s−の中から選ばれた1種の有機
基に限定されるが、その理由は上記の相溶性改善のため
と耐湿性改善のためであり、末端を機基(C,OZ・・
じ・C,、Hx−+−C−,C*)Is−)の代りに水
素基を有する7置 ルキレンオキサイドでは耐湿性が著しく低下するためで
ある。
本発明で用いられる(D)成分としての無機充填剤とし
ては結晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、炭酸カルシウ
ム、タルク、マイカ、ガラス繊維等が挙げられこれらは
単独又は2種以上混合して使用される。
ては結晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、炭酸カルシウ
ム、タルク、マイカ、ガラス繊維等が挙げられこれらは
単独又は2種以上混合して使用される。
これらの中で特に結晶シリカ又は溶融シリカが好適に使
用される。
用される。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、(A>エ
ポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)CH1 分子鎖の両末端にCHg=CH−Cut−、CHi=C
−CHt−、CHt・Cu。
ポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)CH1 分子鎖の両末端にCHg=CH−Cut−、CHi=C
−CHt−、CHt・Cu。
CH−、CHt・C−の中から選ばれた不飽和結合を有
する1種の有機基及びCat(z**t+ C*Hff
ia*IC−+C,H,−の中から選ばれた1種の有機
基を有するポリアルキレンオキサイド、(D)無機充填
材を必須成分とするが、必要に応じてBDMA等の第3
級アミン類イミダゾール類、1.8−ジアザビシクロ(
5,4,0)ウンデセン−7、トリフェニルホスフィン
等の有機リン化合物等の硬化促進剤、天然ワックス類、
合成ワックス類等の離型剤、ヘキサブロムベンゼン、デ
カブロムビフェニルエーテル、二酸化アンチモン等の難
燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、シラン
カフプリング剤その他合成ゴム、シリコーン化合物、熱
可塑性樹脂等を適宜添加配合することが出来る。
する1種の有機基及びCat(z**t+ C*Hff
ia*IC−+C,H,−の中から選ばれた1種の有機
基を有するポリアルキレンオキサイド、(D)無機充填
材を必須成分とするが、必要に応じてBDMA等の第3
級アミン類イミダゾール類、1.8−ジアザビシクロ(
5,4,0)ウンデセン−7、トリフェニルホスフィン
等の有機リン化合物等の硬化促進剤、天然ワックス類、
合成ワックス類等の離型剤、ヘキサブロムベンゼン、デ
カブロムビフェニルエーテル、二酸化アンチモン等の難
燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、シラン
カフプリング剤その他合成ゴム、シリコーン化合物、熱
可塑性樹脂等を適宜添加配合することが出来る。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造する場
合の一般的な方法としては、所定の組成比の原料をミキ
サー等によって十分均一混合した後、更にロールやニー
グー等により溶融混合処理し、次いで冷却固化させ適当
な大きさに粉砕することにより、容易に行なうことが出
来る。
合の一般的な方法としては、所定の組成比の原料をミキ
サー等によって十分均一混合した後、更にロールやニー
グー等により溶融混合処理し、次いで冷却固化させ適当
な大きさに粉砕することにより、容易に行なうことが出
来る。
以上のように本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、分子鎖の両末端に特定の有機基を有する特殊なアル
キレンオキサイドを用いており、特殊なアルキレンオキ
サイドの界面活性剤的な働らきにより、必須成分として
配合されるエポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填剤
の間の相溶性改善及び、上記必須成分と適宜添加される
ワックス類0合成ゴム、シリコーン化合物、熱可塑性樹
脂等の添加剤との相溶性改善が図られ、又、アルキレン
オキサイドの分子鎖の末端に、耐湿性に悪影響を及ばず
水素基を有しないため、耐湿性を損なうことなく成形時
の型汚れ、樹脂パリ、成形ボイド及び捺印性に優れた封
止樹脂が得られる。
は、分子鎖の両末端に特定の有機基を有する特殊なアル
キレンオキサイドを用いており、特殊なアルキレンオキ
サイドの界面活性剤的な働らきにより、必須成分として
配合されるエポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填剤
の間の相溶性改善及び、上記必須成分と適宜添加される
ワックス類0合成ゴム、シリコーン化合物、熱可塑性樹
脂等の添加剤との相溶性改善が図られ、又、アルキレン
オキサイドの分子鎖の末端に、耐湿性に悪影響を及ばず
水素基を有しないため、耐湿性を損なうことなく成形時
の型汚れ、樹脂パリ、成形ボイド及び捺印性に優れた封
止樹脂が得られる。
実施例1
タレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当量21
0、軟化点78°C)85部、臭素化フェノールノボラ
ック樹脂(臭素含有1130重量%9エポキシ当量27
0、軟化点71°C)15部、フェノールノボラック樹
脂(水酸基当量105、軟化点95°C)50部、アル
キレンオキサイド〔構造式C)I□−co−co、−o
(−c、it、o熔四〕17部(3重量%)、溶融シリ
カ粉末370部、トリフェニルホスフィン2.5部、カ
ルナバワックス3部、カーボンブラック3部、シランカ
ンブリング則2部、二酸化アンチモン20部を常温で十
分混合し、さらに()5°C〜・100°Cで混練し、
冷却した後粉砕しタブレット化して本発明の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を得た。
0、軟化点78°C)85部、臭素化フェノールノボラ
ック樹脂(臭素含有1130重量%9エポキシ当量27
0、軟化点71°C)15部、フェノールノボラック樹
脂(水酸基当量105、軟化点95°C)50部、アル
キレンオキサイド〔構造式C)I□−co−co、−o
(−c、it、o熔四〕17部(3重量%)、溶融シリ
カ粉末370部、トリフェニルホスフィン2.5部、カ
ルナバワックス3部、カーボンブラック3部、シランカ
ンブリング則2部、二酸化アンチモン20部を常温で十
分混合し、さらに()5°C〜・100°Cで混練し、
冷却した後粉砕しタブレット化して本発明の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を得た。
この材料の型汚れ性、樹脂パリをトランスファー成形機
(成形条件:金型温度175 ”C1硬化時間2分)を
用いて判定すると共に、得られた成形品を175°C1
4時間後硬化し、パッケージの内部ボイド、捺印性、耐
湿性を評価した。
(成形条件:金型温度175 ”C1硬化時間2分)を
用いて判定すると共に、得られた成形品を175°C1
4時間後硬化し、パッケージの内部ボイド、捺印性、耐
湿性を評価した。
その結果を第1表に示したが、本発明の顕著な効果が認
められた。
められた。
実施例2
ド変えた以外は実施例1と同様にして本発明の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を得、同様の評価を実施した。
止用エポキシ樹脂組成物を得、同様の評価を実施した。
その結果を第1表に示したが本発明の顕著な効果が認め
られた。
られた。
比較例1
実施例1においてアルキレンオキサイドを除いた以外は
実施例1と同様にして半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を得、同様の評価を実施した。その結果を第1表に示す
。
実施例1と同様にして半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を得、同様の評価を実施した。その結果を第1表に示す
。
比較例2
実施例1においてアルキレンオキサイド配合量を17部
(3重量%)から35部(6重量%)に変えた以外は実
施例1と同様にして半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
得、同様の評価を実施した。
(3重量%)から35部(6重量%)に変えた以外は実
施例1と同様にして半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
得、同様の評価を実施した。
その結果を第1表に示す。
比較例3
実施例2においてアルキレンオキサイドの配合量をio
部(11,8重1%)から0.2部(0,04重量%)
に変えた以外は実施例1と同様にして半鐸体封止用エポ
キシ樹脂組成物を得、同様の評価を実施した。
部(11,8重1%)から0.2部(0,04重量%)
に変えた以外は実施例1と同様にして半鐸体封止用エポ
キシ樹脂組成物を得、同様の評価を実施した。
その結果を第1表に示す。
比較例4
タレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当121
5、軟化点80℃)100部、ノボランク型フェノール
樹脂55.6部、次式で示されるシリコーンオイル(粘
度1200センチストークス)5.6部(1重量%)、
溶融シリカ粉末389部、および高級脂肪酸エステル5
.6部を常温で十分混合し、更に90〜95゛Cで混練
した後粉砕しタブレフト化して半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を得、同様の評価を実施j、た。
5、軟化点80℃)100部、ノボランク型フェノール
樹脂55.6部、次式で示されるシリコーンオイル(粘
度1200センチストークス)5.6部(1重量%)、
溶融シリカ粉末389部、および高級脂肪酸エステル5
.6部を常温で十分混合し、更に90〜95゛Cで混練
した後粉砕しタブレフト化して半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を得、同様の評価を実施j、た。
その結果を第1表に示す。
(但し式中
A : +C)l thOH〜CII□C)lro R
+CHzCHO出11゜CH3 1、m、nは1以上の整数を示す。) 比較例5 タレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当量22
0、軟化点80°C)75部、臭素化ビスフェノールA
型エポキシ樹脂(臭素含有量45重Y%、エポキシ当景
400、軟化点70°C)25部、フェノールノボラッ
ク樹脂(水酸基当量104、軟化点90”C)50部、
溶融シリカ粉末420部、2−メチル−4−イミダゾー
ル1部、カーボンブラック2部、二酸化アンチモン20
部、次式で示されるシリコーンオイル(粘度3500セ
ンチストークス)2部(0,3重量%)を常温で十分混
合し更に80〜90°Cで混練した後粉砕しタブレット
化して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得、同様の評
価を実施した。
+CHzCHO出11゜CH3 1、m、nは1以上の整数を示す。) 比較例5 タレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当量22
0、軟化点80°C)75部、臭素化ビスフェノールA
型エポキシ樹脂(臭素含有量45重Y%、エポキシ当景
400、軟化点70°C)25部、フェノールノボラッ
ク樹脂(水酸基当量104、軟化点90”C)50部、
溶融シリカ粉末420部、2−メチル−4−イミダゾー
ル1部、カーボンブラック2部、二酸化アンチモン20
部、次式で示されるシリコーンオイル(粘度3500セ
ンチストークス)2部(0,3重量%)を常温で十分混
合し更に80〜90°Cで混練した後粉砕しタブレット
化して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得、同様の評
価を実施した。
その結果を第1表に示す。
C: + CI(、% O+C,)140 d C,H
,Oi Cl+。
,Oi Cl+。
を示す、)
表−1
m1型曇りが発生するまでの成形ショツト数にて判定
傘2得られた成形品のベント部分の樹脂パリの長さを測
定 市3成形品の表面をサンドペーパーで約0.5 m研磨
し、0.1鴫φ以上のボイドの数を顕微鏡にて観察した
。観察した成形品数はn = 100で表中には成形品
1個当りのトータルボイドの平均個数を示す。
定 市3成形品の表面をサンドペーパーで約0.5 m研磨
し、0.1鴫φ以上のボイドの数を顕微鏡にて観察した
。観察した成形品数はn = 100で表中には成形品
1個当りのトータルボイドの平均個数を示す。
本410シツツト目の成形品を使用し、捺印後セロテー
プをはる、このセロテープをはがした時捺印が取られた
数で判定、表中には成形品50個中捺印のはがれた成形
品個数を示す。
プをはる、このセロテープをはがした時捺印が取られた
数で判定、表中には成形品50個中捺印のはがれた成形
品個数を示す。
寧5 成形品100個(後硬化175°C4H)につい
て120℃の高圧水蒸気下で1000時間の耐湿テスト
を行ない不良個数を調べた。
て120℃の高圧水蒸気下で1000時間の耐湿テスト
を行ない不良個数を調べた。
表中は100個中の不良個数を示す。
Claims (1)
- (1)(A)エポキシ樹脂 (B)フェノール樹脂 (C)一般式(I) R_1O(C_2H_4O)_a(C_3H_6O)_
bR_z・・・(1)〔式中▲数式、化学式、表等があ
ります▼、 a及びbは0以上の整数、a+bは1以上の整数、尚R
_2においてnは1以上の整数〕で表わされるポリアル
キレンオキサイド (D)無機充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対してポリアルキレンオ
キサイド(C)を0.05〜5重量%含有することを特
徴とする半導体封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6968488A JPH01242656A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6968488A JPH01242656A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01242656A true JPH01242656A (ja) | 1989-09-27 |
JPH0564967B2 JPH0564967B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=13409941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6968488A Granted JPH01242656A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01242656A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1143586A (ja) * | 1997-07-28 | 1999-02-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005314684A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2006241281A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP6968488A patent/JPH01242656A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1143586A (ja) * | 1997-07-28 | 1999-02-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005314684A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2006241281A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0564967B2 (ja) | 1993-09-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |