JPH01219573A - 半導体レーザチップのアナログ伝送特性測定装置 - Google Patents
半導体レーザチップのアナログ伝送特性測定装置Info
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- JPH01219573A JPH01219573A JP4502788A JP4502788A JPH01219573A JP H01219573 A JPH01219573 A JP H01219573A JP 4502788 A JP4502788 A JP 4502788A JP 4502788 A JP4502788 A JP 4502788A JP H01219573 A JPH01219573 A JP H01219573A
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- semiconductor laser
- laser chip
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
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- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はアナログ光通信用光源に用いる半導体レーザチ
ップの伝送特性測定装置に関するものである。
ップの伝送特性測定装置に関するものである。
従来の技術
光通信システムに用いる光源としての半導体レーザの伝
送特性のうち、とくにアナログ変調方式を用いた場合に
おける半導体レーザチップ自身に要求される特性は厳し
く、さらに半導体レーザ活性層への反射戻り光による伝
送特性の劣化が著しい、半導体レーザチップの伝送特性
の測定の場合、従来は、たとえば第３図に示すように、
信号発生器１からの信号を半導体駆動回路２に入力し、
その出力により半導体レーザチップ３を駆動させ、半導
体レーザチップ３から出射した光をレンズ４゜５により
集光し、さらに光ファイバ６を通してフォトデイチクタ
フに導き、その出力を増幅器８を通してスペクトラムア
ナライザー９で測定していた。
送特性のうち、とくにアナログ変調方式を用いた場合に
おける半導体レーザチップ自身に要求される特性は厳し
く、さらに半導体レーザ活性層への反射戻り光による伝
送特性の劣化が著しい、半導体レーザチップの伝送特性
の測定の場合、従来は、たとえば第３図に示すように、
信号発生器１からの信号を半導体駆動回路２に入力し、
その出力により半導体レーザチップ３を駆動させ、半導
体レーザチップ３から出射した光をレンズ４゜５により
集光し、さらに光ファイバ６を通してフォトデイチクタ
フに導き、その出力を増幅器８を通してスペクトラムア
ナライザー９で測定していた。
発明が解決しようとする課題
上記のような従来の構成では、半導体レーザチップのア
ナログ伝送特性の評価にあたり、レンズや光ファイバな
どの端面反射による半導体レーザ活性層への反射戻り光
はノイズや歪の増大を生じさせ、半導体レーザチップの
特性評価を著しく困難にするとともに、レンズなどの光
学部品の位置合わせの困難さも伴なうという問題を有し
ていた。
ナログ伝送特性の評価にあたり、レンズや光ファイバな
どの端面反射による半導体レーザ活性層への反射戻り光
はノイズや歪の増大を生じさせ、半導体レーザチップの
特性評価を著しく困難にするとともに、レンズなどの光
学部品の位置合わせの困難さも伴なうという問題を有し
ていた。
本発明は上記従来の問題を解決するもので、半導体レー
ザ活性層への反射戻り光の発生を防止して、半導体レー
ザチップの特性評価を容易にかつ確実に行うことができ
る半導体レーザチップのアナログ伝送特性測定装置を提
供することを目的とするものである。
ザ活性層への反射戻り光の発生を防止して、半導体レー
ザチップの特性評価を容易にかつ確実に行うことができ
る半導体レーザチップのアナログ伝送特性測定装置を提
供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明の半導体レーザチップ
のアナログ伝送特性測定装置は、光通信システムのうち
でアナログ直接変調を用いる伝送方式における半導体レ
ーザチップのアナログ伝送特性測定装置であって、反射
戻り光が発生しないようフォトディテクタに接近してか
つ前記フォトディテクタに対して所定角度を持たせて前
記半導体レーザチップを固定する治具を設けたものであ
る。
のアナログ伝送特性測定装置は、光通信システムのうち
でアナログ直接変調を用いる伝送方式における半導体レ
ーザチップのアナログ伝送特性測定装置であって、反射
戻り光が発生しないようフォトディテクタに接近してか
つ前記フォトディテクタに対して所定角度を持たせて前
記半導体レーザチップを固定する治具を設けたものであ
る。
作用
上記構成により、光源として用いる半導体レーザチップ
の特性評価に際して、従来のような半導体レーザチップ
とフォトディテクタの間に介装されたレンズ、光ファイ
バーなどの端面反射を生じさせる光学部品を除き、しか
も、フォトディテクタに接近して、かつフォトディテク
タに対して所定角度を持たせた半導体レーザチップから
の出射光を直接フォトディテクタへ導くので１反射戻り
光が半導体レーザの活性層に注入されることが防がれ１
反射戻り光による信号雑音比や歪量への影響を除くこと
ができ、半導体レーザチップの特性評価を容易にかつ確
実に行うことができる。
の特性評価に際して、従来のような半導体レーザチップ
とフォトディテクタの間に介装されたレンズ、光ファイ
バーなどの端面反射を生じさせる光学部品を除き、しか
も、フォトディテクタに接近して、かつフォトディテク
タに対して所定角度を持たせた半導体レーザチップから
の出射光を直接フォトディテクタへ導くので１反射戻り
光が半導体レーザの活性層に注入されることが防がれ１
反射戻り光による信号雑音比や歪量への影響を除くこと
ができ、半導体レーザチップの特性評価を容易にかつ確
実に行うことができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体レーザチップの
アナログ伝送特性測定装置の概略ブロック図であり、従
来例と同一の構成のものは同一の符号を付してその説明
を省略する。第１図において、半導体レーザチップ３か
らの出射光は直接フォトデイチクタフに導かれ、従来の
ような、半導体レーザチップ３とフォトデイチクタフの
間の光学部品端面による半導体レーザチップ３の活性層
への反射戻り光が除かれている。
アナログ伝送特性測定装置の概略ブロック図であり、従
来例と同一の構成のものは同一の符号を付してその説明
を省略する。第１図において、半導体レーザチップ３か
らの出射光は直接フォトデイチクタフに導かれ、従来の
ような、半導体レーザチップ３とフォトデイチクタフの
間の光学部品端面による半導体レーザチップ３の活性層
への反射戻り光が除かれている。
第２図は要部を示す詳細図である。第２図において、１
０は半導体レーザ３を固定する治具であり、半導体レー
ザチップ３を固定する表面は、水平面に対し所定角度θ
（θ＝１０°程度）となるように研磨加工され、その上
に半導体レーザチップ３がのせられる。 １１はフォト
ディテクタパッケージで、内部にフォトディテクタ７が
設置され、開口部に表面保護ガラス１２が設けられ、こ
の表面保護ガラス１２が治具ｌＯの半導体レーザチップ
３に対向するように治具１０に接近して配置されている
。このように治具ｌＯをフォトデイチクタフに接近させ
れば、半導体レーザチップ３からの出射光がフォトデイ
チクタフに直接入射するとともに、この出射光が表面保
護ガラス１２の表面に対して所定角度θをもって入射す
るため、半導体レーザ活性層への反射戻り光を減少させ
ることが可能となり、半導体レーザチップの特性評価を
容易にかつ確実に実施することができる。
０は半導体レーザ３を固定する治具であり、半導体レー
ザチップ３を固定する表面は、水平面に対し所定角度θ
（θ＝１０°程度）となるように研磨加工され、その上
に半導体レーザチップ３がのせられる。 １１はフォト
ディテクタパッケージで、内部にフォトディテクタ７が
設置され、開口部に表面保護ガラス１２が設けられ、こ
の表面保護ガラス１２が治具ｌＯの半導体レーザチップ
３に対向するように治具１０に接近して配置されている
。このように治具ｌＯをフォトデイチクタフに接近させ
れば、半導体レーザチップ３からの出射光がフォトデイ
チクタフに直接入射するとともに、この出射光が表面保
護ガラス１２の表面に対して所定角度θをもって入射す
るため、半導体レーザ活性層への反射戻り光を減少させ
ることが可能となり、半導体レーザチップの特性評価を
容易にかつ確実に実施することができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、半導体レーザチップのア
ナログ伝送特性を反射戻り光の影響を除いた状態で測定
することが可能となり、半導体レーザチップの特性評価
を容易にかつ確実に行なうことができ、半導体レーザの
選別を簡単に行えるなど、その実用効果は大きいもので
ある。
ナログ伝送特性を反射戻り光の影響を除いた状態で測定
することが可能となり、半導体レーザチップの特性評価
を容易にかつ確実に行なうことができ、半導体レーザの
選別を簡単に行えるなど、その実用効果は大きいもので
ある。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体レーザチップの
アナログ伝送特性測定装置の概略ブロック図、第２図は
同測定装置の要部を示す詳細図。 、第３図は従来の半導体レーザチップのアナログ伝送特
性測定装置の概略ブロック図である。 １・・・信号発生器、２・・・半導体駆動回路、３・・
・半導体レーザチップ、７・・・フォトディテクタ、８
・・・増幅器、９・・・スペクトラムアナライザ、１０
・・・治具、１１・・・フォトディテクタパッケージ、
１２・・・表面保護ガラス。 代理人 森 本 義 弘
アナログ伝送特性測定装置の概略ブロック図、第２図は
同測定装置の要部を示す詳細図。 、第３図は従来の半導体レーザチップのアナログ伝送特
性測定装置の概略ブロック図である。 １・・・信号発生器、２・・・半導体駆動回路、３・・
・半導体レーザチップ、７・・・フォトディテクタ、８
・・・増幅器、９・・・スペクトラムアナライザ、１０
・・・治具、１１・・・フォトディテクタパッケージ、
１２・・・表面保護ガラス。 代理人 森 本 義 弘
Claims (1)
- １、光通信システムのうちでアナログ直接変調を用いる
伝送方式における半導体レーザチップのアナログ伝送特
性測定装置であって、反射戻り光が発生しないようフォ
トディテクタに接近してかつ前記フォトディテクタに対
して所定角度を持たせて前記半導体レーザチップを固定
する治具を設けた半導体レーザチップのアナログ伝送特
性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4502788A JPH01219573A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体レーザチップのアナログ伝送特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4502788A JPH01219573A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体レーザチップのアナログ伝送特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219573A true JPH01219573A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12707848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4502788A Pending JPH01219573A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体レーザチップのアナログ伝送特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01219573A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007315986A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Sony Corp | 回路検査装置および回路検査方法 |
| CN111896229A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-11-06 | 罗金燕 | 一种高效率精准对位的半导体激光器测试夹具及测试方法 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP4502788A patent/JPH01219573A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007315986A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Sony Corp | 回路検査装置および回路検査方法 |
| CN111896229A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-11-06 | 罗金燕 | 一种高效率精准对位的半导体激光器测试夹具及测试方法 |
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